Рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия по типу прибора (силовые полупроводники на основе GaN, радиочастотные (РЧ) приборы на основе GaN), применению (источники питания, телекоммуникации, промышленность), размеру пластины (2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов) и региону в 2024–2031 гг.

Рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия Оценка – 2024-2031

Рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия стремительно растет. Более высокая производительность приборов на основе GaN по сравнению с классическими приборами на основе кремния. GaN имеет ряд преимуществ, включая повышенную эффективность, более высокую скорость переключения и улучшенные возможности управления мощностью. Эти характеристики делают их подходящими для широкого спектра применений, включая силовую электронику, радиочастотные (РЧ) устройства и будущие поколения электромобилей. Размер рынка превысит 23,24 млрд долларов США в 2024 году и достигнет оценки около 34,59 млрд долларов США к 2031 году.

Такие тенденции, как развертывание сетей 5G, повышение электрификации и усовершенствования в аэрокосмическом и оборонном секторах, стимулируют значительный спрос на устройства GaN. По мере развития технологии GaN и повышения рентабельности методов производства можно ожидать, что этот рынок будет расти еще больше в ближайшие годы. Растущий спрос на экономически эффективные и производительные полупроводниковые устройства на основе нитрида галлия позволяет рынку расти со среднегодовым темпом роста 5,10% в период с 2024 по 2031 год.

Рынок полупроводниковых устройств на основе нитрида галлияопределение/обзор

Полупроводниковые устройства на основе нитрида галлия (GaN) представляют собой современные электронные компоненты, изготовленные из материала GaN, полупроводника с прямой запрещенной зоной, высокой подвижностью электронов и скоростью насыщения. Устройства GaN включают транзисторы, диоды и светодиоды, которые используются в силовой электронике и оптоэлектронике. Эти устройства превосходят типичные полупроводники на основе кремния по нескольким важным параметрам, включая большую энергоэффективность, теплопроводность и способность работать при более высоких температурах и частотах.

Полупроводниковые устройства GaN широко используются в различных отраслях промышленности благодаря своим выдающимся эксплуатационным характеристикам. В телекоммуникационной отрасли они имеют решающее значение для высокочастотных приложений, таких как усилители радиочастот в сетях 5G. В силовой электронике транзисторы и диоды GaN используются в источниках питания, инверторах и системах зарядки электромобилей (EV), что приводит к значительной экономии энергии и более компактным и легким силовым модулям. Отрасль оптоэлектроники выигрывает от светодиодов и лазерных диодов на основе GaN, которые используются в освещении, дисплеях и хранилищах данных.

Прогнозируемый рост полупроводниковых устройств GaN выглядит оптимистично, с продолжающимся прогрессом и более широким внедрением в различных отраслях. По мере роста спроса на большую экономичность и производительность, устройства GaN, как ожидается, будут играть важную роль в развитии электромобилей, систем возобновляемой энергии и беспроводной связи следующего поколения (6G и далее). Инновации в технологии GaN, как ожидается, приведут к созданию еще более компактной, быстрой и энергоэффективной электроники.

Будет ли спрос на высокопроизводительную электронику стимулировать рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия?

Желание высокопроизводительной электроники, вероятно, будет способствовать расширению рынка полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN). GaN имеет существенные преимущества по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния, включая повышение эффективности, более высокие скорости переключения и улучшенную управляемость. Эти свойства делают GaN идеальным для различных приложений, включая силовую электронику, радиочастотные усилители и светодиодное освещение. Поскольку отрасли ищут более эффективные и компактные решения, технология GaN все чаще рассматривается как жизнеспособный выбор, что приводит к глобальному принятию и расширению рынка.

Достижения в технологии GaN Постоянное развитие технологии GaN делает ее более привлекательной. Исследования и разработки приводят к улучшению свойств материала GaN, конструкции устройств и производственных процессов. Это не только повышает производительность, но и снижает цены, делая устройства GaN более доступными.

Превосходная производительность по сравнению с кремниевыми устройствами GaN имеет несколько преимуществ по сравнению со стандартными полупроводниками на основе кремния. Они обладают повышенной эффективностью, более высокой скоростью переключения и лучшей мощностью. Это приводит к улучшению производительности в различных приложениях, включая силовую электронику, радиочастотные устройства и даже будущие поколения электромобилей.

