Globale Siliziumkarbid-Marktgröße nach Gerät (SiC-Modul, diskretes SiC-Gerät), nach Anwendung (Weltraumforschung und Kernenergie, Transport), nach geografischem Umfang und Prognose

Marktgröße und Prognose für Siliziumkarbid

Der Markt für Siliziumkarbid wurde im Jahr 2022 auf 850 Millionen USD geschätzt und soll bis 2030 5 Milliarden USD erreichen und von 2023 bis 2030 mit einer CAGR von 18,6 % wachsen.

Siliziumkarbid wird in großem Umfang in Bereichen wie Metallbearbeitung, Schleifmitteln und Feuerfestmaterialien verwendet. Mit der zunehmenden Entwicklung in Bereichen wie Maschinenbau, Luft- und Raumfahrt und Eisen wird auch die Nachfrage nach SiC-geerdeten Geräten zum Schneiden, Schleifen, Polieren und für andere Vorgänge steigen. Der globale Siliziumkarbid-Marktbericht bietet eine ganzheitliche Bewertung des Marktes. Der Bericht bietet eine umfassende Analyse der wichtigsten Segmente, Trends, Treiber, Beschränkungen, Wettbewerbslandschaft und Faktoren, die auf dem Markt eine wesentliche Rolle spielen.

GlobaleDefinition des Siliziumkarbid-Marktes

Siliziumkarbid, auch bekannt als Carborund, ist ein Halbleitermaterial, das in der Elektronik und Halbleiterindustrie weit verbreitet ist. Die physikalische Härte von Siliziumkarbid macht es für den Einsatz als Schleifmittel in Prozessen wie Honen, Wasserstrahlschneiden, Schleifen und Sandbrennen geeignet. Es wird auch in den Faktoren von Pumpen verwendet, die zum Bohren und Ausbeuten von Ölgemälden bei Ölfeldoperationen verwendet werden. Die steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid in der Leistungselektronik hat zu erhöhten Investitionen von Herstellern, Regierungen und Forschungsinstituten in das Produkt geführt.

Der Siliziumkarbid-Markt in Nordamerika wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit der höchsten durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate wachsen. Das Wachstum des Marktes in dieser Region ist im Wesentlichen auf die zunehmende Nachfrage nach diesem Material zurückzuführen, das aufgrund seiner fortschrittlichen elektrischen Leistung, kompakten Größe, Leistungsbetriebsfähigkeiten und hohen Zuverlässigkeit erhältlich ist. Der Markt für Leistungselektronik ist einer der Hauptverbraucher von Siliziumkarbid, da der Halbleiter den Energieverlust verringert und die Lebensdauer sowie die Wirksamkeit der Leistungselektronik erhöht.

Außerdem ist eine effiziente und effektive Leistungselektronik bei hohen Temperaturen unerlässlich, um verschiedene Anforderungen wie hohe Leistung, schnelle Ladezeit und andere zu erfüllen. Außerdem wird der wachsende Schwertmarkt in den USA wahrscheinlich das Wachstum des Siliziumkarbid-Marktes vorantreiben, da das Material als giftiges Xg-Mittel sowie als wichtiger Rohstoff für feuerfeste Produkte auf dem Markt eingesetzt wird. Die steigende Nachfrage nach SiC-Halbleitern in elektronischen Bauteilen wie LEDs, Sensoren und Detektoren wird die Marktsituation ankurbeln.

Die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energiequellen zur Stromerzeugung wird sich voraussichtlich positiv auf die Marktsituation auswirken. Auch die Aufnahme von Sword-Produkten ist einer der Hauptfaktoren, die die Marktsituation ankurbeln. Dennoch gibt es auf dem Markt für Siliziumkarbid kostengünstige Alternativen. Galliumnitrid ist eines der Materialien, das in Leistungsmodulen als Transistoren verwendet wird. Dies dürfte das Marktwachstum behindern.

