2024-2031년 갈륨 질화물 반도체 소자 시장(소자 유형별(GaN 전력 반도체, GaN 무선 주파수(RF) 소자), 응용 분야(전원 공급 장치, 통신, 산업), 웨이퍼 크기(2인치, 4인치, 6인치) 및 지역별

질화 갈륨 반도체 소자 시장 평가 – 2024-2031

질화 갈륨 반도체 소자 시장은 빠르게 성장하고 있습니다. GaN 소자는 기존 실리콘 기반 소자에 비해 성능이 더 뛰어납니다. GaN은 효율성 증가, 빠른 스위칭 속도, 향상된 전력 처리 기능을 포함한 여러 가지 장점이 있습니다. 이러한 특성으로 인해 전력 전자, 무선 주파수(RF) 소자, 차세대 전기 자동차를 포함한 광범위한 응용 분야에 적합합니다. 시장 규모는 2024년에 232억 4천만 달러를 넘어 2031년에는 약 345억 9천만 달러의 평가액에 도달할 것입니다.

5G 네트워크 구축, 전기화 증가, 항공우주 및 방위 부문의 개선과 같은 추세가 GaN 소자에 대한 상당한 수요를 촉진하고 있습니다. GaN 기술이 발전하고 제조 기술이 더욱 비용 효율적이 됨에 따라, 향후 몇 년 안에 이 시장이 더욱 성장할 것으로 예상됩니다. 비용 효율적이고 효율적인 질화 갈륨 반도체 소자에 대한 수요가 증가함에 따라 시장은 2024년부터 2031년까지 연평균 성장률 5.10%로 성장할 수 있습니다.

질화 갈륨 반도체 소자 시장정의/개요

질화 갈륨(GaN) 반도체 소자는 높은 전자 이동도와 포화 속도를 갖춘 직접 밴드갭 반도체인 GaN 소재로 구성된 고급 전자 부품입니다. GaN 디바이스에는 전력 전자 및 광전자에 사용되는 트랜지스터, 다이오드 및 LED가 포함됩니다. 이러한 디바이스는 뛰어난 전력 효율성, 열 전도성 및 더 높은 온도와 주파수에서 작동하는 기능을 포함하여 여러 가지 중요한 면에서 일반적인 실리콘 기반 반도체를 능가합니다.

GaN 반도체 디바이스는 뛰어난 성능 특성으로 인해 다양한 산업에서 널리 사용됩니다. 통신 산업에서 5G 네트워크의 RF 증폭기와 같은 고주파 애플리케이션에 필수적입니다. 전력 전자에서 GaN 트랜지스터와 다이오드는 전원 공급 장치, 인버터 및 전기 자동차(EV) 충전 시스템에 사용되어 상당한 에너지 절감과 더 작고 가벼운 전력 모듈을 제공합니다. 광전자 산업은 조명, 디스플레이 및 데이터 저장에 사용되는 GaN 기반 LED 및 레이저 다이오드의 이점을 얻습니다.

GaN 반도체 디바이스의 예상 성장은 다양한 산업에서 지속적인 발전과 채택 증가로 낙관적으로 보입니다. 더 큰 경제성과 성능에 대한 수요가 증가함에 따라 GaN 장치는 전기 자동차, 재생 에너지 시스템, 차세대 무선 통신(6G 이상)의 성장에서 중요한 역할을 할 것으로 예상됩니다. GaN 기술의 혁신으로 인해 더욱 작고 빠르며 에너지 효율적인 전자 제품이 탄생할 것으로 예상됩니다.

고성능 전자 제품에 대한 수요가 질화갈륨 반도체 소자 시장을 주도할까?