Повлияет ли высокая стоимость объемного нитрида галлия (GAN) на рост рынка полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия?

Высокая стоимость объемного нитрида галлия (GaN) может повлиять на рост рынка полупроводниковых устройств на основе GaN. Хотя GaN обеспечивает улучшенные преимущества производительности, такие как повышение эффективности и возможностей мощности, его первоначальная стоимость остается барьером для традиционных устройств на основе кремния. Этот аспект затрат может замедлить общее принятие, особенно в чувствительных к цене отраслях и приложениях, где экономическая эффективность имеет решающее значение.

Однако текущие исследования и разработки направлены на снижение производственных затрат и повышение эффективности производства, что может со временем устранить это препятствие и способствовать более широкому принятию технологии GaN на рынке.

Ограниченная экономия масштаба может оказать влияние на рост рынка полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия (GaN). Технология GaN, особенно в объемной форме, создает препятствия для получения экономии масштаба, сопоставимой с более устоявшимися полупроводниковыми материалами, такими как кремний. Это ограничение может привести к более высоким производственным затратам, что повлияет на ценовую конкурентоспособность и широкое внедрение в различных приложениях. Усилия по увеличению производственных мощностей и улучшению производственных процессов имеют решающее значение для преодоления этого препятствия и ускорения траектории роста рынка полупроводниковых устройств на основе GaN.

Проницательность по категориям

Как высокая плотность мощности ускоряет выход силовых полупроводников GaN на рынок полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия?

Категория силовых полупроводников GaN доминирует на рынке полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия. Внедрение на рынок силовых полупроводников GaN во многом обусловлено их высокой плотностью мощности. Устройства GaN имеют более высокую плотность мощности, чем традиционные конкуренты на основе кремния, что позволяет создавать более компактные, легкие и эффективные решения для силовой электроники. Это преимущество особенно полезно в таких приложениях, как электромобили, системы возобновляемой энергии и телекоммуникационная инфраструктура, где уменьшение размера и веса при одновременном повышении эффективности имеет решающее значение. Поскольку отрасли отдают приоритет малым и энергоэффективным решениям, присущая полупроводникам GaN высокая плотность мощности делает их хорошо подходящими для значительного расширения в этих приложениях.

Высокая эффективность является основным драйвером рынка полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия (GaN). Устройства GaN более эффективны, чем типичные полупроводники на основе кремния, особенно в силовой электронике и радиочастотных приложениях. Это преимущество в эффективности приводит к снижению потребления энергии, снижению эксплуатационных расходов и повышению производительности, что делает GaN привлекательным вариантом для предприятий, стремящихся к энергоэффективности и устойчивости. Поскольку спрос на более эффективную электронику растет во многих отраслях, исключительная эффективность GaN готовит его к значительному расширению рынка.

Категория радиочастотных (РЧ) устройств GaN растет быстрее всего на рынке полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия. Этот быстрый рост обусловлен внедрением беспроводной технологии следующего поколения и достижениями в многочисленных радиочастотных приложениях.

Будет ли сегмент источников питания солнечных инверторов продвигаться на рынок полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия?

Рынок полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия в настоящее время возглавляется сегментом источников питания. Это доминирование в первую очередь обусловлено растущим спросом на эффективное преобразование энергии в различных отраслях промышленности. Солнечные инверторы являются значительным сегментом рынка, продвигающим использование полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия (GaN).

Способность GaN более эффективно обрабатывать высокие частоты и напряжения делает его идеальным для использования в источниках питания в солнечных инверторах. Эти инверторы требуют мощных, высокопроизводительных компонентов для преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный ток для использования в электрических сетях или потребления на месте. Устройства GaN обладают такими преимуществами, как повышенная плотность мощности, меньшие размеры и вес, а также повышенная надежность, что делает их все более популярными в солнечной энергетике для повышения общей эффективности и производительности системы.

Телекоммуникации являются самым быстрорастущим сегментом на рынке полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия. Этот всплеск обусловлен принятием беспроводных технологий следующего поколения и растущей потребностью в более высоких скоростях передачи данных. Глобальное развертывание сетей 5G требует высокопроизводительных радиочастотных (РЧ) компонентов для базовых станций и пользовательского оборудования. Технология GaN идеально подходит для этого применения благодаря своим возможностям высокой частоты и мощности.

