パワーMOSFET市場 – 世界の業界規模、シェア、トレンド、機会、予測、タイプ別（デプレッションモードとエンハンスメントモード）、電力レート別（高電力、中電力、低電力）、チャネルタイプ別（NチャネルとPチャネル）、アプリケーション別（エネルギーと電力、インバータとUPS、民生用電子機器、自動車、産業、その他）、地域と競争別2018-2028年

世界のパワー MOSFET (金属酸化物半導体電界効果トランジスタ) 市場は

パワー MOSFET は、かなりの電力レベルを処理できるように作られています。他の 2 つのパワー半導体デバイスである絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) またはサイリスタは、低電圧でのスイッチング速度と効率の点で同様の利点があります。IGBT と絶縁ゲートを共有するため、駆動が簡単です。ゲインが低い場合があり、ゲート電圧を制御電圧よりも高くする必要がある場合もあります。

今日の電子機器には、顧客が安心し、販売を伸ばすのに役立つ機能が多数あります。携帯電話、コンピューター、無線通信、クラウド システムなどの電子部品の技術的進歩の結果として、消費者の安全基準が引き上げられ、電子機器やデバイスの改善に向けた新しいビジネス チャンスが生まれています。パワーMOSFETは、技術革新の急速な進歩、生産性の向上、電子部品の小型化により、大きな可能性を秘めています。さらに、ナノレギュレータは、最小限の電力損失でサイクルを処理するために不可欠です。さまざまな電子機器を統合することで、市場プレーヤーに多くの可能性がもたらされると予想されます。

省電力への重点の強化

化石燃料が急速に枯渇しているため、将来的には電力問題に直面することが予想されます。省エネルギーがますます注目されているのは当然のことです。MOSFETは、電気自動車の制御、インバータ、電源に使用されるスイッチング部品です。MOSFETは、スイッチング周波数が低い産業環境で頻繁に使用されます。エネルギー効率と再生可能エネルギーへの重点の高まりにより、この業界は独自のものになりました。最も多くの設置数を誇る再生可能エネルギーが、パワーモジュールの大部分を占めると予想されます。したがって、これらの要因が、

半導体におけるパワー MOSFET の広範な使用が世界のパワー MOSFET 市場を牽引

MOSFET は、高度でシンプルな回路で最も一般的に使用される半導体デバイスであり、最も頻繁に使用される電源デバイスでもあります。これは、多くのアプリケーション向けに小型化および効率的に製造できる最初の小型半導体です。MOSFET のスケーリングと縮小により、電子半導体技術の急速な進歩が促進され、メモリ チップやマイクロチップなどの高密度集積回路 (IC) が実現しました。

パワー MOSFET は、世界で最も広く使用されている電源デバイスです。MOSFET は、オン状態を維持するために一定の駆動電流の流れを必要とせず、より高速なスイッチング速度、より低いスイッチング電力損失、より低いオン保護を提供し、過熱しにくいため、電源デバイスではバイポーラ インターコネクト半導体よりも優れています。パワー MOSFET は、より高い動作周波数、より小型で軽量、そして大量生産を可能にすることで、電力供給に影響を与えます。したがって、パワー MOSFET は、世界のパワー MOSFET 市場の成長を後押しすると期待されています。

無料サンプル レポートをダウンロード

今日の機械は、非常に柔軟で、小型で、本来の目的を効率的に果たしており、これまで物理的に行われていた多くの作業を制御するようになっています。機械および電子機器の市場は、今後数年間、成長を続けるか、需要を上回るペースで成長すると予想されています。機械の大部分は、パワー MOSFET を使用して電力を管理しています。MOSFET モジュールは、電圧スイッチング操作によく使用され、世界中に約 78,124 ギガワット (GW) の風力および太陽光発電設備があります。パワー MOSFET に直接利益をもたらす電気機械および装置への依存度の高まりは、世界のパワー MOSFET 市場に影響を与える主な要因の 1 つです。

電気自動車部品の需要増加が世界のパワー MOSFET 市場の成長を促進

世界のパワー MOSFET 市場は、世界中で低走行距離のゼロエミッション車の使用を促進するために税の還付や補助金を提供する政府の取り組みの結果として、予測期間中に拡大すると予想されます。また、世界市場は、水素燃料供給および電気自動車充電ステーションの建設への投資増加によっても推進されると予想されます。さらに、電気自動車用バッテリーの広範な生産と継続的な技術進歩の結果として、世界市場は電気自動車用バッテリーの価格低下の恩恵を受けると予想されます。世界市場を推進するもう 1 つの重要な要因は、ポータブル充電器、アダプター、コネクタ、充電ケーブルなどの電気自動車の機器やコンポーネントに対する高い需要です。

運用上の制限と高コストが、世界のパワー MOSFET 市場の成長を妨げると予想

ゲート酸化物、ドレインからソースへの電圧、最大ドレイン電流、温度によって引き起こされるブレークダウンなどの制限により、この市場の拡大が妨げられています。ゲート酸化物は薄いため、ブレークダウン限界が浅くなります。MOSFET の寿命は、ゲートからソースへの電圧が高いとさらに短くなりますが、これは削減にほとんど影響しません。MOSFET にも、チャネルからソースへの電圧と電流の特定の測定値が必要です。これらの要件が満たされないと、すぐにブレークダウンが発生する可能性があります。

さらに、パワー MOSFET はリーク電流が発生する傾向があり、市場の成長に影響を与えます。パワー MOSFET の設置コストが高いため、このコンポーネントによって車両価格が上昇し、市場の拡大が制限される可能性があります。車両には多数の技術コンポーネントがあるため、保守が難しく、熟練した人員が必要です。複雑なアーキテクチャを持つシステムの寿命は短くなります。したがって、上記の要因が世界のパワーMOSFET市場の成長を妨げると予想されます。

最新の開発

• 2022年3月、業界で最も低いオン抵抗の3.3 kV SiC MOSFETと最高の電流定格のSiC SBDがMicrochip Technology Inc.からリリースされ、設計者は堅牢性、信頼性、パフォーマンスを活用できるようになりました。MicrochipのSiCポートフォリオの拡張により、設計者は、電化輸送、再生可能エネルギー、航空宇宙、産業用アプリケーション向けに、より軽量で小型で効果的なソリューションを作成するために必要なツールを手に入れることができます。 Microchip 社が提供する 3.3 kV MOSFET および SBD は、同社の広範な SiC ソリューションの一部であり、700V、1200V、1700V の電圧に対応するダイ、ディスクリート、モジュール、デジタル ゲート ドライバも含まれています。25 mOhm の MOSFET と業界最高の電流定格 90 アンペアの SBD は、Microchip 社が製造する 3.3 kV SiC パワーデバイスです。SBD と MOSFET は、ダイまたはパッケージとして購入できます。これらの新しいレベルのパフォーマンスにより、設計者は設計を簡素化し、より電力の高いシステムを作成し、並列コンポーネントの数を減らして、より小型で軽量で効率的なパワー ソリューションを作成できます。

市場セグメンテーション

市場プレーヤー

世界のパワー MOSFET 市場における主要な市場プレーヤーは、Digi-Key Corporation、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、Toshiba Corporation、IXYS Corporation、STMicroelectronics NV、Microchip Technology Inc.、Power Integration Inc.、Sumitomo Electric Industries Ltd.、および Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. です。