Mercado de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones: tamaño de la industria global, participación, tendencias, oportunidades y pronóstico segmentado por tipo (memoria no volátil tradicional (memoria flash, EEPROM, SRAM y EPROM), por región, competencia 2018-2028)

Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format

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Mercado de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones: tamaño de la industria global, participación, tendencias, oportunidades y pronóstico segmentado por tipo (memoria no volátil tradicional (memoria flash, EEPROM, SRAM y EPROM), por región, competencia 2018-2028)

Período de pronóstico2024-2028
Tamaño del mercado (2022)USD 55,98 mil millones
CAGR (2023-2028)13,03 %
Segmento de más rápido crecimientoMemoria flash
Mercado más grandeAsia Pacífico
MIR IT and Telecom

Descripción general del mercado

El mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones se valoró en USD 55,98 mil millones en 2022 y se anticipa que proyectará un crecimiento sólido en el período de pronóstico con una CAGR del 13,03% hasta 2028. En la floreciente industria de la electrónica de consumo, los usuarios esperan que sus dispositivos se vuelvan continuamente más potentes, brinden nuevas funciones con una velocidad increíble y almacenen más películas, imágenes y música. Si bien Flash permitió una innovación sustancial durante las últimas décadas, se requiere una nueva generación de memoria a medida que Flash encuentra obstáculos tecnológicos, lo que le impide escalar mucho más. La adopción de memorias flash en la electrónica de consumo debido a su bajo precio y consumo de energía es significativa para el crecimiento del mercado. NVM se utiliza en teléfonos inteligentes y dispositivos portátiles para permitir un mayor almacenamiento y un acceso más rápido a la memoria. Las crecientes actividades de investigación en este espacio también están impulsando el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en marzo de 2021, Infineon Technologies LLC anunció el lanzamiento de RAM estáticas no volátiles de segunda generación que están calificadas para QML-Q y especificaciones industriales de alta confiabilidad para admitir principalmente el almacenamiento de código no volátil en entornos hostiles, incluidas las aplicaciones aeroespaciales e industriales.

Impulsores clave del mercado

Dispositivos móviles y SSD

Los dispositivos móviles y las unidades de estado sólido (SSD) son dos impulsores clave que impulsan el mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones hacia un período de importante crecimiento e innovación. Estas tecnologías están entrelazadas, y la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones desempeña un papel central en la mejora del rendimiento y las capacidades de almacenamiento de ambas. Los dispositivos móviles, incluidos los teléfonos inteligentes y las tabletas, se han convertido en una parte integral de la vida moderna. La demanda de estos dispositivos sigue aumentando a medida que los consumidores buscan una conectividad mejorada, funciones avanzadas y más potencia de procesamiento. La memoria no volátil, en particular la memoria flash NAND, es la base del almacenamiento en estos dispositivos. Las capacidades de almacenamiento cada vez mayores y las rápidas velocidades de lectura y escritura de la memoria flash NAND permiten a los usuarios almacenar grandes cantidades de datos, incluidas fotos, videos, aplicaciones y documentos, al mismo tiempo que facilitan experiencias de usuario fluidas y receptivas.

Además, el mercado de teléfonos inteligentes está presenciando la evolución de la tecnología 5G, que se espera que revolucione la conectividad móvil. 5G permite velocidades de transferencia de datos más rápidas y una latencia reducida, lo que crea oportunidades para aplicaciones y servicios con mayor uso intensivo de datos. TI y telecomunicaciones La memoria no volátil es esencial en los dispositivos habilitados para 5G, ya que permite un acceso rápido a grandes conjuntos de datos necesarios para el procesamiento de datos de alta velocidad, como la realidad aumentada (RA), la realidad virtual (RV) y las aplicaciones de IA en tiempo real.

