ゲートオールアラウンドFET(GAAFET)技術の世界市場規模(タイプ別(3nm、2nm)、アプリケーション別(民生用電子機器、インバーター、UPS)、地理的範囲別および予測)

Published Date: September - 2024 | Publisher: MIR | No of Pages: 240 | Industry: latest trending Report | Format: Report available in PDF / Excel Format

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ゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジーの市場規模と予測

ゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジーの市場規模は、2023 年に 25,732.33 千米ドルと評価され、2030 年までに 1,35,816.77 千米ドルに達すると予測されており、2024 年から 2030 年にかけて 31.95% の CAGR で成長しています。

ゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジーの破壊電圧の向上とエネルギー損失の最小化は、市場の成長を牽引する要因です。ゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジー市場レポートは、市場の総合的な評価を提供します。このレポートでは、市場で重要な役割を果たしている主要なセグメント、トレンド、推進要因、制約、競合状況、要因を包括的に分析しています。

グローバル Gate-All-Around FET (GAAFET) テクノロジ市場の定義

Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET) は、半導体製造における従来の FinFET (Fin Field-Effect Transistor) テクノロジから大幅に進歩したトランジスタ テクノロジの一種です。GAAFET では、ゲート材料がチャネルを完全に取り囲んでいるため、電子の流れをより適切に制御できます。これは、ゲートがチャネルを部分的にしか取り囲んでいない FinFET テクノロジとは異なります。この独自の設計には、いくつかの利点があります。

  • 制御の向上GAAFET はチャネル上の静電制御を向上させ、リークを減らし、エネルギー効率を向上させます。
  • 変動性の低減オールラウンド ゲート構造により、トランジスタのパフォーマンスの変動が最小限に抑えられ、一貫性と信頼性が向上します。
  • スケーリングの強化GAAFET テクノロジにより、トランジスタ サイズの継続的なスケーリングが可能になり、より小型で強力な半導体デバイスの開発が可能になります。
  • パフォーマンスの向上GAAFET は、制御の強化と変動性の低減により、従来のトランジスタ テクノロジと比較して高いパフォーマンスを提供できます。
  • 消費電力の低減静電制御の向上により消費電力が削減されるため、GAAFET はエネルギー効率の高いデバイスに適しています。
  • スケーリングの可能性GAAFET により、半導体デバイスのさらなるスケーリングが可能になり、より小型で高度な電子機器の開発が容易になります。

GAAFET テクノロジは、半導体業界のさまざまなアプリケーションにとって重要です。以下を含みます

  • モバイル デバイスエネルギー効率とパフォーマンスの向上により、GAAFET はモバイル プロセッサに適しており、バッテリー寿命の延長と処理速度の高速化に貢献します。
  • データ センター高性能コンピューティング アプリケーションでは、GAAFET テクノロジによりデータ センター プロセッサの効率を高めることができます。
  • モノのインターネット (IoT)GAAFET ベースのデバイスはサイズが小さく消費電力が低いため、IoT アプリケーションに有益です。

高度なトランジスタ テクノロジの開発と実装に携わっている主要な半導体企業には、Intel、Samsung、TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)、GlobalFoundries、IBM などがあります。これらの企業は、半導体テクノロジの最前線に留まるために、研究開発に多額の投資を行うことがよくあります。

GAAFET テクノロジの市場浸透は、研究開発の進捗状況、製造能力、業界の需要などの要因によって左右されます。地域での採用は、半導体製造施設と技術革新センターの集中度によって異なる場合があります。

GAAFET テクノロジと高度な材料の統合は、研究者とメーカーの重点分野です。これには、トランジスタのチャネルとゲート用の新素材を探索して、パフォーマンスをさらに向上させ、消費電力を削減することが含まれます。GAAFET 技術は、人工知能 (AI) とエッジ コンピューティングに関連するアプリケーションで重要な役割を果たすことが期待されています。GAAFET はパフォーマンスとエネルギー効率が向上しているため、エッジ デバイスでの AI アルゴリズムの計算要求を処理するのに適しています。異種統合のトレンドには、さまざまな材料とテクノロジを 1 つのチップに組み合わせることが含まれます。GAAFET はこのトレンドの一部となり、より汎用性が高く効率的な半導体デバイスの開発に貢献します。TSMC や GlobalFoundries などの半導体ファウンドリは、GAAFET 技術の広範な採用において重要な役割を果たす可能性があります。さまざまなクライアント向けの GAAFET ベースのチップの製造に同社が関与することで、さまざまな業界でこの技術が受け入れられるようになるかもしれません。

業界レポートの内容は?

