Marché des appareils TSV 3D – Taille de l’industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions segmentées par produit (mémoire, MEMS, capteurs d’image CMOS, imagerie et optoélectronique et conditionnement LED avancé), application (secteur de l’électronique grand public, secteur des technologies de l’information et de la communication, secteur automobile, secteur militaire, aérospatial e
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarché des appareils TSV 3D – Taille de l’industrie mondiale, part, tendances, opportunités et prévisions segmentées par produit (mémoire, MEMS, capteurs d’image CMOS, imagerie et optoélectronique et conditionnement LED avancé), application (secteur de l’électronique grand public, secteur des technologies de l’information et de la communication, secteur automobile, secteur militaire, aérospatial e
| Période de prévision | 2024-2028 |
| Taille du marché (2022) | 7,68 milliards USD |
| TCAC (2023-2028) | 5,93 % |
| Segment à la croissance la plus rapide | Emballage LED |
| Marché le plus important | Asie-Pacifique |
Aperçu du marché
Le marché mondial des appareils TSV 3D est évalué à 7,68 milliards USD en 2022 et devrait connaître une croissance robuste au cours de la période de prévision avec un TCAC de 5,93 % jusqu'en 2028. La demande croissante de miniaturisation des appareils électroniques stimule la croissance du marché des TSV 3D. Ces produits peuvent être obtenus par intégration de systèmes hétérogènes, ce qui peut donner un conditionnement avancé plus fiable. Avec des capteurs MEMS extrêmement petits et des composants électroniques conditionnés en 3D, il est possible de placer des capteurs pratiquement n'importe où et de surveiller des équipements dans des environnements difficiles, en temps réel, afin d'accroître la fiabilité et la disponibilité.
La TSV 3D dans une mémoire vive dynamique (DRAM) qui stocke chaque bit de données dans un minuscule condensateur séparé au sein d'un circuit intégré propulse la croissance du marché des TSV 3D. La DRAM 3D de Micron avec DRAM repensée permet d'obtenir des améliorations significatives en termes de puissance et de synchronisation, ce qui contribue à développer une modélisation thermique avancée.
Principaux moteurs du marché
Miniaturisation et exigences de performances plus élevées
La miniaturisation et les exigences de performances plus élevées sont des moteurs fondamentaux qui propulsent la croissance du marché mondial des dispositifs TSV 3D (Through-Silicon Via). Cette dynamique est au cœur de l'évolution technologique, façonnant les industries allant de l'électronique grand public aux centres de données et au-delà . Dans le domaine de l'électronique grand public, il existe un appétit insatiable pour des appareils plus élégants, plus compacts et pourtant incroyablement puissants. Les consommateurs exigent des smartphones, des tablettes et des objets connectés qui sont non seulement attrayants visuellement, mais également capables de gérer des tâches de plus en plus sophistiquées. Cette demande a poussé les fabricants à rechercher des solutions innovantes, et la technologie 3D TSV est apparue comme un élément révolutionnaire. En empilant verticalement plusieurs puces, les TSV permettent aux fabricants de réduire considérablement l'empreinte physique des appareils tout en améliorant simultanément leurs performances. Cette synergie parfaite répond aux désirs des consommateurs en matière de style et de contenu.
Cette tendance s'étend au-delà des gadgets grand public aux centres de données, où prévaut la soif insatiable de puissance de traitement et de capacité de mémoire. Alors que les entreprises sont aux prises avec des volumes de données en constante augmentation et le besoin d'analyse rapide, l'importance des appareils 3D TSV devient évidente. Ces appareils offrent la possibilité d'empiler des composants de mémoire et de traitement, augmentant ainsi la densité de mémoire et la bande passante. Dans les centres de données, où l'espace est limité et l'efficacité énergétique cruciale, le format compact et la consommation d'énergie réduite du TSV 3D s'avèrent inestimables.
