Mercado de MOSFET de potencia: tamaño de la industria global, participación, tendencias, oportunidades y pronóstico, segmentado por tipo (modo de agotamiento y modo de mejora), por tasa de potencia (alta potencia, potencia media y baja potencia), por tipo de canal (canal N y canal P), por aplicación (energía y potencia, inversor y UPS, electrónica de consumo, automotriz, industrial y otros), por r

Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format

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Mercado de MOSFET de potencia: tamaño de la industria global, participación, tendencias, oportunidades y pronóstico, segmentado por tipo (modo de agotamiento y modo de mejora), por tasa de potencia (alta potencia, potencia media y baja potencia), por tipo de canal (canal N y canal P), por aplicación (energía y potencia, inversor y UPS, electrónica de consumo, automotriz, industrial y otros), por r

Período de pronóstico2024-2028
Tamaño del mercado (2022)25.34 mil millones de USD
CAGR (2023-2028)5,68 %
Segmento de más rápido crecimientoIndustrial
Mercado más grandeAmérica del Norte

MIR Semiconductor

El mercado mundial de transistores de efecto de campo (MOSFET) de potencia es

Un MOSFET de potencia está diseñado para manejar niveles de potencia significativos. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) o tiristor, otros dos dispositivos semiconductores de potencia, ofrecen ventajas similares en términos de velocidad de conmutación y eficiencia a voltajes bajos. Comparte una puerta aislada con el IGBT, lo que facilita su manejo. Pueden tener una ganancia baja, a veces hasta el punto en que el voltaje de la puerta debe ser más alto que el voltaje de control.

La electrónica actual tiene muchas características que ayudan a los clientes a sentirse más a gusto y a vender más. Se han elevado los estándares de seguridad del consumidor y han surgido nuevas oportunidades comerciales para dispositivos y productos electrónicos mejorados como resultado de los avances tecnológicos en componentes electrónicos, como teléfonos celulares, computadoras, comunicación inalámbrica y sistemas en la nube, entre otros. El MOSFET de potencia tiene un potencial crítico debido a las rápidas mejoras en la innovación, la mayor productividad y el pequeño tamaño de las piezas electrónicas. Además, el nano regulador es fundamental para manejar ciclos con una mínima cantidad de pérdida de energía. Se espera que la coordinación de varios dispositivos electrónicos brinde a los actores del mercado muchas posibilidades.

Enfoque mejorado en el ahorro de energía

Se espera que se enfrenten problemas de energía en el futuro porque los combustibles fósiles se están agotando rápidamente. No debería sorprender que la conservación de energía esté recibiendo cada vez más atención. Un MOSFET es un componente de conmutación que se utiliza en la gestión de vehículos eléctricos, un inversor y una fuente de alimentación. Los MOSFET se utilizan con frecuencia en entornos industriales con bajas frecuencias de conmutación. El creciente énfasis en la eficiencia energética y las fuentes renovables ha hecho de esta industria algo propio. Se anticipa que la energía renovable con el mayor número de instalaciones constituiría una porción más grande del módulo de potencia. Por lo tanto, se espera que estos factores impulsen el

El amplio uso de MOSFET de potencia en semiconductores está impulsando el mercado global de MOSFET de potencia

Los MOSFET son el dispositivo semiconductor más utilizado en circuitos avanzados y simples, así como el dispositivo de potencia más utilizado. Es el primer semiconductor pequeño, capaz de ser cortado y fabricado de manera eficiente para muchas aplicaciones. El escalado y contracción de MOSFET han impulsado el rápido y destacado desarrollo de la tecnología de semiconductores electrónicos, lo que permite circuitos integrados (CI) de alto espesor, por ejemplo, chips de memoria y microchips.

El MOSFET de potencia es el dispositivo de potencia más utilizado del mundo. Los MOSFET disfrutan de ventajas sobre los semiconductores de intersección bipolar en hardware de potencia, ya que no necesitan un progreso constante de corriente de conducción para permanecer en el estado ON, ofrecen velocidades de conmutación más prominentes, menores pérdidas de potencia de conmutación, menores protecciones de encendido y son menos propensos a calentarse sin control. El MOSFET de potencia afecta al suministro de energía, teniendo en cuenta frecuencias de trabajo más prominentes, menor tamaño y peso, y mayor volumen de producción. Por lo tanto, se espera que impulse el crecimiento del mercado global de MOSFET de potencia.

Las máquinas de hoy son extremadamente flexibles, mínimas y productivas en hacer lo que están hechas para hacer, hasta tal punto que han asumido el control de una tonelada de ejercicios que se realizaban físicamente. Se espera que el mercado de máquinas y equipos electrónicos continúe creciendo o crezca más rápido que la demanda en los próximos años. La mayoría de la maquinaria gestiona la energía con MOSFET de potencia. El módulo MOSFET se utiliza con frecuencia para operaciones de conmutación de voltaje, y hay aproximadamente 78,124 gigavatios (GW) de instalaciones eólicas y solares en todo el mundo. La creciente dependencia de la maquinaria y el equipo eléctricos, que beneficia directamente a los MOSFET de potencia, es uno de los principales factores que influyen en el mercado mundial de MOSFET de potencia.

