Tamaño del mercado mundial de carburo de silicio por dispositivo (módulo de SiC, dispositivo discreto de SiC), por aplicación (investigación espacial y energÃa nuclear, transporte), por alcance geográfico y pronóstico
Published Date: October - 2024 | Publisher: MIR | No of Pages: 220 | Industry: latest trending Report | Format: Report available in PDF / Excel Format
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Tamaño y pronóstico del mercado de carburo de silicio
El tamaño del mercado de carburo de silicio se valoró en USD 850 millones en 2022 y se proyecta que alcance los USD 5 mil millones para 2030, creciendo a una CAGR del 18,6% entre 2023 y 2030.
El carburo de silicio se usa ampliamente en tareas similares a la metalurgia, los abrasivos y los refractarios. Con el creciente desarrollo en tareas coloridas, similares a la maquinaria, la industria aeroespacial y la esencia, también aumentará la demanda de accesorios con conexión a tierra de Sic para cortar, esmerilar, pulir y otras operaciones. El informe Global Silicon Carbide Market proporciona una evaluación holÃstica del mercado. El informe ofrece un análisis integral de los segmentos clave, las tendencias, los impulsores, las restricciones, el panorama competitivo y los factores que desempeñan un papel importante en el mercado.
Definición del mercado global de carburo de silicio
El carburo de silicio, también conocido como carborundo, es un material semiconductor ampliamente utilizado en la electrónica y la diligencia de semiconductores. La dureza fÃsica del carburo de silicio lo hace adecuado para su uso como abrasivo en procesos similares al bruñido, el corte por chorro de agua, el esmerilado y la cocción en playa. También se utiliza en los factores de las bombas utilizadas para perforar y extraer petróleo en las operaciones de los yacimientos petrolÃferos. La creciente demanda de carburo de silicio en la industria petrolera ha provocado un aumento de las inversiones de los fabricantes, los gobiernos y los institutos de exploración en su producto.
Se prevé que el mercado del carburo de silicio en América del Norte crezca a la tasa de crecimiento anual compuesta más alta durante el perÃodo de emisión. El crecimiento del mercado en esta región se atribuye en gran medida a la creciente demanda de este material debido a su rendimiento eléctrico avanzado, tamaño compacto, capacidades de operación de energÃa y alta confiabilidad. El mercado de la electrónica de potencia es uno de los principales consumidores de carburo de silicio, ya que el semiconductor reduce la pérdida de energÃa y aumenta la vida útil, asà como la eficacia de la polarización de la potencia.
Además, la polarización de la electrónica de potencia que funciona de manera eficiente y eficaz a temperaturas avanzadas es esencial para satisfacer varias demandas como alto rendimiento, tiempo de carga rápido y otras. Además, es probable que el creciente mercado de espadas en los EE. UU. impulse el crecimiento de la situación del mercado de carburo de silicio, ya que el material se aplica como un agente tóxico X g, asà como una materia prima importante en productos refractarios en el mercado. La creciente demanda de semiconductores de SiC en polarización electrónica como LED, sensores y detectores impulsará la situación del mercado.
Se prevé que la creciente renuncia a las fuentes de energÃa renovables para la generación de energÃa afecte apreciablemente la situación del mercado. Además, la adición de productos de espada es uno de los principales factores que impulsan la situación del mercado. Aún asÃ, existen opciones rentables en la situación del mercado para el carburo de silicio. El nitruro de galio es uno de los respaldos que se utiliza en módulos de potencia como transistores. Se prevé que esto obstaculice el crecimiento de la situación del mercado.
