IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장 – 유형별(전통적인 비휘발성 메모리(플래시 메모리, EEPROM, SRAM 및 EPROM), 지역별, 경쟁별)으로 세분화된 글로벌 산업 규모, 점유율, 추세, 기회 및 예측 2018-2028

시장 개요

글로벌 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장은 2022년에 559억 8천만 달러 규모로 평가되었으며 2028년까지 13.03%의 CAGR로 예측 기간 동안 강력한 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 번창하는 가전 제품 산업에서 사용자는 장치가 지속적으로 더욱 강력해지고 놀라운 속도로 새로운 기능을 제공하며 더 많은 영화, 사진 및 음악을 저장하기를 기대합니다. 플래시는 지난 수십 년 동안 상당한 혁신을 가능하게 했지만 플래시가 기술적인 장애물에 부딪혀 더 이상 확장할 수 없게 되면서 새로운 세대의 메모리가 필요합니다. 저렴한 가격과 전력 소모로 인해 가전 제품에 플래시 메모리를 도입하는 것은 시장 성장에 중요합니다. NVM은 스마트폰과 웨어러블 기기에 사용되어 더 많은 저장 공간과 더 빠른 메모리 액세스를 가능하게 합니다. 이 분야에서 증가하는 연구 활동도 시장 성장을 견인하고 있습니다. 예를 들어, 2021년 3월, Infineon Technologies LLC는 주로 항공우주 및 산업 애플리케이션을 포함한 혹독한 환경에서 비휘발성 코드 스토리지를 지원하기 위해 QML-Q 및 고신뢰성 산업 사양에 적합한 2세대 비휘발성 정적 RAM 출시를 발표했습니다.

주요 시장 동인

모바일 기기 및 SSD

모바일 기기 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)는 글로벌 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장을 상당한 성장과 혁신의 기간으로 이끄는 두 가지 주요 동인입니다. 이러한 기술은 서로 얽혀 있으며, IT 및 통신 비휘발성 메모리는 두 가지 모두의 성능과 스토리지 기능을 향상시키는 데 중심적인 역할을 합니다. 스마트폰과 태블릿을 포함한 모바일 기기는 현대 생활에 없어서는 안 될 부분이 되었습니다. 소비자가 향상된 연결성, 고급 기능 및 더 많은 처리 능력을 추구함에 따라 이러한 기기에 대한 수요는 계속 급증하고 있습니다. 비휘발성 메모리, 특히 NAND 플래시 메모리는 이러한 장치의 스토리지 기반입니다. NAND 플래시 메모리의 끊임없이 증가하는 스토리지 용량과 빠른 읽기/쓰기 속도를 통해 사용자는 사진, 비디오, 앱, 문서를 포함한 방대한 양의 데이터를 저장할 수 있으며, 매끄럽고 반응성이 뛰어난 사용자 경험을 제공합니다.

또한 스마트폰 시장은 모바일 연결에 혁명을 일으킬 것으로 예상되는 5G 기술의 진화를 목격하고 있습니다. 5G는 더 빠른 데이터 전송 속도와 감소된 대기 시간을 제공하여 더 많은 데이터를 필요로 하는 애플리케이션과 서비스에 대한 기회를 창출합니다. IT 및 통신 비휘발성 메모리는 증강 현실(AR), 가상 현실(VR), 실시간 AI 애플리케이션과 같은 고속 데이터 처리에 필요한 대용량 데이터 세트에 빠르게 액세스할 수 있으므로 5G 지원 장치에 필수적입니다.

Solid-State Drive(SSD)도 소비자와 기업 환경 모두에서 점점 더 인기를 얻고 있습니다. 기존 하드 디스크 드라이브(HDD)에서 SSD로의 전환은 주로 후자의 뛰어난 성능, 안정성 및 에너지 효율성에 의해 주도됩니다. SSD는 NAND 플래시와 같은 다양한 유형의 비휘발성 메모리에 의존하여 데이터를 저장합니다. 기업과 소비자가 더 빠른 데이터 액세스, 전력 소비 감소, 향상된 내구성을 추구함에 따라 SSD 채택이 계속 증가하여 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장이 더욱 활성화됩니다. 게다가 게임 산업은 로딩 시간을 줄이고 게임 내 성능을 개선할 수 있는 SSD 채택이 급증했습니다. 게임 콘솔, PC, 클라우드 게임 서비스가 속도와 반응성을 우선시함에 따라 이러한 추세는 계속될 것으로 예상됩니다. 결론적으로 글로벌 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장은 모바일 기기와 SSD의 광범위한 채택에 큰 영향을 받습니다. 이러한 기술은 더 빠른 데이터 액세스, 더 높은 저장 용량, 향상된 에너지 효율성에 대한 소비자와 기업의 증가하는 요구를 충족하기 위해 점점 더 진보되고 효율적인 IT 및 통신 비휘발성 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있습니다. 이러한 추세가 지속되고 기술이 발전함에 따라 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장은 확장을 계속할 준비가 되어 있으며, 광범위한 산업과 애플리케이션에 이점을 제공합니다.

