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Globale Marktgröße für GaN-Substrate und GaN-Wafer nach Typ (Saphir, GaN auf SiC, GaN auf Si), nach Endverbrauch (Gesundheitswesen, Automobile, Unterhaltungselektronik), nach geografischer Reichweite und Prognose


Published on: 2024-09-18 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report

Publisher : MIR | Format : PDF&Excel

Globale Marktgröße für GaN-Substrate und GaN-Wafer nach Typ (Saphir, GaN auf SiC, GaN auf Si), nach Endverbrauch (Gesundheitswesen, Automobile, Unterhaltungselektronik), nach geografischer Reichweite und Prognose

Marktgröße und Prognose für GaN-Substrate und GaN-Wafer

Der Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer wurde im Jahr 2024 auf 2,55 Milliarden USD geschätzt und soll bis 2031 8,41 Milliarden USD erreichen und zwischen 2024 und 2031 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 16,07 % wachsen.

Eine wachsende Zahl von GaN-Herstellern und kommerziellen Unternehmen, eine steigende Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und Automobilen sowie ein erhöhter Bedarf an Geräten mit geringem Stromverbrauch tragen allesamt zur Expansion des Marktes bei. Der globale Marktbericht für GaN-Substrate und GaN-Wafer bietet eine ganzheitliche Bewertung des Marktes. Der Bericht bietet eine umfassende Analyse der wichtigsten Segmente, Trends, Treiber, Beschränkungen, Wettbewerbslandschaft und Faktoren, die auf dem Markt eine wesentliche Rolle spielen.

Globale Definition des Marktes für GaN-Substrate und GaN-Wafer

Zu den harten Halbleitermaterialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit und Wärmekapazität zählen GaN-Substrate und GaN-Wafer. Diese Materialien werden zur Herstellung von Leistungsverstärkern und Transistoren verwendet, da sie eine hohe Spannungsbelastbarkeit aufweisen. Aufgrund ihrer hohen Sättigungsgeschwindigkeit und Temperatur werden sie in Mikrowellenanwendungen eingesetzt. GaN-Wafer sind im Bereich der Unterhaltungselektronik aufgrund technischer Fortschritte und intelligenter Energieverwaltung durch elektronische Komponenten sehr gefragt. Der Markt für tragbare Komponenten und Geräte dürfte sich aufgrund der steigenden Verbrauchernachfrage entwickeln.

GaN auf Silizium und GaN auf Saphir erweisen sich beide als sehr leistungsfähige Halbleiter in der Elektronikbranche. Die Notwendigkeit einer effektiven elektrischen Energieübertragung und eines geringen Stromverbrauchs sowie die zunehmende Verbreitung der LED-Technologie sind die treibenden Kräfte hinter der Expansion dieses Marktes. GaN-Substrate und -Wafer werden in der Automobilbranche zur Herstellung einer Vielzahl von Elektronik- und Autoteilen verwendet. In der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsindustrie werden durch den Einsatz von GaN in den in Radarsystemen verwendeten ICs eine effektive Luftkontrolle, Navigation und Echtzeit-Flugverkehrsaktualisierungen ermöglicht. Es wird erwartet, dass die Verwendung von intelligenten Geräten wie Smartphones und Laptops sowie das Internet der Dinge (IoT) die Produktion von GaN-Substraten und -Wafern steigern wird.

Was enthält einen
Branchenbericht?

Unsere Berichte enthalten umsetzbare Daten und zukunftsweisende Analysen, die Ihnen dabei helfen, Pitches auszuarbeiten, Geschäftspläne zu erstellen, Präsentationen zu gestalten und Vorschläge zu schreiben.