Las unidades de estado sólido (SSD) también se han vuelto cada vez más populares tanto en entornos de consumo como empresariales. La transición de las unidades de disco duro tradicionales (HDD) a las unidades SSD se debe principalmente al rendimiento, la fiabilidad y la eficiencia energética superiores de estas últimas. Las unidades SSD se basan en varios tipos de memoria no volátil, como la memoria flash NAND, para almacenar datos. A medida que las empresas y los consumidores buscan un acceso más rápido a los datos, un menor consumo de energía y una mayor durabilidad, la adopción de las unidades SSD sigue creciendo, lo que impulsa aún más el mercado de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones. Además, la industria de los juegos ha sido testigo de un aumento en la adopción de las unidades SSD debido a su capacidad para reducir los tiempos de carga y mejorar el rendimiento en el juego. Se espera que esta tendencia continúe a medida que las consolas de juegos, las PC y los servicios de juegos en la nube prioricen la velocidad y la capacidad de respuesta. En conclusión, el mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones está muy influenciado por la adopción generalizada de dispositivos móviles y unidades SSD. Estas tecnologías están impulsando el desarrollo de soluciones de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones cada vez más avanzadas y eficientes para satisfacer las crecientes demandas de los consumidores y las empresas de un acceso más rápido a los datos, mayores capacidades de almacenamiento y una mejor eficiencia energética. A medida que persistan estas tendencias y evolucione la tecnología, el mercado de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones continuará su expansión, ofreciendo beneficios a una amplia gama de industrias y aplicaciones.

Aumento de la demanda de almacenamiento de datos

El mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones está experimentando un crecimiento sólido, impulsado principalmente por la creciente demanda de almacenamiento de datos en varios sectores. Este apetito insaciable de datos está siendo impulsado por varias tendencias convergentes, y las tecnologías de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones están a la vanguardia para satisfacer estas crecientes necesidades de almacenamiento. En primer lugar, la transformación digital de las empresas y la proliferación de la electrónica de consumo han llevado a un aumento exponencial en la generación de datos. Desde las transacciones de comercio electrónico y las interacciones en las redes sociales hasta los datos de sensores de los dispositivos IoT, el volumen de datos que se produce no tiene precedentes. Las soluciones de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones, como la memoria flash NAND y 3D XPoint, son esenciales para almacenar estos datos de manera eficiente y confiable.

La computación en la nube es otro de los principales impulsores de la demanda de almacenamiento de datos. Los proveedores de servicios en la nube requieren grandes centros de datos con soluciones de almacenamiento de alta capacidad para alojar y administrar los datos de personas y organizaciones en todo el mundo. Las tecnologías de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones, incluidas las SSD (unidades de estado sólido), se han convertido en la opción preferida para estos centros de datos debido a su velocidad, confiabilidad y menor consumo de energía en comparación con las unidades de disco duro tradicionales (HDD). Además, la llegada de la tecnología 5G está preparada para acelerar la demanda de almacenamiento de datos. Las velocidades de transferencia de datos más rápidas y la latencia reducida que ofrecen las redes 5G fomentarán el desarrollo de aplicaciones de uso intensivo de datos, como la realidad aumentada (RA), la realidad virtual (RV) y los vehículos autónomos. Estas aplicaciones dependen de la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones para almacenar y acceder rápidamente a las grandes cantidades de datos necesarios para el procesamiento en tiempo real.

La seguridad de los datos y el cumplimiento normativo también impulsan los requisitos de almacenamiento de datos. Las organizaciones almacenan cada vez más información confidencial y deben cumplir estrictas leyes de protección de datos. La memoria no volátil de TI y telecomunicaciones desempeña un papel crucial en el cifrado de datos y el almacenamiento seguro, lo que la hace indispensable para salvaguardar los activos de datos críticos. Además, los fabricantes de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones continúan innovando, aumentando las densidades de almacenamiento y reduciendo el costo por bit. Esto hace que las soluciones de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones sean más accesibles y asequibles para una amplia gama de aplicaciones, lo que contribuye aún más al crecimiento del mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones. En conclusión, la creciente demanda de almacenamiento de datos es una fuerza imparable que da forma al mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones. A medida que nuestro mundo se centra cada vez más en los datos, la necesidad de soluciones de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones escalables, de alto rendimiento y confiables seguirá creciendo, lo que convierte a este mercado en un componente vital de la era digital.