데이터 스토리지에 대한 수요 증가

글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장은 다양한 부문에서 데이터 스토리지에 대한 수요가 계속 증가함에 따라 강력한 성장을 경험하고 있습니다. 이러한 데이터에 대한 끝없는 욕구는 여러 가지 수렴 추세에 의해 주도되고 있으며, IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 기술은 이러한 급증하는 스토리지 요구 사항을 충족하는 데 앞장서고 있습니다. 무엇보다도 기업의 디지털 혁신과 가전제품의 확산으로 인해 데이터 생성이 기하급수적으로 증가했습니다. 전자 상거래 거래와 소셜 미디어 상호 작용에서 IoT 장치의 센서 데이터에 이르기까지 생성되는 데이터 양은 전례가 없습니다. IT & 텔레콤 NAND 플래시 메모리 및 3D XPoint와 같은 비휘발성 메모리 솔루션은 이 데이터를 효율적이고 안정적으로 저장하는 데 필수적입니다.

클라우드 컴퓨팅은 데이터 저장 수요의 또 다른 주요 원동력입니다. 클라우드 서비스 제공자는 전 세계 개인 및 조직의 데이터를 호스팅하고 관리하기 위해 대용량 저장 솔루션을 갖춘 방대한 데이터 센터가 필요합니다. SSD(솔리드 스테이트 드라이브)를 포함한 IT & 텔레콤 비휘발성 메모리 기술은 기존 하드 디스크 드라이브(HDD)에 비해 속도, 안정성 및 전력 소모가 낮아 이러한 데이터 센터에 적합한 선택이 되었습니다. 또한 5G 기술의 출현으로 데이터 저장 수요가 가속화될 것으로 예상됩니다. 5G 네트워크가 제공하는 더 빠른 데이터 전송 속도와 감소된 대기 시간은 증강 현실(AR), 가상 현실(VR), 자율 주행차와 같은 데이터 집약적 애플리케이션의 개발을 촉진할 것입니다. 이러한 애플리케이션은 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리를 사용하여 실시간 처리에 필요한 방대한 양의 데이터를 저장하고 빠르게 액세스합니다.

데이터 보안 및 규정 준수도 데이터 저장 요구 사항을 주도하고 있습니다. 조직은 점점 더 민감한 정보를 저장하고 있으며 엄격한 데이터 보호법을 준수해야 합니다. IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리는 데이터 암호화 및 안전한 저장에서 중요한 역할을 하므로 중요한 데이터 자산을 보호하는 데 필수적입니다. 게다가 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 제조업체는 계속해서 혁신하여 저장 밀도를 높이고 비트당 비용을 절감하고 있습니다. 이를 통해 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 솔루션은 광범위한 애플리케이션에 더 쉽게 접근하고 저렴하게 사용할 수 있으며, 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장의 성장에 더욱 기여합니다. 결론적으로 데이터 저장에 대한 수요 증가는 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장을 형성하는 멈출 수 없는 힘입니다. 세상이 점점 더 데이터 중심이 되면서 확장 가능하고 고성능이며 안정적인 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 솔루션에 대한 필요성이 계속 증가하여 이 시장이 디지털 시대의 필수 구성 요소가 될 것입니다.

인공지능 및 머신 러닝

인공지능(AI) 및 머신 러닝(ML)은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장을 새로운 차원으로 끌어올리는 데 중요한 역할을 할 준비가 되어 있습니다. 이러한 혁신적인 기술은 모든 산업에 혁명을 일으키고 있으며, 데이터에 대한 엄청난 욕구와 빠른 데이터 액세스에 대한 필요성으로 인해 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리는 성공에 중요한 구성 요소가 됩니다. AI 및 ML 알고리즘은 학습 및 추론을 위해 방대한 양의 데이터가 필요합니다. IT & Telecom 비휘발성 메모리 솔루션(예NAND 플래시 메모리, SSD, 3D XPoint와 같은 새로운 메모리 기술)은 이러한 방대한 데이터 세트를 효율적으로 저장하고 액세스하는 데 필요한 속도와 용량을 제공합니다. 이는 여러 계층의 신경망이 정확한 모델링을 위해 광범위한 데이터 세트를 요구하는 딥 러닝에 특히 중요합니다.