고성능 전자 제품에 대한 수요는 질화갈륨(GaN) 반도체 소자 시장의 확장을 촉진할 가능성이 높습니다. GaN은 효율성 증가, 빠른 스위칭 속도, 향상된 전력 처리를 포함하여 기존 실리콘 기반 소자에 비해 상당한 이점이 있습니다. 이러한 특성으로 인해 GaN은 전력 전자, RF 증폭기, LED 조명을 포함한 다양한 응용 분야에 이상적입니다. 산업에서 보다 효율적이고 작은 솔루션을 추구함에 따라 GaN 기술은 점점 더 실행 가능한 선택으로 여겨져 전 세계적으로 채택되고 시장이 확대되고 있습니다.

GaN 기술의 발전 GaN 기술의 지속적인 개발로 인해 더욱 매력적입니다. 연구 및 개발로 인해 GaN 소재 특성, 소자 설계 및 생산 공정이 향상되고 있습니다. 이는 성능을 개선할 뿐만 아니라 가격도 낮춰 GaN 장치를 더 저렴하게 만듭니다.

실리콘보다 뛰어난 성능 GaN 장치는 표준 실리콘 기반 반도체보다 여러 가지 이점이 있습니다. 효율성이 증가하고, 스위칭 속도가 빠르고, 전력 처리 용량이 더 좋습니다. 이를 통해 전력 전자, RF 장치, 심지어 차세대 전기 자동차를 포함한 다양한 응용 분야에서 성능이 향상됩니다.

대량 질화 갈륨(GAN)의 높은 비용이 질화 갈륨 반도체 장치 시장 성장에 영향을 미칠까요?

대량 질화 갈륨(GaN)의 높은 비용은 GaN 반도체 장치 시장 성장에 영향을 미칠 수 있습니다. GaN은 효율성과 전력 처리 용량 증가와 같은 향상된 성능 이점을 제공하지만, 초기 비용은 여전히 기존 실리콘 기반 장치에 대한 장벽으로 남아 있습니다. 이러한 비용 측면은 특히 가격에 민감한 산업과 비용 효율성이 중요한 응용 분야에서 일반적인 채택을 늦출 수 있습니다.

그러나 현재 연구 개발 활동은 생산 비용을 낮추고 제조 효율성을 개선하는 것을 목표로 하며, 이는 시간이 지남에 따라 이러한 장애물을 완화하고 GaN 기술에 대한 광범위한 시장 수용을 촉진할 수 있습니다.

제한된 규모의 경제성은 질화 갈륨(GaN) 반도체 소자 시장의 성장에 영향을 미칠 수 있습니다. 특히 벌크 형태의 GaN 기술은 실리콘과 같은 기존 반도체 소재와 비교할 수 있는 규모의 경제성을 얻는 데 장애물이 됩니다. 이러한 제약으로 인해 생산 비용이 높아져 가격 경쟁력과 다양한 응용 분야에서의 광범위한 채택에 영향을 미칠 수 있습니다. 생산 용량을 늘리고 제조 공정을 개선하려는 노력은 이러한 장애물을 극복하고 GaN 반도체 소자 시장의 성장 궤적을 높이는 데 중요합니다.

범주별 통찰력

고전력 밀도가 질화갈륨 반도체 소자 시장에서 GaN 전력 반도체를 어떻게 가속화하는가?

GaN 전력 반도체 범주는 질화갈륨 반도체 소자 시장을 지배합니다. GaN 전력 반도체의 시장 채택은 주로 고전력 밀도에 의해 주도됩니다. GaN 소자는 기존 실리콘 기반 경쟁사보다 전력 밀도가 높아 더 작고 가볍고 효율적인 전력 전자 솔루션을 구현할 수 있습니다. 이러한 장점은 특히 전기 자동차, 재생 에너지 시스템, 통신 인프라와 같은 애플리케이션에서 유용합니다. 이러한 애플리케이션에서는 크기와 무게를 줄이는 동시에 효율성을 높이는 것이 중요합니다. 산업이 소형이고 에너지 효율적인 솔루션을 우선시함에 따라, GaN 반도체의 고유한 높은 전력 밀도는 이러한 애플리케이션에서 상당한 확장에 적합하게 만듭니다.

