Mercado de dispositivos 3D TSV: tamaño de la industria global, participación, tendencias, oportunidades y pronóstico segmentado por producto (memoria, MEMS, sensores de imagen CMOS, imágenes y optoelectrónica, y empaquetado avanzado de LED), aplicación (sector de electrónica de consumo, sector de tecnologÃa de la información y la comunicación, sector automotriz, sector militar, aeroespacial y de d
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMercado de dispositivos 3D TSV: tamaño de la industria global, participación, tendencias, oportunidades y pronóstico segmentado por producto (memoria, MEMS, sensores de imagen CMOS, imágenes y optoelectrónica, y empaquetado avanzado de LED), aplicación (sector de electrónica de consumo, sector de tecnologÃa de la información y la comunicación, sector automotriz, sector militar, aeroespacial y de d
| PerÃodo de pronóstico | 2024-2028 |
| Tamaño del mercado (2022) | 7680 millones de USD |
| CAGR (2023-2028) | 5,93 % |
| Segmento de más rápido crecimiento | Empaques de LED |
| Mercado más grande | Asia PacÃfico |
Descripción general del mercado
El mercado global de dispositivos 3D TSV se valoró en USD 7.68 mil millones en 2022 y se prevé que proyecte un crecimiento sólido en el perÃodo de pronóstico con una CAGR del 5,93% hasta 2028. La creciente demanda de miniaturización de dispositivos electrónicos impulsa el crecimiento del mercado 3D TSV. Estos productos pueden lograrse mediante la integración de sistemas heterogéneos, lo que puede brindar un empaque avanzado más confiable. Con sensores MEMS extremadamente pequeños y electrónica encapsulada en 3D, se pueden colocar sensores prácticamente en cualquier lugar y se puede monitorear el equipo en entornos hostiles, en tiempo real, para ayudar a aumentar la confiabilidad y el tiempo de funcionamiento.
La TSV 3D en memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) que almacena cada bit de datos en un pequeño capacitor separado dentro de un circuito integrado impulsa el crecimiento del mercado de TSV 3D. La DRAM 3D de Micron con DRAM rediseñada logra mejoras significativas en potencia y sincronización, que ayudan a desarrollar modelado térmico avanzado.
Impulsores clave del mercado
Miniaturización y requisitos de mayor rendimiento
La miniaturización y los requisitos de mayor rendimiento son impulsores fundamentales que impulsan el crecimiento del mercado global de dispositivos TSV 3D (Through-Silicon Via). Esta dinámica está en el corazón de la evolución tecnológica, dando forma a industrias desde la electrónica de consumo hasta los centros de datos y más allá. En el mundo de la electrónica de consumo, existe un apetito insaciable por dispositivos más elegantes, más compactos, pero increÃblemente potentes. Los consumidores demandan teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos ponibles que no solo sean visualmente atractivos, sino que también sean capaces de manejar tareas cada vez más sofisticadas. Esta demanda ha empujado a los fabricantes a buscar soluciones innovadoras, y la tecnologÃa 3D TSV ha surgido como un elemento innovador. Al apilar verticalmente varios chips, los TSV permiten a los fabricantes reducir significativamente el espacio fÃsico de los dispositivos y, al mismo tiempo, mejorar su rendimiento. Esta sinergia perfecta satisface los deseos de los consumidores tanto de estilo como de sustancia.
La tendencia se extiende más allá de los dispositivos de consumo a los centros de datos, donde prevalece el hambre insaciable de potencia de procesamiento y capacidad de memoria. A medida que las empresas lidian con volúmenes de datos en constante expansión y la necesidad de un análisis rápido, la importancia de los dispositivos 3D TSV se hace evidente. Estos dispositivos ofrecen la capacidad de apilar memoria y componentes de procesamiento, lo que aumenta la densidad de memoria y el ancho de banda. En los centros de datos, donde el espacio es un bien escaso y la eficiencia energética es crucial, el formato compacto y el consumo reducido de energÃa de los 3D TSV resultan invaluables.