또한 IT & Telecom 비휘발성 메모리의 저지연 특성은 실시간 또는 거의 실시간 처리가 필요한 AI 및 ML 애플리케이션에 필수적입니다. 자율 주행차에서 음성 인식 시스템에 이르기까지 데이터에 빠르게 액세스할 수 있는 기능은 AI 기반 기술의 원활한 작동을 보장하는 데 필수적입니다. IT & Telecom 비휘발성 메모리의 확장성은 AI 및 ML에서 채택을 촉진하는 또 다른 중요한 요소입니다. 기업과 연구 기관이 AI 및 ML 인프라를 확장함에 따라 증가하는 데이터 저장 요구 사항에 맞게 확장할 수 있는 메모리 솔루션이 필요합니다. IT 및 통신 비휘발성 메모리는 기존 데이터 센터 아키텍처에 쉽게 통합할 수 있으며 증가하는 데이터 저장 용량 수요를 수용할 수 있습니다.

또한 IT 및 통신 비휘발성 메모리 기술은 AI 및 ML 워크로드에 최적화되고 있습니다. 제조업체는 AI 가속기 및 엣지 컴퓨팅 장치의 특정 요구 사항을 충족하기 위해 더 나은 내구성, 전력 효율성 및 안정성을 제공하는 메모리 솔루션을 개발하고 있습니다. 결론적으로 AI와 ML은 기술 혁신의 최전선에 있으며 글로벌 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장에 미치는 영향은 부인할 수 없습니다. AI 및 ML 애플리케이션이 의료에서 금융 및 제조에 이르기까지 다양한 산업에서 계속 확산됨에 따라 고성능, 저지연성 및 확장 가능한 IT 및 통신 비휘발성 메모리 솔루션에 대한 수요는 더욱 심화될 것입니다. AI/ML과 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 간의 이러한 공생 관계는 두 분야에서 혁신을 주도할 준비가 되어 있으며, 메모리 산업은 끊임없이 진화하는 인공 지능의 요구를 충족하도록 적응하고 있습니다.

주요 시장 과제

비용 제약

비용 제약은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장의 성장과 발전을 잠재적으로 방해할 수 있는 중대한 과제입니다. 이 과제는 다면적이며 연구 개발에서 생산 및 소비자 채택에 이르기까지 산업의 다양한 측면에 영향을 미칩니다. 연구 개발 비용새로운 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 기술을 개발하고 기존 기술을 개선하려면 연구 개발에 상당한 투자가 필요합니다. 이 산업의 기업은 경쟁력을 유지하고 변화하는 시장 수요를 충족하기 위해 지속적으로 혁신해야 합니다. 높은 R&D 비용은 소규모 기업과 스타트업에게 장벽이 될 수 있으며, 시장에서 메모리 솔루션의 다양성을 제한합니다.

제조 비용IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 칩의 제조에는 복잡한 공정과 값비싼 장비가 필요합니다. 기술이 발전하고 제조업체가 더 높은 용량과 더 빠른 속도의 메모리 칩을 생산하기 위해 노력함에 따라, 팹이라고도 하는 제조 시설을 건설하고 유지하는 비용이 계속 상승하고 있습니다. 이 비용은 일반적으로 소비자에게 전가되어 고급 메모리 솔루션의 구매 가능성을 제한할 수 있습니다. 규모의 경제규모의 경제를 달성하는 것은 비용 효율적인 생산에 중요합니다. 소규모 제조업체는 대량으로 메모리 칩을 생산할 수 있는 자원을 보유한 더 크고 확립된 회사와 경쟁하기 어려울 수 있습니다. 이러한 제조 능력의 집중은 일부 업체가 시장을 지배하게 되어 경쟁과 혁신을 제한할 수 있습니다.

