Globale Marktgröße für Through Silicon Via (TSV)-Technologie nach Produkt (Via First TSV, Via Middle TSV), nach Anwendung (Bildsensoren, 3D-Paket, 3D-integrierte Schaltkreise), nach geografischem Umfang und Prognose

Marktgröße und Prognose für Through Silicon Via (TSV)-Technologie

Der Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie hatte im Jahr 2024 einen Wert von 35,12 Milliarden USD und soll bis 2031 192,29 Milliarden USD erreichen und zwischen 2024 und 2031 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 26,12 % wachsen.

Die zunehmende Verbreitung intelligenter Elektronikprodukte wie Smartphones, Laptops, Tablets und vielen anderen führt zu einem exponentiellen Wachstum der Through Silicon Via (TSV)-Technologie. Denn diese TSVs werden hauptsächlich zum Bau von 3D-integrierten Schaltkreisen (ICs) und IC-Paketen verwendet, die eine der wichtigsten Komponenten bei der Herstellung intelligenter Elektronik sind. Darüber hinaus bieten die TSVs Verbindungen mit höherer Dichte, benötigen nur minimalen Platz und bieten die beste Konnektivität im Vergleich zu herkömmlichen Flip-Chips und Drahtverbindungen. Die Verwendbarkeit von TSVs und verschiedenen elektronischen Komponenten wie Mikroprozessoreinheiten (MPUs), PLDs, DRAMs, elektronischen Chips für Grafiken und und vielen anderen.

Globale Marktdefinition der Through Silicon Via (TSV)-Technologie

Die Through-Silicon Via (TSV)-Technologie ist die zentrale und wichtigste Technologie, die die Integration von dreidimensionalem (3D) Si und 3D-integrierten Schaltkreisen (IC) ermöglicht. Es ermöglicht die kürzesten Chip-zu-Chip-Verbindungen und die Verbindung der kleinsten Pad-Größe und des kleinsten Abstands. Das dreidimensionale Stapeln von Chips mit Through-Silicon-Via-Technologie (TSV) als Verbindungselemente ist eine neue, fortschrittliche Verpackungstechnologie für CMOS-Bildgeber, Speicher und MEMS. Die TSV-Technologie bietet im Vergleich zur herkömmlichen Verbindungstechnologie mehrere Vorteile, darunter geringerer Stromverbrauch, bessere elektrische Leistung, höhere Dichte, größere Datenbreite und damit Bandbreite sowie geringeres Gewicht.

Eine Through-Silicon-Via (TSV) bezeichnet eine vertikale elektrische Verbindung, die vollständig durch einen Wafer aus Silikon oder Chips verläuft. TSVs sind leistungsstärkere Verbindungsmethoden, die zum Erstellen von 3D-integrierten Schaltkreisen und 3D-Paketen als Alternative zu Wire-Bond- und Flip-Chips verwendet werden. Bei dieser Technik ist die Geräte- und Verbindungsdichte deutlich höher und die Verbindungslänge wird kürzer. Die marktorientierte Anwendung von Through-Silicon-Via-Speicher (TSV) umfasst die Integration von Logikfunktionen und Speicher für eine verbesserte Videoqualität auf Handheld-Geräten, Multi-Chip-Hochleistungs-DRAM und gestapelten NAND-Flash-Speicher für Solid-State-Laufwerke.

Weltweiter Marktüberblick über Through Silicon Via (TSV)-Technologie

Die zunehmende Verwendung von Halbleiterchips in verschiedenen Branchen wie Energie, Medizin, Automobilen, , Motorsteuerungsanwendungen sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung beschleunigt das Wachstum des globalen Marktes für Through Silicon Via (TSV)-Technologie. Die zunehmende Verwendung von Leuchtdioden in Produkten hat die Produktion von Geräten mit höherer Kapazität, niedrigeren Kosten und höherer Dichte angeregt. Die Verwendung dreidimensionaler (3D) Verpackungen in der TSV-Technologie ermöglicht im Gegensatz zur 2D-Verpackung eine höhere Dichte vertikaler Verbindungen.

