Рынок устройств 3D TSV — глобальный размер отрасли, доля, тенденции, возможности и прогноз, сегментированный по продуктам (память, MEMS, датчики изображения CMOS, оптоэлектроника и оптоэлектроника, а также усовершенствованная светодиодная упаковка), применению (сектор потребительской электроники, сектор информационных и коммуникационных технологий, автомобильный сектор, военный, аэрокосмический и

Обзор рынка

Глобальный рынок устройств 3D TSV оценивается в 7,68 млрд долларов США в 2022 году и, как ожидается, будет прогнозировать устойчивый рост в прогнозируемый период с CAGR 5,93% до 2028 года. Растущий спрос на миниатюризацию электронных устройств стимулирует рост рынка 3D TSV. Эти продукты могут быть получены путем гетеросистемной интеграции, что может обеспечить более надежную передовую упаковку. С помощью чрезвычайно маленьких датчиков MEMS и 3D-упакованной электроники можно размещать датчики практически в любом месте и контролировать оборудование в суровых условиях в режиме реального времени, чтобы повысить надежность и время безотказной работы.

3D TSV в динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), которая хранит каждый бит данных в отдельном крошечном конденсаторе в интегральной схеме, стимулирует рост рынка 3D TSV. 3D DRAM от Micron с переработанной архитектурой DRAM достигает значительных улучшений в мощности и синхронизации, что помогает в разработке передового теплового моделирования.

Ключевые драйверы рынка

Миниатюризация и более высокие требования к производительности

Миниатюризация и более высокие требования к производительности являются основополагающими драйверами, стимулирующими рост мирового рынка устройств 3D TSV (Through-Silicon Via). Эта динамика лежит в основе технологической эволюции, формируя отрасли от потребительской электроники до центров обработки данных и далее. В сфере потребительской электроники существует ненасытный аппетит к более изящным, более компактным, но невероятно мощным устройствам. Потребители требуют смартфоны, планшеты и носимые устройства, которые не только визуально привлекательны, но и способны справляться со все более сложными задачами. Этот спрос подтолкнул производителей к поиску инновационных решений, и технология 3D TSV стала переломным моментом. Вертикально размещая несколько чипов, TSV позволяют производителям значительно сократить физические размеры устройств, одновременно повышая их производительность. Эта идеальная синергия отвечает желаниям потребителей как по стилю, так и по содержанию.

Эта тенденция распространяется за пределы потребительских гаджетов на центры обработки данных, где преобладает ненасытный голод по вычислительной мощности и емкости памяти. Поскольку предприятия сталкиваются с постоянно растущими объемами данных и необходимостью быстрого анализа, важность устройств 3D TSV становится очевидной. Эти устройства предлагают возможность размещать компоненты памяти и обработки, увеличивая плотность памяти и пропускную способность. В центрах обработки данных, где пространство в приоритете, а энергоэффективность имеет решающее значение, компактный форм-фактор 3D TSV и сниженное энергопотребление оказываются бесценными.

Более того, приложения высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ) все больше полагаются на технологию 3D TSV. Эти области требуют исключительных вычислительных возможностей, а 3D TSV облегчают интеграцию специализированных чипов, таких как графические процессоры и ПЛИС, для непревзойденной вычислительной мощности. В заключение следует сказать, что миниатюризация и более высокие требования к производительности — это не просто тенденции, а устойчивые ожидания в нашем мире, движимом технологиями. Глобальный рынок устройств 3D TSV не только оправдывает эти ожидания, но и стимулирует инновации в электронике, обработке данных и ИИ. Поскольку спрос на более компактные, мощные и энергоэффективные устройства продолжает расти, технология 3D TSV выступает в качестве важнейшего фактора прогресса, гарантируя, что наши устройства будут становиться все более умными и более функциональными, помещаясь при этом на ладони.

Растущий спрос на решения для памяти

Растущий спрос на решения для памяти является мощной силой, движущей рост мирового рынка устройств 3D TSV (Through-Silicon Via). Этот спрос подпитывается различными факторами, включая взрывной рост данных в цифровую эпоху, рост облачных вычислений и постоянно растущую сложность потребительской электроники. Одним из наиболее существенных факторов спроса на решения для памяти является ориентированный на данные характер современного общества. Мы генерируем и потребляем данные с беспрецедентной скоростью, что обусловлено такими видами деятельности, как онлайн-трансляция, социальные сети, электронная коммерция и устройства IoT. Эти данные необходимо эффективно хранить и обрабатывать, и технология 3D TSV предлагает убедительное решение. Вертикально размещая модули памяти с помощью TSV, производители могут значительно увеличить плотность памяти в рамках меньшего физического пространства. Это особенно важно для центров обработки данных и серверных ферм, где пространство имеет первостепенное значение, а энергоэффективность является главным приоритетом.

