ITおよび通信不揮発性メモリ市場 – グローバル産業規模、シェア、トレンド、機会、予測、タイプ別（従来の不揮発性メモリ（フラッシュメモリ、EEPROM、SRAM、EPROM）、地域別、競合状況2018-2028年

市場概要

世界のITおよび通信不揮発性メモリ市場は、2022年に559.8億米ドルと評価されており、2028年までの予測期間中に13.03％のCAGRで堅調な成長が見込まれています。 活況を呈している民生用電子機器業界では、ユーザーはデバイスが継続的に強力になり、驚異的な速度で新しい機能を提供し、より多くの映画、写真、音楽を保存することを期待しています。 フラッシュは過去数十年にわたって大きな革新を可能にしましたが、フラッシュは技術的な障害にぶつかり、それ以上の拡張が妨げられているため、新世代のメモリが必要になっています。 フラッシュメモリは価格と消費電力が低いため、民生用電子機器に採用されており、市場の成長にとって重要です。 NVMは、スマートフォンやウェアラブルデバイスで使用され、より多くのストレージとより高速なメモリアクセスを可能にします。この分野での研究活動の増加も、市場の成長を牽引しています。たとえば、2021年3月、Infineon Technologies LLCは、航空宇宙や産業用アプリケーションを含む過酷な環境での不揮発性コードストレージを主にサポートするために、QML-Qおよび高信頼性産業仕様に準拠した第2世代の不揮発性スタティックRAMの発売を発表しました。

主要な市場推進要因

モバイルデバイスとSSD

モバイルデバイスとソリッドステートドライブ（SSD）は、世界のITおよびテレコム不揮発性メモリ市場を大幅な成長と革新の時期に推進する2つの主要な推進要因です。これらのテクノロジーは絡み合っており、ITおよびテレコム不揮発性メモリは、両方のパフォーマンスとストレージ機能を強化する上で中心的な役割を果たしています。スマートフォンやタブレットなどのモバイルデバイスは、現代生活に欠かせないものになっています。消費者が強化された接続性、高度な機能、およびより高い処理能力を求めるにつれて、これらのデバイスの需要は急増し続けています。不揮発性メモリ、特に NAND フラッシュメモリは、これらのデバイスのストレージの基盤です。NAND フラッシュメモリのストレージ容量はますます増大し、読み取り/書き込み速度も高速化しているため、ユーザーは写真、動画、アプリ、ドキュメントなど、大量のデータを保存できると同時に、スムーズで応答性の高いユーザーエクスペリエンスを実現できます。

さらに、スマートフォン市場では 5G テクノロジーの進化が見られ、モバイル接続に革命を起こすことが期待されています。5G により、データ転送速度が高速化し、レイテンシが短縮されるため、よりデータ集約型のアプリケーションやサービスが実現します。IT およびテレコム 不揮発性メモリは、拡張現実 (AR)、仮想現実 (VR)、リアルタイム AI アプリケーションなどの高速データ処理に必要な大規模なデータセットにすばやくアクセスできるため、5G 対応デバイスには不可欠です。

ソリッドステートドライブ (SSD) も、消費者環境とエンタープライズ環境の両方でますます普及しています。従来のハードディスクドライブ（HDD）からSSDへの移行は、主にSSDの優れた性能、信頼性、エネルギー効率によって推進されています。SSDは、NANDフラッシュなどのさまざまな種類の不揮発性メモリを使用してデータを保存します。企業や消費者がデータアクセスの高速化、消費電力の削減、耐久性の向上を求めているため、SSDの採用は増加し続けており、ITおよびテレコム不揮発性メモリ市場がさらに拡大しています。さらに、ゲーム業界では、読み込み時間を短縮し、ゲーム内のパフォーマンスを向上させることができるため、SSDの採用が急増しています。ゲームコンソール、PC、クラウドゲームサービスが速度と応答性を優先するため、この傾向は続くと予想されます。結論として、世界のITおよびテレコム不揮発性メモリ市場は、モバイルデバイスとSSDの広範な採用に大きく影響されています。これらのテクノロジーは、より高速なデータアクセス、より大きなストレージ容量、およびエネルギー効率の向上に対する消費者と企業の高まる需要を満たすために、ますます高度で効率的なITおよびテレコム不揮発性メモリソリューションの開発を推進しています。これらのトレンドが継続し、テクノロジーが進化するにつれて、IT およびテレコム不揮発性メモリ市場は拡大を続け、幅広い業界とアプリケーションにメリットをもたらすことになります。