뛰어난 효율성은 질화갈륨(GaN) 반도체 소자 시장의 주요 원동력입니다. GaN 소자는 일반적인 실리콘 기반 반도체보다 효율적이며, 특히 전력 전자 및 RF 애플리케이션에서 효율적입니다. 이러한 효율성 이점은 에너지 소비 감소, 운영 비용 감소, 성능 향상으로 이어져 GaN은 에너지 효율성과 지속 가능성을 추구하는 기업에 매력적인 옵션이 됩니다. 여러 산업에서 보다 효율적인 전자 제품에 대한 수요가 증가함에 따라, GaN의 뛰어난 효율성은 상당한 시장 확장에 대비합니다.

GaN 무선 주파수(RF) 소자 범주는 질화갈륨 반도체 소자 시장에서 가장 빠르게 성장하고 있습니다. 이러한 급속한 증가는 차세대 무선 기술의 도입과 수많은 RF 애플리케이션의 발전에 의해 주도되고 있습니다.

태양광 인버터 전원 공급 장치 세그먼트가 질화갈륨 반도체 소자 시장을 추진할까요?

질화갈륨 반도체 소자 시장은 현재 전원 공급 장치 세그먼트가 주도하고 있습니다. 이러한 지배력은 주로 다양한 산업에서 효율적인 전력 변환에 대한 수요가 증가함에 따라 주도되고 있습니다. 태양광 인버터는 질화갈륨(GaN) 반도체 소자의 사용을 촉진하는 중요한 시장 세그먼트입니다.

GaN은 고주파와 전압을 보다 효율적으로 처리할 수 있어 태양광 인버터의 전원 공급 장치에 사용하기에 이상적입니다. 이러한 인버터는 태양광 패널의 DC 전기를 전기 네트워크나 현장 소비에 사용할 AC 전원으로 변환하기 위해 강력하고 고성능의 구성 요소가 필요합니다. GaN 장치는 전력 밀도 증가, 더 작은 크기와 무게, 향상된 신뢰성과 같은 이점이 있어 태양열 산업에서 전반적인 시스템 효율성과 성능을 개선하기 위해 점점 더 인기를 얻고 있습니다.

통신은 질화 갈륨 반도체 장치 시장에서 가장 빠르게 성장하는 부문입니다. 이러한 급증은 차세대 무선 기술의 채택과 더 빠른 데이터 전송 속도에 대한 필요성 증가에 의해 주도되고 있습니다. 5G 네트워크의 글로벌 배포는 기지국과 사용자 장비에 고성능 무선 주파수(RF) 구성 요소를 요구합니다. GaN 기술은 고주파 및 전력 처리 기능 때문에 이 애플리케이션에 이상적입니다.

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국가/지역별 통찰력

아시아 태평양 지역의 정부 지원이 질화 갈륨 반도체 소자 시장을 선도할까요?

아시아 태평양 지역은 현재 질화 갈륨 반도체 소자 시장을 지배하고 있습니다. 아시아 태평양 지역의 정부 지원은 질화 갈륨(GaN) 반도체 소자 시장의 확장을 촉진할 것으로 예상됩니다. 일본, 한국, 중국을 포함한 많은 아시아 국가는 반도체 제조를 촉진하고 기술 혁신을 추진하기 위한 노력과 정책을 시행하고 있습니다.

이러한 이니셔티브에는 연구 개발 후원, 반도체 회사에 인센티브 제공, 전력 전자에서 통신에 이르는 다양한 응용 분야에 GaN과 같은 첨단 기술 사용 장려가 포함됩니다. 이러한 지원은 인프라를 강화하고, 생산 비용을 낮추고, 시장 도입을 촉진하는 데 도움이 되며, 이 모든 것이 이 지역과 그 너머의 GaN 반도체 소자 시장의 전반적인 성장에 기여합니다.