Además, las aplicaciones de computación de alto rendimiento (HPC) e inteligencia artificial (IA) dependen cada vez más de la tecnologÃa 3D TSV. Estos campos exigen capacidades computacionales excepcionales, y los 3D TSV facilitan la integración de chips especializados como GPU y FPGA para lograr una potencia de procesamiento incomparable. En conclusión, la miniaturización y los requisitos de mayor rendimiento no son meras tendencias, sino expectativas duraderas en nuestro mundo impulsado por la tecnologÃa. El mercado global de dispositivos 3D TSV no solo está cumpliendo con estas expectativas, sino que también impulsa la innovación en electrónica, procesamiento de datos e IA. A medida que la demanda de dispositivos más pequeños, más potentes y energéticamente eficientes continúa aumentando, la tecnologÃa 3D TSV se erige como un facilitador fundamental del progreso, asegurando que nuestros dispositivos se vuelvan cada vez más inteligentes y más capaces, a la vez que caben en la palma de nuestras manos.
Creciente demanda de soluciones de memoria
La creciente demanda de soluciones de memoria es una fuerza poderosa que impulsa el crecimiento del mercado global de dispositivos 3D TSV (Through-Silicon Via). Esta demanda está impulsada por una variedad de factores, incluida la explosión de datos en la era digital, el crecimiento de la computación en la nube y la creciente sofisticación de la electrónica de consumo. Uno de los impulsores más importantes de la demanda de soluciones de memoria es la naturaleza centrada en los datos de la sociedad moderna. Estamos generando y consumiendo datos a un ritmo sin precedentes, impulsados por actividades como la transmisión en lÃnea, las redes sociales, el comercio electrónico y los dispositivos IoT. Estos datos deben almacenarse y procesarse de manera eficiente, y la tecnologÃa 3D TSV ofrece una solución convincente. Al apilar verticalmente los módulos de memoria mediante TSV, los fabricantes pueden aumentar significativamente la densidad de memoria en un espacio fÃsico más pequeño. Esto es especialmente crucial para los centros de datos y las granjas de servidores, donde el espacio es un bien escaso y la eficiencia energética es una prioridad máxima.
La computación en la nube, que sustenta muchos servicios y aplicaciones en lÃnea, depende en gran medida de las soluciones de memoria para proporcionar un acceso rápido a los datos y las aplicaciones. Los dispositivos 3D TSV permiten a los proveedores de la nube optimizar la infraestructura de su centro de datos al incluir más capacidad de memoria en sus racks de servidores. Esto no solo mejora el rendimiento de los servicios en la nube, sino que también reduce los costos operativos al requerir menos espacio fÃsico y energÃa. Además, los productos electrónicos de consumo, incluidos los teléfonos inteligentes, las tabletas y las consolas de juegos, cada vez hacen un uso más intensivo de la memoria. Los consumidores esperan dispositivos con una amplia capacidad de almacenamiento para almacenar fotos, videos, aplicaciones y juegos. La tecnologÃa 3D TSV permite a los fabricantes incorporar más memoria en estos dispositivos manteniendo un factor de forma delgado. Esto es particularmente crÃtico en el competitivo mercado de la electrónica de consumo, donde se demandan dispositivos delgados y de alto rendimiento.
Además, la industria automotriz está experimentando un aumento en los requisitos de memoria a medida que los vehÃculos se vuelven más conectados y autónomos. Los dispositivos 3D TSV pueden satisfacer las demandas de los sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS) y los sistemas de entretenimiento en el automóvil, mejorando tanto la seguridad como la experiencia del usuario. En conclusión, la creciente demanda de soluciones de memoria es un impulsor multifacético que afecta a varias industrias y aplicaciones. La tecnologÃa 3D TSV desempeña un papel fundamental para satisfacer estas demandas al ofrecer mayores densidades de memoria, mejor ancho de banda y soluciones que ahorran espacio. A medida que nuestra dependencia de los datos y las aplicaciones que hacen un uso intensivo de la memoria sigue creciendo, el mercado global de dispositivos 3D TSV está bien posicionado para una expansión sostenida.
