Mercato dei dispositivi di potenza GaN - Dimensioni, quota, tendenze, opportunità e previsioni del settore globale 2018-2028, segmentato per tipo di dispositivo (potenza vs potenza RF), per intervallo di tensione (<200 Volt, 200-600 Volt e >600 Volt), per applicazione (driver di potenza, alimentazione e inverter e radiofrequenza), per utente finale (telecomunicazioni, industriale, automobilistico,
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMercato dei dispositivi di potenza GaN - Dimensioni, quota, tendenze, opportunità e previsioni del settore globale 2018-2028, segmentato per tipo di dispositivo (potenza vs potenza RF), per intervallo di tensione (<200 Volt, 200-600 Volt e >600 Volt), per applicazione (driver di potenza, alimentazione e inverter e radiofrequenza), per utente finale (telecomunicazioni, industriale, automobilistico,
Si prevede che il mercato dei dispositivi di alimentazione GaN aumenterà durante il periodo di previsione a causa di fattori quali la diminuzione dei prezzi dei dispositivi GaN, il crescente utilizzo della ricarica wireless e la crescente sostenibilità del GaN nelle applicazioni RF.
Il GaN (nitruro di gallio) è un materiale semiconduttore composito utilizzato nei dispositivi di alimentazione di nuova generazione. Si prevede che vedrà un'ampia adozione grazie alle sue proprietà migliorate rispetto ai dispositivi in silicio, come le straordinarie caratteristiche ad alta frequenza. Inoltre, grazie alle sue maggiori proprietà di commutazione e alla minore resistenza ON rispetto ai dispositivi in silicio, si prevede che i dispositivi GaN contribuiranno a ridurre il consumo energetico e a una maggiore miniaturizzazione di vari alimentatori e alla miniaturizzazione dei componenti periferici.
Aumento della necessità di migliorare le prestazioni sul campo di battaglia nel settore della difesa
Una maggiore consapevolezza riguardo a varie apparecchiature di difesa, come radar, satelliti e missili, per migliorare il funzionamento sul campo di battaglia, è considerata un fattore essenziale per il settore della difesa. Pertanto, un elevato livello di integrazione è essenziale tra i sistemi di comunicazione radar e i dispositivi di guerra elettronica utilizzati in ambito militare. L'industria della difesa richiede un livello enormemente elevato di affidabilità a lungo termine per le sue missioni. I dispositivi di potenza GaN offrono prestazioni robuste in ambienti critici per molteplici applicazioni, tra cui sistemi avionici, satelliti e veicoli da combattimento. I dispositivi di potenza GaN hanno apportato notevoli benefici all'industria della difesa grazie alla loro elevata tensione di rottura e alla rapida capacità di dissipazione del calore. Nel settore militare e della difesa, il materiale GaN è utilizzato principalmente in HEMT (High Electron Mobility Transistor), essenziale per le operazioni ad alta frequenza. Pertanto, è probabile che la necessità di prestazioni migliorate sul campo di battaglia alimenterà lo sviluppo di dispositivi di potenza GaN nel prossimo futuro.
Aumento dell'installazione di dispositivi GaN nei veicoli elettrici
I moduli di potenza sono una caratteristica comune dei veicoli elettrici perché consentono il funzionamento del motore ad alta tensione, il che riduce la dispersione di corrente tra i terminali del collettore e dell'emettitore e aumenta la frequenza di spostamento. Inoltre, sono necessari dispositivi di gestione dell'alimentazione per i sistemi di batterie ad alta tensione sia nei veicoli elettrici che nei veicoli ibridi, per gestire l'alimentazione dalla batteria ai driver del motore. Di conseguenza, c'è un aumento nell'uso di dispositivi GaN, che a sua volta alimenta l'espansione del mercato. Inoltre, le vendite di veicoli elettrici sono aumentate in modo significativo in questo momento. Si prevede che ciò rappresenterà un'opportunità redditizia per l'espansione del mercato.