De plus, les applications de calcul haute performance (HPC) et d'intelligence artificielle (IA) s'appuient de plus en plus sur la technologie TSV 3D. Ces domaines exigent des capacités de calcul exceptionnelles, et les TSV 3D facilitent l'intégration de puces spécialisées telles que les GPU et les FPGA pour une puissance de traitement inégalée. En conclusion, la miniaturisation et les exigences de performances plus élevées ne sont pas de simples tendances, mais des attentes durables dans notre monde axé sur la technologie. Le marché mondial des appareils TSV 3D répond non seulement à ces attentes, mais propulse également l'innovation dans l'électronique, le traitement des données et l'IA. Alors que la demande d'appareils plus petits, plus puissants et plus économes en énergie continue d'augmenter, la technologie 3D TSV constitue un élément essentiel du progrès, garantissant que nos appareils continuent de devenir plus intelligents et plus performants tout en tenant dans la paume de nos mains.
Demande croissante de solutions de mémoire
La demande croissante de solutions de mémoire est une force puissante qui stimule la croissance du marché mondial des appareils 3D TSV (Through-Silicon Via). Cette demande est alimentée par divers facteurs, notamment l'explosion des données à l'ère numérique, la croissance du cloud computing et la sophistication toujours croissante de l'électronique grand public. L'un des principaux moteurs de la demande de solutions de mémoire est la nature centrée sur les données de la société moderne. Nous générons et consommons des données à un rythme sans précédent, sous l'effet d'activités telles que le streaming en ligne, les médias sociaux, le commerce électronique et les appareils IoT. Ces données doivent être stockées et traitées efficacement, et la technologie 3D TSV offre une solution convaincante. En empilant verticalement les modules de mémoire à l'aide de TSV, les fabricants peuvent augmenter considérablement la densité de mémoire dans un encombrement physique plus petit. Cela est particulièrement crucial pour les centres de données et les fermes de serveurs, où l'espace est limité et l'efficacité énergétique est une priorité absolue.
Le cloud computing, qui sous-tend de nombreux services et applications en ligne, s'appuie fortement sur des solutions de mémoire pour fournir un accès rapide aux données et aux applications. Les appareils TSV 3D permettent aux fournisseurs de cloud d'optimiser l'infrastructure de leur centre de données en intégrant davantage de capacité de mémoire dans leurs racks de serveurs. Cela améliore non seulement les performances des services cloud, mais réduit également les coûts opérationnels en nécessitant moins d'espace physique et d'énergie. En outre, les appareils électroniques grand public, notamment les smartphones, les tablettes et les consoles de jeu, nécessitent de plus en plus de mémoire. Les consommateurs s'attendent à ce que les appareils disposent d'une capacité de stockage importante pour stocker des photos, des vidéos, des applications et des jeux. La technologie TSV 3D permet aux fabricants d'intégrer davantage de mémoire dans ces appareils tout en conservant un format compact. Cela est particulièrement important sur le marché concurrentiel de l'électronique grand public, où les appareils fins et hautes performances sont très demandés.
De plus, l'industrie automobile connaît une augmentation des besoins en mémoire à mesure que les véhicules deviennent plus connectés et autonomes. Les dispositifs 3D TSV peuvent répondre aux exigences des systèmes avancés d'assistance à la conduite (ADAS) et des systèmes de divertissement embarqués, améliorant à la fois la sécurité et l'expérience utilisateur. En conclusion, la demande croissante de solutions de mémoire est un facteur multiforme qui touche divers secteurs et applications. La technologie 3D TSV joue un rôle essentiel pour répondre à ces exigences en offrant des densités de mémoire plus élevées, une bande passante améliorée et des solutions peu encombrantes. Alors que notre dépendance aux applications gourmandes en données et en mémoire continue de croître, le marché mondial des dispositifs 3D TSV est bien placé pour une expansion soutenue.
Applications de calcul haute performance (HPC) et d'IA
Les applications de calcul haute performance (HPC) et d'intelligence artificielle (IA) sont sur le point de devenir des moteurs importants de la croissance du marché mondial des dispositifs 3D TSV (Through-Silicon Via). Ces technologies transformatrices ont un appétit insatiable pour la puissance de calcul, la bande passante mémoire et l'efficacité énergétique, qui sont tous considérablement améliorés par la technologie 3D TSV. Dans le domaine du HPC, où les simulations complexes, la recherche scientifique et l'analyse de données exigent d'immenses capacités de calcul, les dispositifs 3D TSV deviennent indispensables. Ces dispositifs permettent l'empilement vertical de plusieurs puces, notamment des processeurs hautes performances et des modules de mémoire, dans un seul boîtier. Cette intégration offre plusieurs avantages, notamment une longueur d'interconnexion réduite, qui se traduit par un transfert de données plus rapide et une latence plus faible. Pour les applications HPC, où les microsecondes peuvent faire la différence, cette réduction de la surcharge de communication change la donne. En outre, la densité de mémoire et la bande passante accrues fournies par les TSV 3D contribuent à un accès plus rapide aux données, essentiel pour gérer des ensembles de données massifs et exécuter efficacement des calculs complexes.
