Globale Marktgröße für SiC-Substrate nach Typ (halbisolierende SiC-Substrate, leitfähige SiC-Substrate), nach Anwendung (IT und Verbraucher, LED-Beleuchtung, Automobil, Industrie), nach geografischem Umfang und Prognose

Marktgröße und Prognose für SiC-Substrate

Der Markt für SiC-Substrate wurde im Jahr 2024 auf 824,13 Millionen USD geschätzt und soll bis 2031 voraussichtlich 2414,33 Millionen USDMillionen erreichen und wächst damit #993300;">CAGR von 14,38 % während des Prognosezeitraums 2024–2031.

Der Markt für SiC-Substrate hat in den letzten Jahren einen massiven Anstieg verzeichnet, da die Nachfrage nach leistungsstarken elektronischen Geräten in verschiedenen Branchen, darunter Automobil, Luft- und Raumfahrt, Telekommunikation und Leistungselektronik, zunimmt. Der globale Marktbericht für SiC-Substrate bietet eine ganzheitliche Bewertung. Der Bericht analysiert gründlich kritische Segmente, Beschränkungen, Treiber, Trends, das Wettbewerbsumfeld und Faktoren, die eine wesentliche Rolle auf dem Markt spielen.

Definition des globalen Marktes für SiC-Substrate

SiC-Substrate beziehen sich auf Siliziumkarbid-Wafer oder -Platten, die als Basismaterial für die Herstellung elektronischer Geräte wie Strom-, HF- und LED-Geräte verwendet werden. Siliziumkarbid (SiC) eignet sich aufgrund seiner besonderen elektrischen und thermischen Eigenschaften besonders für fortschrittliche Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleitergeräte, die weit über die Leistungsfähigkeit von Silizium- oder Galliumarsenidgeräten hinausgehen. SiC ist ein Halbleitermaterial mit großem Bandabstand und mehreren Vorteilen gegenüber herkömmlichen Halbleitermaterialien wie Silizium, darunter höhere Wärmeleitfähigkeit, Durchschlagsspannung und Elektronenbeweglichkeit.

Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sich SiC-Substrate ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen, bei denen herkömmliche Halbleiter möglicherweise nicht die beste Leistung erbringen. SiC-Substrate sind in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich und ihre Herstellung umfasst mehrere Schritte, darunter Kristallwachstum, Waferschneiden, Polieren und Oberflächenbehandlung.

Die am häufigsten verwendete Methode zur Herstellung von SiC-Substraten ist die physikalische Dampftransportmethode (PVT), bei der ein SiC-Ausgangsmaterial in einem Ofen erhitzt wird, um SiC-Kristalle zu erzeugen, die dann in Wafer geschnitten werden. SiC-Substrate finden in verschiedenen Branchen Anwendung, darunter Automobil, Luft- und Raumfahrt, Telekommunikation und Leistungselektronik. Aufgrund ihrer überlegenen Leistung und ihrer Fähigkeit, rauen Betriebsbedingungen standzuhalten, dürfte die Verwendung von SiC-Substraten in diesen Branchen in den kommenden Jahren zunehmen.

Weltweiter Marktüberblick für SiC-Substrate

Der Markt für SiC-Substrate wird von verschiedenen Faktoren angetrieben, die die Nachfrage und das Wachstum des Marktes beeinflussen. Faktoren wie die wachsende Nachfrage nach energieeffizienten und leistungsstarken elektronischen Geräten in mehreren Branchen treiben die Nachfrage nach SiC-Substraten an. Die zunehmende Einführung von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und Smart-Grid-Infrastrukturen dürfte die Nachfrage nach SiC-Substraten in den kommenden Jahren steigern. Der wachsende Bedarf an höherer Leistungsdichte und Betriebstemperaturen in elektronischen Geräten ist ein weiterer Treiber des Marktes für SiC-Substrate.

SiC-Substrate bieten eine überlegene Wärmeleitfähigkeit und bessere mechanische Festigkeit, wodurch sie für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen geeignet sind. Darüber hinaus treibt auch die Entwicklung neuer Fertigungstechnologien und -prozesse für SiC-Substrate den Markt an. Innovationen in den Bereichen Kristallwachstum und Waferverarbeitung haben größere und qualitativ hochwertigere SiC-Substrate zu geringeren Kosten hervorgebracht und sie damit für ein breiteres Anwendungsspektrum zugänglicher gemacht.

