NAND 플래시 메모리 시장 - 글로벌 산업 규모, 점유율, 추세, 기회 및 예측, 2018-2028, 유형별 세분화(SLC(셀당 1비트), MLC(셀당 2비트), TLC(셀당 3비트), QLC(쿼드 레벨 셀)), 애플리케이션별(스마트폰, SSD, 메모리 카드, 태블릿, 기타), 산업 수직별(가전제품, 통신 및 기술, 자동차, 제조), 지역별, 경쟁 예측

Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format

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NAND 플래시 메모리 시장 - 글로벌 산업 규모, 점유율, 추세, 기회 및 예측, 2018-2028, 유형별 세분화(SLC(셀당 1비트), MLC(셀당 2비트), TLC(셀당 3비트), QLC(쿼드 레벨 셀)), 애플리케이션별(스마트폰, SSD, 메모리 카드, 태블릿, 기타), 산업 수직별(가전제품, 통신 및 기술, 자동차, 제조), 지역별, 경쟁 예측

글로벌 NAND 플래시 메모리 시장은 IoT 및 5G 기술에 대한 수요 증가와 모바일 기기 채택 증가로 인해 향후 몇 년 동안 급증할 것으로 예상됩니다. 인공 지능(AI), 머신 러닝, 모빌리티 및 연결성의 현재 거시적 추세는 반도체 시장에서 점유율을 확대하기 위해 향후 몇 년 동안 NAND 플래시 메모리 시장에 유익합니다. 개인용 컴퓨터(PC)와 스마트폰의 등장으로 메모리용 NAND 플래시 구현이 급증하고 있으며, 이는 기기의 평균 용량 증가에 기인할 수 있습니다.

NAND 플래시는 데이터를 방해할 전력이 필요하지 않은 비다재다능한 저장 장치입니다. 연구 기회는 2D 또는 3D 구조와 같은 다양한 구조에서 개발된 SLC, TLC, MLC 및 QLC와 같이 시장에서 구할 수 있는 다양한 형태의 NAND 플래시를 채웁니다. NAND 플래시는 정보를 차단하고 전기 회로에 의존하여 정보를 저장합니다. 전원이 NAND 플래시 메모리에서 분리되면 금속 산화물 반도체가 메모리 셀에 추가 전하를 공급하여 데이터를 만듭니다. 사용되는 금속 산화물 반도체는 FGT입니다. FGT는 NAND 논리 게이트와 유사합니다.

Micron Technology, Inc.에서 보고한 데이터에 따르면 평균 스마트폰의 NAND 플래시 스토리지는 43GB이며, 이는 향후 몇 년 동안 상당히 증가할 것으로 예상됩니다. 2021년에 평균 휴대전화의 NAND 플래시 스토리지는 142GB에 도달했으며, 플래그십 기기의 스토리지는 1테라바이트였습니다. 태블릿 및 카메라, 산업 장비 및 센서, 자동차 시스템, 의료 기기와 같은 다양한 소비자 제품은 데이터와 코드를 모두 저장하는 프로세서와 함께 통합된 플래시 메모리에 의존합니다.

인공 지능 및 머신 러닝 애플리케이션에 대한 방대한 데이터 처리에 대한 수요가 증가함에 따라 플래시 기반 스토리지에 대한 추세가 진화할 것입니다. 신종 코로나19의 발발은 중국 기반 NAND 플래시 공급업체의 생산에 큰 영향을 미치지 않았습니다. 이는 공장이 고도로 자동화되어 있고 노동 수요가 낮으며 운영자가 중국 설날 전에 원자재를 비축하기 때문입니다. 반도체 제조 공장은 국가 특별 허가를 보유하고 있기 때문에 파운드리 생산물이 중국 고객에게 제공되었습니다. 이를 통해 중국 전역, 심지어 격리된 도시까지 제품을 배송할 수 있습니다.

데이터 센터에 대한 수요 증가가 시장 성장을 촉진

데이터 센터의 메모리 요구로 인해 메모리 어플라이언스에 대한 수요가 증가하면서 NAND 플래시 메모리 시장 성장이 촉진될 것으로 예상됩니다. 또한, 컴퓨팅 및 엣지 컴퓨팅, 클라우드 애플리케이션, 빅데이터에 대한 엄청난 성능에 대한 수요가 증가함에 따라 데이터 센터에 대한 필요성이 커지고 있습니다.

5G 및 IoT 사용 확대가 시장 성장을 주도하고 있습니다.

머신 러닝과 인공 지능(AI)의 채택 증가로 공급업체는 더 빠르고 신속한 대량 데이터 기능을 선택할 수 있습니다. 원격 작업 및 교육 수업의 빠른 채택과 팬데믹 당시 온라인 의료 지원으로 더욱 완성되었습니다.

전자 산업의 소비 증가가 시장 성장을 주도하고 있습니다.

COVID-19 발발은 중국이 원자재와 완제품의 주요 공급업체이기 때문에 전자 장치 부문에 상당한 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. 생산이 감소하고 공급망이 중단되었으며 가격이 변동이 심했습니다. 이 기간 동안 주요 전자 회사의 매출이 영향을 받았습니다. 사람과 물품 모두에 대한 여행 제한으로 인해 단기적으로 시장 성장이 방해를 받았습니다. 게다가 NAND 플래시 메모리 장치는 전력 소모가 적기 때문에 전자 제조업체에서 수요가 많습니다. NAND 플래시 드라이브의 디코딩은 NOR 플래시 드라이브보다 빠릅니다. 비교적 높은 면 밀도에 대한 수요가 증가함에 따라 전자 산업 제조업체는 NAND 메모리 칩에 3D 기술을 통합하게 되었습니다.

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시장 세분화


MIR Segment1

회사 프로필

삼성전자(주), 키옥시아(주), 마이크론 테크놀로지(주), SK하이닉스(주), 인텔(주), 샌디스크(주)(Western Digital Technologies Inc.), 사이프러스(주)(인피니언 테크놀로지스), 양쯔 메모리 테크놀로지스, 파워 칩 테크놀로지(주), 후지쯔(주)

속성

세부 정보

기준 연도

2022

역사적 연도

2018 – 2021

추정 연도

2023

예측 기간

2024 – 2028

양적 단위

2018-2022년 및 2023E-2028F의 10억 달러 매출 및 CAGR

보고서 범위

수익 예측, 회사 점유율, 경쟁 환경, 성장 요인 및 추세

포함되는 세그먼트

유형

응용 프로그램

산업 수직

지역

지역 범위

아시아 태평양, 북미, 유럽, 중동 및 아프리카 및 남미

국가 범위

중국, 일본, 인도, 호주, 한국, 미국, 캐나다, 멕시코, 영국, 독일, 프랑스, 스페인, 이탈리아, 이스라엘, 터키, 사우디 아라비아, UAE, 브라질, 아르헨티나, 콜롬비아

주요 회사 프로필

삼성전자, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Powerchip Technology Corporation, Fujitsu Limited

사용자 정의 범위

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