Dimensioni del mercato globale del carburo di silicio per dispositivo (modulo SiC, dispositivo discreto SiC), per applicazione (ricerca spaziale ed energia nucleare, trasporti), per ambito geografico e previsione

Dimensioni e previsioni del mercato del carburo di silicio

Le dimensioni del mercato del carburo di silicio sono state valutate a 850 milioni di USD nel 2022 e si prevede che raggiungeranno i 5 miliardi di USD entro il 2030, crescendo a un CAGR del 18,6% dal 2023 al 2030.

Il carburo di silicio è ampiamente utilizzato in diligenza simile alla lavorazione dei metalli, agli abrasivi e ai refrattari. Con il crescente sviluppo nella diligenza colorata, simile a macchinari, aerospaziale ed essenza, aumenterà anche la domanda di accessori con messa a terra in Sic per taglio, molatura, lucidatura e altre operazioni. Il rapporto sul mercato globale del carburo di silicio fornisce una valutazione olistica del mercato. Il rapporto offre un'analisi completa di segmenti chiave, tendenze, driver, vincoli, panorama competitivo e fattori che svolgono un ruolo sostanziale nel mercato.

Definizione del mercato globale del carburo di silicio

Il carburo di silicio, noto anche come carborundum, è un materiale semiconduttore ampiamente utilizzato in elettronica e nella diligenza dei semiconduttori. La durezza fisica del carburo di silicio lo rende adatto all'uso come abrasivo in processi simili a levigatura, taglio a getto d'acqua, rettifica e cottura a spiaggia. Viene anche utilizzato nei fattori delle pompe utilizzate per perforare e premiare la pittura a olio nelle operazioni dei giacimenti petroliferi. La crescente domanda di carburo di silicio nella diligenza operativa colorata ha portato a un aumento degli investimenti da parte di produttori, governi e istituti di esplorazione nel suo prodotto.

Si prevede che la situazione del mercato del carburo di silicio in Nord America crescerà al CAGR più elevato durante il periodo di fusione. La crescita della situazione del mercato in questa regione è sostanzialmente attribuita all'ulteriore rinuncia di questo materiale grazie alle sue avanzate prestazioni elettriche, dimensioni compatte, capacità di funzionamento di potenza e elevata affidabilità. Il mercato dell'elettronica di potenza è uno dei principali consumatori di carburo di silicio poiché il semiconduttore riduce la perdita di energia e aumenta la durata, nonché l'efficacia della polarizzazione di potenza.

Inoltre, la polarizzazione elettronica di potenza che funziona in modo efficiente ed efficace a temperature elevate è essenziale per soddisfare diverse richieste simili a prestazioni elevate, tempi di carica rapidi e altri. Inoltre, il crescente mercato delle spade negli Stati Uniti probabilmente guiderà la crescita della situazione del mercato del carburo di silicio poiché il materiale viene applicato come agente X g tossico e come materia prima principale nei prodotti refrattari sul mercato. L'aggiunta della domanda di semiconduttori SiC nella polarizzazione elettronica come LED, sensori e rilevatori guiderà la situazione del mercato.

Si prevede che la crescente rinuncia alle fonti di energia rinnovabile per la generazione di energia avrà un impatto apprezzabile sulla situazione del mercato. Inoltre, l'aggiunta di prodotti a spada è uno dei principali fattori che rafforzano la situazione del mercato. Tuttavia, ci sono opzioni convenienti nella situazione del mercato per il carburo di silicio. Il nitruro di gallio è uno dei backup utilizzati nei moduli di potenza come transistor. Si prevede che ciò ostacolerà la crescita della situazione di mercato.

Panoramica del mercato globale del carburo di silicio

Le operazioni di potenza richiedono risultati inferiori e più efficaci. Il SiC è ideale per sostituire il silicio in fattori separati e moduli di potenza poiché aumenta la viscosità di potenza e garantisce che la polarizzazione sia ospitata in pacchetti inferiori. Grazie alle loro prestazioni superiori, i MOSFET SiC sono ampiamente utilizzati nelle operazioni di potenza che sopportano elevata frequenza di commutazione, tensione, corrente ed efficacia. La progettazione e la produzione della polarizzazione SiC sono quasi analoghe alla normale polarizzazione Si, ad eccezione di alcune differenze, simili agli accessori semiconduttori. A differenza del Si, che utilizza il silicio, il SiC ha titoli di carbonio ridondanti.

Queste polarizzazioni sono ampiamente affidabili, efficienti dal punto di vista energetico, robuste e respingono la frequenza di commutazione avanzata e le tensioni operative. La polarizzazione ad alta viscosità di potenza ha design semplici che sopportano fattori esterni più piccoli e bassi. La polarizzazione SiC offre vantaggi simili a un'efficienza energetica avanzata e una minore perdita di energia, riducendo così i costi operativi e i danni ambientali. La progettazione e la produzione della polarizzazione SiC sono quasi analoghe alla polarizzazione Si ordinaria, fatta eccezione per alcune differenze, tra cui gli accessori semiconduttori.

A differenza del Si, che utilizza il silicio, il SiC ha titoli di carbonio ridondanti. Inoltre, grazie alla loro viscosità di potenza avanzata, queste polarizzazioni sono compatte, risparmiando così spazio e riducendo il peso. L'elevata frequenza operativa consente l'uso di fattori non resistenti inferiori simili a condensatori e induttori. La polarizzazione SiC, inclusi i MOSFET, è adatta per operazioni di commutazione di sistemi di potenza elettronici colorati. I loro accessori semiconduttori e il processo di costruzione consentono loro di respingere una combinazione di alta tensione e commutazione rapida che non può essere ottenuta con i transistor di potenza convenzionali.