Globaler Überblick über den Siliziumkarbid-Markt

Energiebetriebe erfordern niedrigere, effektivere Ergebnisse. SiC eignet sich ideal zum Ersetzen von Silizium in separaten Faktoren und Leistungsmodulen, da es die Leistungsviskosität erhöht und sicherstellt, dass die Vorspannung in kleineren Paketen untergebracht werden kann. Aufgrund ihrer überlegenen Leistung werden SiC-MOSFETs häufig in Leistungsvorgängen verwendet, die eine hohe Schaltfrequenz, Spannung, Stromstärke und Effizienz aufweisen. Das Design und die Herstellung der SiC-Vorspannung sind bis auf einige Unterschiede, wie z. B. die Halbleiterausstattung, nahezu analog zur normalen Si-Vorspannung. Im Gegensatz zu Si, das Silizium verwendet, verfügt SiC über redundante Kohlenstofftitel.

Diese Vorspannungen sind weitgehend zuverlässig, energieeffizient, robust und weisen eine erhöhte Schaltfrequenz und Betriebsspannungen auf. Die Vorspannung mit hoher Leistungsviskosität verfügt über einfache Designs, die kleinere und niedrigere externe Faktoren aufweisen. Die SiC-Vorspannung bietet Vorteile wie eine verbesserte Energieeffizienz und einen geringeren Energieverlust und reduziert so Betriebskosten und Umweltschäden. Das Design und die Herstellung der SiC-Vorspannung sind bis auf einige Unterschiede, wie z. B. die Halbleiterausstattung, nahezu analog zur normalen Si-Vorspannung.

Im Gegensatz zu Si, das Silizium verwendet, verfügt SiC über redundante Kohlenstofftitel. Aufgrund ihrer hohen Leistungsviskosität sind diese Halbleiter außerdem kompakt, wodurch Platz gespart und Gewicht eingespart wird. Die hohe Betriebsfrequenz ermöglicht die Verwendung von weniger widerstandsfähigen Elementen wie Kondensatoren und Induktoren. SiC-Halbleiter, einschließlich MOSFETs, eignen sich für Schaltvorgänge in elektronischen Stromversorgungssystemen mit hoher Leistung. Ihre Halbleiterausrüstung und ihr Konstruktionsprozess ermöglichen es ihnen, eine Kombination aus hoher Spannung und schnellem Schalten zu unterstützen, die mit herkömmlichen Leistungstransistoren nicht erreicht werden kann.

In SiC-Halbleitern sind mikrogroße Löcher, sogenannte Mikrorohre, über die Wafer angebracht. Bei der Herstellung größerer Wafer ist SiC-Halbleiter anfällig für Farbfehler wie Störungen, Prototypenausfälle und Montagefehler. Diese Fehler entstehen durch ein nicht optimales Gleichgewicht von Silizium- und Kohlenstoffvorläufern und anfängliche Unsicherheiten bei Druck oder Temperatur. Diese Fehler beeinträchtigen die Leistung des Geräts und verschlechtern seine elektrischen Eigenschaften. Die Entwicklung von SiC-Vorspannungen ist sehr komplex.

Die größte Herausforderung für Entwickler besteht darin, eine bessere Effizienz zu erreichen und gleichzeitig die Kosten niedrig und die Struktur weniger komplex zu halten. Außerdem erhöhen die unterschiedlichen Bedingungen verschiedener Operationen die Design-Komplexität der Leistungs- und HF-Vorspannung weiter. Die Verpackung dieser Vorspannungen ist entscheidend für die Leistung der Schaltkreise und Systeme, in denen diese Schaltkreise installiert werden. Außerdem ist die Verpackung auch wichtig, wenn die Vorspannung bei hohen Temperaturen betrieben wird; daher muss eine ordnungsgemäße Verpackung erfolgen, damit die Vorspannung die gewünschten Operationen durchführen kann; andernfalls wird eine spezielle Anhängerkupplung betroffen sein.

Globaler Siliziumkarbid-MarktSegmentierungsanalyse

Der globale Siliziumkarbid-Markt ist nach Gerät, Anwendung und Geografie segmentiert.

Siliziumkarbid-Markt nach Gerät

• SiC-Modul
• Diskretes SiC-Gerät

Basierend auf dem Gerät ist der Markt in SiC-Modul und diskretes SiC-Gerät segmentiert. Das diskrete SiC-Gerät trägt aufgrund seiner breiten Anwendung in verschiedenen Branchen am meisten zum Siliziumkarbid-Marktanteil bei.

