Marché des MOSFET de puissance – Taille de l’industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions, segmenté par type (mode d’épuisement et mode d’amélioration), par débit de puissance (haute puissance, moyenne puissance et faible puissance), par type de canal (canal N et canal P), par application (énergie et puissance, onduleur et onduleur, électronique grand public, automobile, industr
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarché des MOSFET de puissance – Taille de l’industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions, segmenté par type (mode d’épuisement et mode d’amélioration), par débit de puissance (haute puissance, moyenne puissance et faible puissance), par type de canal (canal N et canal P), par application (énergie et puissance, onduleur et onduleur, électronique grand public, automobile, industr
| Période de prévision | 2024-2028 |
| Taille du marché (2022) | 25,34 milliards USD |
| TCAC (2023-2028) | 5,68 % |
| Segment à la croissance la plus rapide | Industriel |
| Marché le plus important | Amérique du Nord |
Le marché mondial des MOSFET (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est
Un MOSFET de puissance est conçu pour gérer des niveaux de puissance importants. Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) ou thyristor, deux autres dispositifs semi-conducteurs de puissance, offrent des avantages similaires en termes de vitesse de commutation et d'efficacité à basse tension. Il partage une grille isolée avec l'IGBT, ce qui le rend simple à piloter. Ils peuvent avoir un faible gain, parfois au point où la tension de grille doit être supérieure à la tension de commande.
L'électronique d'aujourd'hui possède de nombreuses fonctionnalités qui aident les clients à se sentir plus à l'aise et à vendre plus. Les normes de sécurité des consommateurs ont été relevées et de nouvelles opportunités commerciales pour l'électronique et les appareils améliorés sont apparues grâce aux avancées technologiques dans les composants électroniques, tels que les téléphones portables, les ordinateurs, la communication sans fil et les systèmes cloud, entre autres. Le MOSFET de puissance a un potentiel critique en raison des améliorations rapides de l'innovation, de la productivité accrue et de la petite taille des composants électroniques. De plus, le nano-régulateur est fondamental pour gérer les cycles avec une perte d'énergie minimale. On s'attend à ce que la coordination de divers gadgets électroniques offre aux acteurs du marché de nombreuses possibilités.
Accent accru sur les économies d'énergie
Il est prévu de faire face à des problèmes d'énergie à l'avenir car les combustibles fossiles s'épuisent rapidement. Il n'est pas surprenant que la conservation de l'énergie reçoive de plus en plus d'attention. Un MOSFET est un composant de commutation utilisé dans la gestion des véhicules électriques, un onduleur et une alimentation électrique. Les MOSFET sont fréquemment utilisés dans les environnements industriels avec de faibles fréquences de commutation. L'accent croissant mis sur l'efficacité énergétique et les sources renouvelables a fait de cette industrie la sienne. On s'attend à ce que l'énergie renouvelable avec le plus grand nombre d'installations constitue une plus grande partie du module de puissance. Ainsi, ces facteurs devraient favoriser le
L'utilisation généralisée des MOSFET de puissance dans les semi-conducteurs stimule le marché mondial des MOSFET de puissance
Les MOSFET sont les semi-conducteurs les plus couramment utilisés dans les circuits complexes et simples, ainsi que les dispositifs de puissance les plus fréquemment utilisés. C'est le premier petit semi-conducteur, capable d'être réduit et fabriqué efficacement pour de nombreuses applications. La mise à l'échelle et la contraction des MOSFET ont favorisé le développement rapide et remarquable de la technologie des semi-conducteurs électroniques, permettant des circuits intégrés (CI) de grande épaisseur, tels que les puces mémoire et les micropuces.
Le MOSFET de puissance est le dispositif de puissance le plus utilisé au monde. Les MOSFET ont l'avantage sur les semi-conducteurs bipolaires dans les équipements de puissance car ils n'ont pas besoin d'une progression constante du courant de commande pour rester à l'état ON, offrent des vitesses de commutation plus importantes, des pertes de puissance de commutation inférieures, des protections de mise à l'état passant inférieures et sont moins susceptibles de chauffer de manière incontrôlable. Les MOSFET de puissance ont un impact sur l'alimentation électrique, en tenant compte des fréquences de travail plus importantes, de la taille et du poids réduits et de la production en plus grand volume. Ainsi, il devrait stimuler la croissance du marché mondial des MOSFET de puissance.
Les machines d'aujourd'hui sont extrêmement flexibles, minimales et productives dans ce qu'elles sont censées faire, à tel point qu'elles ont pris le contrôle d'une tonne d'exercices qui étaient effectués physiquement. Le marché des machines et des équipements électroniques devrait continuer à croître ou croître plus rapidement que la demande dans les années à venir. La majorité des machines gèrent l'énergie avec des MOSFET de puissance. Le module MOSFET est fréquemment utilisé pour les opérations de commutation de tension, et il existe environ 78 124 gigawatts (GW) d'installations éoliennes et solaires dans le monde. La dépendance croissante à l'égard des machines et équipements électriques, qui profite directement aux MOSFET de puissance, est l'un des principaux facteurs influençant le marché mondial des MOSFET de puissance.
