Mercato dei transistor di potenza - Dimensioni, quota, tendenze, opportunità e previsioni del settore globale 2018-2028, segmentato per tipo (transistor bipolari a giunzione, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido metallico, transistor a induzione statica, transistor bipolare a gate isolato), per applicazione (alimentatori switching, relè, convertitori, amplificatori di potenza, c
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
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Si prevede che il mercato dei transistor di potenza crescerà durante il periodo di previsione, a causa dei seguenti fattori, come l'aumento dell'implementazione dell'Internet of Things (IoT), l'aumento della consapevolezza riguardo alle caratteristiche vantaggiose del transistor di potenza e la crescente domanda di transistor di potenza nella comunicazione e nei dispositivi elettronici connessi.
I transistor di potenza sono dispositivi a tre terminali che sono composti da materiali semiconduttori. Includono terminali emettitore, base e collettore. Inoltre, la funzione principale di un transistor è quella di aumentare i segnali deboli e regolarli di conseguenza. Inoltre, questi transistor possono essere di polarità NPN (negativo positivo negativo) o PNP (positivo negativo positivo) e si trovano in diversi tipi con valori nominali di potenza e velocità di commutazione.
Crescente domanda di elettronica di consumo
Nell'elettronica di consumo, i transistor di potenza sono un componente essenziale perché svolgono un ruolo importante nell'amplificazione dei segnali elettronici e sono utilizzati per migliorare la funzionalità e le prestazioni dell'elettronica di consumo. Pertanto, le economie sviluppate e in via di sviluppo proliferano la crescita dell'elettronica di consumo attraverso il supporto governativo, i progressi tecnologici, le iniziative e gli investimenti, ecc. Ad esempio, in India, il governo prevede un investimento di 4183 milioni di USD nell'ambito del programma PLI per la produzione elettronica su larga scala, principalmente telefoni cellulari e componenti elettronici, entro il 2025. Inoltre, programmi come il programma Make in India, la National Policy on Electronics, il Production Linked Incentive Scheme per il settore dell'elettronica, il Modified Special Incentives Scheme, l'Electronics Manufacturing Clusters (EMC) Scheme e diverse altre misure sono intesi a fornire incentivi per la produzione nazionale, la localizzazione della produzione elettronica, l'attrazione di investimenti diretti esteri e l'aumento delle esportazioni. Pertanto, grazie a tali investimenti e iniziative, si prevede che il mercato globale dei transistor di potenza aumenterà durante il periodo di previsione.
Progressi tecnologici nei transistor di potenza
I transistor di potenza sono utilizzati in quasi tutti gli elettrodomestici che ci circondano, inclusi personal computer, smartphone e televisori, e hanno un impatto significativo sulle loro prestazioni. Pertanto, le tecnologie dei transistor vengono migliorate ogni giorno per ottenere prestazioni più elevate, come maggiore velocità operativa, minore consumo energetico, dimensioni più piccole, ecc. I transistor sono stati inizialmente progettati utilizzando germanio (Ge), ma successivamente è stato utilizzato il silicio (Si) per migliorare le prestazioni dei circuiti. Inoltre, i convertitori di potenza tradizionali utilizzano transistor a commutazione rapida per convertire l'energia elettrica. Questi transistor aggiungono costi, riducono l'efficienza, influendo negativamente sull'affidabilità del convertitore. Nel convertitore standard, la domanda di potenza/velocità , la perdita e il guasto sono principalmente correlati al transistor a commutazione rapida. Successivamente, l'eliminazione dei transistor a commutazione rapida consente convertitori di potenza avanzati e ad alte prestazioni che possono funzionare con densità di potenza migliorate ed efficienza, riducendo al contempo i costi associati all'installazione, alla riparazione e alla sostituzione dei convertitori tradizionali. Pertanto, con la crescente adozione di progressi tecnologici nei transistor di potenza, è probabile che il transistor di potenza globale cresca a un ritmo rapido nei prossimi anni.
