Markt für GaN-Leistungsgeräte – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose 2018–2028, segmentiert nach Gerätetyp (Leistung vs. HF-Leistung), nach Spannungsbereich (<200 Volt, 200–600 Volt und >600 Volt), nach Anwendung (Leistungstreiber, Versorgung & Wechselrichter & Hochfrequenz), nach Endbenutzer (Telekommunikation, Industrie, Automobil, erneuerbare Energien, Verbraucher & Unter
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarkt für GaN-Leistungsgeräte – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose 2018–2028, segmentiert nach Gerätetyp (Leistung vs. HF-Leistung), nach Spannungsbereich (<200 Volt, 200–600 Volt und >600 Volt), nach Anwendung (Leistungstreiber, Versorgung & Wechselrichter & Hochfrequenz), nach Endbenutzer (Telekommunikation, Industrie, Automobil, erneuerbare Energien, Verbraucher & Unter
Der Markt für GaN-Leistungsgeräte wird im Prognosezeitraum voraussichtlich wachsen, was auf Faktoren wie sinkende Preise für GaN-Geräte, die zunehmende Nutzung von kabellosem Laden und die zunehmende Nachhaltigkeit von GaN in HF-Anwendungen zurückzuführen ist.
GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbundhalbleitermaterial, das in Leistungsgeräten der nächsten Generation verwendet wird. Es wird erwartet, dass es aufgrund seiner im Vergleich zu Siliziumgeräten verbesserten Eigenschaften, wie z. B. enorme Hochfrequenzeigenschaften, eine breite Akzeptanz findet. Darüber hinaus wird erwartet, dass GaN-Geräte aufgrund ihrer besseren Schalteigenschaften und ihres geringeren Einschaltwiderstands als Siliziumgeräte zu einem geringeren Stromverbrauch und einer stärkeren Miniaturisierung verschiedener Stromversorgungen und der Miniaturisierung von Peripheriekomponenten beitragen.
Steigernder Bedarf an Leistungssteigerung auf dem Schlachtfeld in der Verteidigungsindustrie
Ein verbessertes Bewusstsein für verschiedene Verteidigungsgeräte wie Radar, Satelliten und Raketen zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit auf dem Schlachtfeld wird als wesentlicher Faktor für den Verteidigungssektor angesehen. Daher ist ein hohes Maß an Integration zwischen Radarkommunikationssystemen und elektronischen Kriegsgeräten, die im Militär eingesetzt werden, unerlässlich. Die Verteidigungsindustrie erfordert für ihre Missionen ein enorm hohes Maß an Langzeitzuverlässigkeit. GaN-Leistungsgeräte bieten robuste Leistung in kritischen Umgebungen für mehrere Anwendungen, darunter Avioniksysteme, Satelliten und Kampffahrzeuge. GaN-Leistungsgeräte haben der Verteidigungsindustrie aufgrund ihrer hohen Durchschlagsspannung und schnellen Wärmeableitungskapazität große Vorteile gebracht. Im Militär- und Verteidigungssektor wird GaN-Material hauptsächlich in HEMT (High Electron Mobility Transistor) verwendet, die für Hochfrequenzoperationen unverzichtbar sind. Daher wird die Anforderung einer verbesserten Leistung auf dem Schlachtfeld wahrscheinlich die Entwicklung von GaN-Leistungsgeräten in naher Zukunft vorantreiben.
Zunahme der Installation von GaN-Geräten in Elektrofahrzeugen
Leistungsmodule sind ein gängiges Merkmal von Elektrofahrzeugen, da sie den Betrieb von Hochspannungsmotoren ermöglichen, was den Stromverlust zwischen Kollektor- und Emitteranschlüssen verringert und die Schaltfrequenz erhöht. Darüber hinaus werden für die Hochspannungsbatteriesysteme in Elektro- und Hybridfahrzeugen Energiemanagementgeräte benötigt, um die Leistung von der Batterie zu den Motorantrieben zu leiten. Infolgedessen werden zunehmend GaN-Geräte verwendet, was wiederum die Marktexpansion ankurbelt. Darüber hinaus haben die Verkäufe von Elektrofahrzeugen derzeit erheblich zugenommen. Man geht davon aus, dass dies eine lukrative Möglichkeit zur Marktexpansion darstellt.
