Taille du marché mondial des substrats SiC par type (substrats SiC semi-isolants, substrats SiC conducteurs), par application (informatique et grand public, éclairage LED, automobile, industrie), par portée géographique et prévisions

Taille et prévisions du marché des substrats SiC

La taille du marché des substrats SiC a été évaluée à 824,13 millions USD en 2024 et devrait atteindre 2414,33 millions USDmillions d'ici 2031, avec une croissance de TCAC de 14,38 % au cours de la période de prévision 2024-2031.

Le marché des substrats SiC a connu une augmentation massive au cours des dernières années en raison de la demande croissante d'appareils électroniques hautes performances dans diverses industries, notamment l'automobile, l'aérospatiale, les télécommunications et l'électronique de puissance. Le rapport sur le marché mondial des substrats SiC fournit une évaluation holistique. Français Le rapport analyse en profondeur les segments critiques, les contraintes, les moteurs, les tendances, le paysage concurrentiel et les facteurs qui jouent un rôle essentiel sur le marché.

Définition du marché mondial des substrats en SiC

Les substrats en SiC font référence aux plaquettes ou plaques de carbure de silicium utilisées comme matériau de base pour la fabrication de dispositifs électroniques tels que les dispositifs de puissance, RF et LED. Le carbure de silicium (SiC) est particulièrement adapté aux dispositifs semi-conducteurs avancés à haute puissance et haute fréquence qui fonctionnent bien au-delà des capacités des dispositifs en silicium ou en arséniure de gallium en raison de ses caractéristiques électriques et thermiques particulières. Le SiC est un matériau semi-conducteur à large bande interdite qui présente plusieurs avantages par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnels tels que le silicium, notamment une conductivité thermique, une tension de claquage et une mobilité électronique plus élevées.

Ces propriétés rendent les substrats SiC idéaux pour les applications à haute puissance et haute fréquence où les semi-conducteurs traditionnels peuvent ne pas être performants. Les substrats SiC sont disponibles en différentes tailles et épaisseurs, et leur production implique plusieurs étapes, notamment la croissance cristalline, la découpe de plaquettes, le polissage et le traitement de surface.

La méthode la plus couramment utilisée pour la production de substrats SiC est la méthode de transport physique de vapeur (PVT), qui consiste à chauffer un matériau source SiC dans un four pour produire des cristaux SiC qui sont ensuite découpés en plaquettes. Les substrats SiC ont plusieurs applications dans différentes industries, notamment l'automobile, l'aérospatiale, les télécommunications et l'électronique de puissance. Les substrats SiC dans ces industries devraient augmenter dans les années à venir en raison de leurs performances supérieures et de leur capacité à résister à des conditions de fonctionnement difficiles.

Aperçu du marché mondial des substrats SiC

Le marché des substrats SiC est déterminé par divers facteurs qui ont un impact sur la demande et la croissance du marché. Des facteurs tels que la demande croissante d'appareils électroniques économes en énergie et à hautes performances dans de nombreux secteurs stimulent la demande de substrats SiC. L'adoption croissante des véhicules électriques, des systèmes d'énergie renouvelable et des infrastructures de réseau intelligent devrait stimuler la demande de substrats SiC dans les années à venir. Le besoin croissant d'une densité de puissance et de températures de fonctionnement plus élevées dans les appareils électroniques est un autre moteur du marché des substrats SiC.

Les substrats SiC offrent une conductivité thermique supérieure et une meilleure résistance mécanique, ce qui les rend adaptés aux applications à haute puissance et à haute température. En outre, le développement de nouvelles technologies et de nouveaux procédés de fabrication pour les substrats SiC stimule également le marché. Les innovations dans les technologies de croissance cristalline et de traitement des plaquettes ont permis de produire des substrats SiC plus grands et de meilleure qualité à moindre coût, les rendant ainsi plus accessibles à une gamme d'applications plus large. De plus, la demande croissante de substrats SiC dans diverses industries offre des opportunités de croissance importantes pour les acteurs du marché. La croissance des véhicules électriques, des systèmes d'énergie renouvelable et de l'infrastructure de communication 5G devrait stimuler la demande de substrats SiC dans les années à venir. Le développement de nouvelles applications et de nouveaux appareils nécessitant des semi-conducteurs hautes performances est également une opportunité pour le marché des substrats SiC. Le développement de dispositifs de puissance, de dispositifs RF et de capteurs à base de SiC devrait stimuler la demande de substrats SiC à l'avenir. Cependant, le coût élevé des substrats SiC par rapport aux autres substrats traditionnels est l'une des principales contraintes du marché. Le coût de production élevé et la disponibilité limitée de matériaux sources SiC de haute qualité rendent les substrats SiC plus chers que les substrats traditionnels tels que le silicium. En outre, la complexité du processus de fabrication et les défis associés à l'augmentation de la production constituent une autre contrainte. La production de substrats SiC nécessite un équipement et une expertise spécialisés, ce qui rend difficile l'entrée de nouveaux acteurs sur le marché.

Attractivité du marché

L'image de l'attractivité du marché fournie aiderait en outre à obtenir des informations sur la région qui est principalement leader sur le marché des substrats SiC. Nous couvrons les principaux facteurs d'impact qui sont responsables de la croissance de l'industrie dans la région donnée.

