반도체 소재 유형별, 구성 요소 유형별, 응용 분야별, 지리적 범위 및 예측별 글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모
Published on: 2024-09-08 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report
Publisher : MIR | Format : PDF&Excel
반도체 소재 유형별, 구성 요소 유형별, 응용 분야별, 지리적 범위 및 예측별 글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모
GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모 및 예측
GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모는 2023년에 10억 달러로 평가되었으며, 2030년까지 90억 3천만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 2024-2030년 예측 기간 동안 CAGR 29.4%로 성장할 것으로 예상됩니다.
글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 동인
GaN 및 SiC 전력 반도체 시장의 시장 동인은 다양한 요인에 의해 영향을 받을 수 있습니다. 여기에는 다음이 포함될 수 있습니다.
- 전력 전자 장치에 대한 수요 증가 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장을 추진하는 주요 요인 중 하나는 가전 제품, 재생 에너지 시스템, 전기 자동차(EV)를 포함한 다양한 응용 분야에서 전력 전자 장치에 대한 수요가 증가하고 있다는 것입니다. 이러한 소재를 통해 더 작고 효과적인 전력 전자 부품을 만들 수 있습니다.
- 전기 자동차(EV) 채택 증가 GaN 및 SiC 전력 반도체는 주로 자동차 산업의 전기 자동차 전환에 의해 주도되고 있습니다. 이러한 구성 요소는 전기 구동계의 효율성과 전력 밀도를 높이는 데 기여하여 주행 범위가 더 넓어지고 충전 시간이 더 빨라집니다.
- 재생 에너지 통합 풍력 및 태양광과 같은 재생 에너지원에 대한 초점이 증가함에 따라 에너지 변환 및 관리를 위해 효과적인 전력 전자 장치가 필요합니다. GaN 및 SiC와 같은 전력 반도체는 재생 에너지 시스템에 사용되는 인버터 및 컨버터에서 더 높은 에너지 효율성을 위해 필수적입니다.
- 통신 및 5G 인프라 5G 기술을 구현하고 통신 인프라를 성장시키려면 고주파 및 고전력 밀도 장치가 필요합니다. GaN 및 SiC와 같은 전력 반도체는 더 나은 신뢰성과 성능을 제공하기 때문에 이러한 용도에 이상적입니다.
- 산업 및 전원 공급 장치의 응용 분야 효율성과 신뢰성이 필수적인 경우 GaN 및 SiC 장치는 산업 장비 및 전원 공급 장치에 사용됩니다. 전력 시스템과 산업 공정이 더 에너지 효율적이어야 한다는 필요성이 이러한 반도체의 부상을 촉진합니다.
- 전력 밀도 및 효율성 GaN 및 SiC 전력 반도체는 전자 장치가 더 높은 전력 밀도와 효율성을 가질 수 있도록 합니다. 이러한 소재의 사용은 산업에서 에너지 및 공간 효율성이 더 높은 솔루션을 모색함에 따라 증가할 것으로 예상됩니다.
- 정부 이니셔티브 및 법률 GaN 및 SiC 전력 반도체의 채택은 에너지 효율성과 청정 에너지 기술 사용을 지원하는 유리한 정부 정책 및 법률에 의해 가속화될 수 있습니다. 예를 들어, 재생 에너지 및 전기 자동차 프로젝트에 대한 인센티브는 시장 확장을 지원할 수 있습니다.
- 제조 공정 개선 지속적인 개선의 결과로 GaN 및 SiC 장치의 비용과 성능이 낮아지고 있습니다. 이로 인해 더 다양한 응용 분야에서 이러한 반도체가 더 매력적으로 여겨집니다.
글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 제약
여러 요인이 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장에 제약이나 과제로 작용할 수 있습니다. 여기에는 다음이 포함될 수 있습니다.
- 높은 초기 비용 기존의 실리콘 기반 반도체와 비교할 때 GaN 및 SiC 전력 반도체는 종종 초기 가격이 더 높습니다. 이러한 초기 비용은 특히 예산이 제한된 산업에서 광범위한 채택을 저해할 수 있습니다.
- 원재료의 제한된 접근성 GaN 및 SiC 전력 반도체의 제조는 특정 원재료에 따라 달라지며, 항상 쉽게 구할 수 있는 것은 아닙니다. 공급망이 중단되면 출력에 영향을 미치고 비용이 증가할 수 있습니다.
- 복잡한 제조 절차 기존의 반도체 제조와 비교할 때 GaN 및 SiC 전력 반도체의 제조 절차는 더 복잡할 수 있습니다. 이러한 복잡성으로 인해 생산의 확장성과 비용 효율성이 저해될 수 있습니다.
- 전환 기간 이 산업은 현재 기존의 실리콘 기반 기술이 GaN 및 SiC 기반 전력 반도체로 대체되면서 변화를 겪고 있습니다. 기업은 이러한 변화 속에서 호환성, 통합 및 산업 표준에 대한 요구 사항과 관련하여 어려움을 겪을 수 있습니다.
- 표준화 부족 제조업체는 GaN 및 SiC 장치에 대한 표준 테스트 및 패키징 절차가 부족하면 현재 시스템에 쉽게 통합할 수 있는 제품을 만드는 데 어려움을 겪을 수 있습니다.