Darüber hinaus bietet die steigende Nachfrage nach SiC-Substraten in verschiedenen Branchen erhebliche Wachstumschancen für Marktteilnehmer. Das Wachstum bei Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und der 5G-Kommunikationsinfrastruktur wird voraussichtlich die Nachfrage nach SiC-Substraten in den kommenden Jahren ankurbeln. Die Entwicklung neuer Anwendungen und Geräte, die Hochleistungshalbleiter erfordern, ist ebenfalls eine Chance für den Markt für SiC-Substrate. Die Entwicklung von SiC-basierten Leistungsgeräten, HF-Geräten und Sensoren wird voraussichtlich die Nachfrage nach SiC-Substraten in Zukunft ankurbeln.

Die hohen Kosten von SiC-Substraten im Vergleich zu anderen herkömmlichen Substraten sind jedoch eine der größten Einschränkungen auf dem Markt. Die hohen Produktionskosten und die begrenzte Verfügbarkeit hochwertiger SiC-Ausgangsmaterialien machen SiC-Substrate teurer als herkömmliche Substrate wie Silizium. Auch die Komplexität des Herstellungsprozesses und die Herausforderungen, die mit der Ausweitung der Produktion verbunden sind, sind eine weitere Einschränkung. Die Herstellung von SiC-Substraten erfordert spezielle Ausrüstung und Fachwissen, was den Markteintritt für neue Akteure erschwert.

Marktattraktivität

Das bereitgestellte Bild der Marktattraktivität würde außerdem dabei helfen, Informationen über die Region zu erhalten, die im Markt für SiC-Substrate führend ist. Wir decken die wichtigsten Einflussfaktoren ab, die für das Branchenwachstum in der jeweiligen Region verantwortlich sind.

Porters Fünf Kräfte

Das bereitgestellte Bild würde außerdem dabei helfen, Informationen über Porters Fünf-Kräfte-Modell zu erhalten, das eine Blaupause zum Verständnis des Verhaltens von Wettbewerbern und der strategischen Positionierung eines Akteurs in der jeweiligen Branche bietet. Porters Fünf-Kräfte-Modell kann verwendet werden, um die Wettbewerbslandschaft auf dem globalen Markt für SiC-Substrate zu bewerten, die Attraktivität eines bestimmten Sektors einzuschätzen und Investitionsmöglichkeiten einzuschätzen.

Globale Segmentierungsanalyse des Marktes für SiC-Substrate

Der globale Markt für SiC-Substrate ist nach Typ, Anwendung und Geografie segmentiert.

Markt für SiC-Substrate nach Typ

• Halbisolierende SiC-Substrate
• Leitfähige SiC-Substrate

Basierend auf dem Typ ist der Markt in halbisolierende SiC-Substrate und leitfähige SiC-Substrate unterteilt. Das Segment halbisolierende SiC-Substrate hatte im Jahr 2021 den größten Umsatzanteil. Halbisolierendes SiC (SI SiC) kann als Substrat zur Herstellung eines Hochfrequenztransistors verwendet werden, um elektrische Signale und Leistung zu verstärken oder zu schalten. Die meisten SiC-Anwendungen benötigen eine Pufferschicht oder Diffusionsbarriere, um mit anderen epitaktischen Materialien harmonieren zu können.

SiC-Substrate-Markt, nach Anwendung

• IT & Verbraucher
• LED-Beleuchtung
• Automobil
• Industrie

Basierend auf der Anwendung ist der Markt in IT & Verbraucher, LED-Beleuchtung, Automobil und Industrie unterteilt. Das Segment LED-Beleuchtung hatte 2021 einen bedeutenden Umsatzanteil am SiC-Substrate-Markt. Um Licht unterschiedlicher Farbe zu erzeugen, verwenden Sie verschiedene Arten von Halbleitern. Indiumgalliumnitrid (InGaN), Siliziumkarbid (SiC) und Zinkselenid (ZnSe) erzeugen blaue LEDs. Galliumphosphid (GaP) und Galliumnitrid (GaN) haben grüne LEDs.