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Inteligencia artificial y aprendizaje automático

La inteligencia artificial (IA) y el aprendizaje automático (ML) están preparados para desempeñar un papel fundamental a la hora de impulsar el mercado global de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones a nuevas alturas. Estas tecnologías transformadoras están revolucionando las industrias en todos los ámbitos, y su voraz apetito por los datos y la necesidad de un acceso rápido a los mismos hacen que la memoria no volátil para TI y telecomunicaciones sea un componente fundamental para su éxito. Los algoritmos de IA y ML requieren grandes cantidades de datos para el entrenamiento y la inferencia. Las soluciones de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones, como la memoria flash NAND, los SSD y las tecnologías de memoria emergentes como 3D XPoint, ofrecen la velocidad y la capacidad necesarias para almacenar y acceder a estos conjuntos de datos masivos de manera eficiente. Esto es particularmente crucial para el aprendizaje profundo, donde las redes neuronales con numerosas capas exigen conjuntos de datos extensos para un modelado preciso.

Además, las características de baja latencia de la memoria no volátil para TI y telecomunicaciones son esenciales para las aplicaciones de IA y ML que requieren procesamiento en tiempo real o casi en tiempo real. Desde vehículos autónomos hasta sistemas de reconocimiento de voz, la capacidad de acceder a los datos rápidamente es imperativa para garantizar el funcionamiento sin problemas de las tecnologías impulsadas por IA. La escalabilidad de la memoria no volátil para TI y telecomunicaciones es otro factor crítico que impulsa su adopción en IA y ML. A medida que las empresas e instituciones de investigación expanden su infraestructura de IA y ML, requieren soluciones de memoria que puedan escalar con sus crecientes necesidades de almacenamiento de datos. La memoria no volátil para TI y telecomunicaciones se puede integrar fácilmente en las arquitecturas de centros de datos existentes y puede adaptarse a la creciente demanda de capacidad de almacenamiento de datos.

Además, las tecnologías de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones se están optimizando para cargas de trabajo de IA y ML. Los fabricantes están desarrollando soluciones de memoria que ofrecen una mejor resistencia, eficiencia energética y confiabilidad para cumplir con los requisitos específicos de los aceleradores de IA y los dispositivos informáticos de borde. En conclusión, la IA y el ML están a la vanguardia de la innovación tecnológica y su influencia en el mercado global de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones es innegable. A medida que las aplicaciones de IA y ML continúan proliferando en industrias que van desde la atención médica hasta las finanzas y la fabricación, la demanda de soluciones de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones de alto rendimiento, baja latencia y escalables solo se intensificará. Esta relación simbiótica entre IA/ML y la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones está preparada para impulsar la innovación en ambos campos, con la industria de la memoria adaptándose para satisfacer las necesidades en constante evolución de la inteligencia artificial.

Principales desafíos del mercado

Restricciones de costos

Las restricciones de costos son un desafío importante que podría obstaculizar el crecimiento y el desarrollo del mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones. Este desafío es multifacético e impacta varios aspectos de la industria, desde la investigación y el desarrollo hasta la producción y la adopción por parte del consumidor. Costos de investigación y desarrollodesarrollar nuevas tecnologías de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones y mejorar las existentes requiere inversiones sustanciales en investigación y desarrollo. Las empresas de la industria necesitan innovar continuamente para mantenerse competitivas y satisfacer las cambiantes demandas del mercado. Los altos costos de I+D pueden ser una barrera para los actores más pequeños y las empresas emergentes, lo que limita la diversidad de soluciones de memoria en el mercado.

Costos de fabricaciónla fabricación de chips de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones implica procesos complejos y equipos costosos. A medida que la tecnología avanza y los fabricantes se esfuerzan por producir chips de memoria con mayores capacidades y velocidades más rápidas, el costo de construir y mantener las instalaciones de fabricación, también conocidas como fabs, continúa aumentando. Este costo generalmente se transmite a los consumidores, lo que potencialmente limita la asequibilidad de las soluciones de memoria avanzadas. Economías de escalalograr economías de escala es fundamental para una producción rentable. Los fabricantes más pequeños pueden tener dificultades para competir con empresas más grandes y establecidas que tienen los recursos para producir chips de memoria en grandes volúmenes. Esta concentración de poder de fabricación puede llevar al dominio del mercado por parte de unos pocos actores, lo que potencialmente limita la competencia y la innovación.