가격 압박IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장은 경쟁이 치열하며, 소비자와 기업은 더 높은 용량의 메모리 솔루션에 대해 더 낮은 가격을 기대합니다. 제조업체는 종종 경쟁력을 유지하기 위해 가격을 낮추라는 압박에 직면하는데, 이는 이익 마진에 영향을 미치고 연구 개발에 투자하는 능력을 방해할 수 있습니다. 소비자 채택IT 및 통신 비휘발성 메모리의 비용은 소비자 채택에 직접적인 영향을 미칩니다. 스마트폰과 같은 시장에서 소비자는 가격에 민감하며, 메모리 구성 요소의 비용은 기기의 전체 가격에 상당한 영향을 미칩니다. 메모리 가격이 높은 상태를 유지하면 대용량 저장 용량을 갖춘 기기의 도입이 늦어질 수 있습니다.

엔터프라이즈 솔루션엔터프라이즈 및 데이터 센터 환경에서 비용 제약으로 인해 대용량 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 솔루션의 배포가 제한될 수 있습니다. 조직은 스토리지 요구 사항과 예산 제약을 균형 있게 조정해야 하며, 잠재적으로 메모리 인프라의 업그레이드 또는 확장을 지연시킬 수 있습니다. 이러한 비용 제약을 해결하기 위해 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 산업은 생산 비용을 줄이고 규모의 경제성을 개선하기 위해 제조 공정을 개선하는 데 집중해야 합니다. 또한 메모리 기술의 지속적인 혁신으로 장기적으로 비용 효율적인 솔루션이 나올 수 있습니다. 업계 참여자 간의 전략적 파트너십과 협업은 비용을 분배하고 연구 개발 노력을 촉진하는 데 도움이 될 수도 있습니다. 결론적으로 비용 제약은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장에 과제를 제기하지만, 업계의 혁신과 효율성을 촉진합니다. 이러한 과제를 극복하려면 기술 발전, 규모의 경제성, 시장 역학을 결합하여 IT 및 통신 비휘발성 메모리 솔루션이 광범위한 애플리케이션과 소비자에게 접근 가능하고 저렴한 가격으로 유지되도록 해야 합니다.

NAND 플래시 확장 한계

글로벌 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장이 직면한 중요한 과제 중 하나는 NAND 플래시 메모리 기술의 확장 한계입니다. NAND 플래시는 수년간 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장의 주력이었으며 스마트폰에서 데이터 센터에 이르기까지 다양한 기기에 광범위하게 사용되었습니다. 그러나 NAND 플래시가 물리적 확장 한계에 접근함에 따라 산업의 추가 발전 및 확장에 잠재적인 장애물이 됩니다. NAND 플래시 확장의 근본적인 문제는 제조업체가 저장 밀도를 높이기 위해 메모리 셀을 줄이려고 시도할 때 몇 가지 중요한 문제가 발생한다는 것입니다. 내구성 감소NAND 셀이 작아짐에 따라 마모되기 전에 더 적은 프로그램/지우기(P/E) 주기를 견딜 수 있습니다. 이러한 감소된 내구성은 NAND 플래시 기반 장치의 안정성과 수명에 영향을 미칠 수 있으며, 특히 엔터프라이즈 스토리지 시스템과 같은 쓰기 집약적 애플리케이션에서 그렇습니다.

오류율 증가작은 NAND 셀은 전자 터널링 및 인접 셀 간의 간섭과 같은 요인으로 인한 오류에 더 취약합니다. 이로 인해 오류율이 높아지고, 추가 리소스와 전력을 소모할 수 있는 오류 수정 메커니즘이 필요합니다. 데이터 보존작은 NAND 셀은 또한 데이터 보존 시간이 더 짧은 경향이 있습니다. 즉, 이러한 셀에 저장된 데이터가 더 빨리 저하될 수 있으며, 이는 장기 데이터 저장이 필요한 애플리케이션에 문제가 됩니다. 복잡한 제조 공정NAND 플래시 셀을 축소하려면 점점 더 복잡한 제조 공정이 필요하여 생산 비용이 높아지고 잠재적인 제조 문제가 발생합니다.

이러한 문제를 해결하기 위해 제조업체는 합리적인 성능과 내구성을 유지하면서 저장 밀도를 높이기 위해 멀티 레벨 셀(MLC), 트리플 레벨 셀(TLC), 쿼드 레벨 셀(QLC) NAND 플래시와 같은 다양한 기술을 탐색했습니다. 그러나 이러한 솔루션은 성능과 안정성 측면에서 균형을 이룹니다. 이러한 확장 문제를 완화하기 위해 업계는 3D XPoint, ReRAM(저항성 RAM), MRAM(자기 저항성 RAM)과 같은 대체 IT 및 통신 비휘발성 메모리 기술도 적극적으로 탐색해 왔습니다. 이러한 기술은 확장성, 내구성 및 성능 측면에서 이점을 제공하지만 고유한 개발 및 채택 문제에 직면합니다.