Aplicaciones de IA y computación de alto rendimiento (HPC)
Las aplicaciones de inteligencia artificial (IA) y computación de alto rendimiento (HPC) están preparadas para ser impulsores importantes del crecimiento del mercado global de dispositivos 3D TSV (Through-Silicon Via). Estas tecnologÃas transformadoras tienen un apetito insaciable por la potencia computacional, el ancho de banda de la memoria y la eficiencia energética, todo lo cual se mejora significativamente con la tecnologÃa 3D TSV. En el ámbito de la HPC, donde las simulaciones complejas, la investigación cientÃfica y el análisis de datos exigen inmensas capacidades computacionales, los dispositivos 3D TSV se están volviendo indispensables. Estos dispositivos permiten el apilamiento vertical de múltiples chips, incluidos procesadores de alto rendimiento y módulos de memoria, dentro de un solo paquete. Esta integración ofrece varias ventajas, incluida una longitud de interconexión reducida, que se traduce en una transferencia de datos más rápida y una latencia más baja. Para las aplicaciones de HPC, donde los microsegundos pueden marcar la diferencia, esta reducción en la sobrecarga de comunicación es un cambio radical. Además, la mayor densidad de memoria y el ancho de banda proporcionados por los TSV 3D contribuyen a un acceso más rápido a los datos, crucial para manejar conjuntos de datos masivos y ejecutar cálculos intrincados de manera eficiente.
Las aplicaciones de IA, incluido el aprendizaje automático y el aprendizaje profundo, son otra fuerza impulsora detrás de la adopción de la tecnologÃa TSV 3D. El entrenamiento de modelos de IA implica grandes cantidades de datos y cálculos matriciales complejos. Para acelerar estas operaciones, se integra hardware especializado como GPU y TPU junto con las CPU tradicionales. Los TSV 3D permiten el acoplamiento estrecho de estos componentes, lo que reduce los cuellos de botella en la transferencia de datos y mejora la eficiencia general del entrenamiento de IA. Además, el formato compacto de los dispositivos 3D TSV se alinea con las demandas de las implementaciones de IA en la computación de borde y los sistemas autónomos, donde las limitaciones de espacio son comunes. Además, a medida que la IA encuentra aplicaciones en varias industrias, desde la atención médica hasta los vehÃculos autónomos, la demanda de dispositivos equipados con 3D TSV está lista para crecer en múltiples sectores.
En conclusión, las aplicaciones de HPC e IA están a la vanguardia del avance tecnológico, y la tecnologÃa 3D TSV sirve como facilitador para su evolución continua. La capacidad de apilar chips y memoria de alto rendimiento en un formato compacto no solo aumenta las capacidades computacionales, sino que también contribuye a la eficiencia energética, una consideración crÃtica en estos dominios que consumen mucha energÃa. A medida que estas tecnologÃas se vuelven más omnipresentes, el mercado global de dispositivos 3D TSV está bien posicionado para un crecimiento sostenido, apoyando la innovación y la eficiencia en un amplio espectro de aplicaciones.
Principales desafÃos del mercado
Procesos de fabricación complejos
Los complejos procesos de fabricación asociados con los dispositivos 3D TSV (Through-Silicon Via) presentan un impedimento significativo para la adopción generalizada y el crecimiento del mercado global de dispositivos 3D TSV. Estos intrincados procesos implican múltiples pasos y tecnologÃas intrincadas, que pueden obstaculizar la eficiencia de la producción, aumentar los costos y plantear desafÃos para los fabricantes. Complejidad tecnológicaLa fabricación de dispositivos 3D TSV involucra varios procesos sofisticados, que incluyen la manipulación de obleas delgadas, la unión de obleas, el grabado de TSV, el adelgazamiento de la parte posterior y la microfabricación. Cada uno de estos pasos requiere equipo, materiales y experiencia especializados. La naturaleza intrincada de estos procesos los hace más propensos a errores y desafÃos, lo que requiere personal capacitado y un control de calidad meticuloso.
Equipo que requiere mucho capitalla creación de una planta de fabricación de TSV 3D requiere inversiones sustanciales en maquinaria y equipo especializado. El gasto de capital puede ser una barrera de entrada significativa para empresas más pequeñas o nuevas, lo que limita la competencia y la innovación en el mercado. Además, el mantenimiento y las actualizaciones constantes de estas máquinas contribuyen a los costos operativos. Materiales y cadena de suministrolos procesos de TSV 3D exigen materiales especÃficos, incluidas obleas de silicio avanzadas, materiales dieléctricos y materiales de unión. Garantizar una cadena de suministro confiable para estos materiales es crucial, y cualquier interrupción puede provocar retrasos en la producción y mayores costos.