Облачные вычисления, которые лежат в основе многих онлайн-сервисов и приложений, в значительной степени зависят от решений в области памяти для обеспечения быстрого доступа к данным и приложениям. Устройства 3D TSV позволяют поставщикам облачных услуг оптимизировать инфраструктуру своих центров обработки данных, размещая больше памяти в своих серверных стойках. Это не только повышает производительность облачных сервисов, но и снижает эксплуатационные расходы, требуя меньше физического пространства и мощности. Кроме того, бытовая электроника, включая смартфоны, планшеты и игровые консоли, становится все более интенсивно использующей память. Потребители ожидают устройств с достаточной емкостью для хранения фотографий, видео, приложений и игр. Технология 3D TSV позволяет производителям встраивать больше памяти в эти устройства, сохраняя при этом тонкий форм-фактор. Это особенно важно на конкурентном рынке потребительской электроники, где востребованы тонкие, высокопроизводительные устройства.

Кроме того, автомобильная промышленность сталкивается с ростом требований к памяти, поскольку транспортные средства становятся все более подключенными и автономными. Устройства 3D TSV могут удовлетворить требования современных систем помощи водителю (ADAS) и автомобильных развлекательных систем, повышая как безопасность, так и пользовательский опыт. В заключение следует отметить, что растущий спрос на решения для памяти является многогранным драйвером, который затрагивает различные отрасли и приложения. Технология 3D TSV играет ключевую роль в удовлетворении этих требований, предлагая более высокую плотность памяти, улучшенную пропускную способность и решения с эффективным использованием пространства. Поскольку наша зависимость от приложений, интенсивно использующих данные и память, продолжает расти, глобальный рынок устройств 3D TSV хорошо подготовлен к устойчивому расширению.

Высокопроизводительные вычисления (HPC) и приложения ИИ

Приложения высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта (ИИ) готовы стать значительными драйверами роста глобального рынка устройств 3D TSV (Through-Silicon Via). Эти преобразующие технологии имеют ненасытные аппетиты к вычислительной мощности, пропускной способности памяти и энергоэффективности, все из которых значительно улучшены технологией 3D TSV. В сфере HPC, где сложное моделирование, научные исследования и анализ данных требуют огромных вычислительных возможностей, устройства 3D TSV становятся незаменимыми. Эти устройства позволяют вертикально размещать несколько чипов, включая высокопроизводительные процессоры и модули памяти, в одном корпусе. Такая интеграция дает несколько преимуществ, включая уменьшенную длину межсоединений, что приводит к более быстрой передаче данных и меньшей задержке. Для приложений HPC, где микросекунды могут иметь значение, это сокращение накладных расходов на связь является переломным моментом. Кроме того, повышенная плотность памяти и пропускная способность, предоставляемые 3D TSV, способствуют более быстрому доступу к данным, что имеет решающее значение для обработки больших наборов данных и эффективного выполнения сложных вычислений.

Приложения ИИ, включая машинное обучение и глубокое обучение, являются еще одной движущей силой принятия технологии 3D TSV. Обучение моделей ИИ включает в себя огромные объемы данных и сложные матричные вычисления. Для ускорения этих операций специализированное оборудование, такое как графические процессоры и TPU, интегрируется вместе с традиционными центральными процессорами. 3D TSV обеспечивают тесное связывание этих компонентов, уменьшая узкие места при передаче данных и повышая общую эффективность обучения ИИ. Кроме того, компактный форм-фактор устройств 3D TSV соответствует требованиям развертывания ИИ в периферийных вычислениях и автономных системах, где ограничения по пространству являются обычным явлением. Кроме того, поскольку ИИ находит применение в различных отраслях, от здравоохранения до автономных транспортных средств, спрос на устройства, оснащенные 3D TSV, готов расти во многих секторах.