Iniziative governative in HVDC e Smart Grid
I sistemi di trasmissione di energia elettrica in corrente continua ad alta tensione (HVDC) e le smart grid sono due aree in cui vengono utilizzati dispositivi di alimentazione GaN. Questi hanno migliorato il bilanciamento del carico, una topologia di rete più flessibile e capacità di risoluzione dei problemi in tempo reale. L'alta tensione può essere controllata da dispositivi di alimentazione perché rende più efficace la commutazione ad alta frequenza. Anche i convertitori multilivello modulari (MMC), che riducono la perdita di potenza, impiegano moduli di alimentazione. Nei sistemi HVDC, vengono quindi impiegati frequentemente convertitori che utilizzano moduli di dispositivi di alimentazione GaN. Inoltre, i governi di molte nazioni, tra cui Cina, Giappone e Stati Uniti, effettuano investimenti significativi nella tecnologia smart grid per aggiornare le loro reti elettriche. Pertanto, ci si aspetta che tutti questi fattori alimenteranno in modo significativo l'espansione del mercato globale dei dispositivi di alimentazione GaN.
Segmenti di mercato
Il mercato globale dei dispositivi di alimentazione GaN è segmentato in base al tipo di dispositivo, all'applicazione dell'intervallo di tensione, all'utente finale e alla regione. In base al tipo di dispositivo, il mercato è ulteriormente segmentato in potenza vs potenza RF. In base all'intervallo di tensione, il mercato è segmentato in <200 Volt, 200-600 Volt e >600 Volt. In base all'applicazione, il mercato è segmentato in driver di potenza, alimentazione e inverter e radiofrequenza. In base all'utente finale, il mercato è segmentato in telecomunicazioni, industria, automotive, energie rinnovabili e altri.
Attori del mercato
Sviluppi recenti
Nel 2022, Gallium Semiconductor ha presentato il suo ampio portafoglio di prodotti transistor di potenza RF alla conferenza European Microwave Week 2022. Gallium Semiconductor presenta un'ampia gamma di soluzioni GaN per infrastrutture 5G, aerospaziale e difesa, sicurezza pubblica e applicazioni industriali, scientifiche e mediche.
A luglio 2022, GaN Systems, Inc. e PowerSphyr Inc. offrono ai clienti industriali e automobilistici un percorso semplice per ottenere le soluzioni di alimentazione wireless più compatte con prestazioni e convenienza leader del settore. Ciò è abbinato a nuovi e migliorati livelli di assistenza e supporto clienti.
| Attributo | Dettagli |
| Anno base | 2022 |
| Dati storici | 2018 – 2022 |
| Anno stimato | 2023 |
| Periodo di previsione | 2024 – 2028 |
| Unità quantitative | Ricavi in milioni di USD e CAGR per il 2018-2022 e il 2023-2028 |
| Copertura del report | Previsione dei ricavi, quota aziendale, fattori di crescita e tendenze |
| Segmenti coperti | Per tipo di dispositivo Per intervallo di tensione Per applicazione Per utente finale Per regione |
| Ambito regionale | Nord America, Europa, Asia-Pacifico, Sud America, Medio Oriente e Africa |
| Ambito nazionale | Stati Uniti, Canada, Messico, Regno Unito, Germania, Francia, Italia, Spagna, Cina, Giappone, Corea del Sud, Australia, India, Brasile, Argentina, Colombia, Arabia Saudita, Emirati Arabi Uniti, Iraq, Sud Africa |
| Aziende chiave profilate | Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors, GaN Systems, Wolfspeed, Inc., Infineon Technologies AG, EPISTAR Corporation, Rohm Co., Ltd., On Semiconductor Corporation, Qorvo, Inc, MACOM Technology Solutions Holdings Inc |
| Ambito di personalizzazione | Personalizzazione gratuita del report al 10% con l'acquisto. Aggiunta o modifica di paese, regione e ambito del segmento. |
| Prezzi e opzioni di acquisto | Approfitta di opzioni di acquisto personalizzate per soddisfare le tue specifiche esigenze di ricerca. Esplora le opzioni di acquisto |
| Formato di consegna | PDF ed Excel tramite e-mail (possiamo anche fornire la versione modificabile del report in formato PPT/Word su richiesta richiesta) |
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