Gestión del rendimientolograr altos rendimientos (el porcentaje de dispositivos sin defectos) es primordial en la fabricación de semiconductores. Debido a la complejidad de los procesos de TSV 3D, garantizar tasas de rendimiento constantemente altas puede ser un desafÃo. Los dispositivos defectuosos dan como resultado mayores costos de producción, desperdicio de recursos y retrasos en la entrega del producto. Los fabricantes deben invertir en sistemas rigurosos de control de calidad y detección de defectos para minimizar las pérdidas de rendimiento. Variación de procesosla variabilidad en los procesos de fabricación puede provocar una calidad inconsistente del producto. Esto es particularmente crÃtico en industrias donde la confiabilidad y el rendimiento son esenciales, como la aeroespacial y la automotriz. La gestión y reducción de la variación del proceso requiere una monitorización y optimización continuas.
Tiempo de comercializaciónla naturaleza intrincada de los procesos de fabricación TSV 3D puede dar como resultado ciclos de desarrollo más largos y un tiempo de comercialización más largo. En industrias que evolucionan rápidamente, como la electrónica de consumo y las telecomunicaciones, los retrasos en la comercialización de productos pueden ser perjudiciales para la competitividad de una empresa. DesafÃos de escalaaumentar la producción para satisfacer la creciente demanda manteniendo la calidad y la consistencia puede ser un desafÃo. Los fabricantes deben encontrar formas de optimizar los procesos y controlar los costos a medida que aumentan los volúmenes de producción.
Protección de la propiedad intelectualproteger la propiedad intelectual en la industria de los semiconductores es crucial. Sin embargo, la complejidad de los procesos TSV 3D puede dificultar la protección de las tecnologÃas y los diseños patentados. Para superar estos desafÃos, la industria continúa invirtiendo en esfuerzos de investigación y desarrollo destinados a optimizar los procesos de fabricación, mejorar las tasas de rendimiento y reducir los costos. La colaboración entre los actores de la industria y el desarrollo de procesos estandarizados también pueden ayudar a mitigar estos obstáculos. Si bien la complejidad de la fabricación de TSV 3D sigue siendo un desafÃo significativo, los beneficios potenciales en términos de rendimiento y miniaturización continúan impulsando la innovación y la inversión en este campo.
Gestión de costos y rendimiento
La gestión de costos y rendimiento representa un desafÃo significativo en el mercado global de dispositivos TSV (Through-Silicon Via) 3D, lo que plantea obstáculos potenciales para la adopción generalizada y la rentabilidad para los fabricantes. Estos desafÃos están intrincadamente vinculados e impactan varios aspectos de la industria. Altos costos de fabricaciónUno de los principales desafÃos en el mercado de TSV 3D es el costo sustancial asociado con la fabricación. El proceso involucra múltiples pasos complejos, que incluyen la manipulación de obleas delgadas, la unión de obleas, el grabado de TSV y el adelgazamiento de la parte posterior, cada uno de los cuales requiere equipo y materiales especializados. El gasto de capital inicial necesario para establecer una planta de fabricación de TSV 3D es sustancial, lo que disuade a algunas empresas de entrar en el mercado. Estos altos costos de fabricación también pueden traducirse en precios más altos para los dispositivos TSV 3D, lo que potencialmente limita su adopción en mercados sensibles a los costos.
Gestión del rendimientolograr altas tasas de rendimiento en la producción de TSV 3D es fundamental para la rentabilidad. El rendimiento se refiere al porcentaje de dispositivos libres de defectos en una tirada de producción. Dada la complejidad del proceso de fabricación, garantizar rendimientos altos de manera constante puede ser un desafÃo. Los dispositivos defectuosos dan como resultado recursos desperdiciados, mayores costos de producción y un posible retraso en el tiempo de comercialización. Los fabricantes deben invertir en estrictas medidas de control de calidad y sistemas de detección de defectos para minimizar las pérdidas de rendimiento. Cualquier problema relacionado con el rendimiento puede erosionar los márgenes de ganancia y obstaculizar la competitividad del mercado. EconomÃas de escalalos desafÃos relacionados con los costos y los rendimientos se amplifican cuando se aumenta la producción. A medida que aumenta la demanda de dispositivos TSV 3D, los fabricantes deben encontrar formas de mantener altos rendimientos mientras producen volúmenes mayores. Lograr economÃas de escala, que normalmente conducen a menores costos de producción por unidad, puede ser un desafÃo debido a la naturaleza intrincada de la fabricación de TSV 3D.