データ ストレージの需要の高まり

世界の IT およびテレコム不揮発性メモリ市場は、さまざまなセクターでデータ ストレージの需要がますます高まっていることを主な要因として、堅調な成長を遂げています。この飽くなきデータ需要は、いくつかの収束するトレンドによって推進されており、IT およびテレコム不揮発性メモリ テクノロジーは、これらの急増するストレージ ニーズを満たす最前線にあります。何よりもまず、ビジネスのデジタル変革と消費者向け電子機器の急増により、データ生成が飛躍的に増加しています。電子商取引の取引やソーシャル メディアのやり取りから IoT デバイスのセンサー データまで、生成されるデータの量は前例のないほどです。 IT および通信業界の不揮発性メモリ ソリューション (NAND フラッシュ メモリや 3D XPoint など) は、このデータを効率的かつ確実に保存するために不可欠です。

クラウド コンピューティングは、データ ストレージ需要のもう 1 つの大きな推進力です。クラウド サービス プロバイダーは、世界中の個人や組織のデータをホストおよび管理するために、大容量ストレージ ソリューションを備えた広大なデータ センターを必要としています。SSD (ソリッド ステート ドライブ) などの IT および通信業界の不揮発性メモリ技術は、従来のハード ディスク ドライブ (HDD) に比べて速度、信頼性、消費電力が低いため、これらのデータ センターで主流の選択肢となっています。さらに、5G 技術の登場により、データ ストレージの需要が加速すると見込まれています。5G ネットワークが提供するデータ転送速度の高速化とレイテンシの短縮により、拡張現実 (AR)、仮想現実 (VR)、自律走行車などのデータ集約型アプリケーションの開発が促進されます。これらのアプリケーションは、リアルタイム処理に必要な膨大な量のデータを保存し、すばやくアクセスするために、IT およびテレコム不揮発性メモリに依存しています。

データセキュリティと規制遵守も、データストレージ要件を推進しています。組織はますます機密情報を保存するようになり、厳格なデータ保護法に準拠する必要があります。IT およびテレコム不揮発性メモリは、データ暗号化と安全なストレージで重要な役割を果たしており、重要なデータ資産を保護するために不可欠です。さらに、IT およびテレコム不揮発性メモリメーカーは革新を続け、ストレージ密度を高め、ビットあたりのコストを削減しています。これにより、IT およびテレコム不揮発性メモリソリューションは、幅広いアプリケーションでよりアクセスしやすく手頃な価格になり、世界の IT およびテレコム不揮発性メモリ市場の成長にさらに貢献しています。結論として、データストレージの需要の高まりは、世界の IT およびテレコム不揮発性メモリ市場を形成する止められない力です。世界がますますデータ中心になるにつれ、スケーラブルで高性能かつ信頼性の高い IT および通信用不揮発性メモリ ソリューションのニーズは高まり続け、この市場はデジタル時代の重要な要素となります。

人工知能と機械学習

人工知能 (AI) と機械学習 (ML) は、世界の IT および通信用不揮発性メモリ市場を新たな高みへと導く上で極めて重要な役割を果たす態勢が整っています。これらの変革的技術は業界全体に革命をもたらしており、データに対する旺盛な欲求と迅速なデータ アクセスの必要性により、IT および通信用不揮発性メモリは成功の重要な要素となっています。AI および ML アルゴリズムは、トレーニングと推論に膨大な量のデータを必要とします。 IT およびテレコム不揮発性メモリ ソリューション (NAND フラッシュ メモリ、SSD、3D XPoint などの新しいメモリ テクノロジーなど) は、これらの膨大なデータセットを効率的に保存およびアクセスするために必要な速度と容量を提供します。これは、多数のレイヤーを持つニューラル ネットワークで正確なモデリングのために膨大なデータセットを必要とするディープラーニングにとって特に重要です。

さらに、IT およびテレコム不揮発性メモリの低レイテンシ特性は、リアルタイムまたはほぼリアルタイムの処理を必要とする AI および ML アプリケーションに不可欠です。自律走行車から音声認識システムまで、データにすばやくアクセスできることは、AI 駆動型テクノロジーのシームレスな操作を保証するために不可欠です。IT およびテレコム不揮発性メモリの拡張性は、AI および ML での採用を促進するもう 1 つの重要な要素です。企業や研究機関が AI および ML インフラストラクチャを拡張するにつれて、増大するデータ ストレージのニーズに合わせて拡張できるメモリ ソリューションが必要になります。 IT およびテレコム不揮発性メモリは、既存のデータセンター アーキテクチャに簡単に統合でき、データ ストレージ容量に対する高まる需要に対応できます。