Presión de preciosel mercado de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones es altamente competitivo, y los consumidores y las empresas esperan precios más bajos para soluciones de memoria de mayor capacidad. Los fabricantes a menudo enfrentan presiones para reducir los precios para seguir siendo competitivos, lo que puede afectar los márgenes de ganancia y obstaculizar su capacidad de invertir en investigación y desarrollo. Adopción por parte de los consumidoresel costo de la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones afecta directamente la adopción por parte de los consumidores. En mercados como el de los teléfonos inteligentes, los consumidores son sensibles a los precios y el costo de los componentes de memoria afecta significativamente el precio general de los dispositivos. Si los precios de la memoria siguen siendo altos, puede ralentizar la adopción de dispositivos con mayores capacidades de almacenamiento.

Soluciones empresarialesen entornos empresariales y de centros de datos, las limitaciones de costos pueden limitar la implementación de soluciones de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones de alta capacidad. Las organizaciones pueden necesitar equilibrar sus necesidades de almacenamiento con limitaciones presupuestarias, lo que potencialmente retrasa las actualizaciones o la expansión de su infraestructura de memoria. Para abordar estas limitaciones de costos, la industria de la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones debe centrarse en mejorar los procesos de fabricación para reducir los costos de producción y lograr mejores economías de escala. Además, la innovación continua en tecnologías de memoria puede conducir a soluciones más rentables a largo plazo. Las asociaciones y colaboraciones estratégicas entre los actores de la industria también pueden ayudar a distribuir los costos y promover los esfuerzos de investigación y desarrollo. En conclusión, si bien las limitaciones de costos plantean desafíos para el mercado global de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones, también impulsan la innovación y la eficiencia en la industria. Superar estos desafíos requerirá una combinación de avances tecnológicos, economías de escala y dinámica de mercado para garantizar que las soluciones de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones sigan siendo accesibles y asequibles para una amplia gama de aplicaciones y consumidores.

Límites de escalabilidad de la memoria flash NAND

Uno de los desafíos importantes que enfrenta el mercado global de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones son los límites de escalabilidad de la tecnología de memoria flash NAND. La memoria flash NAND ha sido el caballo de batalla del mercado de memoria no volátil para TI y telecomunicaciones durante muchos años, y se ha utilizado ampliamente en varios dispositivos, desde teléfonos inteligentes hasta centros de datos. Sin embargo, a medida que la memoria flash NAND se acerca a sus límites de escalabilidad física, plantea un posible obstáculo para un mayor avance y expansión en la industria. El problema fundamental con el escalado de flash NAND es que a medida que los fabricantes intentan reducir el tamaño de las celdas de memoria para aumentar la densidad de almacenamiento, surgen varios problemas críticos. Resistencia reducidaa medida que las celdas NAND se hacen más pequeñas, pueden soportar menos ciclos de programa/borrado (P/E) antes de desgastarse. Esta resistencia reducida puede afectar la confiabilidad y la vida útil de los dispositivos basados en flash NAND, particularmente en aplicaciones de alta intensidad de escritura como los sistemas de almacenamiento empresarial.