Avances tecnológicosLa industria de semiconductores se caracteriza por rápidos avances tecnológicos. A medida que la tecnologÃa evoluciona, los fabricantes necesitan invertir continuamente en investigación y desarrollo para mejorar las tasas de rendimiento y reducir los costos de producción. Quedarse atrás en la innovación tecnológica puede poner a las empresas en desventaja competitiva. Presiones competitivasEn un mercado competitivo, las empresas están bajo presión constante para entregar productos innovadores a precios competitivos. Los fabricantes que no pueden gestionar los costes de forma eficaz pueden tener dificultades para competir con sus rivales que ofrecen alternativas de menor precio.
Para hacer frente a estos retos, la industria participa activamente en iniciativas de investigación y desarrollo destinadas a agilizar el proceso de fabricación de TSV 3D, mejorar las tasas de rendimiento y reducir los costes de producción. La colaboración entre los actores de la industria y el desarrollo de procesos estandarizados también pueden ayudar a mitigar estos retos. Además, a medida que el mercado madure y más fabricantes entren en el espacio de TSV 3D, las economÃas de escala y el aumento de la competencia pueden conducir a reducciones de costes. A pesar de estos desafÃos, los beneficios potenciales de la tecnologÃa 3D TSV, como el rendimiento mejorado y la miniaturización, continúan impulsando la inversión y la innovación en el campo.
Tendencias clave del mercado
Papel creciente en IA y HPC
El papel cada vez mayor de los dispositivos 3D TSV (Through-Silicon Via) en las aplicaciones de IA (inteligencia artificial) y HPC (computación de alto rendimiento) es un factor fundamental que impulsa el mercado global de dispositivos 3D TSV. Estas tecnologÃas exigen una potencia computacional excepcional, ancho de banda de memoria y eficiencia energética, todo lo cual se mejora significativamente con las capacidades únicas de la tecnologÃa 3D TSV. Aceleración de las cargas de trabajo de IAla IA, incluido el aprendizaje automático y el aprendizaje profundo, se basa en grandes cantidades de datos y cálculos matemáticos complejos. Los dispositivos 3D TSV son fundamentales para acelerar las cargas de trabajo de IA al integrar componentes especializados como GPU (unidades de procesamiento gráfico) y TPU (unidades de procesamiento tensorial) junto con las CPU tradicionales. Esta integración facilita el procesamiento paralelo y reduce los cuellos de botella en la transferencia de datos, lo que mejora los tiempos de entrenamiento del modelo de IA y el rendimiento de la inferencia.
Mejora del ancho de banda de la memorialas aplicaciones de IA y HPC requieren acceso a una memoria grande y de gran ancho de banda. La tecnologÃa 3D TSV permite el apilamiento vertical de módulos de memoria, lo que da como resultado una mayor densidad de memoria y ancho de banda. Esta capacidad es especialmente crÃtica para manejar conjuntos de datos masivos y realizar simulaciones complejas en la investigación de HPC e IA. Eficiencia energética para la IA de bordela IA de borde, que implica el procesamiento de IA en dispositivos en el borde de la red, exige soluciones energéticamente eficientes debido a las limitaciones de energÃa. Los dispositivos 3D TSV optimizan el consumo de energÃa al reducir la distancia entre los componentes y minimizar el desperdicio de energÃa durante la transferencia de datos. Esto los hace muy adecuados para implementaciones de IA de borde en aplicaciones como vehÃculos autónomos y dispositivos IoT.
Optimización del espaciolos sistemas de IA y HPC a menudo requieren recursos computacionales significativos, y las soluciones que ahorran espacio son esenciales, especialmente en centros de datos y entornos de investigación. La tecnologÃa 3D TSV permite el empaquetamiento denso de unidades de procesamiento, memoria y aceleradores dentro de un espacio más pequeño, lo que la convierte en una opción atractiva para entornos con limitaciones de espacio. Hardware personalizadola IA y el HPC a menudo requieren configuraciones de hardware especializadas para lograr un rendimiento óptimo. Los dispositivos 3D TSV permiten la personalización de las configuraciones de chips, lo que permite la integración de componentes de hardware especÃficos adaptados a las necesidades de las cargas de trabajo de IA y HPC. Potencia de procesamiento paralelolas capacidades de procesamiento paralelo de los dispositivos 3D TSV son ideales para tareas de IA que involucran multiplicación de matrices y operaciones de redes neuronales. Este paralelismo mejora la velocidad y la eficiencia del entrenamiento y la ejecución de modelos de IA.