Siliziumkarbid-Markt nach Anwendung

• Weltraumforschung und Kernkraft
• Transport

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Weltraumforschung, Kernkraft und Transport segmentiert. Das Segment Weltraumforschung und Kernenergie erzielte aufgrund seiner weit verbreiteten Anwendung in der Weltraumforschung und der Kernenergieindustrie den größten Marktanteil.

Markt für Siliziumkarbid nach Geografie

• Nordamerika
• Europa
• Asien-Pazifik
• Rest der Welt

Basierend auf der regionalen Analyse wird der globale Markt für Siliziumkarbid in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und den Rest der Welt unterteilt. Von allen Regionen dominiert der asiatisch-pazifische Raum den globalen Siliziumkarbidmarkt.

Wichtige Akteure

Der Studienbericht „Globaler Siliziumkarbidmarkt“ bietet wertvolle Einblicke mit Schwerpunkt auf dem globalen Markt. Zu den wichtigsten Akteuren der Branche zählen Microchip Technology Inc., STMicroelectronics NV, Hitachi Ltd., Infineon Technologies AG, Toshiba Corporation, WOLFSPEED Inc., Fuji Electric Co. Ltd., ON Semiconductor Corporation, ROHM Co. Ltd.

Unsere Marktanalyse umfasst auch einen Abschnitt, der ausschließlich diesen großen Akteuren gewidmet ist. Darin geben unsere Analysten Einblick in die Finanzberichte aller großen Akteure sowie Produktbenchmarking und SWOT-Analysen.

Wichtige Entwicklungen

• März 2023WOLFSPEED, INC. ist eine Partnerschaft mit ZF eingegangen, einem globalen Technologieunternehmen, das die Mobilität der nächsten Generation ermöglicht. Ziel dieser Kooperation ist die Schaffung eines gemeinsamen Erfindungslabors, um Fortschritte bei Siliziumkarbidsystemen und -vorspannungen für Mobilitäts-, künstliche und Energieoperationen voranzutreiben.
• Dezember 2022WOLFSPEED, INC. hat seinen mehrjährigen, langfristigen Vertrag über Siliziumkarbid-Wafer mit einem führenden Unternehmen für Leistungsgeräte erweitert. Mit diesem Vertrag beliefert Wolfspeed das Unternehmen mit 150 mm Siliziumkarbid-Wafer in blanker und epitaktischer Ausführung und untermauert damit die Vision des Unternehmens eines unternehmensweiten Übergangs von Silizium- zu Siliziumkarbid-Halbleiterleistungsvorspannungen.

Ace-Matrix-Analyse

Die im Bericht bereitgestellte Ace-Matrix hilft zu verstehen, wie die wichtigsten Akteure dieser Branche abschneiden, da wir für diese Unternehmen eine Rangfolge anhand verschiedener Faktoren wie Servicefunktionen und Innovationen, Skalierbarkeit, Innovation der Services, Branchenabdeckung, Branchenreichweite und Wachstums-Roadmap erstellen. Basierend auf diesen Faktoren ordnen wir die Unternehmen in die vier Kategorien Aktiv, Spitzenreiter, Aufstrebend und Innovatoren

Marktattraktivität

Das bereitgestellte Bild der Marktattraktivität hilft außerdem dabei, Informationen über die Region zu erhalten, die auf dem globalen Siliziumkarbidmarkt führend ist. Wir decken die wichtigsten Einflussfaktoren ab, die für das Branchenwachstum in der jeweiligen Region verantwortlich sind.

Porters Fünf Kräfte

Das bereitgestellte Bild hilft außerdem dabei, Informationen über Porters Fünf-Kräfte-Modell zu erhalten, das eine Blaupause zum Verständnis des Verhaltens von Wettbewerbern und der strategischen Positionierung eines Akteurs in der jeweiligen Branche bietet. Mit dem Fünf-Kräfte-Modell von Porter lässt sich die Wettbewerbslandschaft auf dem globalen Siliziumkarbidmarkt beurteilen, die Attraktivität eines bestimmten Sektors messen und Investitionsmöglichkeiten einschätzen.

Berichtsumfang

Top-Trendberichte

Forschungsmethodik der Marktforschung