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Descripción general del mercado global de carburo de silicio
Las operaciones de energÃa exigen resultados más bajos y más efectivos. El SiC es ideal para reemplazar al silicio en factores separados y módulos de potencia, ya que aumenta la viscosidad de la potencia y garantiza que la polarización se acomode en paquetes más bajos. Debido a su rendimiento superior, los MOSFET de SiC se utilizan ampliamente en operaciones de potencia que soportan alta frecuencia de conmutación, voltaje, corriente y efectividad. El diseño y la fabricación de polarización de SiC son casi análogos a la polarización de Si ordinaria, excepto por algunas diferencias, similares a los accesorios de semiconductores. A diferencia del Si, que utiliza silicio, el SiC tiene tÃtulos de carbono redundantes.
Estas polarizaciones son en gran medida confiables, energéticamente eficientes, robustas y repelen frecuencias de conmutación avanzadas y voltajes de operación. La polarización de alta viscosidad de potencia tiene diseños simples que soportan factores externos más pequeños y más bajos. La polarización de SiC brinda beneficios similares a la eficiencia energética avanzada y menor pérdida de energÃa, lo que reduce los costos operativos y el daño ambiental. El diseño y la fabricación de polarización de SiC son casi análogos a la polarización de Si ordinaria, excepto por algunas diferencias, incluidos los accesorios de semiconductores.
A diferencia del Si, que utiliza silicio, el SiC tiene tÃtulos de carbono redundantes. Además, debido a su viscosidad de potencia avanzada, estos sesgos son compactos, lo que ahorra espacio y reduce el peso. La alta frecuencia de operación permite el uso de factores de resistencia más bajos, como capacitores e inductores. El sesgo de SiC, incluidos los MOSFET, es adecuado para operaciones de conmutación de sistemas de energÃa electrónicos de color. Sus accesorios de semiconductores y su proceso de construcción les permiten repeler una combinación de alto voltaje y conmutación rápida que no se puede lograr con transistores de potencia convencionales.
En los accesorios de SiC, se instalan orificios de tamaño micro, conocidos como microtubos, a lo largo de los cargadores. Al fabricar obleas más grandes, el sesgo de SiC es susceptible a defectos de color, como disrupciones, eliminaciones de prototipos y fallas de montÃculos. Estos defectos se deben a un equilibrio no óptimo de precursores de silicio y carbono y a la inseguridad original en la presión o la temperatura. Estos defectos afectan la efectividad del dispositivo y degradan sus caracterÃsticas eléctricas. El diseño de los circuitos de polarización de SiC presenta un alto grado de complejidad. El principal desafÃo para los diseñadores es lograr una mayor efectividad manteniendo el costo bajo y la estructura menos compleja. Además, las condiciones variables de las diferentes operaciones aumentan aún más las complicaciones de diseño de los circuitos de polarización de potencia y RF. El empaquetado de estos circuitos de polarización es vital para el rendimiento de los circuitos y sistemas en los que se instalarán estos circuitos. Además, el empaquetado también es esencial cuando el circuito de polarización opera a altas temperaturas; por lo tanto, se debe realizar un empaquetado adecuado para que el circuito de polarización realice las operaciones solicitadas; de lo contrario, afectará a un enganche especializado.
Mercado global de carburo de silicioanálisis de segmentación
El mercado global de carburo de silicio está segmentado según el dispositivo, la aplicación y la geografÃa.
Mercado de carburo de silicio, por dispositivo
- Módulo de SiC
- Dispositivo discreto de SiC
Según el dispositivo, el mercado está segmentado en módulo de SiC y dispositivo discreto de SiC. El dispositivo discreto de SiC es el que más contribuye a la cuota de mercado del carburo de silicio debido a su amplia aplicación en diferentes industrias.
Mercado de carburo de silicio, por aplicación
- Investigación espacial y energÃa nuclear
- Transporte
Según la aplicación, el mercado está segmentado en Investigación espacial y EnergÃa nuclear y transporte. El segmento de Investigación espacial y energÃa nuclear obtuvo la mayor cuota de mercado debido a su aplicación expansiva en la exploración espacial y la industria de la energÃa nuclear.