Aplicaciones emergentes de IAa medida que la IA continúa evolucionando, surgen nuevas aplicaciones como el procesamiento del lenguaje natural, la visión artificial y la robótica impulsada por IA. Estas aplicaciones exigen la capacidad de memoria y la capacidad computacional que pueden proporcionar los dispositivos 3D TSV. En conclusión, el papel cada vez mayor de los dispositivos 3D TSV en las aplicaciones de IA y HPC se alinea con la creciente demanda de soluciones informáticas de alto rendimiento y eficiencia energética. La tecnologÃa 3D TSV aborda las necesidades crÃticas de estos dominios al permitir la integración avanzada de chips, mejoras de memoria y eficiencia energética, lo que la posiciona como un facilitador clave para el avance continuo de las tecnologÃas de IA y HPC. A medida que las aplicaciones de IA y HPC proliferan en varias industrias, el mercado global de dispositivos 3D TSV está listo para prosperar, apoyando la innovación y los avances en estos campos.
Expansión en dispositivos IoT
La expansión de los dispositivos IoT (Internet de las cosas) está lista para ser un motor significativo en el impulso del crecimiento del mercado global de dispositivos 3D TSV (Through-Silicon Via). IoT representa una fuerza transformadora en la conexión y automatización de una amplia gama de dispositivos y sistemas, y la tecnologÃa 3D TSV se está volviendo cada vez más crucial para respaldar las demandas de este ecosistema floreciente. Miniaturización para sensores IoTlos dispositivos IoT a menudo requieren una multitud de sensores, módulos de comunicación y unidades de procesamiento para funcionar de manera efectiva. Estos componentes deben ser compactos y energéticamente eficientes para adaptarse perfectamente a varias aplicaciones IoT, desde dispositivos domésticos inteligentes hasta sensores industriales. La tecnologÃa 3D TSV permite la integración vertical de estos componentes, lo que reduce el espacio fÃsico de los dispositivos IoT y mejora su funcionalidad.
Eficiencia energéticalos dispositivos IoT suelen funcionar con baterÃas o tienen acceso limitado a fuentes de energÃa. La eficiencia energética es fundamental para extender la vida útil de estos dispositivos y reducir los requisitos de mantenimiento. Los dispositivos 3D TSV pueden minimizar el consumo de energÃa al reducir la longitud de las interconexiones entre los componentes, lo que los hace adecuados para aplicaciones IoT donde la eficiencia energética es una consideración crÃtica. Altos niveles de integraciónlas aplicaciones IoT exigen altos niveles de integración para acomodar múltiples funciones en un espacio limitado. La tecnologÃa 3D TSV permite apilar chips con diferentes funcionalidades, como sensores, microcontroladores y módulos de comunicación inalámbrica, en un solo paquete. Esta integración agiliza los diseños de dispositivos IoT y mejora su rendimiento.
Comunicación avanzadaIoT se basa en la transferencia de datos y la comunicación eficientes entre dispositivos y redes. Los dispositivos 3D TSV pueden incorporar componentes de comunicación avanzados, como chips de RF (radiofrecuencia), directamente en el paquete del dispositivo, lo que permite una conectividad inalámbrica confiable y de alta velocidad. Personalización y versatilidadla naturaleza diversa de las aplicaciones de IoT requiere personalización para satisfacer necesidades especÃficas. La tecnologÃa 3D TSV permite la integración flexible de varios componentes, lo que facilita la adaptación de los dispositivos IoT para aplicaciones especÃficas, ya sea monitoreo ambiental, atención médica o automatización industrial.
Crecimiento del mercadoel mercado de IoT continúa expandiéndose rápidamente en todas las industrias, incluida la atención médica, la agricultura, las ciudades inteligentes y la automatización industrial. Este crecimiento impulsa la demanda de dispositivos 3D TSV que puedan brindar el rendimiento, la miniaturización y la eficiencia energética requeridos. Casos de uso emergentesa medida que evoluciona la tecnologÃa de IoT, surgen nuevos casos de uso, como la computación de borde, donde los datos se procesan localmente dentro de los dispositivos de IoT. Los dispositivos 3D TSV son muy adecuados para estas aplicaciones emergentes, ya que pueden albergar procesadores potentes y componentes de memoria en formatos compactos.