Les applications d'IA, notamment l'apprentissage automatique et l'apprentissage profond, sont une autre force motrice derrière l'adoption de la technologie TSV 3D. La formation des modèles d'IA implique de grandes quantités de données et des calculs matriciels complexes. Pour accélérer ces opérations, du matériel spécialisé tel que des GPU et des TPU est intégré aux processeurs traditionnels. Les TSV 3D permettent le couplage étroit de ces composants, réduisant ainsi les goulots d'étranglement du transfert de données et améliorant l'efficacité globale de la formation de l'IA. De plus, le format compact des dispositifs 3D TSV répond aux exigences des déploiements d'IA dans les systèmes informatiques de pointe et autonomes, où les contraintes d'espace sont courantes. De plus, comme l'IA trouve des applications dans divers secteurs, des soins de santé aux véhicules autonomes, la demande d'appareils équipés de TSV 3D est sur le point de croître dans de nombreux secteurs.
En conclusion, les applications HPC et IA sont à la pointe du progrès technologique, et la technologie 3D TSV sert de catalyseur à leur évolution continue. La possibilité d'empiler des puces et de la mémoire hautes performances dans un format compact augmente non seulement les capacités de calcul, mais contribue également à l'efficacité énergétique, une considération essentielle dans ces domaines gourmands en énergie. À mesure que ces technologies se généralisent, le marché mondial des dispositifs 3D TSV est bien placé pour une croissance soutenue, favorisant l'innovation et l'efficacité dans un large éventail d'applications.
Principaux défis du marché
Processus de fabrication complexes
Les processus de fabrication complexes associés aux dispositifs 3D TSV (Through-Silicon Via) constituent un obstacle important à l'adoption et à la croissance généralisées du marché mondial des dispositifs 3D TSV. Ces processus complexes impliquent plusieurs étapes et technologies complexes, qui peuvent entraver l'efficacité de la production, augmenter les coûts et poser des défis aux fabricants. Complexité technologique La fabrication de dispositifs 3D TSV implique plusieurs processus sophistiqués, notamment la manipulation de plaquettes minces, le collage de plaquettes, la gravure TSV, l'amincissement de la face arrière et la microfabrication. Chacune de ces étapes nécessite un équipement, des matériaux et une expertise spécialisés. La nature complexe de ces processus les rend plus sujets aux erreurs et aux défis, nécessitant un personnel qualifié et un contrôle qualité méticuleux.
Équipement à forte intensité de capital la mise en place d'une usine de fabrication 3D TSV nécessite des investissements substantiels dans des machines et des équipements spécialisés. Les dépenses d'investissement peuvent constituer un obstacle important à l'entrée pour les petites entreprises ou les startups, limitant la concurrence sur le marché et l'innovation. De plus, la maintenance et les mises à niveau continues de ces machines contribuent aux coûts d'exploitation. Matériaux et chaîne d'approvisionnement les processus 3D TSV nécessitent des matériaux spécifiques, notamment des plaquettes de silicium avancées, des matériaux diélectriques et des matériaux de liaison. Il est essentiel de garantir une chaîne d'approvisionnement fiable pour ces matériaux, et toute perturbation peut entraîner des retards de production et une augmentation des coûts.