Regierungsinitiativen in den Bereichen Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) und Smart Grid
Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragungssysteme (HGÜ) und Smart Grids sind zwei Bereiche, in denen GaN-Leistungsgeräte verwendet werden. Diese verfügen über eine verbesserte Lastverteilung, eine flexiblere Netzwerktopologie und Echtzeit-Fehlerbehebungsfunktionen. Hochspannung kann durch Leistungsgeräte gesteuert werden, da sie das Hochfrequenzschalten effektiver macht. Auch modulare Multilevel-Konverter (MMC), die den Leistungsverlust reduzieren, verwenden Leistungsmodule. In HGÜ-Systemen werden daher häufig Konverter mit GaN-Leistungsgerätemodulen verwendet. Darüber hinaus investieren die Regierungen vieler Länder, darunter China, Japan und die USA, erheblich in Smart Grid-Technologie, um ihre Stromnetze zu modernisieren. Daher wird erwartet, dass all diese Faktoren die Expansion des globalen Marktes für GaN-Leistungsgeräte erheblich vorantreiben werden.
Marktsegmente
Der globale Markt für GaN-Leistungsgeräte ist nach Gerätetyp, Spannungsbereich, Endbenutzer und Region segmentiert. Basierend auf dem Gerätetyp ist der Markt weiter in Leistung vs. HF-Leistung segmentiert. Basierend auf dem Spannungsbereich ist der Markt in <200 Volt, 200-600 Volt und >600 Volt segmentiert. Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Leistungstreiber, Versorgung & Wechselrichter & Hochfrequenz segmentiert. Basierend auf dem Endnutzer ist der Markt in Telekommunikation, Industrie, Automobil, erneuerbare Energien und andere segmentiert.
Marktakteure
Jüngste Entwicklungen
Im Jahr 2022 hat Gallium Semiconductor auf der Konferenz der European Microwave Week 2022 sein breites Portfolio an HF-Leistungstransistorprodukten vorgestellt. Gallium Semiconductor präsentiert eine große Vielfalt an GaN-Lösungen für 5G-Infrastruktur, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, öffentliche Sicherheit sowie industrielle, wissenschaftliche und medizinische Anwendungen.
Im Juli 2022 bieten GaN Systems, Inc. und PowerSphyr Inc. Industrie- und Automobilkunden einen einfachen Weg, die kompaktesten drahtlosen Stromversorgungslösungen mit branchenführender Leistung und Erschwinglichkeit zu erhalten. Dies geht einher mit neuen und verbesserten Kundenservice- und Supportniveaus.
| Attribut | Details |
| Basisjahr | 2022 |
| Historische Daten | 2018–2022 |
| Geschätztes Jahr | 2023 |
| Prognosezeitraum | 2024 – 2028 |
| Quantitative Einheiten | Umsatz in Millionen USD und CAGR für 2018–2022 und 2023–2028 |
| Berichtsumfang | Umsatzprognose, Unternehmensanteil, Wachstumsfaktoren und Trends |
| Abgedeckte Segmente | Nach Gerätetyp Nach Spannungsbereich Nach Anwendung Nach Endbenutzer Nach Region |
| Regionaler Umfang | Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Südamerika, Naher Osten und Afrika |
| Länderumfang | USA, Kanada, Mexiko, Vereinigtes Königreich, Deutschland, Frankreich, Italien, Spanien, China, Japan, Südkorea, Australien, Indien, Brasilien, Argentinien, Kolumbien, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Irak, Südafrika |
| Profilierte wichtige Unternehmen | Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors, GaN Systems, Wolfspeed, Inc., Infineon Technologies AG, EPISTAR Corporation, Rohm Co., Ltd., On Semiconductor Corporation, Qorvo, Inc, MACOM Technology Solutions Holdings Inc |
| Anpassungsumfang | 10 % kostenlose Berichtsanpassung beim Kauf. Ergänzung oder Änderung von Länder-, Regional- und Ländereinstellungen. Segmentumfang. |
| Preise und Kaufoptionen | Nutzen Sie individuelle Kaufoptionen, um genau Ihren Forschungsanforderungen gerecht zu werden. Kaufoptionen erkunden |
| Lieferformat | PDF und Excel per E-Mail (Auf besonderen Wunsch können wir auch die bearbeitbare Version des Berichts im PPT-/Word-Format bereitstellen) |
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