Рынок силовых транзисторов — глобальный размер отрасли, доля, тенденции, возможности и прогноз на 2018–2028 гг., сегментированный по типу (биполярные транзисторы, полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник, транзисторы со статической индукцией, биполярные транзисторы с изолированным затвором), по применению (импульсные источники питания, реле, преобразователи, усилители мощности,

Ожидается, что рынок силовых транзисторов будет расти в течение прогнозируемого периода из-за следующих факторов, таких как рост внедрения Интернета вещей (IoT), повышение осведомленности о полезных функциях силовых транзисторов и растущий спрос на силовые транзисторы в коммуникационных и подключенных электронных устройствах.

Силовые транзисторы представляют собой трехконтактные устройства, которые состоят из полупроводниковых материалов. Они включают в себя эмиттер, базу и коллектор. Более того, основная функция транзистора заключается в усилении слабых сигналов и их соответствующей регулировке. Кроме того, эти транзисторы могут иметь полярность NPN (отрицательная положительная отрицательная) или PNP (положительная отрицательная положительная) и встречаются в различных типах с различными показателями мощности и скорости переключения.

Растущий спрос на бытовую электронику

В бытовой электронике мощные транзисторы являются жизненно важным компонентом, поскольку они играют важную роль в усилении электронных сигналов и используются для улучшения функциональности и производительности бытовой электроники. Таким образом, развитые и развивающиеся экономики способствуют росту потребительской электроники посредством государственной поддержки, технологических достижений, инициатив и инвестиций и т. д. Например, в Индии правительство ожидает инвестиций в размере 4183 млн долларов США в рамках схемы PLI для крупномасштабного производства электроники, в основном мобильных телефонов и электронных компонентов, к 2025 году. Более того, такие схемы, как программа «Сделано в Индии», Национальная политика в области электроники, Схема стимулирования производства для электронного сектора, Модифицированная схема специальных стимулов, Схема кластеров производства электроники (EMC) и ряд других мер направлены на стимулирование внутреннего производства, локализацию производства электроники, привлечение прямых иностранных инвестиций и увеличение экспорта. Следовательно, благодаря таким инвестициям и инициативам ожидается, что глобальный рынок силовых транзисторов увеличится в течение прогнозируемого периода.

Технологические достижения в области силовых транзисторов

Силовые транзисторы используются практически во всех электрических приборах вокруг нас, включая персональные компьютеры, смартфоны и телевизоры, и оказывают значительное влияние на их производительность. Поэтому транзисторные технологии совершенствуются с каждым днем для достижения более высокой производительности, такой как большая скорость работы, меньшее энергопотребление, меньший размер и т. д. Первоначально транзисторы были разработаны с использованием германия (Ge), но впоследствии для улучшения производительности схем использовался кремний (Si). Более того, традиционные силовые преобразователи используют быстродействующие транзисторы для преобразования электрической энергии. Эти транзисторы увеличивают стоимость, снижают эффективность, отрицательно влияя на надежность преобразователя. В стандартном преобразователе потребность в мощности/скорости, потери и отказы в основном связаны с быстродействующим транзистором. В дальнейшем устранение быстродействующих транзисторов позволяет создавать усовершенствованные высокопроизводительные преобразователи мощности, которые могут работать с улучшенной плотностью мощности и эффективностью, одновременно снижая затраты, связанные с установкой, ремонтом и заменой традиционных преобразователей. Таким образом, с растущим внедрением технологических достижений в области силовых транзисторов глобальный рынок силовых транзисторов, вероятно, будет расти быстрыми темпами в ближайшие годы.

Растущая технология 5G стимулирует рост рынка

Технология 5G привела к внедрению значительного количества новых функций RF (радиочастот), которые необходимо реализовать в мобильных сетях с учетом строгих ограничений по пространству на плате и энергопотреблению. Чтобы соответствовать этим все более сложным требованиям, разработчики RF обратились к использованию альтернативных материалов, таких как широкополосные полупроводники (WBG), способные предложить значительные улучшения с точки зрения как плотности мощности, так и эффективности по сравнению с традиционными силовыми ИС RF на основе кремния. Таким образом, рост технологий 5G, вероятно, повлияет на спрос на силовые транзисторы во всем мире.

Загрузить бесплатный образец отчета

Сегменты рынка

Глобальный рынок силовых транзисторов сегментирован по типу, применению, конечному использованию и региону. В зависимости от типа рынок сегментирован на биполярные транзисторы, полевые транзисторы на основе оксида металла и полупроводника, статические индукционные транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от применения рынок сегментирован на импульсные источники питания, реле, преобразователи, усилители мощности, преобразователи постоянного тока в переменный, источники питания, схемы управления питанием, инверторы. По конечному использованию рынок сегментирован на потребительскую электронику, связь и технологии, автомобилестроение, производство, энергетику и электроэнергию и другие.

Участники рынка

Последние разработки

• В июне 2022 года компания GaN Systems представила новый транзистор, который пополнил самый широкий в отрасли портфель транзисторов GaNpower. Он повышает эффективность, управление тепловым режимом и производительность по плотности мощности, одновременно повышая гибкость конструкции и экономическую эффективность для удовлетворения растущих потребностей потребителей, промышленных клиентов и клиентов центров обработки данных.
  
  
• В декабре 2021 года IBM и Samsung Electronics представили прорыв в области проектирования полупроводников, используя новую архитектуру вертикального транзистора, которая показывает способ масштабирования за пределы нанолистов и имеет потенциал для использования на 85% меньше энергии, чем масштабированный полевой транзистор с плавником.