Dimensioni del mercato globale dei substrati SiC per tipo (substrati SiC semi-isolanti, substrati SiC conduttivi), per applicazione (IT e consumatori, illuminazione LED, automotive, industria), per ambito geografico e previsione
Published on: 2024-10-04 | No of Pages : 220 | Industry : latest trending Report
Publisher : MIR | Format : PDF&Excel
Dimensioni del mercato globale dei substrati SiC per tipo (substrati SiC semi-isolanti, substrati SiC conduttivi), per applicazione (IT e consumatori, illuminazione LED, automotive, industria), per ambito geografico e previsione
Dimensioni e previsioni del mercato dei substrati SiC
Le dimensioni del mercato dei substrati SiC sono state valutate a 824,13 milioni di USD nel 2024 e si prevede che raggiungeranno i 2414,33 milioni di USDillion entro il 2031, crescendo a un CAGR del 14,38% durante il periodo di previsione 2024-2031.
Il mercato dei substrati SiC ha registrato un massiccio aumento negli ultimi anni a causa della crescente domanda di dispositivi elettronici ad alte prestazioni in vari settori, tra cui automobilistico, aerospaziale, telecomunicazioni ed elettronica di potenza. Il rapporto sul mercato globale dei substrati SiC fornisce una valutazione olistica. Il rapporto analizza approfonditamente segmenti critici, limitazioni, driver, tendenze, panorama competitivo e fattori che svolgono un ruolo essenziale nel mercato.
Definizione del mercato globale dei substrati SiC
I substrati SiC si riferiscono ai wafer o alle piastre di carburo di silicio utilizzati come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi elettronici come potenza, RF e LED. Il carburo di silicio (SiC) è particolarmente adatto per dispositivi semiconduttori avanzati ad alta potenza e alta frequenza che vanno ben oltre le capacità dei dispositivi in silicio o arseniuro di gallio grazie alle sue speciali caratteristiche elettriche e termiche. Il SiC è un materiale semiconduttore a banda larga con diversi vantaggi rispetto ai materiali semiconduttori tradizionali come il silicio, tra cui maggiore conduttività termica, tensione di rottura e mobilità degli elettroni.
Queste proprietà rendono i substrati SiC ideali per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza in cui i semiconduttori tradizionali potrebbero non funzionare bene. I substrati SiC sono disponibili in diverse dimensioni e spessori e la loro produzione prevede diversi passaggi, tra cui crescita dei cristalli, taglio dei wafer, lucidatura e trattamento superficiale.
Il metodo più comunemente utilizzato per la produzione di substrati SiC è il metodo di trasporto fisico del vapore (PVT), che prevede il riscaldamento di un materiale sorgente SiC in una fornace per produrre cristalli SiC che vengono poi tagliati in wafer. I substrati SiC hanno diverse applicazioni in diversi settori, tra cui automotive, aerospaziale, telecomunicazioni ed elettronica di potenza. Si prevede che i substrati SiC in questi settori aumenteranno nei prossimi anni grazie alle loro prestazioni superiori e alla capacità di resistere a condizioni operative difficili.
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Panoramica del mercato globale dei substrati SiC
Il mercato dei substrati SiC è guidato da vari fattori che influenzano la domanda e la crescita del mercato. Fattori come la crescente domanda di dispositivi elettronici ad alte prestazioni e a risparmio energetico in diversi settori guidano la domanda di substrati SiC. Si prevede che la crescente adozione di veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e infrastrutture di reti intelligenti stimolerà la domanda di substrati SiC nei prossimi anni. La crescente necessità di una maggiore densità di potenza e temperature di esercizio nei dispositivi elettronici è un altro fattore trainante del mercato dei substrati SiC.
I substrati SiC offrono una conduttività termica superiore e una migliore resistenza meccanica, rendendoli adatti per applicazioni ad alta potenza e alta temperatura. Inoltre, anche lo sviluppo di nuove tecnologie e processi di produzione per i substrati SiC sta guidando il mercato. Le innovazioni nelle tecnologie di crescita dei cristalli e di lavorazione dei wafer hanno prodotto substrati SiC più grandi e di qualità superiore a un costo inferiore, rendendoli così più accessibili a una gamma più ampia di applicazioni.