La crescente tecnologia 5G guida la crescita del mercato
La tecnologia 5G ha portato all'introduzione di un numero significativo di nuove funzionalità RF (radiofrequenza) che devono essere implementate nelle reti mobili, tenendo conto di vincoli rigorosi nello spazio sulla scheda e nel consumo energetico. Per soddisfare questi requisiti sempre più impegnativi, i progettisti RF si sono rivolti all'uso di materiali alternativi, come i semiconduttori a banda larga (WBG), in grado di offrire miglioramenti significativi in termini di densità di potenza ed efficienza, rispetto ai tradizionali circuiti integrati di potenza RF basati sul silicio. Pertanto, è probabile che l'aumento della tecnologia 5G abbia un impatto sulla domanda di transistor di potenza a livello globale.
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Segmenti di mercato
Il mercato globale dei transistor di potenza è segmentato per tipo, per applicazione, per utilizzo finale e per regione. In base al tipo, il mercato è segmentato in transistor a giunzione bipolare, transistor a effetto di campo a semiconduttore in ossido di metallo, transistor a induzione statica, transistor bipolare a gate isolato. In base all'applicazione, il mercato è segmentato in alimentatori switching, relè, convertitori, amplificatori di potenza, convertitori CC-CA, alimentatori, circuiti di controllo della potenza, inverter. In base all'uso finale, il mercato è segmentato in elettronica di consumo, comunicazione e tecnologia, automotive, produzione, energia ed energia elettrica e altri.
Attori del mercato
Sviluppi recenti
- A giugno 2022, GaN Systems ha presentato un nuovo transistor che si aggiunge al più ampio portafoglio di transistor GaNpower del settore. Migliora l'efficienza, la gestione termica e le prestazioni di densità di potenza, migliorando al contempo la flessibilità di progettazione e la convenienza per soddisfare le mutevoli esigenze dei clienti consumer, industriali e dei data center.
- A dicembre 2021, utilizzando una nuova architettura di transistor verticale, IBM e Samsung Electronics hanno svelato una svolta nella progettazione dei semiconduttori che mostra un modo per andare oltre i nano-fogli e ha il potenziale per utilizzare l'85% di energia in meno rispetto a un transistor a effetto campo a pinna scalato.
| Attributo | Dettagli |
| Anno base | 2022 |
| Dati storici | 2018 – 2022 |
| Anno stimato | 2023 |
| Periodo di previsione | 2024 – 2028 |
| Unità quantitative | Ricavi in milioni di USD e CAGR per il 2018-2022 e il 2023-2028 |
| Copertura del report | Previsione dei ricavi, quota aziendale, fattori di crescita e tendenze |
| Segmenti coperti | Per tipo Per applicazione Per utilizzo finale Per regione |
| Ambito regionale | Nord America, Europa, Asia-Pacifico, Sud America, Medio Oriente e Africa |
| Ambito nazionale | Stati Uniti, Canada, Messico, Cina, India, Giappone, Corea del Sud, Australia, Germania, Italia, Regno Unito, Francia, Spagna, Emirati Arabi Uniti, Arabia Saudita, Sudafrica, Brasile, Argentina, Cile |
| Aziende chiave descritte | Infineon Technologies AG, Texas Instruments Incorporated, Semiconductor Components Industries, LLC, Fuji Electric Co., Ltd., STMicroelectronics, Mitsubishi Electric Corporation, Semikron Danfoss, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TE Connectivity, NXP Semiconductors, Analog Devices, Inc., Torex Semiconductor Ltd., Qorvo, Inc, Vishay Intertechnology, Inc., ABB Semiconductors |
| Ambito di personalizzazione | Personalizzazione gratuita del report al 10% con l'acquisto. Aggiunta o modifica di paese, regione e ambito del segmento. |
| Prezzi e opzioni di acquisto | Approfitta di opzioni di acquisto personalizzate per soddisfare le tue specifiche esigenze di ricerca. Esplora le opzioni di acquisto |
| Formato di consegna | PDF ed Excel tramite e-mail (possiamo anche fornire la versione modificabile del report in formato PPT/Word su richiesta speciale) |
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