Tasas de error aumentadaslas celdas NAND más pequeñas son más susceptibles a errores causados por factores como el efecto túnel de electrones y la interferencia entre celdas adyacentes. Esto conduce a tasas de error más altas, lo que requiere mecanismos de corrección de errores que pueden consumir recursos y energía adicionales. Retención de datoslas celdas NAND más pequeñas también tienden a tener tiempos de retención de datos más cortos. Esto significa que los datos almacenados en estas celdas pueden degradarse más rápidamente, lo que es problemático para aplicaciones que requieren almacenamiento de datos a largo plazo. Procesos de fabricación complejosla reducción de las celdas flash NAND requiere procesos de fabricación cada vez más complejos, lo que genera mayores costos de producción y posibles desafíos de fabricación. Para abordar estos problemas, los fabricantes han explorado varias técnicas, como la memoria flash NAND de celdas multinivel (MLC), celdas de triple nivel (TLC) y celdas de cuatro niveles (QLC), para aumentar la densidad de almacenamiento y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento y una resistencia razonables. Sin embargo, estas soluciones tienen desventajas en términos de rendimiento y confiabilidad. Para mitigar estos desafíos de escalabilidad, la industria también ha estado explorando activamente tecnologías de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones alternativas como 3D XPoint, RAM resistiva (ReRAM) y RAM magnetorresistiva (MRAM). Estas tecnologías ofrecen ventajas en términos de escalabilidad, resistencia y rendimiento, pero enfrentan su propio conjunto de desafíos de desarrollo y adopción. En conclusión, si bien la memoria flash NAND ha sido un fiel fiel en el mercado de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones, sus límites de escalabilidad plantean obstáculos significativos para satisfacer la creciente demanda de soluciones de almacenamiento más rápidas y de mayor capacidad. La capacidad de la industria para abordar estas limitaciones de escala y la transición a tecnologías de memoria alternativas será fundamental para dar forma al futuro de la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones y garantizar su continuo crecimiento y relevancia en un mundo cada vez más impulsado por los datos.

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Tendencias clave del mercado

Tecnologías de memoria emergentes

Las tecnologías de memoria emergentes están preparadas para ser una fuerza impulsora en la configuración del futuro del mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones. Estas innovadoras soluciones de memoria, que van más allá de la memoria flash NAND tradicional, ofrecen una gama de ventajas que abordan limitaciones críticas y satisfacen las demandas cambiantes de varias industrias y aplicaciones. Una de las tecnologías de memoria emergentes más notables es 3D XPoint, desarrollada por Intel y Micron bajo la marca Optane. 3D XPoint a menudo se conoce como memoria de clase de almacenamiento (SCM) debido a sus características únicas. Combina la velocidad y la resistencia de la DRAM tradicional con la naturaleza no volátil de la memoria flash NAND, cerrando la brecha entre la memoria volátil y no volátil. Esta tecnología está preparada para revolucionar el almacenamiento y procesamiento de datos de múltiples maneras. Alto rendimiento3D XPoint ofrece velocidades de acceso a datos significativamente más rápidas que la memoria flash NAND, lo que la hace ideal para aplicaciones informáticas de alto rendimiento, análisis en tiempo real y cargas de trabajo de IA/ML que requieren un procesamiento rápido de datos.

Alta resistenciaa diferencia de la memoria flash NAND, 3D XPoint no se degrada tan rápidamente con ciclos de escritura repetidos, lo que garantiza una vida útil más larga y una mejor confiabilidad. Esta característica es fundamental para aplicaciones empresariales y de centros de datos. Baja latenciael acceso a datos de baja latencia es esencial para aplicaciones como bases de datos en memoria y computación de borde. 3D XPoint proporciona niveles de latencia cercanos a la DRAM, lo que mejora el rendimiento general del sistema. Otra tecnología de memoria emergente es la RAM resistiva (ReRAM), que aprovecha los materiales de conmutación resistiva para almacenar datos. ReRAM promete ventajas como bajo consumo de energía, velocidades de escritura rápidas y escalabilidad. Tiene aplicaciones potenciales en dispositivos IoT, computación neuromórfica y soluciones de memoria de clase de almacenamiento.