Inoltre, la crescente domanda di substrati SiC in vari settori offre significative opportunità di crescita per gli operatori del mercato. Si prevede che la crescita dei veicoli elettrici, dei sistemi di energia rinnovabile e dell'infrastruttura di comunicazione 5G guiderà la domanda di substrati SiC nei prossimi anni. Anche lo sviluppo di nuove applicazioni e dispositivi che richiedono semiconduttori ad alte prestazioni è un'opportunità per il mercato dei substrati SiC. Si prevede che lo sviluppo di dispositivi di potenza basati su SiC, dispositivi RF e sensori guiderà la domanda di substrati SiC in futuro.
Tuttavia, l'elevato costo dei substrati SiC rispetto ad altri substrati tradizionali è uno dei principali limiti del mercato. L'elevato costo di produzione e la limitata disponibilità di materiali di origine SiC di alta qualità rendono i substrati SiC più costosi rispetto ai substrati tradizionali come il silicio. Inoltre, la complessità del processo di produzione e le sfide associate all'aumento della produzione rappresentano un altro limite. La produzione di substrati SiC richiede attrezzature e competenze specializzate, rendendo difficile l'ingresso di nuovi attori nel mercato.
Attrattività del mercato
L'immagine dell'attrattività del mercato fornita aiuterebbe ulteriormente a ottenere informazioni sulla regione che è principalmente leader nel mercato dei substrati SiC. Copriamo i principali fattori di impatto che sono responsabili della crescita del settore nella regione in questione.
Le cinque forze di Porter
L'immagine fornita aiuterebbe ulteriormente a ottenere informazioni sul framework delle cinque forze di Porter, fornendo un modello per comprendere il comportamento dei concorrenti e il posizionamento strategico di un attore nel rispettivo settore. Il modello delle cinque forze di Porter può essere utilizzato per valutare il panorama competitivo nel mercato globale dei substrati SiC, misurare l'attrattiva di un determinato settore e valutare le possibilità di investimento.
Analisi della segmentazione del mercato globale dei substrati SiC
Il mercato globale dei substrati SiC è segmentato in base a tipo, applicazione e geografia.
Mercato dei substrati SiC, per tipo
- Substrati SiC semi-isolanti
- Substrati SiC conduttivi
In base al tipo, il mercato è suddiviso in substrati SiC semi-isolanti e substrati SiC conduttivi. Il segmento dei substrati SiC semi-isolanti ha avuto la quota di fatturato maggiore nel 2021. Il SiC semi-isolante (SI SiC) può essere applicato come substrato per fabbricare un transistor a radiofrequenza per rafforzare o commutare segnali elettrici e potenza. La maggior parte delle applicazioni SiC necessita di uno strato tampone o di una barriera di diffusione per essere abbinata ad altri materiali epitassici.
Mercato dei substrati SiC, per applicazione
- IT e consumatori
- Illuminazione a LED
- Automotive
- Industria
In base all'applicazione, il mercato è suddiviso in IT e consumatori, illuminazione a LED, Automotive e industria. Il segmento dell'illuminazione a LED ha avuto una quota significativa di fatturato nel mercato dei substrati SiC nel 2021. Per produrre luce di colore diverso, si utilizzano diversi tipi di semiconduttori. Il nitruro di indio e gallio (InGaN), il carburo di silicio (SiC) e il seleniuro di zinco (ZnSe) producono LED blu. Il fosfuro di gallio (GaP) e il nitruro di gallio (GaN) hanno LED verdi.
Mercato dei substrati SiC, per area geografica
- Nord America
- Europa
- Asia Pacifico
- America Latina
- Medio Oriente e Africa
In base all'analisi regionale, il mercato dei substrati SiC è classificato in Nord America, Europa, Asia Pacifico, America Latina, Medio Oriente e Africa. Durante il periodo di previsione, si prevede che la regione nordamericana detenga una quota significativa nel mercato globale dei substrati SiC a causa della crescente domanda da parte di vari settori degli utenti finali. Inoltre, si prevede che il mercato dominerà nella regione Asia Pacifico. Come materiale primario dell'industria dei semiconduttori di terza generazione, il substrato di carburo di silicio ha un'elevata prospettiva di applicazione e valore industriale.