В заключение следует сказать, что приложения HPC и ИИ находятся на переднем крае технологического прогресса, а технология 3D TSV служит средством их дальнейшей эволюции. Возможность размещения высокопроизводительных чипов и памяти в компактном форм-факторе не только повышает вычислительные возможности, но и способствует энергоэффективности, что является критически важным фактором в этих энергоемких областях. Поскольку эти технологии становятся все более распространенными, глобальный рынок устройств 3D TSV хорошо подготовлен к устойчивому росту, поддерживая инновации и эффективность в широком спектре приложений.

Основные проблемы рынка

Сложные производственные процессы

Сложные производственные процессы, связанные с устройствами 3D TSV (Through-Silicon Via), представляют собой существенное препятствие для широкого внедрения и роста мирового рынка устройств 3D TSV. Эти сложные процессы влекут за собой несколько этапов и сложных технологий, которые могут препятствовать эффективности производства, увеличивать затраты и создавать проблемы для производителей. Технологическая сложностьпроизводство устройств 3D TSV включает в себя несколько сложных процессов, включая обработку тонких пластин, соединение пластин, травление TSV, утончение задней стороны и микропроизводство. Каждый из этих этапов требует специализированного оборудования, материалов и опыта. Сложность этих процессов делает их более подверженными ошибкам и проблемам, требуя квалифицированного персонала и тщательного контроля качества.

Капиталоемкое оборудованиеСоздание производственного предприятия 3D TSV требует значительных инвестиций в специализированные машины и оборудование. Капитальные затраты могут стать существенным барьером для входа на рынок для небольших компаний или стартапов, ограничивая рыночную конкуренцию и инновации. Кроме того, постоянное обслуживание и модернизация этих машин способствуют эксплуатационным расходам. Материалы и цепочка поставокПроцессы 3D TSV требуют определенных материалов, включая усовершенствованные кремниевые пластины, диэлектрические материалы и связующие материалы. Обеспечение надежной цепочки поставок для этих материалов имеет решающее значение, и любые сбои могут привести к задержкам производства и увеличению затрат.

Управление выходом продукцииДостижение высокого выхода продукции (процента устройств без дефектов) имеет первостепенное значение в производстве полупроводников. Из-за сложности процессов 3D TSV обеспечение постоянно высокого выхода продукции может быть сложной задачей. Дефектные устройства приводят к увеличению производственных затрат, потере ресурсов и задержкам в доставке продукции. Производители должны инвестировать в строгий контроль качества и системы обнаружения дефектов, чтобы минимизировать потери выхода продукции. Изменение процессаИзменение в производственных процессах может привести к нестабильному качеству продукции. Это особенно важно в отраслях, где надежность и производительность имеют решающее значение, таких как аэрокосмическая и автомобильная промышленность. Управление и сокращение изменения процесса требуют постоянного мониторинга и оптимизации.

Время выхода на рынокСложная природа производственных процессов 3D TSV может привести к более длительным циклам разработки и времени выхода на рынок. В быстро развивающихся отраслях, таких как бытовая электроника и телекоммуникации, задержки в выводе продуктов на рынок могут пагубно сказаться на конкурентоспособности компании. Проблемы масштабированияМасштабирование производства для удовлетворения растущего спроса при сохранении качества и постоянства может быть сложной задачей. Производители должны найти способы оптимизации процессов и контроля затрат по мере роста объемов производства.

Защита интеллектуальной собственностиЗащита интеллектуальной собственности в полупроводниковой промышленности имеет решающее значение. Однако сложность процессов 3D TSV может затруднить защиту запатентованных технологий и конструкций. Чтобы преодолеть эти проблемы, отрасль продолжает инвестировать в исследования и разработки, направленные на оптимизацию производственных процессов, повышение производительности и снижение затрат. Сотрудничество между игроками отрасли и разработка стандартизированных процессов также могут помочь смягчить эти препятствия. Хотя сложность производства 3D TSV остается серьезной проблемой, потенциальные преимущества с точки зрения производительности и миниатюризации продолжают стимулировать инновации и инвестиции в этой области.

Управление затратами и выходом

Управление затратами и выходом представляют собой значительную проблему на мировом рынке устройств 3D TSV (Through-Silicon Via), создавая потенциальные препятствия для широкого внедрения и прибыльности для производителей. Эти проблемы тесно связаны и влияют на различные аспекты отрасли. Высокие производственные затратыодной из основных проблем на рынке 3D TSV являются значительные затраты, связанные с производством. Процесс включает в себя несколько сложных этапов, включая обработку тонких пластин, соединение пластин, травление TSV и утончение задней стороны, для каждого из которых требуется специализированное оборудование и материалы. Первоначальные капитальные затраты, необходимые для создания производственного предприятия 3D TSV, существенны, что удерживает некоторые компании от выхода на рынок. Эти высокие производственные затраты также могут привести к более высоким ценам на устройства 3D TSV, что потенциально ограничивает их внедрение на рынках, чувствительных к затратам.