Gestion du rendement l'obtention de rendements élevés (le pourcentage de dispositifs sans défaut) est primordiale dans la fabrication de semi-conducteurs. En raison de la complexité des processus 3D TSV, il peut être difficile de garantir des taux de rendement constamment élevés. Les dispositifs défectueux entraînent une augmentation des coûts de production, un gaspillage de ressources et des retards dans la livraison des produits. Les fabricants doivent investir dans des systèmes rigoureux de contrôle qualité et de détection des défauts pour minimiser les pertes de rendement. Variation des processus la variabilité des processus de fabrication peut entraîner une qualité de produit inégale. Cela est particulièrement critique dans les industries où la fiabilité et les performances sont essentielles, comme l'aérospatiale et l'automobile. La gestion et la réduction des variations de processus nécessitent une surveillance et une optimisation continues.
Délai de mise sur le marché la nature complexe des processus de fabrication 3D TSV peut entraîner des cycles de développement et des délais de mise sur le marché plus longs. Dans les industries en évolution rapide, telles que l'électronique grand public et les télécommunications, les retards dans la mise sur le marché des produits peuvent nuire à la compétitivité d'une entreprise. Défis de mise à l'échelle augmenter la production pour répondre à la demande croissante tout en maintenant la qualité et la cohérence peut être un défi. Les fabricants doivent trouver des moyens d'optimiser les processus et de contrôler les coûts à mesure que les volumes de production augmentent.
Protection de la propriété intellectuelle la protection de la propriété intellectuelle dans l'industrie des semi-conducteurs est cruciale. Cependant, la complexité des processus 3D TSV peut rendre difficile la protection des technologies et des conceptions propriétaires. Pour surmonter ces défis, l'industrie continue d'investir dans des efforts de recherche et développement visant à rationaliser les processus de fabrication, à améliorer les taux de rendement et à réduire les coûts. La collaboration entre les acteurs de l'industrie et le développement de processus standardisés peuvent également aider à atténuer ces obstacles. Si la complexité de la fabrication 3D TSV reste un défi important, les avantages potentiels en termes de performances et de miniaturisation continuent de stimuler l'innovation et l'investissement dans ce domaine.
Gestion des coûts et du rendement
La gestion des coûts et du rendement représente un défi important sur le marché mondial des dispositifs 3D TSV (Through-Silicon Via), posant des obstacles potentiels à l'adoption généralisée et à la rentabilité pour les fabricants. Ces défis sont intimement liés et ont un impact sur divers aspects de l'industrie. Coûts de fabrication élevés L'un des principaux défis du marché 3D TSV est le coût substantiel associé à la fabrication. Le processus implique plusieurs étapes complexes, notamment la manipulation de plaquettes minces, le collage de plaquettes, la gravure TSV et l'amincissement de la face arrière, qui nécessitent chacune un équipement et des matériaux spécialisés. Les dépenses d'investissement initiales nécessaires à la mise en place d'une usine de fabrication de TSV 3D sont substantielles, ce qui dissuade certaines entreprises d'entrer sur le marché. Ces coûts de fabrication élevés peuvent également se traduire par des prix plus élevés pour les dispositifs TSV 3D, limitant potentiellement leur adoption sur les marchés sensibles aux coûts.
Gestion du rendement atteindre des taux de rendement élevés dans la production de TSV 3D est essentiel pour la rentabilité. Le rendement fait référence au pourcentage de dispositifs sans défaut dans une série de production. Étant donné la complexité du processus de fabrication, il peut être difficile de garantir des rendements constamment élevés. Les dispositifs défectueux entraînent un gaspillage de ressources, une augmentation des coûts de production et un retard potentiel de mise sur le marché. Les fabricants doivent investir dans des mesures de contrôle qualité rigoureuses et des systèmes de détection des défauts pour minimiser les pertes de rendement. Tout problème lié au rendement peut éroder les marges bénéficiaires et nuire à la compétitivité du marché. Économies d'échelle les défis liés aux coûts et aux rendements sont amplifiés lors de l'augmentation de la production. À mesure que la demande de dispositifs TSV 3D augmente, les fabricants doivent trouver des moyens de maintenir des rendements élevés tout en produisant des volumes plus importants. La réalisation d'économies d'échelle, qui conduisent généralement à des coûts de production unitaires inférieurs, peut s'avérer difficile en raison de la nature complexe de la fabrication 3D TSV.
