전력 MOSFET 시장 - 글로벌 산업 규모, 점유율, 추세, 기회 및 예측, 유형별(고갈 모드 및 증강 모드), 전력 비율별(고전력, 중전력 및 저전력), 채널 유형별(N채널 및 P채널), 애플리케이션별(에너지 및 전력, 인버터 및 UPS, 가전제품, 자동차, 산업 및 기타), 지역 및 경쟁별 2018-2028

글로벌 전력 MOSFET(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) 시장은

전력 MOSFET은 상당한 전력 레벨을 처리하도록 만들어졌습니다. 두 가지 다른 전력 반도체 소자인 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 또는 사이리스터는 저전압에서 스위칭 속도와 효율성 측면에서 유사한 이점을 제공합니다. IGBT와 절연 게이트를 공유하여 구동하기 쉽습니다. 이득이 낮을 수 있으며, 때로는 게이트 전압이 제어 전압보다 높아야 할 정도입니다.

오늘날의 전자 제품은 고객이 더 편안함을 느끼고 더 많이 판매하는 데 도움이 되는 많은 기능을 갖추고 있습니다. 소비자 안전 기준이 높아졌고, 휴대전화, 컴퓨터, 무선 통신, 클라우드 시스템 등 전자 부품의 기술적 발전으로 인해 개선된 전자 제품과 장치에 대한 새로운 사업 기회가 생겨났습니다. 전력 MOSFET은 혁신의 빠른 향상, 생산성 확대, 전자 부품의 작은 크기로 인해 중요한 잠재력을 가지고 있습니다. 더욱이 나노 레귤레이터는 최소한의 힘 손실로 사이클을 처리하는 데 필수적입니다. 다양한 전자 기기를 조정하면 시장 참여자에게 많은 가능성을 제공할 것으로 예상됩니다.

전력 절약에 대한 강조 향상

화석 연료가 빠르게 고갈되고 있기 때문에 미래에 전력 문제에 직면할 것으로 예상됩니다. 에너지 절약이 점점 더 많은 관심을 받고 있다는 것은 놀라운 일이 아닙니다. MOSFET은 전기 자동차 관리, 인버터 및 전원 공급 장치에 사용되는 스위칭 구성 요소입니다. MOSFET은 스위칭 주파수가 낮은 산업 환경에서 자주 사용됩니다. 에너지 효율성과 재생 에너지원에 대한 강조가 커지면서 이 산업이 자체적으로 만들어졌습니다. 가장 많은 설비가 있는 재생 에너지가 전력 모듈의 더 큰 부분을 차지할 것으로 예상됩니다. 따라서 이러한 요소들이

반도체에서 전력 MOSFET의 광범위한 사용이 글로벌 전력 MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.

MOSFET는 고급 및 간단한 회로에서 가장 일반적으로 사용되는 반도체 장치이며 가장 자주 사용되는 전력 장치입니다. 그것은 많은 응용 프로그램을 위해 절단되고 효율적으로 제조될 수 있도록 설계된 최초의 소형 반도체입니다. MOSFET 스케일링 및 수축은 전자 반도체 혁신의 빠른 뛰어난 발전을 주도하여 메모리 칩 및 마이크로칩과 같은 고두께 집적 회로(IC)를 강화했습니다.

전력 MOSFET은 세계에서 가장 널리 사용되는 전력 장치입니다. MOSFET은 ON 상태를 유지하기 위해 구동 전류의 꾸준한 진행이 필요하지 않고, 더 뛰어난 교환 속도, 더 낮은 교환 전력 손실, 더 낮은 온 보호를 제공하며, 제어 불능으로 가열될 가능성이 적기 때문에 전력 하드웨어에서 바이폴라 교차 반도체보다 우위를 점합니다. 전력 MOSFET은 더 뛰어난 작동 주파수, 더 작은 크기와 무게, 더 큰 양산을 고려하여 전원 공급 장치에 영향을 미칩니다. 따라서 글로벌 전력 MOSFET 시장의 성장을 촉진할 것으로 예상됩니다.