Управление выходом продукциидостижение высоких показателей выхода продукции при производстве 3D TSV имеет решающее значение для экономической эффективности. Выход продукции относится к проценту устройств без дефектов в производственном цикле. Учитывая сложность производственного процесса, обеспечение стабильно высокого выхода продукции может быть сложной задачей. Дефектные устройства приводят к потере ресурсов, увеличению производственных затрат и потенциальной задержке выхода на рынок. Производители должны инвестировать в строгие меры контроля качества и системы обнаружения дефектов, чтобы минимизировать потери выхода продукции. Любые проблемы, связанные с выходом продукции, могут подорвать прибыль и помешать конкурентоспособности на рынке. Экономия за счет масштабапроблемы, связанные с затратами и выходом продукции, усиливаются при масштабировании производства. По мере роста спроса на устройства 3D TSV производители должны найти способы поддерживать высокий выход продукции при производстве больших объемов. Достижение экономии за счет масштаба, которая обычно приводит к снижению себестоимости единицы продукции, может быть сложной задачей из-за сложной природы производства 3D TSV.

Технологические достиженияПолупроводниковая промышленность характеризуется быстрым технологическим прогрессом. По мере развития технологий производителям необходимо постоянно инвестировать в исследования и разработки для повышения производительности и снижения себестоимости продукции. Отставание от технологических инноваций может поставить компании в невыгодное положение по сравнению с конкурентами. Конкурентное давлениеНа конкурентном рынке компании находятся под постоянным давлением, требующим поставлять инновационную продукцию по конкурентоспособным ценам. Производители, которые не могут эффективно управлять затратами, могут испытывать трудности в конкуренции с конкурентами, предлагающими более дешевые альтернативы.

Чтобы решить эти проблемы, отрасль активно занимается исследованиями и разработками, направленными на оптимизацию процесса производства 3D TSV, повышение производительности и снижение производственных затрат. Сотрудничество между участниками отрасли и разработка стандартизированных процессов также могут помочь смягчить эти проблемы. Кроме того, по мере того, как рынок становится зрелым и все больше производителей выходят на рынок 3D TSV, экономия за счет масштаба и усиление конкуренции могут привести к снижению затрат. Несмотря на эти проблемы, потенциальные преимущества технологии 3D TSV, такие как улучшенная производительность и миниатюризация, продолжают стимулировать инвестиции и инновации в этой области.

Основные тенденции рынка

Растущая роль в ИИ и HPC

Растущая роль устройств 3D TSV (Through-Silicon Via) в приложениях ИИ (искусственный интеллект) и HPC (высокопроизводительные вычисления) является ключевым фактором, продвигающим глобальный рынок устройств 3D TSV. Эти технологии требуют исключительной вычислительной мощности, пропускной способности памяти и энергоэффективности, все из которых значительно улучшаются благодаря уникальным возможностям технологии 3D TSV. Ускорение рабочих нагрузок ИИИИ, включая машинное обучение и глубокое обучение, опирается на огромные объемы данных и сложные математические вычисления. Устройства 3D TSV играют важную роль в ускорении рабочих нагрузок ИИ за счет интеграции специализированных компонентов, таких как GPU (графические процессоры) и TPU (тензорные процессоры), наряду с традиционными центральными процессорами. Такая интеграция облегчает параллельную обработку и сокращает узкие места при передаче данных, тем самым улучшая время обучения модели ИИ и производительность вывода.

Улучшение пропускной способности памятиприложения ИИ и HPC требуют доступа к большой и высокопроизводительной памяти. Технология 3D TSV обеспечивает вертикальное размещение модулей памяти, что приводит к более высокой плотности памяти и пропускной способности. Эта возможность особенно важна для обработки больших наборов данных и проведения сложных симуляций в исследованиях HPC и ИИ. Энергоэффективность для Edge AIEdge AI, который включает обработку ИИ на устройствах на границе сети, требует энергоэффективных решений из-за ограничений по мощности. Устройства 3D TSV оптимизируют энергопотребление за счет сокращения расстояния между компонентами и минимизации потерь энергии при передаче данных. Это делает их хорошо подходящими для развертывания периферийного ИИ в таких приложениях, как автономные транспортные средства и устройства Интернета вещей.