Progrès technologiques L'industrie des semi-conducteurs se caractérise par des avancées technologiques rapides. À mesure que la technologie évolue, les fabricants doivent continuellement investir dans la recherche et le développement pour améliorer les taux de rendement et réduire les coûts de production. Le fait de prendre du retard en matière d'innovation technologique peut placer les entreprises dans une situation de désavantage concurrentiel. Pressions concurrentielles Sur un marché concurrentiel, les entreprises sont soumises à une pression constante pour fournir des produits innovants à des prix compétitifs. Les fabricants qui ne parviennent pas à gérer efficacement leurs coûts peuvent avoir du mal à rivaliser avec leurs concurrents qui proposent des alternatives moins chères. Pour relever ces défis, l'industrie est activement engagée dans des efforts de recherche et développement visant à rationaliser le processus de fabrication 3D TSV, à améliorer les taux de rendement et à réduire les coûts de production. La collaboration entre les acteurs de l'industrie et le développement de processus standardisés peuvent également contribuer à atténuer ces défis. De plus, à mesure que le marché mûrit et que de plus en plus de fabricants entrent dans l'espace 3D TSV, les économies d'échelle et la concurrence accrue peuvent conduire à des réductions de coûts. Malgré ces défis, les avantages potentiels de la technologie 3D TSV, tels que l'amélioration des performances et la miniaturisation, continuent de stimuler l'investissement et l'innovation dans le domaine.
Principales tendances du marché
Rôle croissant dans l'IA et le HPC
Le rôle croissant des dispositifs 3D TSV (Through-Silicon Via) dans les applications d'IA (intelligence artificielle) et de HPC (calcul haute performance) est un moteur essentiel qui propulse le marché mondial des dispositifs 3D TSV. Ces technologies exigent une puissance de calcul, une bande passante mémoire et une efficacité énergétique exceptionnelles, qui sont toutes considérablement améliorées par les capacités uniques de la technologie 3D TSV. Accélération des charges de travail de l'IA l'IA, y compris l'apprentissage automatique et l'apprentissage profond, s'appuie sur de vastes quantités de données et des calculs mathématiques complexes. Les appareils 3D TSV contribuent à accélérer les charges de travail de l'IA en intégrant des composants spécialisés tels que les GPU (Graphics Processing Units) et les TPU (Tensor Processing Units) aux côtés des CPU traditionnels. Cette intégration facilite le traitement parallèle et réduit les goulots d'étranglement du transfert de données, améliorant ainsi les temps de formation des modèles d'IA et les performances d'inférence.
Amélioration de la bande passante mémoire les applications d'IA et de HPC nécessitent un accès à une mémoire de grande taille et à large bande passante. La technologie 3D TSV permet l'empilement vertical de modules de mémoire, ce qui se traduit par une densité de mémoire et une bande passante plus élevées. Cette capacité est particulièrement essentielle pour gérer des ensembles de données massifs et effectuer des simulations complexes dans la recherche HPC et IA. Efficacité énergétique pour l'IA Edge l'IA Edge, qui implique le traitement de l'IA sur des appareils situés à la périphérie du réseau, exige des solutions économes en énergie en raison des contraintes d'alimentation. Les appareils 3D TSV optimisent la consommation d'énergie en réduisant la distance entre les composants et en minimisant le gaspillage d'énergie pendant le transfert de données. Cela les rend particulièrement adaptés aux déploiements d'IA de pointe dans des applications telles que les véhicules autonomes et les appareils IoT.
Optimisation de l'espace les systèmes d'IA et de HPC nécessitent souvent des ressources de calcul importantes, et des solutions peu encombrantes sont essentielles, en particulier dans les centres de données et les environnements de recherche. La technologie 3D TSV permet l'emballage dense d'unités de traitement, de mémoire et d'accélérateurs dans un encombrement réduit, ce qui en fait une option intéressante pour les environnements à espace restreint. Matériel personnalisé l'IA et le HPC nécessitent souvent des configurations matérielles spécialisées pour obtenir des performances optimales. Les appareils 3D TSV permettent la personnalisation des configurations de puces, ce qui permet l'intégration de composants matériels spécifiques adaptés aux besoins des charges de travail d'IA et de HPC. Puissance de traitement parallèle les capacités de traitement parallèle des appareils 3D TSV sont idéales pour les tâches d'IA qui impliquent la multiplication de matrices et les opérations de réseau neuronal. Ce parallélisme améliore la vitesse et l'efficacité de la formation et de l'exécution des modèles d'IA.