결론적으로 NAND 플래시 메모리는 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장에서 확고한 지위를 차지했지만 확장 한계로 인해 대용량 및 빠른 저장 솔루션에 대한 증가하는 수요를 충족하는 데 상당한 장애물이 됩니다. 이러한 확장 제한을 해결하고 대체 메모리 기술로 전환하는 산업의 능력은 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리의 미래를 형성하고 점점 더 데이터 중심적인 세상에서 지속적인 성장과 관련성을 보장하는 데 중요할 것입니다.

주요 시장 동향

떠오르는 메모리 기술

떠오르는 메모리 기술은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장의 미래를 형성하는 원동력이 될 준비가 되어 있습니다. 기존 NAND 플래시를 넘어서는 이러한 혁신적인 메모리 솔루션은 중요한 제한을 해결하고 다양한 산업과 애플리케이션의 진화하는 요구 사항을 충족하는 다양한 이점을 제공합니다. 가장 주목할 만한 떠오르는 메모리 기술 중 하나는 Intel과 Micron이 Optane 브랜드로 개발한 3D XPoint입니다. 3D XPoint는 고유한 특성으로 인해 종종 스토리지 클래스 메모리(SCM)라고도 합니다. 이는 기존 DRAM의 속도와 내구성을 NAND 플래시의 비휘발성 특성과 결합하여 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리 간의 격차를 메웁니다. 이 기술은 여러 가지 방법으로 데이터 저장 및 처리를 혁신할 준비가 되어 있습니다. 고성능3D XPoint는 NAND 플래시보다 훨씬 빠른 데이터 액세스 속도를 제공하므로 빠른 데이터 처리가 필요한 고성능 컴퓨팅 애플리케이션, 실시간 분석 및 AI/ML 워크로드에 적합합니다.

높은 내구성NAND 플래시와 달리 3D XPoint는 반복적인 쓰기 주기로 인해 성능이 저하되지 않아 수명이 길고 안정성이 뛰어납니다. 이 특성은 엔터프라이즈 및 데이터 센터 애플리케이션에 매우 중요합니다. 낮은 대기 시간낮은 대기 시간 데이터 액세스는 메모리 내 데이터베이스 및 엣지 컴퓨팅과 같은 애플리케이션에 필수적입니다. 3D XPoint는 DRAM 수준에 가까운 대기 시간을 제공하여 전반적인 시스템 성능을 개선합니다. 또 다른 새로운 메모리 기술은 저항성 스위칭 재료를 활용하여 데이터를 저장하는 저항성 RAM(ReRAM)입니다. ReRAM은 낮은 전력 소비, 빠른 쓰기 속도 및 확장성과 같은 이점을 약속합니다. IoT 기기, 신경형 컴퓨팅, 스토리지 클래스 메모리 솔루션에 잠재적으로 적용될 수 있습니다.

상변화 메모리(PCM)는 재료의 가역적 상변화를 활용하여 데이터를 저장하는 또 다른 주목할 만한 기술입니다. PCM은 높은 데이터 보존, 낮은 전력 소비, 극한 온도에 대한 내성을 제공하여 자동차 전자 장치, 항공 우주 애플리케이션, IoT 센서에 적합합니다. 글로벌 IT 및 통신 비휘발성 메모리 시장의 맥락에서 이러한 새로운 메모리 기술은 분야를 다양화하고 혁신을 주도하고 있습니다. 이러한 기술은 데이터 센터, AI, IoT, 자동차와 같은 산업 전반에 걸쳐 더 빠르고 안정적이며 에너지 효율적인 메모리 솔루션에 대한 수요를 충족합니다. 제조업체가 이러한 기술을 개선하고, 생산 공정을 개선하고, 제조를 확대함에 따라 비용 경쟁력이 높아져 채택이 더욱 가속화될 가능성이 높습니다. 결론적으로 3D XPoint, ReRAM, PCM과 같은 새로운 메모리 기술은 IT 및 통신 비휘발성 메모리 혁신의 최전선에 있습니다. 이들은 기존 NAND 플래시의 한계를 해결하고 광범위한 애플리케이션에 맞춤형 솔루션을 제공함으로써 시장을 재편하고 있습니다. 산업이 성능, 내구성, 효율성을 우선시함에 따라 이러한 기술은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장의 성장과 진화에서 중추적인 역할을 할 준비가 되었습니다.