Mercado de carburo de silicio, por geografÃa
- América del Norte
- Europa
- Asia PacÃfico
- Resto del mundo
Según el análisis regional, el mercado mundial de carburo de silicio se clasifica en América del Norte, Europa, Asia PacÃfico y el resto del mundo. De todas las regiones, Asia PacÃfico domina el mercado mundial de carburo de silicio.
Actores clave
El informe del estudio "Mercado mundial de carburo de silicio" proporcionará información valiosa con énfasis en el mercado global, incluidos algunos de los principales actores de la industriaMicrochip Technology Inc., STMicroelectronics NV, Hitachi Ltd., Infineon Technologies AG, Toshiba Corporation, WOLFSPEED Inc., Fuji Electric Co. Ltd., ON Semiconductor Corporation, ROHM Co. Ltd.
Nuestro análisis de mercado también incluye una sección dedicada exclusivamente a dichos actores principales en la que nuestros analistas brindan una perspectiva de los estados financieros de todos los actores principales, junto con la evaluación comparativa de productos y el análisis FODA.
Desarrollos clave
- Marzo de 2023WOLFSPEED, INC. se asoció con ZF, una empresa de tecnologÃa global que permite la movilidad de próxima generación. Esta cooperación tiene como objetivo crear un laboratorio de invención común para impulsar avances en sistemas de carburo de silicio y sesgo para operaciones de movilidad, artificiales y energéticas.
- Diciembre de 2022WOLFSPEED, INC. amplió su acuerdo de fuerza de obleas de carburo de silicio de varios años y a largo plazo con una empresa lÃder en dispositivos de energÃa. Con este acuerdo, Wolfspeed suministrará a la empresa obleas desnudas y epitaxiales de carburo de silicio de 150 mm, lo que refuerza la visión de la empresa de una transición asidua de la polarización de potencia de semiconductores de silicio a carburo de silicio.
Análisis de la matriz Ace
La matriz Ace proporcionada en el informe ayudarÃa a comprender cómo se están desempeñando los principales actores clave involucrados en esta industria, ya que proporcionamos una clasificación para estas empresas en función de varios factores, como las caracterÃsticas e innovaciones del servicio, la escalabilidad, la innovación de los servicios, la cobertura de la industria, el alcance de la industria y la hoja de ruta de crecimiento. Con base en estos factores, clasificamos a las empresas en cuatro categorÃasActivas, Vanguardistas, Emergentes e Innovadoras.
Atractivo del mercado
La imagen del atractivo del mercado proporcionada ayudarÃa a obtener más información sobre la región que lidera principalmente en el mercado global de carburo de silicio. Cubrimos los principales factores de impacto que son responsables de impulsar el crecimiento de la industria en la región dada.
Cinco fuerzas de Porter
La imagen proporcionada ayudarÃa a obtener más información sobre el marco de las cinco fuerzas de Porter, proporcionando un modelo para comprender el comportamiento de los competidores y el posicionamiento estratégico de un jugador en la industria respectiva. El modelo de las cinco fuerzas de Porter se puede utilizar para evaluar el panorama competitivo en el mercado global de carburo de silicio, medir el atractivo de un determinado sector y evaluar las posibilidades de inversión.
Alcance del informe
| Atributos del informe | Detalles |
|---|---|
| PerÃodo de estudio | 2019-2030 |
| Año base | 2022 |
| PerÃodo de pronóstico | 2023-2030 |
| Histórico PerÃodo | 2019-2021 |
| Unidad | Valor (miles de millones de USD) |
| Empresas clave analizadas | Microchip Technology Inc., STMicroelectronics NV, Hitachi Ltd., Infineon Technologies AG, Toshiba Corporation, WOLFSPEED Inc. |
| Segmentos cubiertos |
|
| Alcance de personalización | Personalización gratuita del informe (equivalente a hasta 4 dÃas laborables del analista) con la compra. Adición o modificación de paÃs, región y región Alcance del segmento |
Informes de tendencias principales
MetodologÃa de investigación de la investigación de mercados
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