Получить доступ к методологии отчета о рынке полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия

Страновые/региональные знания

Будет ли государственная поддержка в Азиатско-Тихоокеанском регионе лидировать на рынке полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия?

В настоящее время Азиатско-Тихоокеанский регион доминирует на рынке полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия. Прогнозируется, что государственная поддержка в Азиатско-Тихоокеанском регионе будет способствовать расширению рынка полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN). Во многих азиатских странах, включая Японию, Южную Корею и Китай, предпринимаются усилия и реализуются политики по содействию производству полупроводников и стимулированию технологических инноваций.

Эти инициативы включают спонсирование исследований и разработок, предоставление стимулов компаниям-производителям полупроводников и поощрение использования передовых технологий, таких как GaN, для приложений от силовой электроники до телекоммуникаций. Такая поддержка помогает укрепить инфраструктуру, снизить производственные затраты и ускорить принятие на рынок, что вносит вклад в общий рост рынка полупроводниковых устройств GaN в регионе и за его пределами.

Растущий спрос на бытовую электронику в Азиатско-Тихоокеанском регионе, вероятно, будет способствовать развитию рынка полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия (GaN). Поскольку производители бытовой электроники стремятся удовлетворить растущий спрос на более мелкие, более эффективные и высокопроизводительные продукты, технология GaN обеспечивает существенные преимущества. Полупроводники GaN позволяют создавать миниатюрные адаптеры питания, решения для быстрой зарядки и высокочастотные радиочастотные компоненты, что соответствует тенденции к портативным, энергоэффективным устройствам. Растущий рынок потребительской электроники в Азиатско-Тихоокеанском регионе, подпитываемый ростом располагаемых доходов и техническими усовершенствованиями, создает благоприятные условия для внедрения и расширения рынка полупроводников GaN.

Будет ли раннее внедрение новых технологий стимулировать рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия в Северной Америке?

Ожидается, что Северная Америка станет наиболее быстрорастущим регионом на рынке полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия. Прогнозируется, что раннее внедрение новых технологий будет стимулировать рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN) в североамериканском регионе. Северная Америка, известная своей сильной инновационной экосистемой и ранним внедрением прорывных технологий, имеет все возможности для извлечения выгоды из преимуществ GaN в различных приложениях, включая силовую электронику, радиочастотные устройства и светодиодное освещение. Такие отрасли промышленности региона, как автомобилестроение, телекоммуникации и аэрокосмическая промышленность, делают ставку на производительность, эффективность и надежность, в которых GaN преуспевает. Поскольку североамериканские предприятия стремятся к конкурентным преимуществам и технологическому лидерству, ожидается, что использование полупроводниковых приборов GaN ускорится, что будет способствовать росту регионального рынка.

Мощная экосистема научно-исследовательских институтов, технологических предприятий и венчурного капитала Северной Америки способствует быстрым инновациям и развитию полупроводников. Выдающиеся показатели GaN в силовой электронике, радиочастотных приложениях и светодиодном освещении согласуются с фокусом региона на эффективность, производительность и устойчивость. Поскольку автомобильная, телекоммуникационная и возобновляемая энергетическая отрасли ищут передовые решения, использование GaN, вероятно, будет расти, чему способствуют постоянные прорывы и инвестиции в революционные полупроводниковые технологии по всей Северной Америке.

Конкурентная среда

Рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия является динамичным и конкурентным пространством, характеризующимся разнообразным кругом игроков, борющихся за долю рынка. Эти игроки стремятся укрепить свое присутствие посредством принятия стратегических планов, таких как сотрудничество, слияния, поглощения и политическая поддержка.

Организации сосредоточены на обновлении своей линейки продуктов для обслуживания огромного населения в различных регионах. Некоторые из видных игроков, работающих на рынке полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия, включают

• Wolfspeed, Inc.
• Qorvo, Inc.
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
• Infineon Technologies AG
• Sumitomo Electric Industries, Ltd.
• Navitas Semiconductor
• Mitsubishi Electric
• Epistar Corporation
• Cree, Inc.
• Transphorm, Inc.
• Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
• GaN Systems, Inc.
• Nichia Corporation
• Texas Instruments Incorporated
• Microchip Technology Incorporated
• Panasonic Corporation
• Analog Devices, Inc.
• Visic Technologies, Inc.
• Integra Technologies, Inc.
• Exagan, Inc.