La demande croissante de composants pour véhicules électriques va propulser la croissance du marché mondial des MOSFET de puissance
Le marché mondial des MOSFET de puissance devrait se développer au cours de la période de prévision en raison des initiatives gouvernementales visant à offrir des réductions d'impôt et des subventions pour encourager l'utilisation de véhicules à faible autonomie et à zéro émission dans le monde entier. Le marché mondial devrait également être stimulé par l'augmentation des investissements dans la création de stations de ravitaillement en hydrogène et de recharge pour véhicules électriques. En outre, il est prévu que le marché mondial bénéficiera d'une baisse du prix des batteries de véhicules électriques en raison de leur production à grande échelle et des avancées technologiques en cours. Un autre facteur important qui pourrait propulser le marché mondial est la forte demande d'équipements et de composants pour véhicules électriques tels que les chargeurs portables, les adaptateurs, les connecteurs et les câbles de charge.
Les limitations d'exploitation et les coûts élevés devraient entraver la croissance du marché mondial des MOSFET de puissance
Des limitations telles que la panne causée par l'oxyde de grille, la tension drain-source, le courant de drain maximal et la température empêchent ce marché de se développer. En raison de sa finesse, l'oxyde de grille a une limite de panne peu profonde. La durée de vie du MOSFET est encore raccourcie par une tension grille-source élevée, ce qui a peu ou pas d'effet sur la réduction. Le MOSFET a également besoin d'une mesure particulière de la tension et du courant canal-source ; une panne peut survenir rapidement si ces exigences ne sont pas respectées.
De plus, les MOSFET de puissance ont tendance à fuir le courant, ce qui a un impact sur la croissance de leur marché. Les coûts d'installation élevés des MOSFET de puissance peuvent limiter l'expansion du marché car ce composant augmente les prix des véhicules. En raison des nombreux composants technologiques du véhicule, son entretien est difficile et nécessite du personnel qualifié. La durée de vie des systèmes aux architectures complexes est plus courte. Par conséquent, on suppose que les facteurs mentionnés ci-dessus devraient entraver la croissance du marché mondial des MOSFET de puissance.
Dernier développement
- En mars 2022, les MOSFET SiC 3,3 kV à plus faible résistance à la coupure et les SBD SiC à courant nominal le plus élevé du secteur ont été lancés par Microchip Technology Inc., permettant aux concepteurs de profiter de la robustesse, de la fiabilité et des performances. Les concepteurs disposent désormais des outils dont ils ont besoin pour créer des solutions plus légères, plus petites et plus efficaces pour les transports électrifiés, les énergies renouvelables, l'aérospatiale et les applications industrielles, grâce à l'expansion du portefeuille SiC de Microchip. Les MOSFET et SBD 3,3 kV proposés par Microchip font partie de la vaste gamme de solutions SiC de la société, qui comprend également des matrices, des composants discrets, des modules et des pilotes de grille numériques pour des tensions de 700 V, 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET de 25 mOhm et les SBD avec le courant nominal le plus élevé du secteur, soit 90 ampères, font partie des dispositifs d'alimentation SiC 3,3 kV fabriqués par Microchip. Les SBD et les MOSFET peuvent être achetés sous forme de matrices ou de packages. Grâce à ces nouveaux niveaux de performances, les concepteurs peuvent simplifier leurs conceptions, créer des systèmes plus puissants et utiliser moins de composants parallèles pour créer des solutions d'alimentation plus petites, plus légères et plus efficaces.
Segmentation du marché
Les
Acteurs du marché
Les principaux acteurs
du marché mondial des MOSFET de puissance sont Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd. et Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.| Attribut | Détails |
| Année de base | 2022 |
| Données historiques | 2018– 2022 |
| Année estimée | 2023 |
| Période de prévision | 2024 – 2028 |
| Unités quantitatives | Chiffre d'affaires en millions USD et TCAC pour 2018-2022 et 2023-2028 |
| Rapport Couverture | Prévisions de revenus, part de marché de l'entreprise, facteurs de croissance et tendances |
| Segments couverts | Type Débit de puissance Type de canal Application Région |
| Portée régionale | Amérique du Nord, Asie-Pacifique, Europe, Amérique du Sud, Moyen-Orient et Afrique |
| Périmètre du pays | États-Unis, Canada, Mexique, Chine, Inde, Japon, Corée du Sud, Australie, Allemagne, Royaume-Uni, France, Italie, Espagne, Brésil, Argentine, Colombie, Arabie saoudite, Afrique du Sud, Émirats arabes unis |
| Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. | |
| Portée de la personnalisation | Personnalisation gratuite du rapport à 10 % à l'achat. Ajout ou modification de paramètres de pays, de région et Portée du segment. |
| Options de tarification et d'achat | Profitez d'options d'achat personnalisées pour répondre exactement à vos besoins de recherche. Découvrez les options d'achat |
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