Applications d'IA émergentes à mesure que l'IA continue d'évoluer, de nouvelles applications telles que le traitement du langage naturel, la vision par ordinateur et la robotique pilotée par l'IA émergent. Ces applications exigent la puissance de calcul et la capacité de mémoire que les dispositifs 3D TSV peuvent fournir. En conclusion, le rôle croissant des dispositifs 3D TSV dans les applications d'IA et de HPC s'aligne sur la demande croissante de solutions informatiques hautes performances et économes en énergie. La technologie 3D TSV répond aux besoins critiques de ces domaines en permettant une intégration avancée des puces, des améliorations de la mémoire et une efficacité énergétique, la positionnant comme un élément clé de l'avancement continu des technologies d'IA et de HPC. Alors que les applications d'IA et de HPC prolifèrent dans divers secteurs, le marché mondial des dispositifs 3D TSV est appelé à prospérer, soutenant l'innovation et les percées dans ces domaines.
Expansion des appareils IoT
L'expansion des appareils IoT (Internet des objets) est sur le point de devenir un moteur important de la croissance du marché mondial des dispositifs 3D TSV (Through-Silicon Via). L'IoT représente une force transformatrice dans la connexion et l'automatisation d'une large gamme d'appareils et de systèmes, et la technologie 3D TSV devient de plus en plus cruciale pour répondre aux exigences de cet écosystème en plein essor. Miniaturisation des capteurs IoT les appareils IoT nécessitent souvent une multitude de capteurs, de modules de communication et d'unités de traitement pour fonctionner efficacement. Ces composants doivent être compacts et économes en énergie pour s'intégrer parfaitement dans diverses applications IoT, des appareils domestiques intelligents aux capteurs industriels. La technologie 3D TSV permet l'intégration verticale de ces composants, réduisant l'empreinte physique des appareils IoT tout en améliorant leur fonctionnalité.
Efficacité énergétique les appareils IoT sont souvent alimentés par batterie ou ont un accès limité aux sources d'alimentation. L'efficacité énergétique est primordiale pour prolonger la durée de vie de ces appareils et réduire les besoins de maintenance. Les appareils 3D TSV peuvent minimiser la consommation d'énergie en réduisant la longueur des interconnexions entre les composants, ce qui les rend particulièrement adaptés aux applications IoT où l'efficacité énergétique est une considération essentielle. Niveaux d'intégration élevés les applications IoT exigent des niveaux d'intégration élevés pour prendre en charge plusieurs fonctions dans un espace limité. La technologie 3D TSV permet d'empiler des puces avec différentes fonctionnalités, telles que des capteurs, des microcontrôleurs et des modules de communication sans fil, dans un seul boîtier. Cette intégration rationalise la conception des appareils IoT et améliore leurs performances.
Communication avancée l'IoT repose sur un transfert de données et une communication efficaces entre les appareils et les réseaux. Les appareils 3D TSV peuvent intégrer des composants de communication avancés, tels que des puces RF (radiofréquence), directement dans le boîtier de l'appareil, permettant une connectivité sans fil fiable et à haut débit. Personnalisation et polyvalence la nature diversifiée des applications IoT nécessite une personnalisation pour répondre à des besoins spécifiques. La technologie 3D TSV permet l'intégration flexible de divers composants, ce qui facilite l'adaptation des appareils IoT à des applications spécifiques, qu'il s'agisse de surveillance de l'environnement, de soins de santé ou d'automatisation industrielle.
Croissance du marché le marché de l'IoT continue de se développer rapidement dans tous les secteurs, notamment la santé, l'agriculture, les villes intelligentes et l'automatisation industrielle. Cette croissance stimule la demande d'appareils 3D TSV capables de fournir les performances, la miniaturisation et l'efficacité énergétique requises. Cas d'utilisation émergents à mesure que la technologie IoT évolue, de nouveaux cas d'utilisation émergent, tels que l'informatique de pointe, où les données sont traitées localement au sein des appareils IoT. Les appareils 3D TSV sont bien adaptés à ces applications émergentes, car ils peuvent héberger des processeurs puissants et des composants de mémoire dans des formats compacts.