Ha un'importante posizione strategica nello sviluppo dell'industria dei semiconduttori in Cina. Inoltre, i paesi sviluppati in Europa e negli Stati Uniti hanno dominato di fatto per molto tempo la tecnologia di base e il mercato dei substrati in carburo di silicio. Più avanzate sono le specifiche tecniche del prodotto, più ampio sarà il mercato per esso e più chiari saranno i suoi vantaggi tecnici.
Attori chiave
Il rapporto di studio "Global SiC Substrates Market" fornirà preziose informazioni con un'enfasi sul mercato globale, inclusi alcuni dei principali attori come Cree, Inc., Dow Corning Corporation, II-VI Incorporated, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, United Silicon Carbide, Inc., STMicroelectronics NV, Fuji Electric Co., Ltd., GeneSiC Semiconductor Inc., Microchip Technology Inc., Monolith Semiconductor, Inc. e Norstel AB.
La nostra analisi di mercato comporta anche una sezione dedicata esclusivamente a tali attori principali in cui i nostri analisti forniscono una panoramica dei bilanci di tutti gli attori principali, insieme al benchmarking dei prodotti e all'analisi SWOT. La sezione del panorama competitivo include anche strategie di sviluppo chiave, quote di mercato e analisi della classifica di mercato dei player sopra menzionati a livello globale.
Sviluppi chiave
- A giugno 2021, Cree, Inc. ha annunciato la vendita della sua attività di prodotti LED a SMART Global Holdings, Inc. per concentrarsi maggiormente sulla sua attività Wolfspeed, che include substrati SiC e dispositivi di potenza.
Analisi della matrice Ace
La matrice Ace fornita nel rapporto aiuterebbe a comprendere le prestazioni dei principali player chiave coinvolti in questo settore, poiché forniamo una classifica per queste aziende in base a vari fattori quali caratteristiche del servizio e innovazioni, scalabilità, innovazione dei servizi, copertura del settore, portata del settore e roadmap di crescita. Sulla base di questi fattori, classifichiamo le aziende in quattro categorieAttive, all'avanguardia, emergenti e innovatrici.
Ambito del report
ATTRIBUTI DEL REPORT | DETTAGLI |
---|---|
PERIODO DI STUDIO | 2021-2031 |
ANNO BASE | 2024 |
PERIODO DI PREVISIONE | 2024-2031 |
STORICO PERIODO | 2021-2023 |
UNITÀ | Valore (milioni di USD) |
AZIENDE PRINCIPALI PROFILATE | Cree, Inc., Dow Corning Corporation, II-VI Incorporated, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, United Silicon Carbide, Inc. |
SEGMENTI COPERTI |
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AMBITO DI PERSONALIZZAZIONE | Personalizzazione gratuita del report (equivalente a un massimo di 4 giorni lavorativi per gli analisti) con l'acquisto. Aggiunta o modifica di dati nazionali, regionali e ambito del segmento |
Metodologia di ricerca della ricerca di mercato
Per saperne di più sulla metodologia di ricerca e altri aspetti dello studio di ricerca, ti preghiamo di contattare il nostro .
Motivi per acquistare questo rapporto
• Analisi qualitativa e quantitativa del mercato basata sulla segmentazione che coinvolge sia fattori economici che non economici• Fornitura di dati sul valore di mercato (miliardi di USD) per ciascun segmento e sottosegmento• Indica la regione e il segmento che dovrebbero assistere alla crescita più rapida e dominare il mercato• Analisi per area geografica che evidenzia il consumo del prodotto/servizio nella regione e indica i fattori che influenzano il mercato all'interno di ciascuna regione• Panorama competitivo che incorpora la classifica di mercato dei principali attori, insieme a nuovi lanci di servizi/prodotti, partnership, espansioni aziendali e acquisizioni nel