当社のレポートには、プレゼンテーションの作成、事業計画の作成、提案書の作成に役立つ実用的なデータと将来を見据えた分析が含まれています。

世界のゲートオールアラウンドFET(GAAFET)技術市場の概要

ゲートオールアラウンド電界効果トランジスタ(GAAFET)技術として知られる現代の半導体技術は、その優れたエネルギー効率と性能により、業界で大きな注目を集めています。従来のトランジスタアーキテクチャとは対照的に、GAAFETはゲートがチャネル全体を囲む設計になっており、電流フロー制御が向上しています。そのアーキテクチャにより、GAAFET技術はトランジスタ性能の向上、リーク電流の低減、スケーラビリティの向上を実現し、半導体業界にとって有望な開発となっています。

半導体メーカーが多様なアプリケーションの変化する需要に対応するためにこの技術を高度な製造プロセスに統合するにつれて、GAAFET技術の市場は大幅に成長すると予想されています。高性能でエネルギー効率の高い電子機器の需要は引き続き増加すると予想されます。技術開発、研究開発の取り組み、業界全体における次世代電子デバイスに対する需要の高まりはすべて、市場の軌道に影響を与えます。

世界のゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジー市場セグメンテーション分析

世界のゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジー市場は、タイプ、アプリケーション、および地域に基づいてセグメント化されています。

ゲートオールアラウンド FET (GAAFET) テクノロジー市場、タイプ別

  • 3nm
  • 2nm

タイプ別に要約された市場レポートを取得するには-

タイプに基づいて、市場は 3nm と 2nm に分割されています。 3nm は 2024 年に 74.51% の最大の市場シェアを占め、市場価値は 19,174.21 千米ドルに達し、予測期間中に 33.13% の最高の CAGR で成長すると予測されています。2nm は 2024 年に 2 番目に大きな市場となり、2024 年に 6,558.12 千米ドルに達し、28.15% の CAGR で成長すると予測されています。

ゲートオールアラウンド FET (GAAFET) 技術市場、アプリケーション別

  • 民生用電子機器
  • インバーターと UPS
  • エネルギーと電力
  • 産業システム
  • その他

アプリケーション別に要約された市場レポートを取得するには:-

アプリケーションに基づいて、市場は民生用電子機器、インバーターとUPS、エネルギーと電力、産業システム、およびその他に分類されます。民生用電子機器は、2024年に43.15%の最大の市場シェアを占め、市場価値は11,103.16千米ドルとなり、予測期間中に37.40%の最高のCAGRで成長すると予測されています。インバーターとUPSは2024年に2番目に大きな市場となり、2024年には4,818.42千米ドルの価値があります。 30.26%のCAGRで成長すると予測されています。

ゲートオールアラウンドFET(GAAFET)テクノロジー市場、地域別

  • 北米
  • ヨーロッパ
  • アジア太平洋地域
  • ラテンアメリカ
  • 中東およびアフリカ

地理に基づいて、世界のゲートオールアラウンドFET(GAAFET)テクノロジー市場は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋地域、ラテンアメリカ、中東およびアフリカを含むさまざまな地域に分割されています。アジア太平洋地域は、2024年に34.83%の最大市場シェアを占め、市場価値は8,962.57千米ドルとなり、予測期間中に32.57%の最高CAGRで成長すると予測されています。急速な都市化と民生用電子機器の需要の高まりにより、アジア太平洋地域の市場が成長しています。北米は2024年に2番目に大きな市場となり、2024年には8,321.84千米ドルに達し、CAGR 32.08%で成長すると予測されています。AI、5G、IoTなどの新興技術における半導体の需要増加が、北米地域の市場の成長を後押ししています。

主要企業

「世界のゲートオールアラウンドFET(GAAFET)技術市場」調査レポートは、世界市場に重点を置いた貴重な洞察を提供します。市場の主要企業は、サムスングループ、TSMC、およびインテルです。競争環境セクションには、上記のプレーヤーの主要な開発戦略、市場シェア、市場ランキング分析も含まれています。

レポートの範囲

レポートの属性詳細
調査期間

2020〜2030年

基準年

2023年

予測期間

2024〜2030年

履歴期間

2020〜2022年

単位

値(USD

主要企業

Samsung Group、TSMC、Intel。

対象セグメント
  • タイプ別
  • アプリケーション別
  • 地域別
カスタマイズ範囲

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このレポートを購入する理由

  • 経済的要因と非経済的要因の両方を含むセグメンテーションに基づく市場の定性的および定量的分析。
  • 各セグメントとサブセグメントの市場価値(10億米ドル)データの提供。最も急速な成長が見込まれ、市場を支配すると予想される地域とセグメントを示します。市場。
  • 地域別の分析では、地域における製品/サービスの消費を強調し、各地域の市場に影響を与えている要因を示します。
  • 主要プレーヤーの市場ランキング、およびプロファイルされた企業の過去 5 年間の新しいサービス/製品の発売、パートナーシップ、事業拡大、買収を組み込んだ競争環境。
  • 主要な市場プレーヤーの会社概要、会社の洞察、製品のベンチマーク、SWOT 分析を含む広範な会社プロファイル。
  • 最近の開発に関する業界の現在および将来の市場見通し (これには、新興地域と先進地域の両方の成長機会と推進要因、課題と制約が含まれます)。
  • ポーターの 5 つの力の分析によるさまざまな視点からの市場の詳細な分析が含まれます。
  • バリュー チェーンを通じて市場への洞察を提供します。
  • 市場ダイナミクス シナリオ、および今後数年間の市場の成長機会。6 か月の営業後アナリストサポートします。

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