NANDフラッシュメモリ市場 – 2018～2028年の世界規模、シェア、トレンド、機会、予測、タイプ別（SLC（セルあたり1ビット）、MLC（セルあたり2ビット）、TLC（セルあたり3ビット）、QLC（クアッドレベルセル））、アプリケーション別（スマートフォン、SSD、メモリカード、タブレット、その他）、業界別（コンシューマーエレクトロニクス、通信およびテクノロジー、自動車、製造）、地域別、競合予測

世界のNANDフラッシュメモリ市場は、IoTおよび5Gテクノロジーの需要の増加とモバイルデバイスの採用の増加により、今後数年間で急増すると予測されています。人工知能（AI）、機械学習、モビリティ、およびコネクティビティの現在のマクロトレンドは、今後数年間のNANDフラッシュメモリ市場に有利であり、半導体市場でのシェアを拡大します。パーソナルコンピューター（PC）とスマートフォンの台頭により、メモリ用のNANDフラッシュの実装が急増しており、これはデバイスの平均容量の増加に起因する可能性があります。

NANDフラッシュは、データをブロックするために電力を必要としない非汎用ストレージマシンです。この調査では、2Dまたは3D構造などのさまざまな構造で開発されたSLC、TLC、MLC、QLCなど、市場で入手可能なさまざまな形式のNANDフラッシュについて説明します。NANDフラッシュはブロックとして情報を保存し、情報を保存するために電気回路に依存しています。 NANDフラッシュメモリから電源が切断されると、金属酸化物半導体がメモリセルに追加の電荷を供給し、データを作成します。使用される金属酸化物半導体はFGTです。FGTはNANDロジックゲートに似ています。

Micron Technology, Inc.が報告したデータによると、平均的なスマートフォンのNANDフラッシュストレージは43 GBで、今後数年間で大幅に増加すると予想されています。2021年には、平均的な電話のNANDフラッシュストレージは142 GBの値に達し、フラッグシップデバイスは1テラバイトのストレージを備えています。タブレットやカメラ、産業機器やセンサー、自動車システム、医療機器など、さまざまな消費者向け製品は、データとコードの両方を保存するプロセッサと一緒に統合されたフラッシュメモリに依存しています。

人工知能や機械学習アプリケーション向けの大量データ処理の需要が高まるにつれて、フラッシュベースのストレージへの傾向が進化していきます。新型コロナウィルス感染症（COVID-19）の流行は、中国に拠点を置くNANDフラッシュベンダーの生産に大きな影響を与えませんでした。これは、工場が高度に自動化されており、労働力の需要が低く、オペレーターが旧正月前に原材料を備蓄しているためです。半導体製造工場は国家の特別ライセンスを保持しているため、ファウンドリの出力は中国の顧客に届けられました。これにより、中国全土、さらには隔離された都市に製品を出荷することができます。

データセンターの需要増加が市場の成長を促進

データセンターのメモリ要件に支えられたメモリアプライアンスの需要増加は、NANDフラッシュメモリ市場の成長を促進すると予想されます。さらに、データセンターの必要性は、コンピューティングとエッジコンピューティング、クラウドアプリケーション、ビッグデータに対する膨大なパフォーマンスの需要の高まりによって推進されています。

5GとIoTの使用の拡大が市場の成長を牽引

機械学習と人工知能（AI）の採用の増加により、ベンダーはより迅速かつ迅速な実質的なデータ機能を選択できるようになりました。リモートワークと教育クラスの迅速な採用、およびパンデミック時のオンライン医療支援によって、さらに増加が完了。

電子産業における消費の増加が市場の成長を牽引

中国は原材料と完成品の主要サプライヤーであるため、COVID-19の発生は電子機器部門に大きな影響を与えると予想されています。生産は減少し、サプライチェーンは混乱し、価格は不安定でした。この間、大手電子機器会社の売上は影響を受けました。人と物の両方に対する旅行制限は、短期的には市場の成長を妨げました。さらに、NAND フラッシュ メモリ デバイスは消費電力が少ないため、電子機器メーカーの間で需要が高まっています。NAND フラッシュ ドライブのデコードは、NOR フラッシュ ドライブよりも高速です。比較的高い面密度に対する需要の高まりにより、電子業界のメーカーは NAND メモリ チップに 3D テクノロジーを組み込むようになりました。

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市場セグメンテーション

企業プロファイル

Samsung Electronics Co. Ltd、KIOXIA Corporation、Micron Technology Inc.、SK Hynix Inc.、Intel Corporation、SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.)、Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies)、Yangtze Memory Technologies、Power chip Technology Corporation、Fujitsu Limited、