Les cinq forces de Porter

L'image fournie aiderait en outre à obtenir des informations sur le cadre des cinq forces de Porter fournissant un plan pour comprendre le comportement des concurrents et le positionnement stratégique d'un acteur dans l'industrie concernée. Français Le modèle des cinq forces de Porter peut être utilisé pour évaluer le paysage concurrentiel du marché mondial des substrats en SiC, évaluer l'attractivité d'un certain secteur et évaluer les possibilités d'investissement.

Analyse de la segmentation du marché mondial des substrats en SiC

Le marché mondial des substrats en SiC est segmenté sur la base du type, de l'application et de la géographie.

Marché des substrats en SiC, Par type

• Substrats en SiC semi-isolants
• Substrats en SiC conducteurs

En fonction du type, le marché est divisé en substrats en SiC semi-isolants et substrats en SiC conducteurs. Le segment des substrats en SiC semi-isolants avait la plus grande part de revenus en 2021. Le SiC semi-isolant (SI SiC) peut être appliqué comme substrat pour fabriquer un transistor radiofréquence afin de renforcer ou de commuter des signaux électriques et de l'énergie. La plupart des applications SiC nécessitent une couche tampon ou une barrière de diffusion pour être mises en correspondance avec d'autres matériaux épitaxiaux.

Marché des substrats SiC, Par application

• Informatique et grand public
• Éclairage LED
• Automobile
• Industrie

En fonction de l'application, le marché est divisé en informatique et grand public, éclairage LED, automobile et industrie. Le segment de l'éclairage LED détenait une part de revenus importante sur le marché des substrats SiC en 2021. Pour produire une lumière de couleur différente, vous utilisez différents types de semi-conducteurs. Le nitrure d'indium et de gallium (InGaN), le carbure de silicium (SiC) et le séléniure de zinc (ZnSe) produisent des LED bleues. Français Le phosphure de gallium (GaP) et le nitrure de gallium (GaN) ont des LED vertes.

Marché des substrats en SiC, par géographie

• Amérique du Nord
• Europe
• Asie-Pacifique
• Amérique latine
• Moyen-Orient et Afrique

Sur la base de l'analyse régionale, le marché des substrats en SiC est classé en Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Amérique latine, Moyen-Orient et Afrique. Au cours de la période de prévision, la région nord-américaine devrait détenir une part importante du marché mondial des substrats en SiC en raison de la demande croissante de diverses industries d'utilisateurs finaux. En outre, le marché devrait dominer la région Asie-Pacifique. En tant que matériau principal de l'industrie des semi-conducteurs de troisième génération, le substrat en carbure de silicium a de grandes perspectives d'application et une grande valeur industrielle.

Il occupe une position stratégique importante dans le développement de l'industrie chinoise des semi-conducteurs. De plus, les pays développés d’Europe et des États-Unis dominent depuis très longtemps la technologie de base et le marché des substrats en carbure de silicium. Français Plus les spécifications techniques du produit sont avancées, plus le marché pour celui-ci est vaste et plus ses avantages techniques sont évidents.

Acteurs clés

Le rapport d'étude « Marché mondial des substrats en SiC » fournira des informations précieuses en mettant l'accent sur le marché mondial, y compris certains des principaux acteurs tels que Cree, Inc., Dow Corning Corporation, II-VI Incorporated, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, United Silicon Carbide, Inc., STMicroelectronics NV, Fuji Electric Co., Ltd., GeneSiC Semiconductor Inc., Microchip Technology Inc., Monolith Semiconductor, Inc., et Norstel AB.

Notre analyse de marché comporte également une section uniquement dédiée à ces principaux acteurs dans laquelle nos analystes fournissent un aperçu des états financiers de tous les principaux acteurs, ainsi qu'une analyse comparative des produits et une analyse SWOT. Français La section sur le paysage concurrentiel comprend également des stratégies de développement clés, des parts de marché et une analyse du classement du marché des acteurs mentionnés ci-dessus à l'échelle mondiale.

Principaux développements

• En juin 2021, Cree, Inc. a annoncé la vente de son activité de produits LED à SMART Global Holdings, Inc. afin de se concentrer davantage sur son activité Wolfspeed, qui comprend les substrats SiC et les dispositifs d'alimentation.

Analyse de la matrice Ace

La matrice Ace fournie dans le rapport aiderait à comprendre les performances des principaux acteurs clés impliqués dans cette industrie, car nous fournissons un classement pour ces entreprises en fonction de divers facteurs tels que les fonctionnalités et les innovations des services, l'évolutivité, l'innovation des services, la couverture de l'industrie, la portée de l'industrie et la feuille de route de croissance. Sur la base de ces facteurs, nous classons les entreprises en quatre catégories actives, de pointe, émergentes et innovatrices.

Périmètre du rapport

Méthodologie de recherche des études de marché

Pour en savoir plus sur la méthodologie de recherche et d'autres aspects de l'étude de recherche, veuillez contacter notre .

Raisons d'acheter ce rapport

• Analyse qualitative et quantitative du marché basée sur une segmentation impliquant à la fois des facteurs économiques et non économiques• Fourniture de données sur la valeur marchande (en milliards USD) pour chaque segment et sous-segment• Indique la région et le segment qui devraient connaître la croissance la plus rapide et dominer le marché• Analyse par géographie mettant en évidence la consommation du produit/service dans la région ainsi que les facteurs qui affectent le marché dans chaque région• Paysage concurrentiel qui intègre le classement du marché des principaux acteurs, ainsi que les lancements de nouveaux services/produits, les partenariats, les expansions commerciales et les acquisitions dans le