Рынок силовых МОП-транзисторов — глобальный размер отрасли, доля, тенденции, возможности и прогноз, сегментированный по типу (режим истощения и режим улучшения), по мощности (высокая мощность, средняя мощность и низкая мощность), по типу канала (N-канал и P-канал), по применению (энергетика и электропитание, инверторы и ИБП, бытовая электроника, автомобилестроение, промышленность и другие), по рег

Глобальный рынок силовых МОП-транзисторов (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник)

Силовой МОП-транзистор предназначен для работы со значительными уровнями мощности. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) или тиристор, два других силовых полупроводниковых прибора, предлагают аналогичные преимущества с точки зрения скорости переключения и эффективности при низких напряжениях. Он имеет общий изолированный затвор с IGBT, что упрощает управление. Они могут иметь низкий коэффициент усиления, иногда до такой степени, что напряжение затвора должно быть выше управляющего напряжения.

Современная электроника имеет множество функций, которые помогают клиентам чувствовать себя более комфортно и продавать больше. Были повышены стандарты безопасности потребителей, и появились новые возможности для бизнеса для улучшенной электроники и устройств в результате технологических достижений в области электронных компонентов, таких как мобильные телефоны, компьютеры, беспроводная связь и облачные системы, среди прочего. Силовой МОП-транзистор имеет критический потенциал из-за быстрого улучшения инноваций, повышенной производительности и небольшого размера электронных деталей. Кроме того, нанорегулятор имеет основополагающее значение для работы с циклами с минимальной мерой силового сбоя. Ожидается, что координация различных электронных гаджетов предоставит участникам рынка множество возможностей.

Повышенный акцент на энергосбережении

Ожидается, что в будущем возникнут проблемы с питанием, поскольку ископаемое топливо быстро заканчивается. Неудивительно, что энергосбережению уделяется все больше внимания. МОП-транзистор — это коммутационный компонент, используемый в управлении электромобилями, инверторах и источниках питания. МОП-транзисторы часто используются в промышленных условиях с низкими частотами переключения. Растущий акцент на энергоэффективности и возобновляемых источниках сделал эту отрасль своей. Ожидается, что возобновляемая энергия с наибольшим количеством установок составит большую часть силового модуля. Таким образом, ожидается, что эти факторы будут стимулировать

Широкое использование силовых МОП-транзисторов в полупроводниках является движущей силой мирового рынка силовых МОП-транзисторов

МОП-транзисторы являются наиболее часто используемым полупроводниковым устройством в сложных и простых схемах, а также наиболее часто используемым силовым устройством. Это основной крошечный полупроводник, который можно сократить и эффективно производить для многих приложений. Масштабирование и сокращение МОП-транзисторов привели к быстрому развитию инноваций в области электронных полупроводников, что позволило создать интегральные схемы (ИС) большой толщины, например, микросхемы памяти и микросхемы.

Силовой МОП-транзистор является наиболее широко используемым силовым устройством в мире. МОП-транзисторы имеют преимущество перед биполярными полупроводниковыми транзисторами в силовом оборудовании, поскольку им не требуется постоянное изменение тока управления для поддержания состояния ВКЛ, они обеспечивают более высокие скорости обмена, меньшие потери мощности обмена, меньшую защиту при включении и менее склонны к выходу из-под контроля. Power MOSFET влияет на электроснабжение, принимая во внимание более заметные рабочие частоты, меньшие размеры и вес, а также большее производство. Таким образом, ожидается, что это подстегнет рост мирового рынка power MOSFET.