Оптимизация пространствасистемы ИИ и HPC часто требуют значительных вычислительных ресурсов, и решения с эффективным использованием пространства имеют важное значение, особенно в центрах обработки данных и исследовательских средах. Технология 3D TSV обеспечивает плотную упаковку процессорных блоков, памяти и ускорителей в меньших размерах, что делает ее привлекательным вариантом для сред с ограниченным пространством. Индивидуальное оборудованиеИИ и HPC часто требуют специализированных конфигураций оборудования для достижения оптимальной производительности. Устройства 3D TSV позволяют настраивать конфигурации микросхем, что позволяет интегрировать определенные аппаратные компоненты, адаптированные к потребностям рабочих нагрузок ИИ и HPC. Мощность параллельной обработкивозможности параллельной обработки устройств 3D TSV идеально подходят для задач ИИ, которые включают умножение матриц и операции нейронных сетей. Этот параллелизм повышает скорость и эффективность обучения и выполнения моделей ИИ.

Новые приложения ИИпо мере того, как ИИ продолжает развиваться, появляются новые приложения, такие как обработка естественного языка, компьютерное зрение и робототехника на основе ИИ. Эти приложения требуют вычислительной мощности и емкости памяти, которые могут предоставить устройства 3D TSV. В заключение следует отметить, что растущая роль устройств 3D TSV в приложениях ИИ и HPC соответствует растущему спросу на высокопроизводительные, энергоэффективные вычислительные решения. Технология 3D TSV удовлетворяет критические потребности этих областей, обеспечивая расширенную интеграцию микросхем, улучшение памяти и энергоэффективность, позиционируя ее как ключевой фактор для дальнейшего развития технологий ИИ и HPC. Поскольку приложения ИИ и HPC распространяются в различных отраслях, глобальный рынок устройств 3D TSV будет процветать, поддерживая инновации и прорывы в этих областях.

Расширение устройств IoT

Расширение устройств IoT (Интернет вещей) готово стать значительным драйвером роста глобального рынка устройств 3D TSV (Through-Silicon Via). IoT представляет собой преобразующую силу в подключении и автоматизации широкого спектра устройств и систем, и технология 3D TSV становится все более важной для поддержки потребностей этой растущей экосистемы. Миниатюризация для датчиков IoTустройствам IoT часто требуется множество датчиков, коммуникационных модулей и процессоров для эффективной работы. Эти компоненты должны быть компактными и энергоэффективными, чтобы легко вписываться в различные приложения IoT, от устройств для умного дома до промышленных датчиков. Технология 3D TSV обеспечивает вертикальную интеграцию этих компонентов, сокращая физические размеры устройств IoT и одновременно повышая их функциональность.

Энергоэффективностьустройства IoT часто работают от батарей или имеют ограниченный доступ к источникам питания. Энергоэффективность имеет первостепенное значение для продления срока службы этих устройств и снижения требований к техническому обслуживанию. Устройства 3D TSV могут минимизировать энергопотребление за счет сокращения длины межсоединений между компонентами, что делает их хорошо подходящими для приложений IoT, где энергоэффективность является критически важным фактором. Высокие уровни интеграцииприложения IoT требуют высоких уровней интеграции для размещения нескольких функций в ограниченном пространстве. Технология 3D TSV позволяет объединять чипы с различными функциями, такими как датчики, микроконтроллеры и модули беспроводной связи, в одном корпусе. Такая интеграция оптимизирует конструкции устройств IoT и повышает их производительность.

Расширенная связьIoT полагается на эффективную передачу данных и связь между устройствами и сетями. Устройства 3D TSV могут включать передовые компоненты связи, такие как радиочастотные (RF) чипы, непосредственно в корпус устройства, обеспечивая надежное и высокоскоростное беспроводное соединение. Настройка и универсальностьРазнообразная природа приложений IoT требует настройки для удовлетворения конкретных потребностей. Технология 3D TSV обеспечивает гибкую интеграцию различных компонентов, что упрощает адаптацию устройств IoT для конкретных приложений, будь то мониторинг окружающей среды, здравоохранение или промышленная автоматизация.

