Taille du marché mondial du carbure de silicium par dispositif (module SiC, dispositif discret SiC), par application (recherche spatiale et énergie nucléaire, transport), par portée géographique et prévisions

Taille et prévisions du marché du carbure de silicium

La taille du marché du carbure de silicium a été évaluée à 850 millions USD en 2022 et devrait atteindre 5 milliards USD d'ici 2030, avec un TCAC de 18,6 % de 2023 à 2030.

Le carbure de silicium est largement utilisé dans les diligences similaires au travail des métaux, aux abrasifs et aux réfractaires. Avec le développement croissant de la diligence colorée, similaire à la machine, à l'aérospatiale et à l'essence, la demande d'accessoires à base de Sic pour le tranchage, le meulage, le polissage et d'autres opérations augmentera également. Le rapport sur le marché mondial du carbure de silicium fournit une évaluation holistique du marché. Le rapport offre une analyse complète des segments clés, des tendances, des moteurs, des contraintes, du paysage concurrentiel et des facteurs qui jouent un rôle substantiel sur le marché.

Définition du marché mondial du carbure de silicium

Le carbure de silicium, également connu sous le nom de carborundum, est un matériau semi-conducteur largement utilisé dans l'électronique et la diligence des semi-conducteurs. La dureté physique du carbure de silicium le rend apte à être utilisé comme abrasif dans des processus similaires au rodage, au tranchage par jet d'eau, au meulage et au tir sur la plage. Il est également utilisé dans les facteurs des pompes utilisées pour forer et prix la peinture à l'huile dans les opérations pétrolières. La demande croissante de carbure de silicium dans les applications de fabrication de produits en carbure de silicium a entraîné une augmentation des investissements des fabricants, des gouvernements et des instituts de recherche dans ses produits.

Le marché du carbure de silicium en Amérique du Nord devrait croître au TCAC le plus élevé au cours de la période de coulée. La croissance du marché dans cette région est largement attribuée à l'abandon croissant de ce matériau en raison de ses performances électriques avancées, de sa taille compacte, de ses capacités de fonctionnement en puissance et de sa grande fiabilité. Le marché de l'électronique de puissance est l'un des principaux consommateurs de carbure de silicium, car le semi-conducteur réduit les pertes d'énergie et augmente la durée de vie ainsi que l'efficacité de la polarisation de puissance.

De plus, la polarisation électronique de puissance fonctionnant efficacement et efficacement à des températures élevées est essentielle pour satisfaire plusieurs demandes telles que des performances élevées, un temps de charge rapide, etc. De plus, le marché croissant des épées aux États-Unis est susceptible de stimuler la croissance du marché du carbure de silicium, car le matériau est utilisé comme agent Xg toxique ainsi que comme matière première majeure dans les produits réfractaires du marché. L'augmentation de la demande de semi-conducteurs SiC dans les polarisations électroniques telles que les LED, les capteurs et les détecteurs devrait stimuler la situation du marché.

L'abandon croissant des sources d'énergie renouvelables pour la production d'électricité devrait avoir un impact significatif sur la situation du marché. En outre, l'ajout de produits d'épée est l'un des principaux facteurs qui stimulent la situation du marché. Néanmoins, il existe des options rentables sur le marché du carbure de silicium. Le nitrure de gallium est l'un des supports utilisés dans les modules de puissance comme transistors. Cela devrait entraver la croissance de la situation du marché.

Aperçu du marché mondial du carbure de silicium

Les opérations énergétiques exigent des résultats plus faibles et plus efficaces. Le SiC est idéal pour remplacer le silicium dans les facteurs séparés et les modules de puissance car il augmente la viscosité de puissance et garantit que la polarisation est prise en charge dans des boîtiers plus petits. En raison de leurs performances supérieures, les MOSFET SiC sont largement utilisés dans les opérations de puissance qui supportent une fréquence de commutation, une tension, un courant et une efficacité élevés. La conception et la fabrication de la polarisation SiC sont presque analogues à la polarisation Si ordinaire, à l'exception de certaines différences, similaires aux accessoires semi-conducteurs. Contrairement au Si, qui utilise du silicium, le SiC a des titres de carbone redondants. Ces polarisations sont largement fiables, économes en énergie, robustes et repoussent les fréquences de commutation et les tensions de fonctionnement avancées. La polarisation à haute viscosité de puissance a des conceptions simples qui supportent des facteurs externes plus petits et plus bas. La polarisation SiC offre des avantages similaires à une efficacité énergétique avancée et à une perte d'énergie plus faible, réduisant ainsi les coûts d'exploitation et les dommages environnementaux. La conception et la fabrication de la polarisation SiC sont presque analogues à la polarisation Si ordinaire, à l'exception de certaines différences, notamment les accessoires semi-conducteurs. Contrairement au Si, qui utilise du silicium, le SiC a des titres de carbone redondants. De plus, en raison de leur viscosité de puissance avancée, ces polarisations sont compactes, ce qui permet d'économiser de l'espace et de réduire le poids. La fréquence de fonctionnement élevée permet l'utilisation de facteurs non résistants inférieurs similaires aux condensateurs et aux inducteurs. La polarisation SiC, y compris les MOSFET, convient aux opérations de commutation de systèmes d'alimentation électroniques colorés. Leurs équipements semi-conducteurs et leur processus de construction leur permettent de repousser une combinaison de haute tension et de commutation rapide qui ne peut pas être obtenue avec des transistors de puissance conventionnels. Dans les équipements SiC, des trous de taille microscopique, appelés micropipes, sont installés sur les chargeurs. Lors de la fabrication de plaquettes plus grandes, la polarisation SiC est susceptible de présenter des défauts colorés, similaires aux perturbations, aux éliminations de prototypes et aux défauts de monticule. Ces défauts sont dus à un équilibre non optimal des précurseurs de silicium et de carbone et à une insécurité initiale en termes de pression ou de température. Ces défauts affectent l'efficacité de l'appareil et dégradent ses caractéristiques électriques. La conception de polarisations SiC présente une grande complexité.