Darüber hinaus treibt die zunehmende Nachfrage nach der Miniaturisierung elektronischer Geräte aufgrund der kompakten Chiparchitektur die Entwicklung der Through Silicon Via (TSV)-Technologie voran. In verschiedenen Branchen wie Automobil, Telekommunikation, Gesundheitswesen und industrieller Fertigung entstand der Bedarf an miniaturisierten Halbleiter-ICs. Auch die wachsende Nachfrage nach TSV-Technologie für 3D-Chip-Verpackungen zur Reduzierung der Verbindungslänge, Verringerung der Verlustleistung, Erhöhung der Signalgeschwindigkeit und Reduzierung des Stromverbrauchs bietet eine große Chance für das Wachstum des Marktes für Through Silicon Via (TSV)-Technologie.

Die Marktanbieter müssen jedoch viel Geld in die Entwicklung von Geräten zur Herstellung kompakter ICs investieren. Darüber hinaus ist der Produktionsprozess komplex und nimmt mehr Zeit in Anspruch. Auch die Entwicklung des Herstellungsprozesses von Halbleiter-ICs wird immer komplexer, was moderate Auswirkungen auf die Hersteller von Halbleiterchips hätte, da diese viel in Verpackungs- und Montageanlagen investieren müssen, um die Leistung der Halbleiter-ICs zu verbessern.

Globaler Markt für Through Silicon Via (TSV)-TechnologieSegmentierungsanalyse

Der globale Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie ist nach Produkt, Anwendung und Geografie segmentiert.

Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie, nach Produkt

• Via First TSV
• Via Middle TSV
• Via Last TSV

Basierend auf dem Produkt ist der Markt in Via First TSV, Via Middle TSV und Via Last TSV segmentiert. Das Via Middle TSV-Segment hatte 2021 den größten Marktanteil. Via-Middle-TSV-Ansätze fügen das TSV-Modul typischerweise nach Abschluss der FEOL-Phasen ein, die aus verschiedenen Hochtemperaturprozessen bestehen, aber vor der BEOL-Verarbeitung, bei der das mehrschichtige Metallrouting durchgeführt wird. Via-Middle-TSVs sind derzeit eine gängige Option für fortschrittliche dreidimensionale (3D) ICs und auch für Interposer-Stacks.

Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie, nach Anwendung

• Bildsensoren
• 3D-Paket
• 3D-integrierte Schaltkreise
• Sonstige

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in , 3D-Paket, 3D-integrierte Schaltkreise und Sonstiges segmentiert. Das Segment 3D-integrierte Schaltkreise hatte im Jahr 2021 den größten Marktanteil. Die dreidimensionale Integration integrierter Schaltkreise (3DIC) unter Verwendung von Through Silicon Vias (TSV) ist eine der vielversprechendsten, aber auch anspruchsvollsten Technologien. Darüber hinaus sind die zunehmende Verbreitung von Smartphones, Featurephones und Tablets sowie technologische Fortschritte bei Geräten der Unterhaltungselektronik wichtige Faktoren, die das Wachstum des globalen 3D-integrierten Schaltkreises mit dem Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie vorantreiben.

Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie, nach Geografie

• Nordamerika
• Europa
• Asien-Pazifik
• Naher Osten und Afrika
• Lateinamerika

Auf der Grundlage der regionalen Analyse wird der globale Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Naher Osten und Afrika sowie Lateinamerika unterteilt. Der asiatisch-pazifische Raum dominierte 2019 den globalen Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie. Länder wie China, Korea und Japan nutzen die Through-Silicon Via (TSV)-Technologie in großem Maßstab. Diese Regionen gelten als Drehscheibe für die Herstellung von Elektronikteilen. Die Präsenz einer großen Anzahl von Smartphone-Unternehmen sowie die Bereitschaft der Verbraucher, neuere Technologien wie die 5G-Technologie zu übernehmen, werden den Markt im Telekommunikationssektor antreiben.

