Der globale Markt für NAND-Flash-Speicher wird in den kommenden Jahren voraussichtlich wachsen, da die Nachfrage nach IoT- und 5G-Technologien steigt und Mobilgeräte immer häufiger genutzt werden. Die aktuellen Makrotrends Künstliche Intelligenz (KI), maschinelles Lernen, Mobilität und Konnektivität sind für den Markt für NAND-Flash-Speicher in den kommenden Jahren von Vorteil, da sie den Anteil am Halbleitermarkt vergrößern. Mit dem Aufkommen von Personalcomputern (PCs) und Smartphones steigt die Implementierung von NAND-Flash für Speicher rasant an, was auf die Zunahme der durchschnittlichen Kapazität der Geräte zurückzuführen ist.
NAND-Flash ist ein nicht-flexibler Speichermechanismus, der keinen Strom benötigt, um die Daten zu blockieren. Die Möglichkeit der Untersuchung bietet verschiedene Formen von NAND-Flash, die auf dem Markt erhältlich sind, wie SLC, TLC, MLC und QLC, die auf verschiedenen Strukturen wie 2D- oder 3D-Konstruktionen entwickelt wurden. NAND-Flash speichert die Informationen, indem es blockiert wird, und ist auf die elektrischen Schaltkreise angewiesen, um die Informationen zu speichern. Wenn die Stromversorgung des NAND-Flash-Speichers unterbrochen wird, liefert ein Metalloxid-Halbleiter zusätzliche Ladung an die Speicherzelle, wodurch die Daten erzeugt werden. Der verwendete Metalloxid-Halbleiter ist ein FGT. Der FGT ähnelt den NAND-Logikgattern.
Nach Angaben der Firma Micron Technology, Inc. beträgt der NAND-Flash-Speicher eines durchschnittlichen Smartphones 43 GB, und es wird erwartet, dass dieser Wert in den kommenden Jahren deutlich anwächst. Im Jahr 2021 erreichte der NAND-Flash-Speicher eines durchschnittlichen Telefons einen Wert von 142 GB, wobei Flaggschiff-Geräte über ein Terabyte Speicher verfügen. Verschiedene Verbraucherprodukte wie Tablets und Kameras, Industrieanlagen und Sensoren, Automobilsysteme und medizinische Geräte sind auf Flash-Speicher angewiesen, der neben ihren Prozessoren integriert ist und sowohl Daten als auch Code speichert.
Der Trend zu Flash-basiertem Speicher wird sich mit der wachsenden Nachfrage nach Massendatenverarbeitung für Anwendungen in den Bereichen künstliche Intelligenz und maschinelles Lernen weiterentwickeln. Der Ausbruch des neuen COVID-19 hatte keine nennenswerten Auswirkungen auf die Produktion der in China ansässigen NAND-Flash-Anbieter. Dies liegt daran, dass die Fabriken hochautomatisiert sind, wenig Arbeitskräfte benötigen und die Betreiber sich vor dem chinesischen Neujahrsfest mit Rohstoffen eindecken. Da die Halbleiterfabriken über nationale Sonderlizenzen verfügen, wurde die Gießereiproduktion an Kunden in China geliefert. Diese ermöglichen es ihnen, ihre Produkte in ganz China zu versenden, sogar in unter Quarantäne stehende Städte.
Erhöhte Nachfrage nach Rechenzentren treibt das Marktwachstum an
Der steigende Bedarf an Speichergeräten, der durch den Bedarf an Rechenzentren für Speicher beflügelt wird, dürfte das Wachstum des NAND-FLASH-SPEICHER-Marktes ankurbeln. Darüber hinaus wird der Bedarf an Rechenzentren durch die steigende Nachfrage nach enormer Leistung für Computing und Edge Computing, Cloud-Anwendungen und Big Data vorangetrieben.
Die zunehmende Nutzung von 5G und IoT treibt das Marktwachstum an
Die zunehmende Einführung von maschinellem Lernen und künstlicher Intelligenz (KI) bestärkt die Anbieter darin, sich für schnellere und schnellere umfangreiche Datenkapazitäten zu entscheiden. Der Anstieg wurde durch die rasche Einführung von Fernarbeit und Bildungskursen sowie der Online-medizinischen Hilfe während der Pandemie noch verstärkt.
Wachsender Verbrauch in der Elektronikindustrie treibt das Marktwachstum an
Der Ausbruch von COVID-19 wird voraussichtlich erhebliche Auswirkungen auf den Elektronikgerätesektor haben, da China ein wichtiger Lieferant von Rohstoffen und Fertigprodukten ist. Die Produktion wurde reduziert, die Lieferkette wurde unterbrochen und die Preise waren volatil. Während dieser Zeit waren die Verkäufe großer Elektronikunternehmen betroffen. Reisebeschränkungen für Personen und Waren behinderten das Marktwachstum kurzfristig. Da NAND-Flash-Speichergeräte weniger Strom verbrauchen, sind sie bei Elektronikherstellern zudem sehr gefragt. Die Dekodierung in NAND-Flash-Laufwerken ist schneller als in NOR-Flash-Laufwerken. Die wachsende Nachfrage nach relativ hoher Flächendichte hat Hersteller in der Elektronikindustrie dazu veranlasst, 3D-Technologie in NAND-Speicherchips zu integrieren.
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Marktsegmentierung
Firmenprofile
Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Power chip Technology Corporation, Fujitsu Limited,
Attribut | Details |
Basisjahr | 2022 |
Historische Jahre | 2018–2021 |
Geschätztes Jahr | 2023 |
Prognosezeitraum | 2024 – 2028 |
Quantitative Einheiten | Umsatz in Milliarden USD und CAGR für 2018-2022 und 2023E-2028F |
Berichtsumfang | Umsatzprognose, Unternehmensanteil, Wettbewerbsumfeld, Wachstumsfaktoren und Trends |
Abgedeckte Segmente | Typ Anwendung Branchenvertikale Region |
Regional Geltungsbereich | Asien-Pazifik, Nordamerika, Europa, Naher Osten und Afrika und Südamerika |
Länderübersicht | China, Japan, Indien, Australien, Südkorea, Vereinigte Staaten, Kanada, Mexiko, Vereinigtes Königreich, Deutschland, Frankreich, Spanien, Italien, Israel, Türkei, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Brasilien, Argentinien, Kolumbien |
Profilierte wichtige Unternehmen | Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, SanDisk Corp. (Western Digital Technologies Inc.), Cypress Semiconductor Corporation (Infineon Technologies), Yangtze Memory Technologies, Powerchip Technology Corporation, Fujitsu Limited |
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