さらに、IT およびテレコム不揮発性メモリ技術は、AI および ML ワークロード向けに最適化されています。メーカーは、AI アクセラレータやエッジ コンピューティング デバイスの特定の要件を満たすために、より優れた耐久性、電力効率、信頼性を提供するメモリ ソリューションを開発しています。結論として、AI と ML は技術革新の最前線にあり、世界の IT およびテレコム不揮発性メモリ市場への影響は否定できません。AI および ML アプリケーションがヘルスケアから金融、製造業に至るまでのさまざまな業界で急増するにつれて、高性能、低レイテンシ、スケーラブルな IT およびテレコム不揮発性メモリ ソリューションの需要は高まるばかりです。 AI/ML と IT および通信用不揮発性メモリのこの共生関係は、メモリ業界が人工知能の進化し続けるニーズを満たすために適応することで、両方の分野でイノベーションを推進する態勢が整っています。

主要な市場の課題

コストの制約

コストの制約は、世界の IT および通信用不揮発性メモリ市場の成長と発展を妨げる可能性のある重大な課題です。この課題は多面的であり、研究開発から生産、消費者の採用まで、業界のさまざまな側面に影響を及ぼします。研究開発費新しい IT および通信用不揮発性メモリ技術の開発と既存の技術の改善には、研究開発への多額の投資が必要です。業界の企業は、競争力を維持し、進化する市場の需要を満たすために、継続的に革新する必要があります。高額な研究開発費は、小規模な企業や新興企業にとって障壁となり、市場におけるメモリ ソリューションの多様性を制限します。

製造コストIT およびテレコム不揮発性メモリ チップの製造には、複雑なプロセスと高価な装置が伴います。技術が進歩し、メーカーがメモリ チップの容量と速度の向上に努めるにつれて、ファブとも呼ばれる製造施設の構築と維持にかかるコストは上昇し続けます。このコストは通常、消費者に転嫁されるため、高度なメモリ ソリューションの手頃な価格が制限される可能性があります。規模の経済規模の経済を達成することは、コスト効率の高い生産にとって重要です。小規模なメーカーは、メモリ チップを大量に生産するリソースを持つ大規模で確立された企業と競争するのに苦労する可能性があります。この製造力の集中により、少数の企業が市場を独占することになり、競争と革新が制限される可能性があります。

価格圧力IT およびテレコム不揮発性メモリ市場は競争が激しく、消費者と企業は大容量のメモリ ソリューションに対してより低価格を期待しています。メーカーは、競争力を維持するために価格を下げる圧力に直面することが多く、これが利益率に影響を与え、研究開発への投資能力を妨げる可能性があります。消費者の採用：IT および通信用不揮発性メモリのコストは、消費者の採用に直接影響します。スマートフォンなどの市場では、消費者は価格に敏感であり、メモリコンポーネントのコストはデバイスの全体的な価格に大きな影響を与えます。メモリ価格が高止まりすると、より大きなストレージ容量を備えたデバイスの採用が鈍化する可能性があります。

エンタープライズソリューション：エンタープライズおよびデータセンター環境では、コストの制約により、大容量の IT および通信用不揮発性メモリソリューションの導入が制限される可能性があります。組織は、ストレージのニーズと予算の制限とのバランスを取る必要があり、メモリインフラストラクチャのアップグレードまたは拡張が遅れる可能性があります。これらのコストの制約に対処するために、IT および通信用不揮発性メモリ業界は、製造プロセスの改善に注力して生産コストを削減し、規模の経済性を向上させる必要があります。さらに、メモリテクノロジーの継続的な革新により、長期的にはよりコスト効率の高いソリューションが実現する可能性があります。業界関係者間の戦略的パートナーシップやコラボレーションも、コストを分散し、研究開発の取り組みを促進するのに役立ちます。結論として、コストの制約は世界の IT および通信用不揮発性メモリ市場にとって課題となる一方で、業界の革新と効率性も促進します。これらの課題を克服するには、技術の進歩、規模の経済、市場動向を組み合わせて、IT および通信用不揮発性メモリ ソリューションが幅広いアプリケーションや消費者にとってアクセスしやすく手頃な価格であり続けるようにする必要があります。

