Marché de la mémoire flash NAND – Taille de l’industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions, 2018-2028, segmenté par type (SLC (un bit par cellule), MLC (deux bits par cellule), TLC (trois bits par cellule), QLC (Quad Level Cell)), par application (smartphone, SSD, carte mémoire, tablette, autres), par secteur vertical (électronique grand public, communication et technologie, aut
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarché de la mémoire flash NAND – Taille de l’industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions, 2018-2028, segmenté par type (SLC (un bit par cellule), MLC (deux bits par cellule), TLC (trois bits par cellule), QLC (Quad Level Cell)), par application (smartphone, SSD, carte mémoire, tablette, autres), par secteur vertical (électronique grand public, communication et technologie, aut
Le marché mondial de la mémoire flash NAND devrait proliférer au cours des prochaines années en raison de la demande croissante de technologies IoT et 5G et de l'adoption accrue des appareils mobiles. Les tendances macroéconomiques actuelles de l'intelligence artificielle (IA), de l'apprentissage automatique, de la mobilité et de la connectivité sont bénéfiques pour le marché de la mémoire flash NAND pour les années à venir, pour accroître la part du marché des semi-conducteurs. Avec l'essor des ordinateurs personnels (PC) et des smartphones, la mise en œuvre de la mémoire flash NAND monte en flèche, ce qui peut être attribué à l'augmentation de la capacité moyenne des appareils.
La mémoire flash NAND est une machine de stockage non polyvalente qui n'a pas besoin de puissance pour bloquer les données. La possibilité d'étude remplit diverses formes de mémoire flash NAND disponibles sur le marché, comme SLC, TLC, MLC et QLC développées sur différentes structures comme des constructions 2D ou 3D. La mémoire flash NAND enregistre les informations au fur et à mesure qu'elle se bloque et dépend des circuits électriques pour enregistrer les informations. Lorsque l'alimentation est déconnectée de la mémoire flash NAND, un métal-oxyde-semiconducteur fournira une charge supplémentaire à la cellule mémoire, ce qui permettra de stocker les données. Le métal-oxyde-semiconducteur utilisé est un FGT. Le FGT est similaire aux portes logiques NAND.
Selon les données rapportées par la société Micron Technology, Inc., le stockage flash NAND du smartphone moyen est de 43 Go, ce qui devrait augmenter considérablement dans les années à venir. En 2021, le stockage flash NAND du téléphone moyen avait atteint une valeur de 142 Go, les appareils phares ayant un téraoctet de stockage. Divers produits de consommation, tels que les tablettes et les appareils photo, les équipements et capteurs industriels, les systèmes automobiles et les appareils médicaux, dépendent de la mémoire flash, qui est intégrée à leurs processeurs qui stockent à la fois des données et du code.
La tendance vers le stockage basé sur le flash va évoluer à mesure que la demande de traitement de données massives pour les applications d'intelligence artificielle et d'apprentissage automatique augmente. L'épidémie de COVID-19 n'a pas eu d'impact significatif sur la production des fournisseurs de mémoire flash NAND basés en Chine. En effet, les usines sont hautement automatisées, ont de faibles besoins en main-d'œuvre et les opérateurs s'approvisionnent en matières premières avant le Nouvel An lunaire chinois. Les usines de fabrication de semi-conducteurs détenant des licences nationales spéciales, la production de la fonderie a été livrée aux clients en Chine. Cela leur permet d'expédier leurs produits dans toute la Chine, même dans les villes mises en quarantaine.
La demande accrue de centres de données alimente la croissance du marché
Le besoin croissant d'appareils de mémoire stimulé par le besoin de mémoire des centres de données devrait alimenter la croissance du marché de la MÉMOIRE FLASH NAND. De plus, le besoin de centres de données est stimulé par la demande croissante de performances énormes pour l'informatique et l'informatique de pointe, les applications cloud et le big data.
L'expansion de l'utilisation de la 5G et de l'IoT stimule la croissance du marché
L'adoption croissante de l'apprentissage automatique et de l'intelligence artificielle (IA) incite les fournisseurs à choisir des capacités de données substantielles plus rapides et plus rapides. Français L'essor de la technologie a été complété par l'adoption rapide du travail à distance et des cours éducatifs, ainsi que par l'aide médicale en ligne au moment de la pandémie.
La consommation croissante dans l'industrie électronique stimule la croissance du marché
L'épidémie de COVID-19 devrait avoir un impact significatif sur le secteur des appareils électroniques, car la Chine est un important fournisseur de matières premières et de produits finis. La production a été réduite, la chaîne d'approvisionnement a été perturbée et les prix ont été volatils. Pendant cette période, les ventes des principales entreprises d'électronique ont été affectées. Les restrictions de voyage sur les personnes et les marchandises ont entravé la croissance du marché à court terme. De plus, comme les dispositifs de mémoire flash NAND consomment moins d'énergie, ils sont très demandés par les fabricants d'électronique. Le décodage dans les clés USB NAND est plus rapide que dans les clés USB NOR. La demande croissante de densité surfacique relativement élevée a incité les fabricants de l'industrie électronique à intégrer la technologie 3D dans les puces de mémoire NAND.
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Segmentation du marché
Profils d'entreprise
Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Power chip Technology Corporation, Fujitsu Limited,
| Attribut | Détails |
| Année de base | 2022 |
| Années historiques | 2018 – 2021 |
| Estimation Année | 2023 |
| Période de prévision | 2024 – 2028 |
| Unités quantitatives | Chiffre d'affaires en milliards USD et TCAC pour 2018-2022 et 2023E-2028F |
| Couverture du rapport | Prévisions de revenus, part de marché de l'entreprise, paysage concurrentiel, facteurs de croissance et tendances |
| Segments couverts | Type Application Secteur vertical Région |
| Portée régionale | Asie-Pacifique, Amérique du Nord, Europe, Moyen-Orient et Afrique et Amérique du Sud |
| Périmètre du pays | Chine, Japon, Inde, Australie, Corée du Sud, États-Unis, Canada, Mexique, Royaume-Uni, Allemagne, France, Espagne, Italie, Israël, Turquie, Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Brésil, Argentine, Colombie |
| Principales sociétés présentées | Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Powerchip Technology Corporation, Fujitsu Limited |
| Étendue de la personnalisation | 10 % de personnalisation gratuite du rapport à l'achat. Ajout ou modification de paramètres de pays, de région et Portée du segment. |
| Options de tarification et d'achat | Bénéficiez d'options d'achat personnalisées pour répondre exactement à vos besoins de recherche. Découvrez les options d'achat |
| Format de livraison | PDF et Excel par e-mail (nous pouvons également fournir la version modifiable du rapport au format PPT/pdf sur demande spéciale) |
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