Marché des dispositifs d'alimentation GaN - Taille de l'industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions 2018-2028, segmenté par type d'appareil (puissance vs puissance RF), par plage de tension (< 200 volts, 200-600 volts et > 600 volts), par application (pilotes de puissance, alimentation et onduleur et radiofréquence), par utilisateur final (télécommunications, industrie, automob

Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format

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Marché des dispositifs d'alimentation GaN - Taille de l'industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions 2018-2028, segmenté par type d'appareil (puissance vs puissance RF), par plage de tension (< 200 volts, 200-600 volts et > 600 volts), par application (pilotes de puissance, alimentation et onduleur et radiofréquence), par utilisateur final (télécommunications, industrie, automob

Le marché des dispositifs d'alimentation GaN devrait augmenter au cours de la période de prévision en raison de facteurs tels que la baisse des prix des dispositifs GaN, l'utilisation croissante de la charge sans fil et la durabilité croissante du GaN dans les applications RF.

Le GaN (nitrure de gallium) est un matériau semi-conducteur composite utilisé dans les dispositifs d'alimentation de nouvelle génération. Il devrait être largement adopté en raison de ses propriétés améliorées par rapport aux dispositifs en silicium, telles que ses caractéristiques haute fréquence exceptionnelles. De plus, en raison de ses propriétés de commutation plus élevées et de sa résistance à l'état passant inférieure à celles des dispositifs en silicium, les dispositifs GaN devraient contribuer à une consommation d'énergie plus faible et à une plus grande miniaturisation de diverses alimentations électriques et à la miniaturisation des composants périphériques.

Augmentation du besoin d'améliorer les performances sur le champ de bataille dans l'industrie de la défense

Une meilleure connaissance des divers équipements de défense, tels que les radars, les satellites et les missiles, pour améliorer le fonctionnement du champ de bataille, est considérée comme un facteur essentiel pour le secteur de la défense. Par conséquent, un niveau élevé d'intégration est essentiel entre les systèmes de communication radar et les appareils de guerre électronique utilisés dans l'armée. L'industrie de la défense exige un niveau extrêmement élevé de fiabilité à long terme pour ses missions. Les dispositifs d'alimentation GaN offrent des performances robustes dans des environnements critiques pour de multiples applications, notamment les systèmes avioniques, les satellites et les véhicules de combat. Les dispositifs d'alimentation GaN ont grandement bénéficié à l'industrie de la défense en raison de leur tension de claquage élevée et de leur capacité de dissipation thermique rapide. Dans le secteur militaire et de la défense, le matériau GaN est principalement utilisé dans les transistors à haute mobilité électronique (HEMT), qui sont essentiels pour les opérations à haute fréquence. Ainsi, l'exigence de performances améliorées sur le champ de bataille est susceptible d'alimenter le développement de dispositifs d'alimentation GaN dans un avenir proche.

Augmentation de l'installation de dispositifs GaN dans les véhicules électriques

Les modules d'alimentation sont une caractéristique courante des véhicules électriques car ils permettent un fonctionnement du moteur à haute tension, ce qui réduit les fuites de courant entre les bornes du collecteur et de l'émetteur et augmente la fréquence de décalage. En outre, des dispositifs de gestion de l'énergie sont nécessaires pour les systèmes de batteries haute tension des véhicules électriques et hybrides afin de gérer l'énergie de la batterie aux moteurs. En conséquence, l'utilisation de dispositifs GaN est en augmentation, ce qui alimente à son tour l'expansion du marché. De plus, les ventes de véhicules électriques ont considérablement augmenté à l'heure actuelle. On estime que cela présentera une opportunité rentable d'expansion du marché.

Initiatives gouvernementales dans le domaine du HVDC et du réseau intelligent

Les systèmes de transmission d'énergie électrique à courant continu haute tension (HVDC) et les réseaux intelligents sont deux domaines dans lesquels les dispositifs d'alimentation GaN sont utilisés. Ils offrent un meilleur équilibrage de charge, une topologie de réseau plus flexible et des capacités de dépannage en temps réel. La haute tension peut être contrôlée par des dispositifs d'alimentation car elle rend la commutation haute fréquence plus efficace. Les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC), qui réduisent les pertes de puissance, utilisent également des modules d'alimentation. Dans les systèmes HVDC, les convertisseurs utilisant des modules de dispositifs d'alimentation GaN sont donc fréquemment utilisés. Français De plus, les gouvernements de nombreux pays, dont la Chine, le Japon et les États-Unis, font des investissements importants dans la technologie des réseaux intelligents pour moderniser leurs réseaux électriques. Par conséquent, on s'attend à ce que tous ces facteurs alimentent de manière significative l'expansion du marché mondial des dispositifs d'alimentation GaN.

Segments de marché

Le marché mondial des dispositifs d'alimentation GaN est segmenté en fonction du type d'appareil, de l'application de la plage de tension, de l'utilisateur final et de la région. En fonction du type d'appareil, le marché est encore segmenté en puissance et puissance RF. En fonction de la plage de tension, le marché est segmenté en < 200 volts, 200-600 volts et > 600 volts. En fonction de l'application, le marché est segmenté en pilotes de puissance, alimentation et onduleur et radiofréquence. En fonction de l'utilisateur final, le marché est segmenté en télécommunications, industrie, automobile, énergies renouvelables et autres.


MIR Segment1

Acteurs du marché

Développements récents

En 2022, Gallium Semiconductor a dévoilé son large portefeuille de produits de transistors de puissance RF lors de la conférence European Microwave Week 2022. Gallium Semiconductor présente une grande variété de solutions GaN pour l'infrastructure 5G, l'aérospatiale et la défense, la sécurité publique et les applications industrielles, scientifiques et médicales.

En juillet 2022, GaN Systems, Inc. et PowerSphyr Inc. offrent aux clients industriels et automobiles un moyen simple d'obtenir les solutions d'alimentation sans fil les plus compactes avec des performances et un prix abordables de pointe. Ceci est associé à des niveaux nouveaux et améliorés de service et d'assistance à la clientèle.

Attribut

Détails

Année de base

2022

Données historiques

2018 â€“ 2022

Année estimée

2023

Période de prévision

2024 – 2028

Unités quantitatives

Chiffre d'affaires en millions USD et TCAC pour 2018-2022 et 2023-2028

Couverture du rapport

Prévisions de revenus, part de marché de l'entreprise, facteurs de croissance et tendances

Segments couverts

Par type d'appareil

Par plage de tension

Par application

Par utilisateur final

Par région

Portée régionale

Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Amérique du Sud, Moyen-Orient et Afrique

Périmètre du pays

États-Unis, Canada, Mexique, Royaume-Uni, Allemagne, France, Italie, Espagne, Chine, Japon, Corée du Sud, Australie, Inde, Brésil, Argentine, Colombie, Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Irak, Afrique du Sud

Principales entreprises présentées

Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors, GaN Systems, Wolfspeed, Inc., Infineon Technologies AG, EPISTAR Corporation, Rohm Co., Ltd., On Semiconductor Corporation, Qorvo, Inc, MACOM Technology Solutions Holdings Inc

Portée de la personnalisation

Personnalisation gratuite du rapport à 10 % avec l'achat. Ajout ou modification de paramètres de pays, de région et Portée du segment.

Options de tarification et d'achat

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