- 제한된 지식 및 교육 많은 생산자와 잠재적인 최종 사용자가 GaN 및 SiC 전력 반도체의 모든 기능과 이점을 알지 못할 수 있습니다. 특히 산업에서는 지식과 이해 부족으로 인해 채택 속도가 느려질 수 있습니다.
- 방열 문제 GaN 및 SiC 장치는 전력 밀도와 효율성이 더 높지만 열도 더 많이 발생합니다. 이러한 장치의 성능과 신뢰성을 유지하려면 효율적인 방열이 필요하며, 이 문제를 해결하는 것은 제약이 될 수 있습니다.
- 글로벌 경제 상황 첨단 전력 반도체 도입과 기술 업그레이드에 대한 기타 자본 투자는 경기 침체나 불확실성의 영향을 받을 수 있습니다. 기업은 경제 상황이 어려울 때 투자를 연기하거나 줄이기로 결정할 수 있습니다.
글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 세분화 분석
글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장은 반도체 소재 유형, 구성 요소 유형, 응용 분야 및 지역을 기준으로 세분화됩니다.
반도체 소재 유형별 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장
- 질화갈륨(GaN) GaN은 높은 전자 이동도와 효율성으로 인해 전력 전자 분야에서 점점 더 많이 사용되고 있는 광대역 밴드갭 반도체 소재로, 전력 장치, LED, RF 구성 요소와 같은 응용 분야에 적합합니다.
- 실리콘 카바이드(SiC) SiC는 열 전도성과 고온 저항성이 뛰어난 또 다른 광대역 밴드갭 반도체입니다. 전력 전자 분야에서, 특히 고전력 및 고주파 응용 분야에서 일반적으로 사용됩니다.
구성 요소 유형별 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장
- 전력 IC(집적 회로) 이는 여러 기능을 단일 칩에 통합한 반도체 장치로, 전력 관리 응용 분야에 컴팩트한 솔루션을 제공합니다.
- 전력 이산 장치 단일 칩에 통합되지 않은 다이오드 및 트랜지스터와 같은 개별 전력 구성 요소입니다. 이러한 제품은 설계에 유연성을 제공하며 종종 고전력 애플리케이션에 사용됩니다.
- 전력 모듈 전력 트랜지스터 및 다이오드와 같은 여러 전력 구성 요소를 단일 패키지로 통합하여 통합 프로세스를 간소화하는 모듈입니다.
응용 프로그램별 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장
- 자동차 전기 자동차, 하이브리드 자동차, 파워트레인 및 다양한 자동차 전자 시스템에 사용되는 전력 반도체입니다.
- 산업 산업 자동화, 모터 드라이브, 전원 공급 장치 및 기타 제조 공정에 사용되는 응용 프로그램입니다.
- 가전 제품 스마트폰, 랩톱 및 가전 제품과 같은 전자 장치에 사용되는 전력 반도체입니다.
- 통신 통신 인프라 및 네트워킹 장비용 전력 구성 요소입니다.
- 군사, 방위 및 항공 우주 방위 시스템, 레이더, 항공 전자 및 우주의 중요한 응용 프로그램입니다. 탐색.
- 재생 에너지 태양광 인버터, 풍력 터빈 시스템 및 기타 재생 에너지 응용 분야에 사용되는 전력 전자 장치.
- 기타 의료 기기, 전력 분배 시스템 등을 포함할 수 있는 추가 응용 분야.
지역별 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장
- 북미 미국, 캐나다 및 멕시코의 시장 상황 및 수요.
- 유럽 유럽 국가의 GAN 및 SIC 전력 반도체 시장 분석.
- 아시아 태평양 중국, 인도, 일본, 한국 등의 국가에 초점을 맞춥니다.
- 중동 및 아프리카 중동 및 아프리카 지역의 시장 역학을 조사합니다.
- 라틴 아메리카 라틴 아메리카 전역의 국가에서 시장 동향 및 개발 사항을 다룹니다. 미국.
주요 기업
GaN 및 SiC 전력 반도체 시장의 주요 기업은 다음과 같습니다.
- Wolfspeed
- Navitas Semiconductor
- EPC Corp
- GaN Systems
- onsemi
- Cree
- Rohm Semiconductor
- Infineon Technologies
- Mitsubishi Electric
- STMicroelectronics
보고서 범위
보고서 속성 | 세부 정보 |
---|---|
연구 기간 | 2020-2030 |
베이스 년도 | 2023 |
예측 기간 | 2024-2030 |
과거 기간 | 2020-2022 |
단위 | 가치(10억 달러) |
주요 회사 프로필 | Wolfspeed, Navitas Semiconductor, EPC Corp, GaN Systems, onsemi, Rohm Semiconductor, Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, STMicroelectronics. |
포함된 세그먼트 | 반도체 소재 유형별, 구성 요소 유형별, 응용 프로그램별, 지리. |
사용자 정의 범위 | 구매 시 무료 보고서 사용자 정의(최대 4명의 분석가 근무일과 동일). 국가, 지역 및 세그먼트 범위. |
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