Mercato dei MOSFET di potenza: dimensioni, quota, tendenze, opportunità e previsioni del settore globale, segmentati per tipo (modalità di esaurimento e modalità di miglioramento), per potenza (alta potenza, media potenza e bassa potenza), per tipo di canale (canale N e canale P), per applicazione (energia e potenza, inverter e UPS, elettronica di consumo, automotive, industriale e altri), per reg
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
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| Periodo di previsione | 2024-2028 |
| Dimensioni del mercato (2022) | 25,34 miliardi di USD |
| CAGR (2023-2028) | 5,68% |
| Segmento in più rapida crescita | Industriale |
| Mercato più grande | Nord America |
Il mercato globale dei MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) di potenza è
Un MOSFET di potenza è realizzato per gestire livelli di potenza significativi. Il transistor bipolare a gate isolato (IGBT) o tiristore, altri due dispositivi a semiconduttore di potenza, offrono vantaggi simili in termini di velocità di commutazione ed efficienza a basse tensioni. Condivide un gate isolato con l'IGBT, rendendolo semplice da pilotare. Possono avere un guadagno basso, a volte al punto che la tensione di gate deve essere superiore alla tensione di controllo.
L'elettronica odierna ha molte caratteristiche che aiutano i clienti a sentirsi più a loro agio e a vendere di più. Gli standard di sicurezza dei consumatori sono stati innalzati e sono emerse nuove opportunità commerciali per dispositivi ed elettronica migliorati come risultato dei progressi tecnologici nei componenti elettronici, come cellulari, computer, comunicazioni wireless e sistemi cloud, tra gli altri. Il MOSFET di potenza ha un potenziale critico dovuto ai rapidi miglioramenti nell'innovazione, alla produttività aumentata e alle piccole dimensioni delle parti elettroniche. Inoltre, il nano regolatore è fondamentale per gestire i cicli con una misura minima di sfortuna di forza. Si prevede che il coordinamento di vari gadget elettronici darebbe agli operatori del mercato molte possibilità .
Maggiore enfasi sul risparmio energetico
Si prevede che in futuro affronterà problemi di energia perché i combustibili fossili si stanno esaurendo rapidamente. Non dovrebbe sorprendere che il risparmio energetico stia ricevendo sempre più attenzione. Un MOSFET è un componente di commutazione utilizzato nella gestione dei veicoli elettrici, un inverter e un alimentatore. I MOSFET sono frequentemente utilizzati in contesti industriali con basse frequenze di commutazione. La crescente enfasi sull'efficienza energetica e sulle fonti rinnovabili ha reso questo settore un settore proprio. Si prevede che l'energia rinnovabile con il maggior numero di installazioni rappresenti una porzione maggiore del modulo di potenza. Pertanto, si prevede che questi fattori guideranno il
L'ampio utilizzo di MOSFET di potenza nei semiconduttori sta guidando il mercato globale dei MOSFET di potenza
I MOSFET sono i dispositivi semiconduttori più generalmente coinvolti nei circuiti avanzati e semplici, nonché i dispositivi di potenza più frequentemente utilizzati. È il principale semiconduttore minuscolo, attrezzato per essere tagliato e prodotto in modo efficiente per molte applicazioni. Il ridimensionamento e la contrazione dei MOSFET hanno guidato lo sviluppo rapido e straordinario dell'innovazione dei semiconduttori elettronici, potenziando i circuiti integrati (IC) ad alto spessore, ad esempio chip di memoria e microchip.
Il MOSFET di potenza è il dispositivo di potenza più ampiamente utilizzato al mondo. I MOSFET hanno la meglio sui semiconduttori a intersezione bipolare nell'hardware di potenza poiché non necessitano di una progressione costante di corrente di pilotaggio per rimanere nello stato ON, offrono velocità di scambio più importanti, minori perdite di potenza di scambio, minori protezioni on e sono meno inclini a riscaldarsi fuori controllo. Il MOSFET di potenza influisce sull'alimentazione, tenendo conto di frequenze di lavoro più importanti, dimensioni e peso inferiori e maggiore produzione di volume. Pertanto, si prevede che stimolerà la crescita del mercato globale dei MOSFET di potenza.
Le macchine oggi sono estremamente flessibili, minime e produttive nel fare ciò per cui sono state create, al punto che hanno assunto il controllo su una tonnellata di esercizi che sono stati eseguiti fisicamente. Si prevede che il mercato delle macchine e delle apparecchiature elettroniche continuerà a crescere o crescerà più velocemente della domanda nei prossimi anni. La maggior parte dei macchinari gestisce l'alimentazione con MOSFET di potenza. Il modulo MOSFET è frequentemente utilizzato per operazioni di commutazione di tensione e ci sono circa 78.124 gigawatt (GW) di installazioni eoliche e solari in tutto il mondo. La crescente dipendenza da macchinari e apparecchiature elettriche, che avvantaggia direttamente il MOSFET di potenza, è uno dei fattori principali che influenzano il mercato globale dei MOSFET di potenza.