Последние разработки

• В апреле 2024 года Transphorm, Inc., поставщик силовых полупроводников GaN, и Weltrend Semiconductor Inc. выпустили две новые системы в корпусах GaN (SiP). Последние новинки, WT7162RHUG24C и WT7162RHUG24B, объединяют высокочастотный многорежимный (QR/Valley Switching) ШИМ-контроллер Flyback от Weltrend с полевыми транзисторами SuperGaN Transphorm 480 мК и 150 мК соответственно. Это партнерство расширяет флагманскую разработку Weltrend GaN SiP прошлого года, создавая первую линейку продуктов SiP на основе технологии Transphorm SuperGaN.
• В марте 2024 года компания Efficient Power Conversion Corporation анонсировала EPC2361, революционный полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) с самым низким на рынке сопротивлением в открытом состоянии при 100 В, 1 мОм. Ожидается, что это изобретение удвоит плотность мощности по сравнению с продуктами EPC предыдущего поколения. EPC2361 имеет превосходное типичное сопротивление RDS (в открытом состоянии), составляющее всего 2 мОм, и помещен в термически улучшенный корпус QFN с открытой верхней частью, занимая небольшую площадь 3 мм x 5 мм.
• В январе 2024 года компания Transphorm Inc. выпустила два новых устройства SuperGaN на 650 В, упакованных в 4-выводной корпус TO-247 (TO-247-4L). Новые полевые транзисторы TP65H035G4YS и TP65H050G4YS имеют сопротивление открытого канала 35 мОм и 50 мОм соответственно. Они включают в себя терминал источника Кельвина, что обеспечивает гибкое переключение с низкими потерями энергии.
• В ноябре 2023 года Cambridge GaN Devices (CGD) объединилась с Cambridge University Technical Services (CUTS) в Великобритании и Chicony Power Technology в Тайване, чтобы предложить адаптеры с высокой плотностью мощности и решения для питания центров обработки данных с использованием технологии GaN.

Область отчета

Рынок полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия, по категориям

Тип прибора

• Силовые полупроводники GaN
• Радиочастотные (РЧ) приборы GaN
• Оптоэлектронные приборы GaN

Применение

• Источники питания
• РЧ-устройства
• Автомобилестроение
• Бытовая электроника
• Телекоммуникации
• Промышленность
• Авиакосмическая и оборонная промышленность
• Здравоохранение

Пластины Размер

• 2 дюйма
• 4 дюйма
• 6 дюймов
• 8 дюймов

Регион

• Северная Америка
• Европа
• Азиатско-Тихоокеанский регион
• Южная Америка
• Ближний Восток и amp; Африка

Методология исследования рынка

Чтобы узнать больше о методологии исследования и других аспектах исследования, свяжитесь с нашим .

Причины приобретения этого отчета

Качественный и количественный анализ рынка на основе сегментации, включающей как экономические, так и неэкономические факторы Предоставление данных о рыночной стоимости (млрд долларов США) для каждого сегмента и подсегмента Указывает регион и сегмент, которые, как ожидается, будут демонстрировать самый быстрый рост, а также будут доминировать на рынке Анализ по географии, подчеркивающий потребление продукта/услуги в регионе, а также указывающий факторы, влияющие на рынок в каждом регионе Конкурентная среда, которая включает рейтинг рынка основных игроков, а также запуск новых услуг/продуктов, партнерства, расширения бизнеса и приобретения за последние пять лет профилированных компаний Обширные профили компаний, включающие обзор компании, аналитические данные о компании, сравнительный анализ продуктов и SWOT-анализ для основных игроков рынка Текущие и будущие рыночные перспективы отрасли с учетом последних событий, которые включают возможности и драйверы роста, а также проблемы и ограничения как развивающихся, так и развитых регионов. Включает углубленный анализ рынка с различных точек зрения с помощью анализа пяти сил Портера. Предоставляет представление о рынке с помощью сценария динамики рынка цепочки создания стоимости, а также возможностей роста рынка в ближайшие годы. 6-месячная поддержка аналитиков после продажи.

Настройка отчета

В случае возникновения каких-либо проблем свяжитесь с нашей командой по продажам, которая обеспечит выполнение ваших требований.