아시아 태평양 지역에서 가전 제품에 대한 수요가 증가함에 따라 질화갈륨(GaN) 반도체 소자 시장이 촉진될 가능성이 높습니다. 가전 제품 제조업체가 더 작고 효율적이며 고성능 제품에 대한 수요 증가를 충족하기 위해 노력함에 따라 GaN 기술은 상당한 이점을 제공합니다. GaN 반도체는 휴대용, 에너지 효율적인 장치에 대한 추세와 일치하는 소형 전원 어댑터, 고속 충전 솔루션 및 고주파 RF 구성 요소를 만들 수 있게 합니다. 가처분 소득 증가와 기술 개선에 힘입어 아시아 태평양 지역에서 성장하는 소비자용 전자 제품 시장은 GaN 반도체 채택과 시장 확대에 좋은 환경을 조성합니다.

신기술의 조기 채택이 북미의 질화갈륨 반도체 소자 시장을 주도할까요?

북미는 질화갈륨 반도체 소자 시장에서 가장 빠르게 성장하는 지역이 될 것으로 예상됩니다. 신기술의 조기 채택은 북미 지역의 질화갈륨(GaN) 반도체 소자 시장을 주도할 것으로 예상됩니다. 강력한 혁신 생태계와 획기적인 기술의 조기 채택으로 유명한 북미는 전력 전자, RF 장치, LED 조명을 포함한 다양한 응용 분야에서 GaN의 장점을 활용할 수 있는 좋은 위치에 있습니다. 자동차, 통신, 항공우주와 같은 이 지역의 산업은 성능, 효율성, 안정성을 중시하는데, GaN은 이 모든 면에서 뛰어납니다. 북미 기업이 경쟁 우위와 기술적 리더십을 추구함에 따라 GaN 반도체 소자 사용이 가속화되어 지역 시장 성장에 기여할 것으로 예상됩니다.

연구 기관, 기술 기업, 벤처 캐피털로 구성된 북미의 강력한 생태계는 반도체 혁신과 개발을 촉진합니다. 전력 전자, RF 애플리케이션, LED 조명에서 GaN의 뛰어난 성과는 효율성, 성능, 지속 가능성에 대한 이 지역의 집중과 일치합니다. 자동차, 통신, 재생 에너지 산업이 최첨단 솔루션을 추구함에 따라 북미 전역에서 혁신적인 반도체 기술에 대한 지속적인 혁신과 투자로 인해 GaN 사용이 증가할 가능성이 높습니다.

경쟁 환경

질화 갈륨 반도체 소자 시장은 역동적이고 경쟁적인 공간으로, 시장 점유율을 놓고 경쟁하는 다양한 업체가 특징입니다. 이러한 업체들은 협력, 합병, 인수 및 정치적 지원과 같은 전략적 계획을 채택하여 입지를 굳건히 하려고 노력하고 있습니다. 이러한 조직은 다양한 지역의 광범위한 인구를 대상으로 제품 라인을 혁신하는 데 주력하고 있습니다. 갈륨 질화물 반도체 소자 시장에서 활동하는 몇몇 저명한 기업은 다음과 같습니다.

• Wolfspeed, Inc.
• Qorvo, Inc.
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
• Infineon Technologies AG
• Sumitomo Electric Industries, Ltd.
• Navitas Semiconductor
• Mitsubishi Electric
• Epistar Corporation
• Cree, Inc.
• Transphorm, Inc.
• Efficient Power Conversion Corporation(EPC)
• GaN Systems, Inc.
• Nichia Corporation
• Texas Instruments Incorporated
• Microchip Technology Incorporated
• Panasonic Corporation
• Analog Devices, Inc.
• Visic Technologies, Inc.
• Integra Technologies, Inc.
• Exagan, Inc.