Скачать бесплатный пример отчета

Сегодняшние машины чрезвычайно гибки, минималистичны и производительны в выполнении того, для чего они созданы, до такой степени, что они взяли на себя контроль над массой упражнений, которые выполнялись физически. Ожидается, что рынок машин и электронного оборудования продолжит расти или расти быстрее спроса в ближайшие годы. Большая часть машин управляет питанием с помощью power MOSFET. Модуль MOSFET часто используется для операций переключения напряжения, и во всем мире насчитывается около 78 124 гигаватт (ГВт) ветровых и солнечных установок. Растущая зависимость от электрических машин и оборудования, которая напрямую приносит пользу силовым МОП-транзисторам, является одним из основных факторов, влияющих на рынок глобальных силовых МОП-транзисторов.

Растущий спрос на компоненты электромобилей будет способствовать росту глобального рынка силовых МОП-транзисторов

Ожидается, что глобальный рынок силовых МОП-транзисторов расширится в течение прогнозируемого периода в результате правительственных инициатив по предоставлению налоговых льгот и субсидий для поощрения использования малогабаритных транспортных средств с нулевым уровнем выбросов во всем мире. Также ожидается, что глобальный рынок будет стимулироваться растущими инвестициями в создание станций заправки водородом и зарядки электромобилей. Кроме того, ожидается, что глобальный рынок выиграет от снижения цен на аккумуляторы электромобилей в результате их широкого производства и постоянного технологического прогресса. Другим важным фактором, который будет стимулировать мировой рынок, является высокий спрос на электромобильное оборудование и компоненты, такие как портативные зарядные устройства, адаптеры, разъемы и кабели для зарядки.

Ожидается, что ограничения в эксплуатации и высокие затраты будут препятствовать росту мирового рынка силовых МОП-транзисторов

Такие ограничения, как пробой, вызванный оксидом затвора, напряжением сток-исток, максимальным током стока и температурой, не позволяют этому рынку расширяться. Из-за своей тонкости оксид затвора имеет неглубокий предел пробоя. Срок службы МОП-транзистора еще больше сокращается из-за высокого напряжения затвор-исток, и это практически не влияет на восстановление. МОП-транзистору также требуется определенная мера напряжения и тока канал-исток; пробой может произойти быстро, если эти требования не будут выполнены.

Кроме того, силовые МОП-транзисторы имеют тенденцию к утечке тока, что влияет на рост рынка. Высокие затраты на установку силовых МОП-транзисторов могут ограничить расширение рынка, поскольку этот компонент повышает цены на транспортные средства. Из-за многочисленных технологических компонентов транспортного средства его обслуживание является сложной задачей и требует квалифицированного персонала. Срок службы систем со сложной архитектурой короче. Впоследствии предполагается, что факторы, упомянутые выше, как ожидается, станут препятствием для роста мирового рынка силовых МОП-транзисторов.

Последние разработки

• В марте 2022 года компания Microchip Technology Inc. выпустила самые низкие в отрасли 3,3 кВ SiC МОП-транзисторы и самые высокие номинальные токи SiC SBD, что позволило разработчикам воспользоваться преимуществами прочности, надежности и производительности. Теперь у разработчиков есть необходимые инструменты для создания более легких, компактных и эффективных решений для электрифицированного транспорта, возобновляемой энергетики, аэрокосмической отрасли и промышленных приложений благодаря расширению портфеля SiC компании Microchip. 3,3 кВ MOSFET и SBD, предлагаемые Microchip, являются частью обширной коллекции SiC-решений компании, которая также включает кристаллы, дискретные элементы, модули и цифровые драйверы затворов для напряжений 700 В, 1200 В и 1700 В. MOSFET с 25 мОм и SBD с самым высоким в отрасли номинальным током 90 ампер входят в число 3,3 кВ SiC-устройств питания, производимых Microchip. SBD и MOSFET можно приобрести в виде кристаллов или корпусов. Благодаря этим новым уровням производительности проектировщики могут упростить свои проекты, создавать системы с большей мощностью и использовать меньше параллельных компонентов для создания решений питания, которые меньше, легче и эффективнее.

Сегментация рынка

Участники рынка

Основными игроками на мировом рынке силовых МОП-транзисторов являются Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd. и Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.