La memoria de cambio de fase (PCM) es otra tecnología notable que utiliza la transición de fase reversible de los materiales para almacenar datos. PCM ofrece alta retención de datos, bajo consumo de energía y resistencia a temperaturas extremas, lo que la hace adecuada para la electrónica automotriz, aplicaciones aeroespaciales y sensores IoT. En el contexto del mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones, estas tecnologías de memoria emergentes están diversificando el panorama e impulsando la innovación. Satisfacen la demanda de soluciones de memoria más rápidas, más confiables y energéticamente eficientes en industrias como centros de datos, IA, IoT y automotriz. A medida que los fabricantes refinen estas tecnologías, mejoren los procesos de producción y amplíen la fabricación, es probable que se vuelvan más competitivos en términos de costos, acelerando aún más su adopción. En conclusión, las tecnologías de memoria emergentes como 3D XPoint, ReRAM y PCM están a la vanguardia de la innovación de la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones. Están reconfigurando el mercado al abordar las limitaciones de la memoria flash NAND tradicional y brindar soluciones personalizadas para una amplia gama de aplicaciones. A medida que las industrias continúan priorizando el rendimiento, la resistencia y la eficiencia, estas tecnologías están preparadas para desempeñar un papel fundamental en el crecimiento y la evolución del mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones.

Integración de IA y aprendizaje automático

La integración de las tecnologías de inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML) es una fuerza convincente que impulsa el mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones hacia una nueva era de crecimiento e innovación. Estas tecnologías transformadoras están profundamente impulsadas por los datos y dependen del acceso y almacenamiento rápidos de datos, lo que hace que la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones sea un componente fundamental en su avance. Los algoritmos de IA y ML son consumidores voraces de datos. Requieren conjuntos de datos masivos para el entrenamiento y el acceso a los datos en tiempo real para la inferencia, lo que hace que las soluciones de almacenamiento de alto rendimiento y baja latencia sean una necesidad crítica. La memoria no volátil, como la memoria flash NAND y las tecnologías emergentes como 3D XPoint, se destaca por satisfacer estas demandas al brindar capacidades de recuperación y almacenamiento de datos rápidas y confiables.

Los factores clave que impulsan la sinergia entre la IA/ML y la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones incluyenCargas de trabajo intensivas en datosLas aplicaciones de IA y ML, que van desde el procesamiento del lenguaje natural hasta la visión por computadora, generan y procesan grandes cantidades de datos. Las tecnologías de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones se destacan por almacenar y administrar estos conjuntos de datos masivos, lo que garantiza que los modelos de IA tengan acceso a la información que necesitan para realizar predicciones y tomar decisiones precisas.

Procesamiento en tiempo realLa IA y el ML a menudo requieren procesamiento en tiempo real o casi en tiempo real, como los vehículos autónomos que toman decisiones en fracciones de segundo o los sistemas de reconocimiento de voz que responden a los comandos del usuario. Las características de baja latencia de la memoria no volátil permiten un acceso rápido a los datos, lo que facilita los tiempos de respuesta rápidos necesarios para estas aplicaciones. Edge ComputingA medida que la IA se acerca al borde de la red, más cerca de los dispositivos y sensores de IoT, la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones se vuelve esencial para el almacenamiento y procesamiento de datos locales. Este paradigma de computación de borde requiere soluciones de memoria que puedan operar de manera eficiente en entornos con recursos limitados.

Eficiencia energéticaLas aplicaciones de IA y ML en dispositivos móviles y dispositivos de IoT exigen soluciones de almacenamiento energéticamente eficientes. Las tecnologías de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones son conocidas por su menor consumo de energía en comparación con los discos duros tradicionales, lo que contribuye a una mayor duración de la batería en los dispositivos móviles y extiende la vida útil operativa de los dispositivos de IoT. Oportunidades de escalaLa escalabilidad de la memoria no volátil de TI y telecomunicaciones se alinea con el crecimiento de las cargas de trabajo de IA/ML. Las organizaciones pueden expandir fácilmente su infraestructura de memoria para adaptarse al creciente volumen de datos generados y analizados por los sistemas de IA. Arquitecturas de memoria avanzadasLos fabricantes de memoria están desarrollando soluciones de memoria optimizadas para IA y ML, con características como resistencia, confiabilidad y rendimiento mejorados. Estas tecnologías están diseñadas para satisfacer las demandas específicas de las cargas de trabajo de IA.