Crescente domanda di componenti per veicoli elettrici per promuovere la crescita del mercato globale dei MOSFET di potenza
Si prevede che il mercato globale dei MOSFET di potenza si espanderà nel periodo di previsione a seguito di iniziative governative volte a fornire sgravi fiscali e sussidi per incoraggiare l'uso di veicoli a basso raggio e a zero emissioni in tutto il mondo. Si prevede inoltre che il mercato globale sarà guidato da crescenti investimenti nella creazione di stazioni di rifornimento di idrogeno e di ricarica per veicoli elettrici. Inoltre, si prevede che il mercato globale trarrà vantaggio da una diminuzione del prezzo delle batterie per veicoli elettrici a seguito della loro produzione diffusa e dei continui progressi tecnologici. Un altro fattore significativo che spingerebbe il mercato globale è l'elevata domanda di apparecchiature e componenti per veicoli elettrici come caricabatterie portatili, adattatori, connettori e cavi di ricarica.
Si prevede che limitazioni nelle operazioni e costi elevati ostacoleranno la crescita del mercato globale dei MOSFET di potenza
Limitazioni come la rottura causata dall'ossido di gate, la tensione di drain-source, la corrente di drain massima e la temperatura impediscono a questo mercato di espandersi. A causa della sua sottigliezza, l'ossido di gate ha un limite di rottura superficiale. La durata del MOSFET è ulteriormente ridotta da un'elevata tensione di gate-source, e questo ha scarso o nessun effetto sulla riduzione. Anche il MOSFET necessita di una misura particolare di tensione e corrente di channel-source; una rottura potrebbe verificarsi rapidamente se questi requisiti non vengono soddisfatti.
Inoltre, i MOSFET di potenza hanno la tendenza a perdere corrente, influenzando la crescita del mercato. Gli elevati costi di installazione per i MOSFET di potenza possono limitare l'espansione del mercato poiché questo componente aumenta i prezzi dei veicoli. A causa dei numerosi componenti tecnologici del veicolo, la sua manutenzione è impegnativa e richiede personale qualificato. La durata di vita dei sistemi con architetture complesse è più breve. Di conseguenza, si suppone che i fattori sopra menzionati possano ostacolare la crescita del mercato globale dei MOSFET di potenza.
Ultimi sviluppi
- A marzo 2022, i MOSFET SiC da 3,3 kV con la resistenza più bassa del settore e gli SBD SiC con la corrente nominale più elevata sono stati rilasciati da Microchip Technology Inc., consentendo ai progettisti di sfruttare robustezza, affidabilità e prestazioni. I progettisti ora hanno gli strumenti di cui hanno bisogno per creare soluzioni più leggere, più piccole e più efficaci per i trasporti elettrificati, le energie rinnovabili, l'aerospaziale e le applicazioni industriali, grazie all'espansione del portafoglio SiC di Microchip. I MOSFET e gli SBD da 3,3 kV offerti da Microchip fanno parte dell'ampia collezione di soluzioni SiC dell'azienda, che include anche die, discreti, moduli e driver di gate digitali per tensioni di 700 V, 1200 V e 1700 V. I MOSFET da 25 mOhm e gli SBD con la corrente nominale più elevata del settore di 90 ampere sono tra i dispositivi di potenza SiC da 3,3 kV prodotti da Microchip. Gli SBD e i MOSFET possono essere acquistati come die o pacchetti. Con questi nuovi livelli di prestazioni, i progettisti possono semplificare i loro progetti, creare sistemi con più potenza e utilizzare meno componenti paralleli per creare soluzioni di potenza più piccole, più leggere e più efficaci.
Segmentazione del mercato
Gli
attori del mercato
I principali attori del mercato globale dei MOSFET di potenza sono Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd. e Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
| Attributo | Dettagli |
| Anno base | 2022 |
| Dati storici | 2018– 2022 |
| Anno stimato | 2023 |
| Periodo di previsione | 2024 – 2028 |
| Unità quantitative | Ricavi in milioni di USD e CAGR per il 2018-2022 e il 2023-2028 |
| Rapporto copertura | Previsione dei ricavi, quota aziendale, fattori di crescita e tendenze |
| Segmenti coperti | Tipo Tariffa di alimentazione Tipo di canale Applicazione Regione |
| Ambito regionale | Nord America, Asia-Pacifico, Europa, Sud America, Medio Oriente e Africa |
| Ambito nazionale | Stati Uniti, Canada, Messico, Cina, India, Giappone, Corea del Sud, Australia, Germania, Regno Unito, Francia, Italia, Spagna, Brasile, Argentina, Colombia, Arabia Saudita, Sudafrica, Emirati Arabi Uniti |
| Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. | |
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