AI 및 머신 러닝 통합

인공 지능(AI)과 머신 러닝(ML) 기술의 통합은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장을 새로운 성장과 혁신의 시대로 이끄는 강력한 힘입니다. 이러한 혁신적인 기술은 근본적으로 데이터 중심적이며 빠른 데이터 액세스와 저장에 의존하여 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리를 발전의 중추적인 구성 요소로 만듭니다. AI 및 ML 알고리즘은 데이터를 탐욕스럽게 소비합니다. 이러한 알고리즘은 학습을 위한 방대한 데이터 세트와 추론을 위한 실시간 데이터 액세스를 필요로 하므로 고성능, 저지연 저장 솔루션이 필수적인 요소입니다. NAND 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리와 3D XPoint와 같은 신기술은 빠르고 안정적인 데이터 저장 및 검색 기능을 제공하여 이러한 요구 사항을 충족하는 데 탁월합니다.

AI/ML과 IT 및 통신 비휘발성 메모리 간의 시너지를 주도하는 주요 요인에는 데이터 집약적 워크로드가 포함됩니다. 자연어 처리에서 컴퓨터 비전에 이르기까지 AI 및 ML 애플리케이션은 방대한 양의 데이터를 생성하고 처리합니다. IT 및 통신 비휘발성 메모리 기술은 이러한 방대한 데이터 세트를 저장하고 관리하는 데 탁월하여 AI 모델이 정확한 예측 및 의사 결정에 필요한 정보에 액세스할 수 있도록 합니다.

실시간 처리AI 및 ML은 자율 주행차가 1초 이내에 결정을 내리거나 음성 인식 시스템이 사용자 명령에 응답하는 것과 같이 실시간 또는 거의 실시간 처리가 필요한 경우가 많습니다. 비휘발성 메모리의 저지연 특성은 빠른 데이터 액세스를 가능하게 하여 이러한 애플리케이션에 필요한 빠른 응답 시간을 용이하게 합니다. 엣지 컴퓨팅AI가 네트워크의 가장자리, IoT 기기 및 센서에 더 가까워짐에 따라 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리는 로컬 데이터 저장 및 처리에 필수적이 됩니다. 이 엣지 컴퓨팅 패러다임에는 리소스가 제한된 환경에서 효율적으로 작동할 수 있는 메모리 솔루션이 필요합니다.

에너지 효율성모바일 기기 및 IoT 가젯의 AI 및 ML 애플리케이션은 에너지 효율적인 저장 솔루션을 요구합니다. IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 기술은 기존 하드 드라이브에 비해 전력 소모가 낮아 모바일 기기의 배터리 수명을 늘리고 IoT 기기의 작동 수명을 연장하는 것으로 알려져 있습니다. 확장 기회IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리의 확장성은 AI/ML 워크로드의 증가와 일치합니다. 조직은 AI 시스템에서 생성 및 분석되는 증가하는 양의 데이터를 수용하기 위해 메모리 인프라를 쉽게 확장할 수 있습니다. 고급 메모리 아키텍처메모리 제조업체는 내구성, 안정성 및 성능 개선과 같은 기능을 갖춘 AI 및 ML에 최적화된 메모리 솔루션을 개발하고 있습니다. 이러한 기술은 AI 워크로드의 특정 요구 사항을 충족하도록 맞춤화되었습니다.

결론적으로 AI와 머신 러닝은 기술 혁신의 최전선에 있으며, IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 기술과의 긴밀한 통합은 글로벌 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 시장을 새로운 차원으로 이끌고 있습니다. AI/ML 애플리케이션이 산업 전반에 걸쳐 계속 확산됨에 따라 고속, 저지연성 및 확장 가능한 IT 및 텔레콤 비휘발성 메모리 솔루션에 대한 수요는 강세를 유지하여 이 두 혁신 분야 간의 지속적인 협업과 혁신을 촉진할 것입니다. 그 결과 발전은 AI/ML 기반 애플리케이션을 더욱 강화하고 컴퓨팅의 미래를 형성할 것입니다.