Weltweiter Überblick über den Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer

Eine wachsende Zahl von GaN-Herstellern und kommerziellen Unternehmen, eine steigende Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und Automobilen sowie ein erhöhter Bedarf an Geräten mit geringem Stromverbrauch tragen zur Expansion des Marktes bei. Darüber hinaus erfreut sich GaN zunehmender Beliebtheit und ersetzt herkömmliche Siliziumhalbleiter in elektronischen Komponenten, was voraussichtlich das Umsatzwachstum dieses Marktes vorantreiben wird. Das Gesamtwachstum des Marktes könnte jedoch durch einen Mangel an medizinischer Forschung in diesem Bereich behindert werden. Einige wichtige Wettbewerber auf dem Markt konzentrieren sich auch auf Partnerschaften und Kooperationen zur Weiterentwicklung der GaN-Technologie.

So hat beispielsweise die Toshiba Corporation eine Gate-Dielektrikum-Prozesstechnologie entwickelt, um Änderungen der Eigenschaften von GaN-Leistungsgeräten, wie z. B. der Schwellenspannung, zu verringern und ihre Zuverlässigkeit zu erhöhen. Die Entwicklung der GaN-Technologie wird von zahlreichen Forschungsorganisationen priorisiert, darunter das Air Force Research Laboratory, die Max-Planck-Gesellschaft und die Helmholtz-Gemeinschaft.

Globale Segmentierungsanalyse des Marktes für GaN-Substrate und GaN-Wafer

Der globale Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer ist nach Typ, Endverbrauch und Geografie segmentiert.

Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer nach Typ

  • GaN auf Saphir
  • GaN auf SiC
  • GaN auf Si
  • GaN auf GaN

Basierend auf dem Typ ist der Markt in GaN auf Saphir, GaN auf SiC, GaN auf Si und GaN auf GaN segmentiert.

Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer nach Endverbrauch

  • Gesundheitswesen
  • Automobile
  • Unterhaltungselektronik
  • Allgemeine Beleuchtung
  • Militär und Verteidigung

Basierend auf dem Endverbrauch ist der Markt segmentiert in Gesundheitswesen, Automobile, Unterhaltungselektronik, Allgemeinbeleuchtung und Militär und Verteidigung.

GaN-Substrat- und GaN-Wafer-Markt nach Geografie

  • Nordamerika
  • Europa
  • Asien-Pazifik
  • Rest der Welt

Auf Grundlage der Geografie ist der globale GaN-Substrat- und GaN-Wafer-Markt in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und den Rest der Welt unterteilt.

Hauptakteure

Der Studienbericht „Globaler GaN-Substrat- und GaN-Wafer-Markt“ bietet wertvolle Einblicke mit Schwerpunkt auf dem globalen Markt. Die wichtigsten Akteure auf dem Markt sind Saint Gobain Ltd, Aixtron Ltd, Soitec Pte Ltd, Sumitomo Electric Industries, Ltd, Fujitsu Limited, Toshiba Corporation, NTT Advanced Technology Corporation, Kyma Technologies. Mitsubishi Chemical Corporation, EpiGaN NV.

Unsere Marktanalyse umfasst einen Abschnitt, der speziell diesen großen Akteuren gewidmet ist, in dem unsere Analysten einen Überblick über die Finanzberichte jedes Akteurs geben, zusammen mit Produktbenchmarking und SWOT-Analyse. Wichtige Entwicklungsstrategien, Marktanteilsanalysen und Marktpositionierungsanalysen der oben genannten Akteure weltweit sind ebenfalls im Abschnitt zur Wettbewerbslandschaft enthalten.

Ace-Matrix-Analyse

Die im Bericht bereitgestellte Ace-Matrix würde helfen zu verstehen, wie die wichtigsten Akteure dieser Branche abschneiden, da wir für diese Unternehmen eine Rangfolge anhand verschiedener Faktoren wie Servicefunktionen und Innovationen, Skalierbarkeit, Serviceinnovation, Branchenabdeckung, Branchenreichweite und Wachstums-Roadmap erstellen. Basierend auf diesen Faktoren ordnen wir die Unternehmen in die vier Kategorien Aktiv, Spitzenreiter, Aufstrebend und Innovatoren

Marktattraktivität

Das bereitgestellte Bild der Marktattraktivität hilft außerdem dabei, Informationen über die Region zu erhalten, die auf dem globalen Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer führend ist. Wir decken die wichtigsten Einflussfaktoren ab, die für das Branchenwachstum in der jeweiligen Region verantwortlich sind.

