유형별(3nm, 2nm), 응용 분야별(가전제품, 인버터 및 UPS), 지리적 범위 및 예측별 글로벌 게이트-올-어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장 규모
Published on: 2024-09-04 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report
Publisher : MIR | Format : PDF&Excel
유형별(3nm, 2nm), 응용 분야별(가전제품, 인버터 및 UPS), 지리적 범위 및 예측별 글로벌 게이트-올-어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장 규모
Gate-All-Around FET(GAAFET) 기술 시장 규모 및 예측
Gate-All-Around FET(GAAFET) 기술 시장 규모는 2023년에 25,732.33천 달러로 평가되었으며, 2030년까지 1,35,816.77천 달러에 도달할 것으로 예상되며, 2024년부터 2030년까지 연평균 성장률 31.95%로 성장할 것입니다.
Gate-All-Around FET(GAAFET) 기술의 파괴 전압을 높이고 에너지 손실을 최소화하는 것이 시장 성장을 주도하는 요인입니다. Gate-All-Around FET(GAAFET) 기술 시장 보고서는 시장에 대한 전체적인 평가를 제공합니다. 보고서는 시장에서 상당한 역할을 하는 주요 세그먼트, 추세, 추진 요인, 제약, 경쟁 환경 및 요소에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다.
글로벌 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장 정의
게이트 올 어라운드 전계 효과 트랜지스터(GAAFET)는 반도체 제조에서 기존 FinFET(Fin 전계 효과 트랜지스터) 기술에서 상당한 발전을 이룬 트랜지스터 기술 유형입니다. GAAFET에서 게이트 소재는 채널을 완전히 둘러싸서 전자 흐름을 더 잘 제어할 수 있습니다. 이는 게이트가 채널을 부분적으로만 둘러싼 FinFET 기술과 다릅니다. 이 독특한 디자인은 여러 가지 장점을 제공합니다.
- 개선된 제어GAAFET는 채널에 대한 더 나은 정전기 제어를 제공하여 누설을 줄이고 에너지 효율성을 개선합니다.
- 감소된 가변성전면 게이트 구조는 트랜지스터 성능의 변화를 최소화하여 일관성과 안정성을 개선합니다.
- 향상된 스케일링GAAFET 기술은 트랜지스터 크기를 지속적으로 축소하여 더 작고 강력한 반도체 장치를 개발할 수 있습니다.
- 향상된 성능GAAFET는 향상된 제어와 감소된 가변성으로 인해 기존 트랜지스터 기술에 비해 더 높은 성능을 제공할 수 있습니다.
- 낮은 전력 소비개선된 정전기 제어는 전력 소비를 줄이는 데 도움이 되어 GAAFET를 에너지 효율적인 장치에 적합하게 만듭니다.
- 스케일링 가능성GAAFET는 반도체 장치의 추가 스케일링을 가능하게 하여 더 작고 더 진보된 전자 장치 개발을 용이하게 합니다.
GAAFET 기술은 반도체 산업의 다양한 응용 분야에 필수적입니다. 포함
- 모바일 기기향상된 에너지 효율성과 성능으로 GAAFET는 모바일 프로세서에 적합하여 배터리 수명을 늘리고 처리 속도를 높이는 데 기여합니다.
- 데이터 센터고성능 컴퓨팅 애플리케이션에서 GAAFET 기술은 데이터 센터 프로세서의 효율성을 향상시킬 수 있습니다.
- 사물 인터넷(IoT)GAAFET 기반 기기의 소형 및 저전력 소모는 IoT 애플리케이션에 유익합니다.
고급 트랜지스터 기술을 개발하고 구현하는 주요 반도체 회사에는 Intel, Samsung, TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), GlobalFoundries, IBM이 있습니다. 이러한 회사는 종종 반도체 기술의 최전선에 서기 위해 연구 개발에 막대한 투자를 합니다.
GAAFET 기술의 시장 침투는 연구 개발 진행, 제조 역량, 산업 수요와 같은 요인의 영향을 받습니다. 지역별 채택은 반도체 제조 시설과 기술 혁신 센터의 집중도에 따라 다를 수 있습니다.
GAAFET 기술과 고급 소재의 통합은 연구자와 제조업체의 주요 관심 분야입니다. 여기에는 성능을 더욱 향상시키고 전력 소비를 줄이기 위해 트랜지스터 채널 및 게이트에 대한 새로운 소재를 탐색하는 것이 포함됩니다. GAAFET 기술은 인공 지능(AI) 및 엣지 컴퓨팅과 관련된 애플리케이션에서 중요한 역할을 할 것으로 예상됩니다. GAAFET의 향상된 성능과 에너지 효율성은 엣지 디바이스에서 AI 알고리즘의 계산 요구 사항을 처리하는 데 적합합니다. 이기종 통합을 향한 추세는 단일 칩에 다양한 소재와 기술을 결합하는 것을 포함합니다. GAAFET는 이러한 추세의 일부가 되어 보다 다재다능하고 효율적인 반도체 디바이스의 개발에 기여할 수 있습니다. TSMC 및 GlobalFoundries와 같은 반도체 파운드리는 GAAFET 기술의 광범위한 채택에서 핵심적인 역할을 할 가능성이 높습니다. 다양한 고객을 대상으로 GAAFET 기반 칩을 제조하는 데 참여함으로써 다양한 산업에서 해당 기술이 수용되도록 촉진할 수 있습니다.