NAND フラッシュのスケーリングの限界

世界の IT および通信用不揮発性メモリ市場が直面している大きな課題の 1 つは、NAND フラッシュ メモリ技術のスケーリングの限界です。NAND フラッシュは長年にわたり IT および通信用不揮発性メモリ市場の主力製品であり、スマートフォンからデータ センターまで、さまざまなデバイスで広く使用されています。ただし、NAND フラッシュが物理的なスケーリングの限界に近づくにつれて、業界のさらなる進歩と拡大の障害となる可能性があります。 NAND フラッシュのスケーリングに関する基本的な問題は、メーカーがメモリ セルを縮小してストレージ密度を高めようとすると、いくつかの重大な問題が発生することです。耐久性の低下NAND セルが小さくなると、摩耗するまでに耐えられるプログラム/消去 (P/E) サイクルが少なくなります。この耐久性の低下は、特にエンタープライズ ストレージ システムなどの書き込み負荷の高いアプリケーションでは、NAND フラッシュベースのデバイスの信頼性と寿命に影響を与える可能性があります。

エラー率の増加NAND セルが小さくなると、電子トンネル効果や隣接セル間の干渉などの要因によってエラーが発生しやすくなります。これによりエラー率が高くなり、追加のリソースと電力を消費するエラー修正メカニズムが必要になります。データ保持NAND セルが小さくなると、データ保持時間も短くなる傾向があります。つまり、これらのセルに保存されたデータはより早く劣化する可能性があり、長期のデータ保存を必要とするアプリケーションでは問題になります。複雑な製造プロセスNAND フラッシュ セルを縮小するには、ますます複雑な製造プロセスが必要となり、生産コストの上昇や潜在的な製造上の課題につながります。

これらの問題に対処するため、メーカーは、マルチレベル セル (MLC)、トリプルレベル セル (TLC)、クアッドレベル セル (QLC) NAND フラッシュなど、ストレージ密度を高めながら妥当なパフォーマンスと耐久性を実現するさまざまな技術を模索してきました。ただし、これらのソリューションには、パフォーマンスと信頼性の面でトレードオフが伴います。これらのスケーリングの課題を軽減するため、業界では、3D XPoint、抵抗性 RAM (ReRAM)、磁気抵抗 RAM (MRAM) などの代替 IT および通信不揮発性メモリ技術も積極的に模索しています。これらのテクノロジーは、拡張性、耐久性、パフォーマンスの面で利点を提供しますが、開発と導入には独自の課題があります。

結論として、NAND フラッシュ メモリは IT および通信不揮発性メモリ市場では主力製品ですが、その拡張性には限界があり、より大容量で高速なストレージ ソリューションに対する高まる需要を満たす上で大きな障害となっています。こうしたスケーリングの制限に対処し、代替メモリ技術に移行する業界の能力は、IT および通信用不揮発性メモリの将来を形作り、ますますデータ主導の世界における継続的な成長と関連性を確保する上で極めて重要になります。

主要な市場動向

新興メモリ技術

新興メモリ技術は、世界の IT および通信用不揮発性メモリ市場の将来を形作る原動力となる態勢が整っています。従来の NAND フラッシュを超えるこれらの革新的なメモリ ソリューションは、重要な制限に対処し、さまざまな業界やアプリケーションの進化する需要を満たすさまざまな利点を提供します。最も注目すべき新興メモリ技術の 1 つは、Intel と Micron が Optane ブランドで開発した 3D XPoint です。3D XPoint は、その独自の特性から、ストレージ クラス メモリ (SCM) と呼ばれることがよくあります。従来の DRAM の速度と耐久性を NAND フラッシュの不揮発性と組み合わせることで、揮発性メモリと不揮発性メモリのギャップを埋めます。このテクノロジーは、さまざまな方法でデータの保存と処理に革命を起こす態勢が整っています。高性能3D XPoint は、NAND フラッシュよりも大幅に高速なデータ アクセス速度を提供するため、高速データ処理を必要とする高性能コンピューティング アプリケーション、リアルタイム分析、AI/ML ワークロードに最適です。

高耐久性NAND フラッシュとは異なり、3D XPoint は書き込みサイクルを繰り返してもすぐに劣化しないため、寿命が長くなり、信頼性が向上します。この特性は、エンタープライズおよびデータ センター アプリケーションにとって重要です。低レイテンシ低レイテンシのデータ アクセスは、インメモリ データベースやエッジ コンピューティングなどのアプリケーションに不可欠です。3D XPoint は DRAM に近いレベルのレイテンシを提供し、システム全体のパフォーマンスを向上させます。もう 1 つの新興メモリ テクノロジーは、抵抗スイッチング材料を利用してデータを保存する抵抗性 RAM (ReRAM) です。 ReRAM は、低消費電力、高速書き込み、スケーラビリティなどの利点を約束します。IoT デバイス、ニューロモルフィック コンピューティング、ストレージ クラス メモリ ソリューションでの潜在的な用途があります。