SiC-Substrate-Markt nach Geografie

• Nordamerika
• Europa
• Asien-Pazifik
• Lateinamerika
• Naher Osten und Afrika

Basierend auf der regionalen Analyse wird der SiC-Substrat-Markt in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika, den Nahen Osten und Afrika unterteilt. Während des Prognosezeitraums wird erwartet, dass die Region Nordamerika aufgrund der steigenden Nachfrage aus verschiedenen Endverbraucherbranchen einen bedeutenden Anteil am globalen SiC-Substrat-Markt hält. Außerdem wird erwartet, dass der Markt in der Region Asien-Pazifik dominieren wird. Als Hauptmaterial der Halbleiterindustrie der dritten Generation hat Siliziumkarbidsubstrat ein hohes Anwendungspotenzial und einen hohen industriellen Wert.

Es hat eine wichtige strategische Position bei der Entwicklung der chinesischen Halbleiterindustrie. Darüber hinaus beherrschen die Industrieländer Europas und der USA seit sehr langer Zeit die Kerntechnologie und den Markt für Siliziumkarbidsubstrate. Je fortschrittlicher die technischen Spezifikationen des Produkts, desto größer ist der Markt dafür und desto deutlicher sind seine technischen Vorteile.

Hauptakteure

Der Studienbericht „Globaler Markt für SiC-Substrate“ bietet wertvolle Einblicke mit Schwerpunkt auf dem globalen Markt, einschließlich einiger der wichtigsten Akteure wie Cree, Inc., Dow Corning Corporation, II-VI Incorporated, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, United Silicon Carbide, Inc., STMicroelectronics NV, Fuji Electric Co., Ltd., GeneSiC Semiconductor Inc., Microchip Technology Inc., Monolith Semiconductor, Inc. und Norstel AB.

Unsere Marktanalyse umfasst auch einen Abschnitt, der sich ausschließlich diesen Hauptakteuren widmet, in dem unsere Analysten einen Einblick in die Finanzberichte aller wichtigen Akteure sowie Produkt-Benchmarking und SWOT-Analysen bieten. Der Abschnitt Wettbewerbslandschaft umfasst auch wichtige Entwicklungsstrategien, Marktanteile und eine Marktranganalyse der oben genannten Akteure weltweit.

Wichtige Entwicklungen

• Im Juni 2021 gab Cree, Inc. den Verkauf seines LED-Produktgeschäfts an SMART Global Holdings, Inc. bekannt, um sich stärker auf sein Wolfspeed-Geschäft zu konzentrieren, das SiC-Substrate und Stromversorgungsgeräte umfasst.

Ace-Matrix-Analyse

Die im Bericht bereitgestellte Ace-Matrix hilft zu verstehen, wie die wichtigsten Akteure dieser Branche abschneiden, da wir für diese Unternehmen eine Rangfolge anhand verschiedener Faktoren wie Servicefunktionen und -innovationen, Skalierbarkeit, Serviceinnovation, Branchenabdeckung, Branchenreichweite und Wachstums-Roadmap erstellen. Basierend auf diesen Faktoren ordnen wir die Unternehmen in die vier Kategorien Aktiv, Spitzentechnologie, Aufstrebend und Innovatoren

Berichtsumfang

Forschungsmethodik der Marktforschung

Um mehr über die Forschungsmethodik und andere Aspekte der Forschungsstudie zu erfahren, wenden Sie sich bitte an unseren .

Gründe für den Kauf dieses Berichts

• Qualitative und quantitative Analyse des Marktes basierend auf einer Segmentierung, die sowohl wirtschaftliche als auch nichtwirtschaftliche Faktoren einbezieht• Bereitstellung von Daten zum Marktwert (in Milliarden USD) für jedes Segment und Untersegment• Gibt die Region und das Segment an, von denen erwartet wird, dass sie das schnellste Wachstum verzeichnen und den Markt dominieren werden• Analyse nach Geografie, die den Verbrauch des Produkts/der Dienstleistung in der Region hervorhebt und die Faktoren angibt, die den Markt in jeder Region beeinflussen• Wettbewerbslandschaft, die das Marktranking der wichtigsten Akteure sowie die Einführung neuer Dienstleistungen/Produkte, Partnerschaften, Geschäftserweiterungen und Übernahmen in der Region umfasst