세그먼트별 통찰력

유형 통찰력

플래시 메모리 세그먼트는 예측 기간 동안 시장을 지배할 것으로 예상됩니다. 가전제품에 대한 수요와 침투가 증가함에 따라 장치 플래시 메모리 애플리케이션이 생겨났습니다. 이 메모리 유형은 노트북, GPS, 전자 악기, 디지털 카메라, 휴대폰 등 여러 분야에 적용됩니다. 또한 데이터 센터 솔루션 공급업체에서 광범위하게 채택하고 있습니다. 클라우드 솔루션 채택이 기하급수적으로 증가함에 따라 데이터 센터에 대한 수요도 급증하고 있습니다.

또한 대기 시간이 높고 처리량이 높은 클라우드 스토리지를 필요로 하는 AI/ML 애플리케이션과 IoT 기기에 대한 경향이 증가함에 따라 플래시 스토리지와 엔터프라이즈 데이터 센터는 딥 뉴럴 네트워크를 훈련하도록 최적화되었습니다. 데이터 센터의 수와 규모가 증가함에 따라 수요가 더욱 증가할 것으로 예상됩니다.

시장에서 운영되는 공급업체는 증가하는 수요에 부응하기 위해 더 나은 기능을 갖춘 새로운 솔루션을 개발하는 데 중점을 두고 있습니다. 예를 들어, 2021년 2월 Kioxia Corporation과 Western Digital Corp.는 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술 개발을 발표했습니다. 이는 많은 기술과 제조 혁신을 활용하는 회사의 가장 높은 밀도와 가장 진보된 3D 플래시 메모리 기술이었습니다.

지역별 통찰력

예측 기간 동안 아시아 태평양 지역이 시장을 지배할 것으로 예상됩니다. 데이터 센터를 포함한 새로운 인프라 구축은 온라인 엔터테인먼트, 재택근무, 화상 및 음성 통화 서비스에 대한 수요가 급증함에 따라 아시아 태평양 지역의 다양한 국가에서 증가하고 있습니다. 디지털 경제의 빠른 발전으로 중국 및 인도와 같은 국가에 대규모 빅 데이터 센터를 구축하는 것이 필요해지고 있습니다.

중국은 NAND 메모리 사업에 대한 공격적인 접근 방식으로 인해 선두 국가로 부상했습니다. 예를 들어, 중국의 주요 메모리 회사 중 하나인 Yangtze Memory Technologies Co. Ltd(YMTC)는 SSD를 포함하여 국내에서 소량으로 64단 NAND를 출하했으며 2021년에는 128단 생산이 개발 및 출하될 예정입니다.

최근 개발 사항

• 2022년 1월 - SK Hynix Inc.는 Intel의 NAND 및 SSD(Solid-State Drive) 사업을 인수하는 거래의 1단계를 완료했다고 발표했습니다. 회사에 따르면, 인텔의 SSD 사업과 중국 대련 NAND 플래시 제조 시설을 인수하여 거래의 첫 번째 단계를 마무리했습니다.
• 2021년 10월 - NSCore Inc.는 IoT 기술 애플리케이션을 위한 IT 및 통신 비휘발성 메모리 솔루션인 OTP+(One-Time-Programmable Plus)를 출시했습니다. 회사에 따르면, 40nm 초저전력 OTP NVM IP 솔루션은 신흥 시장에서 중요한 IoT 칩 제조를 다시 스핀할 필요성을 최소화할 수 있습니다. 또한 NSCore OTP+ 솔루션은 표준 OTP IP 솔루션과 달리 재프로그래밍 및 수정이 가능합니다.
• 2021년 7월 - Micron Technology는 세계 최초의 176단 NAND Universal Flash Storage(UFS) 3.1 모바일 솔루션을 대량 출하하기 시작했다고 발표했습니다. 하이엔드 및 플래그십 휴대폰에 맞게 설계된 Micron의 UFS 3.1 디스크리트 모바일 NAND 메모리는 이전 세대에 비해 순차 쓰기 및 임의 읽기 속도가 최대 75% 빨라져 5G의 잠재력을 끌어냅니다.

주요 시장 참여자

• ROHM Co. Ltd
• STMicroelectronics NV
• Maxim Integrated Products Inc.
• Fujitsu Ltd
• Intel Corporation
• Honeywell International Inc.
• Micron technologies Inc.
• Samsung Electronics Co.Ltd
• Crossbar Inc.
• Infineon Technologies AG