相変化メモリ (PCM) は、材料の可逆的な相転移を利用してデータを保存するもう 1 つの注目すべきテクノロジです。PCM は、高いデータ保持、低消費電力、極端な温度に対する耐性を備えているため、自動車用電子機器、航空宇宙アプリケーション、IoT センサーに適しています。世界の IT および通信不揮発性メモリ市場の文脈では、これらの新しいメモリ テクノロジによって市場が多様化し、イノベーションが推進されています。これらのテクノロジは、データ センター、AI、IoT、自動車などの業界全体で、より高速で信頼性が高く、エネルギー効率の高いメモリ ソリューションの需要に応えます。メーカーがこれらのテクノロジを改良し、製造プロセスを改善し、製造を拡大するにつれて、コスト競争力が高まり、採用がさらに加速する可能性があります。結論として、3D XPoint、ReRAM、PCM などの新しいメモリ技術は、IT および通信不揮発性メモリのイノベーションの最前線にあります。これらの技術は、従来の NAND フラッシュの限界に対処し、幅広いアプリケーションに合わせたソリューションを提供することで、市場を再形成しています。業界ではパフォーマンス、耐久性、効率性が優先され続けるため、これらの技術は世界の IT および通信不揮発性メモリ市場の成長と進化において極めて重要な役割を果たすことになりそうです。

AI と機械学習の統合

人工知能 (AI) と機械学習 (ML) 技術の統合は、世界の IT および通信不揮発性メモリ市場を成長とイノベーションの新しい時代へと推進する強力な原動力です。これらの変革的な技術は、データ駆動型であり、迅速なデータ アクセスとストレージに依存しているため、IT および通信不揮発性メモリはそれらの進歩において極めて重要なコンポーネントとなっています。AI と ML アルゴリズムは、貪欲にデータを消費します。トレーニングには膨大なデータセットが必要であり、推論にはリアルタイムのデータ アクセスが必要なため、高性能で低レイテンシのストレージ ソリューションが不可欠です。NAND フラッシュ メモリや 3D XPoint などの新興テクノロジなどの不揮発性メモリは、高速で信頼性の高いデータ ストレージと取得機能を提供することで、これらの要求を満たすのに優れています。

AI/ML と IT および通信用不揮発性メモリの相乗効果を促進する主な要因には、データ集約型ワークロードが含まれます。自然言語処理からコンピューター ビジョンまで、AI および ML アプリケーションは膨大な量のデータを生成して処理します。IT および通信用不揮発性メモリ技術は、これらの膨大なデータセットの保存と管理に優れており、AI モデルが正確な予測と決定に必要な情報にアクセスできるようにします。

リアルタイム処理AI と ML では、自動運転車が瞬時に判断したり、音声認識システムがユーザー コマンドに応答したりするなど、リアルタイムまたはほぼリアルタイムの処理が必要になることがよくあります。不揮発性メモリの低レイテンシ特性により、迅速なデータ アクセスが可能になり、これらのアプリケーションに必要な高速応答時間が促進されます。エッジ コンピューティングAI がネットワークのエッジ、つまり IoT デバイスやセンサーに近づくにつれて、IT およびテレコムの不揮発性メモリはローカル データの保存と処理に不可欠になります。このエッジ コンピューティング パラダイムには、リソースが限られた環境で効率的に動作できるメモリ ソリューションが必要です。

エネルギー効率モバイル デバイスや IoT ガジェットの AI および ML アプリケーションには、エネルギー効率の高いストレージ ソリューションが必要です。IT およびテレコムの不揮発性メモリ技術は、従来のハード ドライブに比べて消費電力が低いことで知られており、モバイル デバイスのバッテリー寿命を延ばし、IoT デバイスの動作寿命を延ばします。スケーリングの機会IT およびテレコムの不揮発性メモリのスケーラビリティは、AI/ML ワークロードの増加と一致しています。組織は、AI システムによって生成および分析されるデータ量の増加に対応するために、メモリ インフラストラクチャを簡単に拡張できます。高度なメモリアーキテクチャ：メモリメーカーは、耐久性、信頼性、パフォーマンスの向上などの機能を備えた、AIとML向けに最適化されたメモリソリューションを開発しています。これらのテクノロジーは、AIワークロードの特定の要求を満たすように調整されています。