Diese übergeordneten Regionen sind wie folgt weiter segmentiertAsien-Pazifik (China, Indien, Japan, Rest von APAC), Europa (Deutschland, Großbritannien, Frankreich, Spanien, Italien, Rest von Europa), Nordamerika (USA, Kanada, Mexiko), Lateinamerika (Brasilien, Argentinien, Rest von LATAM) und Naher Osten und Afrika (VAE, Saudi-Arabien, Südafrika, Rest von MEA).

Wichtige Akteure

Der Studienbericht „Globaler Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie“ bietet wertvolle Einblicke mit Schwerpunkt auf dem globalen Markt. Die wichtigsten Akteure auf dem Markt sindAMS, Hua Tian Technology, Samsung, Amkor Micralyne, Inc., Intel Corporation, TESCAN, Dow Inc., WLCSP, ALLVIA, Applied Materials, International Business Machines Corporation, Tezzaron Semiconductors, STATS ChipPAC Ltd, Xilinx, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments. Darüber hinaus schließen viele Neueinsteiger und Through Silicon Via-Hersteller aus den jeweiligen Volkswirtschaften Lieferverträge mit den Herstellern von Smart Electronics ab, um sich einen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt zu verschaffen.

Unsere Marktanalyse umfasst auch einen Abschnitt, der sich ausschließlich diesen wichtigen Akteuren widmet, in dem unsere Analysten einen Einblick in die Finanzberichte aller wichtigen Akteure sowie deren Produktbenchmarking und SWOT-Analyse geben. Der Abschnitt „Wettbewerbslandschaft“ umfasst auch wichtige Entwicklungsstrategien, Marktanteile und Marktranganalysen der oben genannten Akteure weltweit.

Wichtige Entwicklungen

• Samsung Electronics Co., Ltd. gab bekannt, dass es die branchenweit erste 12-lagige 3D-TSV-Technologie (Through Silicon Via) entwickelt hat. Diese neue Technologie ermöglicht das Stapeln von 12 DRAM-Chips unter Verwendung von mehr als 60.000 TSV-Löchern bei gleicher Dicke wie bei aktuellen 8-lagigen Chips.
• Im September 2019 gab Teledyne Technologies Incorporated heute bekannt, dass seine Tochtergesellschaft Teledyne Digital Imaging, Inc. Micralyne Inc. übernommen hat, eine private Gießerei, die mikroelektromechanische Systeme oder MEMS-Geräte anbietet. Insbesondere verfügt Micralyne über eine einzigartige Mikrofluidtechnologie für biotechnologische Anwendungen sowie über Fähigkeiten im Bereich nicht auf Silizium basierender MEMS (z. B. Gold, Polymere), die häufig für die Verträglichkeit mit dem menschlichen Körper erforderlich sind.

Ace-Matrix-Analyse

Die im Bericht bereitgestellte Ace-Matrix hilft dabei, die Leistung der wichtigsten Akteure dieser Branche zu verstehen, da wir diese Unternehmen anhand verschiedener Faktoren wie Servicefunktionen und -innovationen, Skalierbarkeit, Serviceinnovation, Branchenabdeckung, Branchenreichweite und Wachstumsfahrplan bewerten. Basierend auf diesen Faktoren ordnen wir die Unternehmen in die vier Kategorien Aktiv, Hochmodern, Aufstrebend und Innovatoren

Marktattraktivität

Das bereitgestellte Bild der Marktattraktivität hilft außerdem dabei, Informationen über die Region zu erhalten, die auf dem globalen Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie führend ist. Wir decken die wichtigsten Einflussfaktoren ab, die für das Branchenwachstum in der jeweiligen Region verantwortlich sind.

Porters Fünf Kräfte

Das bereitgestellte Bild hilft außerdem dabei, Informationen über Porters Fünf-Kräfte-Modell zu erhalten, das eine Blaupause zum Verständnis des Verhaltens von Wettbewerbern und der strategischen Positionierung eines Akteurs in der jeweiligen Branche bietet. Porters Fünf-Kräfte-Modell kann verwendet werden, um die Wettbewerbslandschaft auf dem globalen Markt für Through Silicon Via (TSV)-Technologie zu bewerten, die Attraktivität eines bestimmten Sektors einzuschätzen und Investitionsmöglichkeiten einzuschätzen.

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