Negli accessori SiC, vengono creati fori di dimensioni micro, noti come microtubi, attraverso i caricatori. Quando si producono wafer più grandi, la polarizzazione SiC è suscettibile a colorati inconvenienti, simili a interruzioni, eliminazioni di prototipi e difetti di mounding. Questi inconvenienti sono dovuti a un equilibrio non ottimale di precursori di silicio e carbonio e all'insicurezza originale in termini di pressione o temperatura. Questi inconvenienti influiscono sull'efficacia del dispositivo e ne degradano le caratteristiche elettriche. C'è un'elevata posizione di complessità nella progettazione della polarizzazione SiC.

La sfida principale per gli ideatori è ottenere una migliore efficacia mantenendo bassi i costi e meno complessa la struttura. Inoltre, le diverse condizioni delle diverse operazioni aumentano ulteriormente le complicazioni di progettazione della polarizzazione di potenza e RF. Il confezionamento di queste polarizzazioni è fondamentale per le prestazioni dei circuiti e dei sistemi in cui questi circuiti saranno installati. Inoltre, il confezionamento è essenziale anche quando la polarizzazione funziona ad alte temperature; pertanto, è necessario effettuare un confezionamento appropriato affinché la polarizzazione esegua le operazioni richieste; altrimenti, influenzerà un gancio specializzato.

Mercato globale del carburo di silicioanalisi della segmentazione

Il mercato globale del carburo di silicio è segmentato in base a dispositivo, applicazione e geografia.

Mercato del carburo di silicio, per dispositivo

• Modulo SiC
• Dispositivo discreto SiC

In base al dispositivo, il mercato è segmentato in modulo SiC e dispositivo discreto SiC. Il dispositivo discreto SiC è il più grande contributore alla quota di mercato del carburo di silicio grazie alla sua ampia applicazione in diversi settori.

Mercato del carburo di silicio, per applicazione

• Ricerca spaziale ed energia nucleare
• Trasporti

In base all'applicazione, il mercato è segmentato in ricerca spaziale ed energia nucleare e trasporti. Il segmento della ricerca spaziale e dell'energia nucleare ha ottenuto la quota di mercato più ampia grazie alla sua ampia applicazione nell'esplorazione spaziale e nel settore dell'energia nucleare.

Mercato del carburo di silicio, per area geografica

• Nord America
• Europa
• Asia Pacifico
• Resto del mondo

In base all'analisi regionale, il mercato globale del carburo di silicio è classificato in Nord America, Europa, Asia Pacifico e resto del mondo. Tra tutte le regioni, l'Asia Pacifica domina il mercato globale del carburo di silicio.

Attori chiave

Il rapporto di studio "Global Silicon Carbide Market" fornirà informazioni preziose con un'enfasi sul mercato globale, inclusi alcuni dei principali attori del settoreMicrochip Technology Inc., STMicroelectronics NV, Hitachi Ltd., Infineon Technologies AG, Toshiba Corporation, WOLFSPEED Inc., Fuji Electric Co. Ltd., ON Semiconductor Corporation, ROHM Co. Ltd.

La nostra analisi di mercato comporta anche una sezione dedicata esclusivamente a tali attori principali in cui i nostri analisti forniscono una panoramica dei bilanci finanziari di tutti gli attori principali, insieme al benchmarking dei prodotti e all'analisi SWOT.

Sviluppi chiave

• Marzo 2023WOLFSPEED, INC. ha stretto una partnership con ZF, un'azienda tecnologica globale che abilita la mobilità di nuova generazione. Questa cooperazione mira a creare un laboratorio comune di invenzioni per guidare i progressi nei sistemi in carburo di silicio e la polarizzazione per le operazioni di mobilità, artificiali ed energetiche.
• Dicembre 2022WOLFSPEED, INC. ha ampliato il suo accordo pluriennale e a lungo termine sulla forza dei wafer in carburo di silicio con un'azienda leader nei dispositivi di potenza. Con questo accordo, Wolfspeed fornirà all'azienda wafer nudi ed epitassiali in carburo di silicio da 150 mm, rafforzando la visione dell'azienda per una transizione assidua dall'alimentazione dei semiconduttori in silicio a quella in carburo di silicio.

Analisi della matrice Ace

La matrice Ace fornita nel rapporto aiuterebbe a comprendere le prestazioni dei principali attori chiave coinvolti in questo settore, poiché forniamo una classifica per queste aziende in base a vari fattori quali caratteristiche del servizio e innovazioni, scalabilità, innovazione dei servizi, copertura del settore, portata del settore e roadmap di crescita. Sulla base di questi fattori, classifichiamo le aziende in quattro categorieAttive, all'avanguardia, emergenti e innovatrici.

Attrattività del mercato

L'immagine dell'attrattività del mercato fornita aiuterebbe ulteriormente a ottenere informazioni sulla regione che è principalmente leader nel mercato globale del carburo di silicio. Copriamo i principali fattori di impatto che sono responsabili della crescita del settore nella regione data.

Le cinque forze di Porter

L'immagine fornita aiuterebbe ulteriormente a ottenere informazioni sul framework delle cinque forze di Porter che fornisce un modello per comprendere il comportamento dei concorrenti e il posizionamento strategico di un player nel rispettivo settore. Il modello delle cinque forze di Porter può essere utilizzato per valutare il panorama competitivo nel mercato globale del carburo di silicio, misurare l'attrattiva di un determinato settore e valutare le possibilità di investimento.

Ambito del report

Report di tendenza principali

Metodologia di ricerca della ricerca di mercato