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오늘날의 기계는 매우 유연하고, 최소화되었으며, 물리적으로 수행되는 수많은 운동을 제어하는 정도로 생산적입니다. 기계 및 전자 장비 시장은 앞으로 몇 년 동안 수요보다 계속 성장하거나 더 빨리 성장할 것으로 예상됩니다. 대부분의 기계는 전력 MOSFET으로 전력을 관리합니다. MOSFET 모듈은 전압 스위칭 작업에 자주 사용되며 전 세계적으로 약 78,124기가와트(GW)의 풍력 및 태양광 설비가 있습니다. 전기 기계 및 장비에 대한 의존도가 높아지면서 전력 MOSFET에 직접적인 이점이 되고 있으며, 이는 글로벌 전력 MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 요인 중 하나입니다.

전기 자동차 부품에 대한 수요 증가로 글로벌 전력 MOSFET 시장 성장 촉진

글로벌 전력 MOSFET 시장은 전 세계적으로 저공해, 무공해 차량 사용을 장려하기 위해 세금 환급 및 보조금을 제공하는 정부 이니셔티브의 결과로 예측 기간 동안 확대될 것으로 예상됩니다. 또한 글로벌 시장은 수소 연료 및 전기 자동차 충전소 건설에 대한 투자 증가로 인해 주도될 것으로 예상됩니다. 또한, 글로벌 시장은 광범위한 생산 및 지속적인 기술 발전으로 인해 전기 자동차 배터리 가격이 하락하여 혜택을 볼 것으로 예상됩니다. 글로벌 시장을 촉진할 또 다른 중요한 요인은 휴대용 충전기, 어댑터, 커넥터, 충전 케이블과 같은 전기 자동차 장비 및 구성 요소에 대한 높은 수요입니다.

운영상의 한계와 높은 비용이 글로벌 전력 MOSFET 시장 성장을 방해할 것으로 예상됨

게이트 산화물, 드레인-소스 전압, 최대 드레인 전류, 온도로 인한 고장과 같은 한계로 인해 이 시장이 확장되지 않습니다. 얇기 때문에 게이트 산화물은 낮은 고장 한계를 갖습니다. MOSFET의 수명은 게이트-소스 전압이 높을수록 더욱 짧아지며 이는 감소에 거의 영향을 미치지 않습니다. MOSFET도 특정 측정 채널-소스 전압 및 전류가 필요합니다. 이러한 요구 사항이 충족되지 않으면 고장이 빠르게 발생할 수 있습니다.

또한 전력 MOSFET은 전류를 누설하는 경향이 있어 시장 성장에 영향을 미칩니다. 전력 MOSFET의 높은 설치 비용은 이 구성 요소가 차량 가격을 인상함에 따라 시장 확장을 제한할 수 있습니다. 차량의 수많은 기술 구성 요소로 인해 서비스성이 어렵고 숙련된 인력이 필요합니다. 복잡한 아키텍처를 갖춘 시스템의 수명이 더 짧습니다. 따라서 위에 언급된 요소들이 글로벌 전력 MOSFET 시장 성장에 방해가 될 것으로 추측됩니다.

최신 개발

• 2022년 3월, 업계에서 가장 낮은 온 저항 3.3kV SiC MOSFET과 가장 높은 정격 전류 SiC SBD가 Microchip Technology Inc.에서 출시되어 설계자는 견고성, 안정성 및 성능을 활용할 수 있게 되었습니다. 이제 설계자는 Microchip의 SiC 포트폴리오 확장 덕분에 전기화된 운송, 재생 에너지, 항공 우주 및 산업용 애플리케이션을 위해 더 가볍고 작으며 효과적인 솔루션을 만드는 데 필요한 도구를 갖게 되었습니다. Microchip에서 제공하는 3.3kV MOSFET 및 SBD는 700V, 1200V 및 1700V 전압을 위한 다이, 디스크리트, 모듈 및 디지털 게이트 드라이버도 포함하는 회사의 광범위한 SiC 솔루션 컬렉션의 일부입니다. 25mOhm의 MOSFET과 업계 최고 전류 정격인 90A의 SBD는 Microchip에서 제조한 3.3kV SiC 전력 장치 중 일부입니다. SBD와 MOSFET은 다이 또는 패키지로 구매할 수 있습니다. 이러한 새로운 수준의 성능을 통해 설계자는 설계를 단순화하고, 더 많은 전력을 가진 시스템을 만들고, 더 적은 병렬 구성 요소를 사용하여 더 작고 가볍고 효과적인 전력 솔루션을 만들 수 있습니다.

시장 세분화

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시장 주체

글로벌 전력 MOSFET 시장의 주요 시장 주체는 Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.입니다.