Si prevede che il mercato globale della memoria flash NAND prolifererà nei prossimi anni a causa della crescente domanda di tecnologie IoT e 5G e della maggiore adozione di dispositivi mobili. Le attuali macro tendenze dell'intelligenza artificiale (AI), dell'apprendimento automatico, della mobilità e della connettività sono vantaggiose per il mercato della memoria flash NAND per i prossimi anni, per espandere la quota nel mercato dei semiconduttori. Con l'ascesa dei personal computer (PC) e degli smartphone, l'implementazione della memoria flash NAND sta salendo alle stelle, il che può essere attribuito all'aumento della capacità media dei dispositivi.
La NAND Flash è un macchinario di archiviazione non versatile che non ha bisogno di potenza per ostruire i dati. La possibilità di studio riempie varie forme di NAND flash accessibili sul mercato, come SLC, TLC, MLC e QLC sviluppate su diverse strutture come costruzioni 2D o 3D. La NAND Flash salva le informazioni mentre si blocca e dipende dai circuiti elettrici per salvare le informazioni. Quando l'alimentazione viene scollegata dalla memoria flash NAND, un semiconduttore in ossido di metallo fornirà una carica aggiuntiva alla cella di memoria, rendendo i dati. Il semiconduttore in ossido di metallo utilizzato è un FGT. L'FGT è simile alle porte logiche NAND.
Secondo i dati riportati dalla società Micron Technology, Inc., la memoria flash NAND dello smartphone medio è di 43 GB, che si prevede crescerà in modo significativo nei prossimi anni. Nel 2021, la memoria flash NAND del telefono medio aveva raggiunto un valore di 142 GB con i dispositivi di punta con un terabyte di memoria. Vari prodotti di consumo, come tablet e fotocamere, apparecchiature e sensori industriali, sistemi automobilistici e dispositivi medici, dipendono dalla memoria flash, che è integrata insieme ai loro processori che vendono al dettaglio sia dati che codice.
La tendenza verso l'archiviazione basata su flash si evolverà man mano che cresce la domanda di elaborazione di dati massiccia per applicazioni di intelligenza artificiale e apprendimento automatico. Lo scoppio del nuovo COVID-19 non ha avuto un impatto significativo sulla produzione dei fornitori di NAND flash con sede in Cina. Questo perché gli impianti sono altamente automatizzati, hanno basse richieste di manodopera e gli operatori si riforniscono di materie prime prima del capodanno lunare cinese. Poiché gli impianti di fabbricazione di semiconduttori detengono licenze speciali nazionali, la produzione della fonderia è stata consegnata ai clienti in Cina. Ciò consente loro di spedire i loro prodotti in tutta la Cina, persino nelle città in quarantena.
La crescente domanda di data center sta alimentando la crescita del mercato
Si prevede che la crescente necessità di dispositivi di memoria, sostenuta dalla richiesta di memoria dei data center, alimenterà la crescita del mercato delle MEMORIE FLASH NAND. Inoltre, la necessità di data center è guidata dalla crescente domanda di grandi prestazioni per l'elaborazione e l'edge computing, le applicazioni cloud e i big data.
L'espansione nell'uso di 5G e IoT sta guidando la crescita del mercato
La crescente adozione di apprendimento automatico e intelligenza artificiale (IA) incoraggia i fornitori a scegliere capacità di dati sostanziali più rapide e rapide. L'aumento è stato ulteriormente completato dalla rapida adozione del lavoro da remoto e delle lezioni educative, nonché dall'assistenza medica online al momento della pandemia.
Il crescente consumo nel settore elettronico sta guidando la crescita del mercato
Si prevede che l'epidemia di COVID-19 avrà un impatto significativo sul settore dei dispositivi elettronici, poiché la Cina è un importante fornitore di materie prime e prodotti finiti. La produzione è stata ridotta, la catena di fornitura è stata interrotta e i prezzi sono stati volatili. Durante questo periodo, le vendite delle principali aziende elettroniche hanno subito un impatto. Le restrizioni di viaggio sia per le persone che per le merci hanno ostacolato la crescita del mercato nel breve termine. Inoltre, poiché i dispositivi di memoria flash NAND consumano meno energia, sono molto richiesti dai produttori di elettronica. La decodifica nelle unità flash NAND è più veloce che nelle unità flash NOR. La crescente domanda di densità areale relativamente elevata ha spinto i produttori del settore elettronico a incorporare la tecnologia 3D nei chip di memoria NAND.
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Segmentazione del mercato
Profili aziendali
Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Power chip Technology Corporation, Fujitsu Limited,
Attributo | Dettagli |
Anno base | 2022 |
Anni storici | 2018 – 2021 |
Stima Anno | 2023 |
Periodo di previsione | 2024 – 2028 |
Unità quantitative | Ricavi in miliardi di USD e CAGR per il 2018-2022 e 2023E-2028F |
Copertura del report | Previsione dei ricavi, quota aziendale, panorama competitivo, fattori di crescita e tendenze |
Segmenti coperti | Tipo Applicazione Settore verticale Regione |
Ambito regionale | Asia-Pacifico, Nord America, Europa, Medio Oriente e Africa e Sud America |
Ambito nazionale | Cina, Giappone, India, Australia, Corea del Sud, Stati Uniti, Canada, Messico, Regno Unito, Germania, Francia, Spagna, Italia, Israele, Turchia, Arabia Saudita, Emirati Arabi Uniti, Brasile, Argentina, Colombia |
Aziende chiave profilate | Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Powerchip Technology Corporation, Fujitsu Limited |
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