En conclusión, la IA y el aprendizaje automático están a la vanguardia de la innovación tecnológica, y su profunda integración con las tecnologías de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones está impulsando el mercado global de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones a nuevas alturas. A medida que las aplicaciones de IA/ML continúan proliferando en todas las industrias, la demanda de soluciones de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones de alta velocidad, baja latencia y escalables seguirá siendo fuerte, fomentando la colaboración y la innovación continuas entre estos dos campos transformadores. Los avances resultantes potenciarán aún más las aplicaciones impulsadas por IA/ML y darán forma al futuro de la informática.

Información segmentaria

Información de tipo

Se espera que el segmento de memoria flash domine el mercado durante el período de pronóstico. La creciente demanda y penetración de la electrónica de consumo condujo a aplicaciones de memoria flash para dispositivos. Este tipo de memoria encuentra aplicaciones en computadoras portátiles, GPS, instrumentos musicales electrónicos, cámaras digitales, teléfonos celulares y muchos otros. Además, los proveedores de soluciones para centros de datos lo adoptan ampliamente. Con el crecimiento exponencial en la adopción de soluciones en la nube, la demanda de centros de datos también está aumentando.

Además, con la creciente propensión hacia las aplicaciones de IA/ML y los dispositivos de IoT que requieren almacenamiento en la nube de alta latencia y alto rendimiento, el almacenamiento flash y los centros de datos empresariales están optimizados para entrenar redes neuronales profundas. Se espera que el creciente número y tamaño de los centros de datos aumente aún más la demanda.

Para satisfacer la creciente demanda, los proveedores que operan en el mercado se centran en desarrollar nuevas soluciones con mejores capacidades. Por ejemplo, en febrero de 2021, Kioxia Corporation y Western Digital Corp. anunciaron el desarrollo de una tecnología de memoria flash 3D de sexta generación y 162 capas. Esta fue la tecnología de memoria flash 3D de mayor densidad y más avanzada de la empresa, que utiliza muchas innovaciones tecnológicas y de fabricación.

Perspectivas regionales

Se espera que Asia Pacífico domine el mercado durante el período de pronóstico. La construcción de nuevas infraestructuras, incluidos centros de datos, ha ido en aumento en varios países de la región de Asia Pacífico, debido al aumento de la demanda de entretenimiento en línea, teletrabajo y servicios de llamadas de voz y video. Con el rápido desarrollo de la economía digital, se está volviendo necesaria la construcción de grandes centros de datos en países como China e India.

China se ha convertido en el país líder debido a su enfoque agresivo en el negocio de la memoria NAND. Por ejemplo, Yangtze Memory Technologies Co. Ltd (YMTC), una de las principales empresas de memoria de China, había enviado 64 capas de NAND a nivel nacional en volúmenes bajos, incluidos SSD, con una producción de 128 capas en desarrollo y envíos en 2021.

Acontecimientos recientes

  • Enero de 2022SK Hynix Inc. anunció la finalización de la primera fase de la transacción para adquirir el negocio de unidades de estado sólido (SSD) y NAND de Intel. Según la empresa, ha cerrado la primera fase de la transacción con la adquisición del negocio SSD de Intel y la planta de fabricación de memoria flash NAND de Dalian en China.
  • Octubre de 2021NSCore Inc. presentó OTP+, One-Time-Programmable Plus, una solución de memoria no volátil de TI y telecomunicaciones para aplicaciones de tecnología IoT. Según la empresa, la solución IP OTP NVM de 40 nm de consumo ultrabajo puede minimizar la necesidad de volver a fabricar un chip IoT, algo fundamental en el mercado emergente. Además, la solución NSCore OTP+ se puede reprogramar y modificar, a diferencia de las soluciones OTP IP estándar.
  • Julio de 2021Micron Technology anunció que comenzó a realizar envíos masivos de la primera solución móvil de almacenamiento flash universal (UFS) 3.1 NAND de 176 capas del mundo. Diseñada para teléfonos de gama alta y de gama alta, la memoria NAND móvil discreta UFS 3.1 de Micron libera el potencial de 5G con velocidades de escritura secuencial y lectura aleatoria de hasta un 75 % en comparación con las generaciones anteriores.

Principales actores del mercado

  • ROHM Co. Ltd

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