Рост рынкарынок IoT продолжает быстро расширяться в различных отраслях, включая здравоохранение, сельское хозяйство, умные города и промышленную автоматизацию. Этот рост стимулирует спрос на устройства 3D TSV, которые могут обеспечить требуемую производительность, миниатюризацию и энергоэффективность. Новые варианты использованияпо мере развития технологии IoT появляются новые варианты использования, такие как периферийные вычисления, где данные обрабатываются локально на устройствах IoT. Устройства 3D TSV хорошо подходят для этих новых приложений, поскольку они могут вмещать мощные процессоры и компоненты памяти в компактных форм-факторах.

В заключение следует отметить, что расширение устройств IoT является убедительным драйвером для мирового рынка устройств 3D TSV. Удовлетворяя особые требования приложений IoT, технология 3D TSV позволяет производителям создавать более мелкие, более энергоэффективные и высокоинтегрированные устройства. Поскольку IoT продолжает проникать в различные секторы, ожидается, что спрос на устройства 3D TSV будет расти, что еще больше укрепит их роль в формировании будущего подключенных устройств и систем.

Сегментные данные

Сведения о продукте

Ожидается, что сегмент упаковки светодиодов будет доминировать на рынке в течение прогнозируемого периода. Растущее использование светодиодов (LED) в продуктах способствовало разработке более мощных, более плотных и менее дорогих устройств. Использование трехмерной (3D) упаковки через кремниевые отверстия (TSV) обеспечивает высокую плотность вертикальных межсоединений, в отличие от 2D упаковки.

Интегральная схема TSV сокращает длину соединения, и, таким образом, требуется меньшая паразитная емкость, индуктивность и сопротивление, когда эффективно сочетается монолитная и многофункциональная интеграция, что обеспечивает высокоскоростные маломощные межсоединения. Встроенная конструкция с тонкими кремниевыми мембранами в нижней части оптимизирует тепловой контакт и, следовательно, минимизирует тепловое сопротивление. Сквозное кремниевое отверстие (TSV) обеспечивает электрический контакт с поверхностно-монтируемыми устройствами, а зеркальные боковые стенки увеличивают отражательную способность корпуса и улучшают световую эффективность.

Технология SUSS AltaSpray способна покрывать интеграцию углов 90°, вытравленных полостей KOH (гидроксид калия), сквозных кремниевых отверстий (TSV) в диапазоне от нескольких микрон до 600 мкм и более. Возможность производить конформные резистивные покрытия на сложных рельефах, таких как TSV, делает их идеальным выбором для упаковки на уровне пластин в светодиодах, что увеличивает рост рынка.

Региональные данные

Ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион будет доминировать на рынке в течение прогнозируемого периода. Азиатско-Тихоокеанский регион является самым быстрорастущим рынком, поскольку страны региона, такие как Китай, Япония, Южная Корея, Индонезия, Сингапур и Австралия, зафиксировали высокие уровни производства в секторах бытовой электроники, автомобилестроения и транспорта, которые являются ключевым источником спроса на рынке 3D TSV.

Азиатско-Тихоокеанский регион также является одним из самых активных производственных центров в мире. Растущая популярность смартфонов и спрос на новые технологии памяти увеличили рост потребительской электроники с интенсивными вычислениями, тем самым создавая широкий спектр возможностей в этом регионе. Поскольку кремниевые пластины широко используются для производства смартфонов, ожидается, что внедрение технологии 5G увеличит продажи смартфонов 5G, что может расширить рынок в телекоммуникационном секторе.

Последние разработки

• Октябрь 2019 г. — Samsung разработала первую в отрасли 12-слойную 3D-упаковку для продуктов DRAM. Технология использует TSV для создания устройств памяти высокой емкости с высокой пропускной способностью для таких приложений, как высокопроизводительная графика, ПЛИС и вычислительные карты.
• Апрель 2019 г. — TSMC сертифицировала решения ANSYS (ANSS) для своей инновационной передовой технологии 3D-укладки чипов System-on-integrated-chips (TSMC-SoIC). SoIC — это передовая технология межсоединений для многокристальной укладки на системном уровне с использованием Through Silicon Via (TSV) и Процесс соединения кристаллов на пластине, позволяющий клиентам добиться большей энергоэффективности и производительности для очень сложных и требовательных облачных приложений и приложений центров обработки данных.

Ключевые игроки рынка

• Taiwan Semiconductor ManufacturingCompany Limited (TSMC)
• Samsung Group
• Toshiba Corporation
• Pure Storage Inc.
• ASE Group
• Amkor Technology
• United Microelectronics Corp.
• STMicroelectronics NV
• Broadcom Ltd
• Intel Corporation