En conclusion, l'expansion des appareils IoT est un moteur convaincant pour le marché mondial des appareils 3D TSV. En répondant aux exigences spécifiques des applications IoT, la technologie 3D TSV permet aux fabricants de créer des appareils plus petits, plus économes en énergie et hautement intégrés. Alors que l'IoT continue de pénétrer divers secteurs, la demande d'appareils 3D TSV devrait augmenter, renforçant encore leur rôle dans la définition de l'avenir des appareils et systèmes connectés.
Informations sectorielles
Informations sur les produits
Le segment de l'emballage LED devrait dominer le marché au cours de la période de prévision. L'utilisation croissante de diodes électroluminescentes (DEL) dans les produits a favorisé le développement de dispositifs plus puissants, plus denses et moins coûteux. L'utilisation de la technologie TSV (encapsulation tridimensionnelle 3D) permet une densité élevée d'interconnexions verticales, contrairement à l'encapsulation 2D.
Le circuit intégré TSV réduit les longueurs de connexion et, par conséquent, une capacité, une inductance et une résistance parasites plus faibles sont nécessaires lorsqu'une combinaison d'intégration monolithique et multifonctionnelle est réalisée efficacement, ce qui permet des interconnexions à faible consommation et à grande vitesse. La conception intégrée avec de fines membranes de silicium en bas optimise le contact thermique et minimise donc la résistance thermique. Le via en silicium (TSV) assure le contact électrique avec les dispositifs montés en surface et les parois latérales en miroir augmentent la réflectivité du boîtier et améliorent l'efficacité lumineuse.
La technologie SUSS AltaSpray est capable d'intégrer le revêtement des coins à 90°, des cavités gravées au KOH (hydroxyde de potassium), du via en silicium (TSV) allant de quelques microns à 600 μm ou plus. La capacité de produire des revêtements de résistance conformes sur une topographie sévère, comme le TSV, en fait le choix idéal pour le conditionnement au niveau des plaquettes de LED, ce qui augmente la croissance du marché.
Informations régionales
L'Asie-Pacifique devrait dominer le marché au cours de la période de prévision. L'Asie-Pacifique est le marché qui connaît la croissance la plus rapide, car les pays de la région, comme la Chine, le Japon, la Corée du Sud, l'Indonésie, Singapour et l'Australie, ont enregistré des niveaux élevés de fabrication dans les secteurs de l'électronique grand public, de l'automobile et des transports, qui constituent une source clé de la demande pour le marché des TSV 3D.
L'Asie-Pacifique est également l'un des pôles de fabrication les plus actifs au monde. La popularité croissante des smartphones et la demande de nouvelles technologies de mémoire ont accru la croissance de l'électronique grand public à forte intensité de calcul, créant ainsi un large éventail d'opportunités dans cette région. Les plaquettes de silicium étant largement utilisées pour fabriquer des smartphones, l'introduction de la technologie 5G devrait stimuler les ventes de smartphones 5G, ce qui pourrait faire croître le marché dans le secteur des télécommunications.
Développements récents
- Octobre 2019 - Samsung a développé le premier packaging 3D à 12 couches du secteur pour les produits DRAM. La technologie utilise les TSV pour créer des dispositifs de mémoire haute capacité et à large bande passante pour des applications telles que les cartes graphiques, FPGA et de calcul haut de gamme.
- Avril 2019 - TSMC a certifié les solutions ANSYS (ANSS) pour sa technologie innovante d'empilement de puces 3D avancée System-on-integrated-chips (TSMC-SoIC). SoIC est une technologie d'interconnexion avancée pour l'empilement multi-matrices sur l'intégration au niveau du système à l'aide du procédé Through Silicon Via (TSV) et du processus de collage puce sur plaquette permettant aux clients une plus grande efficacité énergétique et des performances pour les applications cloud et de centre de données extrêmement complexes et exigeantes.
Principaux acteurs du marché
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
- Groupe Samsung
- Toshiba Corporation
- Pure Storage Inc.
- Groupe ASE
- Amkor Technology
- United Microelectronics Corp.
- STMicroelectronics NV
- Broadcom Ltd
- Intel Corporation
| Par produit | Par application | Par région |
|
|