Le principal défi pour les concepteurs est d'obtenir une meilleure efficacité tout en maintenant un coût faible et une structure moins complexe. De plus, les conditions variables des différentes opérations augmentent encore les complications de conception de la puissance et de la polarisation RF. Le conditionnement de ces polarisations est essentiel pour les performances des circuits et des systèmes dans lesquels ces circuits seront installés. De plus, le conditionnement est également essentiel lorsque la polarisation fonctionne à des températures élevées ; par conséquent, un conditionnement approprié doit être réalisé pour que la polarisation puisse effectuer les opérations demandées ; sinon, cela affectera un accroc spécialisé.

Marché mondial du carbure de silicium analyse de segmentation

Le marché mondial du carbure de silicium est segmenté sur la base de l'appareil, de l'application et de la géographie.

Marché du carbure de silicium, par appareil

• Module SiC
• Dispositif discret SiC

En fonction de l'appareil, le marché est segmenté en module SiC et dispositif discret SiC. Français Le dispositif discret en SiC est le plus grand contributeur à la part de marché du carbure de silicium en raison de sa large application dans différentes industries.

Marché du carbure de silicium, Par application

• Recherche spatiale et énergie nucléaire
• Transport

En fonction de l'application, le marché est segmenté en recherche spatiale et énergie nucléaire et transport. Le segment Recherche spatiale et énergie nucléaire a recueilli la plus grande part de marché en raison de son application étendue dans l'exploration spatiale et l'industrie de l'énergie nucléaire.

Marché du carbure de silicium, par géographie

• Amérique du Nord
• Europe
• Asie-Pacifique
• Reste du monde

Sur la base d'une analyse régionale, le marché mondial du carbure de silicium est classé en Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique et reste du monde. Parmi toutes les régions, l'Asie-Pacifique domine le marché mondial du carbure de silicium.

Principaux acteurs

Le rapport d'étude « Marché mondial du carbure de silicium » fournira des informations précieuses en mettant l'accent sur le marché mondial, notamment certains des principaux acteurs de l'industrie sont Microchip Technology Inc., STMicroelectronics NV, Hitachi Ltd., Infineon Technologies AG, Toshiba Corporation, WOLFSPEED Inc., Fuji Electric Co. Ltd., ON Semiconductor Corporation, ROHM Co. Ltd.

Notre analyse de marché comprend également une section uniquement dédiée à ces principaux acteurs dans laquelle nos analystes donnent un aperçu des états financiers de tous les principaux acteurs, ainsi qu'une analyse comparative des produits et une analyse SWOT.

Principaux développements

• Mars 2023 WOLFSPEED, INC. s'est associé à ZF, un leader mondial société de technologie permettant la mobilité de la prochaine génération. Cette coopération vise à créer un laboratoire d'invention commun pour stimuler les avancées dans les systèmes en carbure de silicium et la polarisation pour les opérations de mobilité, artificielles et énergétiques.
• Décembre 2022 WOLFSPEED, INC. a élargi son accord pluriannuel et à long terme sur la force des plaquettes de carbure de silicium avec une société leader dans le domaine des dispositifs d'alimentation. Grâce à cet accord, Wolfspeed fournira à la société des plaquettes nues et épitaxiales en carbure de silicium de 150 mm, renforçant la vision de la société pour une transition à l'échelle de l'assiduité de la polarisation de puissance des semi-conducteurs en silicium vers les semi-conducteurs en carbure de silicium.

Analyse de la matrice Ace

La matrice Ace fournie dans le rapport aiderait à comprendre les performances des principaux acteurs clés impliqués dans cette industrie, car nous fournissons un classement pour ces entreprises en fonction de divers facteurs tels que les fonctionnalités et les innovations des services, l'évolutivité, l'innovation des services, la couverture de l'industrie, la portée de l'industrie et la feuille de route de croissance. Français Sur la base de ces facteurs, nous classons les entreprises en quatre catégories Actives, de pointe, émergentes et innovatrices

Attractivité du marché

L'image de l'attractivité du marché fournie aiderait en outre à obtenir des informations sur la région qui est majoritairement leader sur le marché mondial du carbure de silicium. Nous couvrons les principaux facteurs d'impact qui sont responsables de la croissance de l'industrie dans la région donnée.

Les cinq forces de Porter

L'image fournie aiderait en outre à obtenir des informations sur le cadre des cinq forces de Porter en fournissant un plan pour comprendre le comportement des concurrents et le positionnement stratégique d'un acteur dans l'industrie concernée. Le modèle des cinq forces de Porter peut être utilisé pour évaluer le paysage concurrentiel du marché mondial du carbure de silicium, évaluer l'attractivité d'un certain secteur et évaluer les possibilités d'investissement.

Périmètre du rapport

Rapports les plus tendance 

Méthodologie de recherche des études de marché