Porters Fünf Kräfte

Das bereitgestellte Bild hilft außerdem dabei, Informationen über Porters Fünf-Kräfte-Modell zu erhalten, das eine Blaupause zum Verständnis des Verhaltens von Wettbewerbern und der strategischen Positionierung eines Akteurs in der jeweiligen Branche bietet. Porters Fünf-Kräfte-Modell kann verwendet werden, um die Wettbewerbslandschaft auf dem globalen Markt für GaN-Substrate und GaN-Wafer zu bewerten, die Attraktivität eines bestimmten Sektors einzuschätzen und Investitionsmöglichkeiten einzuschätzen.

Berichtsumfang

BERICHTSATTRIBUTEDETAILS
Studienzeitraum

2021–2031

Basisjahr

2024

Prognosezeitraum

2024–2031

Historisch Zeitraum

2021–2023

Einheit

Wert (Milliarden USD)

Profilierte Schlüsselunternehmen

Saint Gobain Ltd, Aixtron Ltd, Soitec Pte Ltd, Sumitomo Electric Industries, Ltd, Fujitsu Limited, Toshiba Corporation, NTT Advanced Technology Corporation, Kyma Technologies. Mitsubishi Chemical Corporation, EpiGaN NV.

Abgedeckte Segmente
  • Nach Typ
  • Nach Endverwendung
  • Nach Geografie
Anpassungsumfang

Kostenlose Berichtsanpassung (entspricht bis zu 4 Analystenarbeitstagen) beim Kauf. Ergänzung oder Änderung der Länder-, Regional- und Segmentumfang.

Forschungsmethodik der Marktforschung

Um mehr über die Forschungsmethodik und andere Aspekte der Forschungsstudie zu erfahren, wenden Sie sich bitte an unseren .

Gründe für den Kauf dieses Berichts

• Qualitative und quantitative Analyse des Marktes basierend auf einer Segmentierung, die sowohl wirtschaftliche als auch nichtwirtschaftliche Faktoren einbezieht• Bereitstellung von Marktwertdaten (in Milliarden USD) für jedes Segment und Untersegment• Gibt die Region und das Segment an, von denen erwartet wird, dass sie das schnellste Wachstum verzeichnen und den Markt dominieren• Analyse nach Geografie, die den Verbrauch des Produkts/der Dienstleistung in der Region hervorhebt und die Faktoren angibt, die den Markt in jeder Region beeinflussen• Wettbewerbslandschaft, die das Marktranking der wichtigsten Akteure sowie die Einführung neuer Dienstleistungen/Produkte, Partnerschaften, Geschäftserweiterungen und Übernahmen der profilierten Unternehmen in den letzten fünf Jahren umfasst• Ausführliche Unternehmensprofile, bestehend aus Unternehmensübersicht, Unternehmens Einblicke, Produktbenchmarking und SWOT-Analyse für die wichtigsten Marktteilnehmer• Die aktuellen sowie zukünftigen Marktaussichten der Branche in Bezug auf aktuelle Entwicklungen, die Wachstumschancen und -treiber sowie Herausforderungen und Einschränkungen sowohl aufstrebender als auch entwickelter Regionen beinhalten• Beinhaltet eine eingehende Analyse des Marktes aus verschiedenen Perspektiven durch Porters Fünf-Kräfte-Analyse• Bietet Einblicke in den Markt durch die Wertschöpfungskette• Marktdynamikszenario sowie Wachstumschancen des Marktes in den kommenden Jahren• 6-monatige Analystenunterstützung nach dem Verkauf

Anpassung des Berichts

• Wenden Sie sich in etwaigen Fällen bitte an unser Vertriebsteam, das sicherstellt, dass Ihre Anforderungen erfüllt werden.

Table of Content

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