La creciente demanda de componentes de vehículos eléctricos impulsará el crecimiento del mercado mundial de MOSFET de potencia

Se prevé que el mercado mundial de MOSFET de potencia se expanda durante el período de pronóstico como resultado de las iniciativas gubernamentales para proporcionar reembolsos de impuestos y subsidios para alentar el uso de vehículos de bajo alcance y cero emisiones en todo el mundo. También se prevé que el mercado mundial esté impulsado por el aumento de las inversiones en la creación de estaciones de carga de vehículos eléctricos y de abastecimiento de hidrógeno. Además, se prevé que el mercado mundial se beneficiará de una disminución en el precio de las baterías de vehículos eléctricos como resultado de su producción generalizada y los avances tecnológicos en curso. Otro factor importante que impulsaría el mercado global es la alta demanda de equipos y componentes para vehículos eléctricos, como cargadores portátiles, adaptadores, conectores y cables de carga.

Se espera que las limitaciones en las operaciones y los altos costos obstaculicen el crecimiento del mercado global de MOSFET de potencia

Las limitaciones como la ruptura causada por el óxido de compuerta, el voltaje de drenaje a fuente, la corriente máxima de drenaje y la temperatura impiden que este mercado se expanda. Debido a su delgadez, el óxido de compuerta tiene un límite de ruptura superficial. La vida del MOSFET se acorta aún más por un alto voltaje de compuerta a fuente, y esto tiene poco o ningún efecto en la reducción. El MOSFET también necesita una medida particular de voltaje y corriente de canal a fuente; una ruptura podría ocurrir rápidamente si no se cumplen estos requisitos.

Además, los MOSFET de potencia tienen una tendencia a perder corriente, lo que afecta su crecimiento de mercado. Los altos costos de instalación de los MOSFET de potencia pueden limitar la expansión del mercado, ya que este componente aumenta los precios de los vehículos. Debido a los numerosos componentes tecnológicos del vehículo, su capacidad de servicio es un desafío y requiere personal calificado. La vida útil de los sistemas con arquitecturas complejas es más corta. Por consiguiente, se supone que los factores mencionados anteriormente podrían obstaculizar el crecimiento del mercado mundial de MOSFET de potencia.

Últimos avances

  • En marzo de 2022, Microchip Technology Inc. lanzó los MOSFET de SiC de 3,3 kV con la resistencia de encendido más baja de la industria y los SBD de SiC con la corriente nominal más alta, lo que permite a los diseñadores aprovechar la robustez, la confiabilidad y el rendimiento. Los diseñadores ahora tienen las herramientas que necesitan para crear soluciones que sean más livianas, más pequeñas y más efectivas para el transporte electrificado, la energía renovable, la industria aeroespacial y las aplicaciones industriales, gracias a la expansión de la cartera de SiC de Microchip. Los MOSFET y SBD de 3,3 kV que ofrece Microchip forman parte de la amplia colección de soluciones de SiC de la empresa, que también incluye chips, componentes discretos, módulos y controladores de compuerta digital para voltajes de 700 V, 1200 V y 1700 V. Los MOSFET con 25 mOhm y los SBD con la corriente nominal más alta de la industria, 90 amperios, se encuentran entre los dispositivos de potencia de SiC de 3,3 kV fabricados por Microchip. Los SBD y los MOSFET se pueden comprar como chips o encapsulados. Con estos nuevos niveles de rendimiento, los diseñadores pueden simplificar sus diseños, crear sistemas con más potencia y utilizar menos componentes paralelos para crear soluciones de potencia que sean más pequeñas, más ligeras y más efectivas.

MIR Segment1

Segmentación del mercado

Los

actores del mercado

Los principales actores del mercado en el mercado global de MOSFET de potencia son Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd. y Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.

Atributo

Detalles

Año base

2022

Datos históricos

2018– 2022

Año estimado

2023

Período de pronóstico

2024 – 2028

Unidades cuantitativas

Ingresos en millones de USD y CAGR para 2018-2022 y 2023-2028

Cobertura del informe

Pronóstico de ingresos, participación de la empresa, factores de crecimiento y tendencias

Segmentos cubiertos

Tipo

Tarifa de energía

Tipo de canal

Aplicación

Región  

Ámbito regional

América del Norte, Asia-Pacífico, Europa, América del Sur, Oriente Medio y África

Ámbito de país

Estados Unidos, Canadá, México, China, India, Japón, Corea del Sur, Australia, Alemania, Reino Unido, Francia, Italia, España, Brasil, Argentina, Colombia, Arabia Saudita, Sudáfrica, Emiratos Árabes Unidos

Empresas clave incluidas

Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.

Alcance de personalización

Personalización de informes gratuita del 10 % con la compra. Adición o modificación de informes por país, región y país. Alcance del segmento.

Precios y opciones de compra

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