En conclusión, la expansión de los dispositivos IoT es un impulsor convincente para el mercado global de dispositivos 3D TSV. Al abordar los requisitos especÃficos de las aplicaciones IoT, la tecnologÃa 3D TSV permite a los fabricantes crear dispositivos más pequeños, más eficientes energéticamente y altamente integrados. A medida que IoT continúa permeando varios sectores, se espera que aumente la demanda de dispositivos 3D TSV, lo que solidificará aún más su papel en la configuración del futuro de los dispositivos y sistemas conectados.
Información segmentaria
Información del producto
Se espera que el segmento de empaquetado LED domine el mercado durante el perÃodo de pronóstico. El uso creciente de diodos emisores de luz (LED) en productos ha promovido el desarrollo de dispositivos de mayor potencia, mayor densidad y menor costo. El uso de la tecnologÃa de empaquetado tridimensional (3D) a través de la vÃa de silicio (TSV) permite una alta densidad de interconexiones verticales, a diferencia del empaquetado 2D.
El circuito integrado TSV reduce las longitudes de conexión y, por lo tanto, se requieren capacitancia, inductancia y resistencia parásitas más pequeñas donde se realiza una combinación de integración monolÃtica y multifuncional de manera eficiente, lo que proporciona interconexiones de baja potencia y alta velocidad. El diseño integrado con membranas de silicio delgadas en la parte inferior optimiza el contacto térmico y, por lo tanto, minimiza la resistencia térmica. La vÃa de silicio a través (TSV) proporciona el contacto eléctrico con los dispositivos montados en la superficie y las paredes laterales espejadas aumentan la reflectividad del paquete y mejoran la eficiencia de la luz.
La tecnologÃa SUSS AltaSpray es capaz de recubrir la integración de esquinas de 90°, cavidades grabadas con KOH (hidróxido de potasio), a través de la vÃa de silicio (TSV) que van desde unos pocos micrones hasta 600 μm o más. La capacidad de producir recubrimientos de resistencia conformada en topografÃas severas, como TSV, los convierte en la opción ideal para el empaquetado a nivel de oblea en LED, lo que aumenta el crecimiento del mercado.
Información regional
Se espera que Asia PacÃfico domine el mercado durante el perÃodo de pronóstico. Asia PacÃfico es el mercado de más rápido crecimiento, ya que los paÃses de la región, como China, Japón, Corea del Sur, Indonesia, Singapur y Australia, han registrado altos niveles de fabricación en los sectores de electrónica de consumo, automotriz y transporte, que son una fuente clave de demanda para el mercado de TSV 3D.
Asia PacÃfico también es uno de los centros de fabricación más activos del mundo. La creciente popularidad de los teléfonos inteligentes y la demanda de nuevas tecnologÃas de memoria han aumentado el crecimiento de la electrónica de consumo de alto consumo computacional, creando asà una amplia gama de oportunidades en esta región. Como las obleas de silicio se utilizan ampliamente para fabricar teléfonos inteligentes, se espera que la introducción de la tecnologÃa 5G impulse las ventas de teléfonos inteligentes 5G, lo que puede hacer crecer el mercado en el sector de las telecomunicaciones.
Desarrollos recientes
- Octubre de 2019Samsung desarrolló el primer empaque 3D de 12 capas de la industria para productos DRAM. La tecnologÃa utiliza TSV para crear dispositivos de memoria de gran capacidad y alto ancho de banda para aplicaciones, como gráficos de gama alta, FPGA y tarjetas de cómputo.
- Abril de 2019TSMC certificó las soluciones ANSYS (ANSS) para su innovadora tecnologÃa avanzada de apilamiento de chips 3D System-on-integrated-chips (TSMC-SoIC). SoIC es una tecnologÃa de interconexión avanzada para el apilamiento de múltiples matrices en la integración a nivel de sistema mediante Through Silicon Via (TSV) y el proceso de unión de chip a oblea que permite clientes con mayor eficiencia energética y rendimiento para aplicaciones de nube y centros de datos altamente complejas y exigentes.
Principales actores del mercado
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
- Samsung Group
- Toshiba Corporation
- Pure Storage Inc.
- ASE Group
- Amkor Technology
- United Microelectronics Corp.
- STMicroelectronics NV
- Broadcom Ltd
- Intel Corporation
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