산업 보고서에는 무엇이 들어 있나요?
보고서에는 투자설명서 작성, 사업 계획 수립, 프레젠테이션 작성, 제안서 작성에 도움이 되는 실행 가능한 데이터와 미래 예측 분석이 포함되어 있습니다.
글로벌 게이트-올-어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장 개요
게이트-올-어라운드 전계 효과 트랜지스터(GAAFET) 기술로 알려진 최신 반도체 기술은 향상된 에너지 효율성과 성능으로 인해 많은 업계의 관심을 끌었습니다. 기존 트랜지스터 아키텍처와 달리 GAAFET는 게이트가 전체 채널을 둘러싸는 설계를 통해 전류 흐름 제어를 개선합니다. 아키텍처 덕분에 GAAFET 기술은 향상된 트랜지스터 성능, 낮은 누설 전류, 더 나은 확장성을 제공하여 반도체 산업에 유망한 개발이 되었습니다.
반도체 제조업체가 다양한 애플리케이션의 변화하는 요구 사항을 충족하기 위해 이 기술을 정교한 제조 공정에 통합함에 따라 GAAFET 기술 시장이 크게 성장할 것으로 예상됩니다. 고성능 및 에너지 효율적인 전자 장치에 대한 수요는 계속 증가할 것으로 예상됩니다. 기술 개발, R&D 노력, 산업 전반에 걸친 차세대 전자 장치에 대한 수요 증가는 모두 시장 궤적에 영향을 미칩니다.
글로벌 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장세분화 분석
글로벌 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장은 유형, 응용 분야, 지역을 기준으로 세분화됩니다.
유형별 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장
- 3nm
- 2nm
유형별 요약 시장 보고서를 받으려면-
유형을 기준으로 시장은 3nm와 2nm로 세분화됩니다. 3nm는 2024년에 74.51%의 가장 큰 시장 점유율을 차지할 것이며, 시장 가치는 19,174.21천 달러가 될 것이며 예측 기간 동안 33.13%의 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 2nm는 2024년에 두 번째로 큰 시장이 될 것이며, 2024년에 6,558.12천 달러의 가치가 될 것이며, CAGR은 28.15%가 될 것으로 예상됩니다.
응용 분야별 게이트 올 어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장
- 가전제품
- 인버터 및 UPS
- 에너지 및 전력
- 산업 시스템
- 기타
응용 프로그램별 요약 시장 보고서를 받으려면-
응용 프로그램을 기준으로 시장은 가전제품, 인버터 및 UPS, 에너지 및 전력, 산업 시스템 및 기타로 세분화됩니다. 가전제품은 2024년에 43.15%의 가장 큰 시장 점유율을 차지할 것이며, 시장 가치는 11,103.16천 달러이며 예측 기간 동안 37.40%의 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 인버터 및 UPS는 2024년에 두 번째로 큰 시장이 될 것이며, 2024년에 4,818.42천 달러의 가치가 될 것입니다. 그것은 30.26%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
Gate-All-Around FET(GAAFET) 기술 시장, 지역별
- 북미
- 유럽
- 아시아 태평양
- 라틴 아메리카
- 중동 및 아프리카
지역에 따라 글로벌 Gate-All-Around FET(GAAFET) 기술 시장은 북미, 유럽, 아시아 태평양, 라틴 아메리카, 중동 및 아프리카를 포함한 여러 지역으로 세분화됩니다. 아시아 태평양은 2024년에 34.83%의 가장 큰 시장 점유율을 차지할 것이며, 시장 가치는 8,962.57천 달러가 될 것이며, 예측 기간 동안 32.57%의 가장 높은 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 급속한 도시화와 가전 제품에 대한 수요 증가로 인해 아시아 태평양 지역 시장이 성장했습니다. 북미는 2024년에 두 번째로 큰 시장이 될 것이며, 2024년에는 8,321.84천 달러의 가치가 있을 것입니다. 32.08%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. AI, 5G, IoT를 포함한 신흥 기술에서 반도체에 대한 수요가 증가하면서 북미 지역 시장이 성장했습니다.
주요 참여자
"글로벌 게이트-올-어라운드 FET(GAAFET) 기술 시장" 연구 보고서는 글로벌 시장에 중점을 두고 귀중한 통찰력을 제공합니다. 시장의 주요 참여자는 삼성그룹, TSMC, 인텔입니다. 경쟁 환경 섹션에는 위에 언급된 플레이어의 주요 개발 전략, 시장 점유율 및 시장 순위 분석도 포함됩니다.
보고서 범위
보고서 속성 | 세부 정보 |
---|---|
연구 기간 | 2020-2030 |
기준 연도 | 2023 |
예측 기간 | 2024-2030 |
과거 기간 | 2020-2022 |
단위 | 값(USD Thousand) |
주요 기업 프로필 | 삼성 그룹, TSMC, 인텔. |
포함된 세그먼트 |
|
사용자 정의 범위 | 구매 시 무료 보고서 사용자 정의(최대 4명의 분석가 근무일과 동일). 국가, 지역 및 세그먼트 범위. |
사용자 정의 보고서 범위를 얻으려면-
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시장 조사의 조사 방법론
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이 보고서를 구매해야 하는 이유
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- 최근 개발 사항(성장 기회 및 원동력, 신흥 및 선진 지역 모두의 과제 및 제약 포함)과 관련된 산업의 현재 및 미래 시장 전망.
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