최신 개발

• 2024년 4월, GaN 전력 반도체 공급업체인 Transphorm, Inc.와 Weltrend Semiconductor Inc.는 두 개의 새로운 GaN 시스템 인 패키지(SiP)를 출시했습니다. 최신 추가 제품인 WT7162RHUG24C와 WT7162RHUG24B는 Weltrend의 고주파 멀티모드(QR/밸리 스위칭) 플라이백 PWM 컨트롤러와 Transphorm의 480mQ 및 150mQ SuperGaN FET를 각각 결합합니다. 이 파트너십은 작년의 Weltrend의 주력 GaN SiP를 확장하여 Transphorm의 SuperGaN 기술을 기반으로 하는 최초의 SiP 제품군을 만들었습니다.
• 2024년 3월, Efficient Power Conversion Corporation은 100V, 1mQ에서 시장에서 가장 낮은 온 저항을 가진 혁신적인 질화갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)인 EPC2361을 발표했습니다. 이 발명은 EPC의 이전 세대 제품과 비교했을 때 전력 밀도를 두 배로 늘릴 것으로 예상됩니다. EPC2361은 2mQ에 불과한 우수한 일반 RDS(on)를 가지고 있으며 노출된 상단이 있는 열적으로 개선된 QFN 패키지에 배치되어 3mm x 5mm의 작은 풋프린트를 차지합니다.
• 2024년 1월, Transphorm Inc.는 4리드 TO-247 패키지(TO-247-4L)로 패키징된 두 개의 새로운 650V SuperGaN 장치를 출시했습니다. 새로운 FET인 TP65H035G4YS와 TP65H050G4YS의 온저항은 각각 35mΩ과 50mΩ입니다. 여기에는 켈빈 소스 단자가 포함되어 있어 낮은 에너지 손실로 유연한 스위칭이 가능합니다.
• 2023년 11월 Cambridge GaN Devices(CGD)는 영국의 Cambridge University Technical Services(CUTS)와 대만의 Chicony Power Technology와 협력하여 GaN 기술을 사용하는 고전력 밀도 어댑터와 데이터 센터 전원 솔루션을 제공했습니다.

보고서 범위

질화 갈륨 반도체 소자 시장, 카테고리

장치 유형

• GaN 전력 반도체
• GaN 무선 주파수(RF) 장치
• GaN 광전자 장치

응용 분야

• 전원 공급 장치
• RF 장치
• 자동차
• 가전 제품
• 통신
• 산업
• 항공 우주 및 방위
• 헬스케어

웨이퍼 크기

• 2인치
• 4인치
• 6인치
• 8인치

지역

• 북미
• 유럽
• 아시아 태평양
• 남미
• 중동 및 아프리카

시장 조사의 조사 방법론

조사 방법론 및 조사 연구의 다른 측면에 대해 자세히 알아보려면 당사에 문의해 주십시오.

이 보고서를 구매해야 하는 이유

경제적 요인과 비경제적 요인을 모두 포함하는 세분화를 기반으로 한 시장의 정성적 및 정량적 분석 각 세그먼트 및 하위 세그먼트에 대한 시장 가치(10억 달러) 데이터 제공 가장 빠른 성장을 목격하고 시장을 지배할 것으로 예상되는 지역 및 세그먼트를 나타냄 해당 지역의 제품/서비스 소비를 강조하고 각 지역 내 시장에 영향을 미치는 요소를 나타내는 지역별 분석 주요 기업의 시장 순위, 새로운 서비스/제품 출시, 파트너십, 사업 확장 및 지난 5년 동안의 회사 인수를 통합한 경쟁 환경 회사 개요, 회사 통찰력, 제품 벤치마킹 및 주요 시장 참여자에 대한 SWOT 분석으로 구성된 광범위한 회사 프로필 현재 최근 개발과 관련된 산업의 미래 시장 전망, 여기에는 성장 기회와 원동력, 신흥 지역과 선진 지역의 과제와 제약이 포함됩니다. 포터의 5가지 힘 분석을 통해 다양한 관점에서 시장에 대한 심층 분석을 포함합니다. 가치 사슬 시장 역학 시나리오를 통해 시장에 대한 통찰력을 제공하고 향후 몇 년 동안 시장의 성장 기회를 제공합니다. 판매 후 6개월 동안 분석가 지원을 제공합니다.

보고서 사용자 정의

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