結論として、AIと機械学習は技術革新の最前線にあり、ITおよびテレコム不揮発性メモリテクノロジーとの深い統合により、世界のITおよびテレコム不揮発性メモリ市場は新たな高みへと押し上げられています。AI / MLアプリケーションが業界全体で急増し続けるにつれて、高速、低レイテンシ、スケーラブルなITおよびテレコム不揮発性メモリソリューションの需要は引き続き強く、これら2つの変革分野間の継続的なコラボレーションとイノベーションを促進します。結果として生じる進歩は、AI / ML駆動型アプリケーションをさらに強化し、コンピューティングの未来を形作ります。

セグメントインサイト

タイプインサイト

フラッシュメモリセグメントは、予測期間中に市場を支配すると予想されます。民生用電子機器の需要と普及の高まりにより、デバイスフラッシュメモリアプリケーションが生まれました。このメモリタイプは、ノートパソコン、GPS、電子楽器、デジタルカメラ、携帯電話など、さまざまな用途に使用されています。また、データセンターソリューションベンダーにも広く採用されています。クラウドソリューションの採用が急増する中、データセンターの需要も急増しています。

さらに、低レイテンシで高スループットのクラウドストレージを必要とするAI / MLアプリケーションやIoTデバイスへの傾向が高まるにつれて、フラッシュストレージとエンタープライズデータセンターはディープニューラルネットワークのトレーニングに最適化されています。データセンターの数と規模の増加により、需要がさらに増加すると予想されます。

高まる需要に応えるため、市場で事業を展開するベンダーは、より優れた機能を備えた新しいソリューションの開発に注力しています。たとえば、2021年2月、キオクシア株式会社とウエスタンデジタル株式会社は、第6世代の162層3Dフラッシュメモリ技術の開発を発表しました。これは、多くの技術革新と製造革新を活用した、同社の最高密度で最も先進的な 3D フラッシュ メモリ技術でした。

地域別インサイト

予測期間中、アジア太平洋地域が市場を支配すると予想されます。オンライン エンターテイメント、在宅勤務、ビデオおよび音声通話サービスの需要の急増により、データ センターを含む新しいインフラストラクチャの構築がアジア太平洋地域のさまざまな国で増加しています。デジタル経済の急速な発展に伴い、中国やインドなどの国で大規模なビッグ データ センターを構築することが必要になっています。

中国は、NAND メモリ ビジネスへの積極的なアプローチにより、主要国として浮上しました。例えば、中国の大手メモリ企業の1つであるYangtze Memory Technologies Co. Ltd（YMTC）は、SSDを含む64層のNANDを国内で少量出荷しており、2021年には128層の生産が開発中であり出荷されていました。

最近の開発状況

• 2022年1月-SK Hynix Inc.は、IntelのNANDおよびソリッドステートドライブ（SSD）事業を買収する取引の第1フェーズの完了を発表しました。同社によると、IntelのSSD事業と中国の大連NANDフラッシュ製造施設を買収することで、取引の第1フェーズを完了したとのことです。
• 2021年10月-NSCore Inc.は、IoTテクノロジーアプリケーション向けのITおよび通信不揮発性メモリソリューションであるOTP+（One-Time-Programmable Plus）を発表しました。同社によれば、40nmの超低電力OTP NVM IPソリューションは、新興市場で重要なIoTチップの製造をやり直す必要性を最小限に抑えることができるという。さらに、NSCore OTP+ソリューションは、標準のOTP Ipソリューションとは異なり、再プログラムや変更が可能です。
• 2021年7月 - Micron Technologyは、世界初の176層NANDユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）3.1モバイルソリューションの大量出荷を開始したことを発表しました。ハイエンドおよびフラッグシップ フォン向けに設計された Micron の UFS 3.1 ディスクリート モバイル NAND メモリは、前世代と比較して最大 75% のシーケンシャル書き込みおよびランダム読み取り速度を実現し、5G の可能性を最大限に引き出します。

主要市場プレーヤー

• ローム株式会社
• STMicroelectronics NV
• Maxim Integrated Products Inc.
• 富士通株式会社
• Intel Corporation
• Honeywell International Inc.
• Micron technologies Inc.
• Samsung Electronics Co.Ltd
• Crossbar Inc.
• Infineon Technologies AG