Markt für HF-Leistungshalbleiter – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose, segmentiert nach Technologie (LDMOS, GaAs, GaN), Anwendung (Telekommunikationsinfrastruktur, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, kabelgebundenes Breitband, Satellitenkommunikation, HF-Energie (Automobil), Sonstiges), nach Region, Wettbewerb 2018-2028
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarkt für HF-Leistungshalbleiter – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose, segmentiert nach Technologie (LDMOS, GaAs, GaN), Anwendung (Telekommunikationsinfrastruktur, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, kabelgebundenes Breitband, Satellitenkommunikation, HF-Energie (Automobil), Sonstiges), nach Region, Wettbewerb 2018-2028
| Prognosezeitraum | 2024–2028 |
| Marktgröße (2022) | 21,97 Milliarden USD |
| CAGR (2023–2028) | 14,02 % |
| Am schnellsten wachsendes Segment | Luft- und Raumfahrt und Verteidigung |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
Marktübersicht
Der globale Markt für HF-Leistungshalbleiter wird im Jahr 2022 auf 21,97 Milliarden USD geschätzt und wird im Prognosezeitraum voraussichtlich ein robustes Wachstum mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 14,02 % bis 2028 verzeichnen. Aufgrund des steigenden Energiebedarfs und der raschen Urbanisierung wird für den Markt im Prognosezeitraum ein erhebliches Wachstum erwartet. Der Industriesektor, insbesondere in Entwicklungsländern, hat einen Anstieg der Nachfrage nach Schaltanlagen erlebt, der auf die zunehmende Industrialisierung zurückzuführen ist. Darüber hinaus treiben der Ausbau der Stromverteilungsinfrastruktur, die zunehmende Betonung der Energieeffizienz und der florierende Industriesektor das Marktwachstum voran. Darüber hinaus hat die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energiequellen zur erhöhten Nachfrage nach diesem Produkt beigetragen.
Wichtige Markttreiber
Schnelles Wachstum in der drahtlosen Kommunikation
Das schnelle Wachstum in der drahtlosen Kommunikation ist eine starke Kraft, die den globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter (Radio Frequency) auf neue Höhen treibt. Da die Gesellschaft immer mehr auf drahtlose Technologien für Konnektivität, Kommunikation und Datenaustausch angewiesen ist, haben sich HF-Leistungshalbleiter als kritische Komponenten herausgestellt und treiben so ihre Nachfrage an. Einer der Haupttreiber hinter diesem Phänomen ist die ständig wachsende Nachfrage der Verbraucher nach schnellerer und zuverlässigerer drahtloser Kommunikation. Smartphones, Tablets und andere drahtlose Geräte sind zu einem festen Bestandteil des modernen Lebens geworden, und die Verbraucher erwarten nahtlose Konnektivität, hohe Datengeschwindigkeiten und geringe Latenz. HF-Leistungshalbleiter, insbesondere Leistungsverstärker und -sender, sind entscheidend, um diese Erwartungen zu erfüllen, da sie es Geräten ermöglichen, Signale effektiv über drahtlose Netzwerke zu übertragen.
Da Unternehmen und Branchen die digitale Transformation vorantreiben, spielt die drahtlose Kommunikation außerdem eine entscheidende Rolle bei der Ermöglichung von IoT-Implementierungen (Internet of Things) und der industriellen Automatisierung. HF-Leistungshalbleiter sind in diesen Anwendungen unverzichtbar, da sie zuverlässige und weitreichende drahtlose Verbindungen für Sensoren, Maschinen und Steuerungssysteme gewährleisten. Die Einführung fortschrittlicher drahtloser Standards wie 5G verstärkt die Nachfrage nach HF-Leistungshalbleitern weiter. 5G-Netzwerke erfordern höhere Frequenzen und eine höhere Energieeffizienz, was die Entwicklung innovativer HF-Leistungslösungen erforderlich macht. HF-Leistungsverstärker auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC)-Technologien sind besonders gut geeignet, um die strengen Anforderungen der 5G-Infrastruktur zu erfüllen.
Darüber hinaus werden HF-Leistungshalbleiter in großem Umfang in neuen Technologien wie autonomen Fahrzeugen und Smart Cities eingesetzt, wo die drahtlose Kommunikation für die Fahrzeug-zu-Alles-Konnektivität (Vehicle-to-Everything, V2X), das Verkehrsmanagement und IoT-Anwendungen unerlässlich ist. Da sich diese Technologien weiterentwickeln, bieten sich den Herstellern von HF-Leistungshalbleitern neue Wachstumschancen. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das schnelle Wachstum der drahtlosen Kommunikation ein entscheidender Treiber für den globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter ist. Die unersättliche Nachfrage nach drahtloser Hochgeschwindigkeitsverbindung mit geringer Latenz in den Bereichen Verbraucher, Industrie und Schwellenländer sorgt für einen konstanten Bedarf an HF-Leistungsverstärkern und -sendern. Da sich die drahtlosen Kommunikationstechnologien weiter entwickeln, wird der Markt für HF-Leistungshalbleiter voraussichtlich weiter expandieren und Innovationen in der Halbleitertechnologie fördern, um den wachsenden Anforderungen unserer zunehmend vernetzten Welt gerecht zu werden.
Einführung von 5G-Netzwerken
Die Einführung von 5G-Netzwerken wird voraussichtlich ein wichtiger Katalysator für das Wachstum des globalen Marktes für HF-Leistungshalbleiter (HF-Leistungshalbleiter) sein. Da die Welt zunehmend die fünfte Generation der drahtlosen Technologie annimmt, ist die Nachfrage nach HF-Leistungshalbleitern stark gestiegen und spielt eine entscheidende Rolle bei der Umsetzung der Hochgeschwindigkeits-, Latenz- und äußerst zuverlässigen Kommunikationsversprechen von 5G. Einer der Haupttreiber hinter diesem Phänomen ist die inhärente Natur von 5G-Netzwerken. Im Gegensatz zu ihren Vorgängern arbeiten 5G-Netzwerke mit deutlich höheren Frequenzen und erfordern HF-Leistungsverstärker, die Signale effizient über diese Frequenzbänder übertragen können. HF-Leistungshalbleiter wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) stehen an der Spitze dieses technologischen Wandels und bieten die für die 5G-Infrastruktur erforderlichen Leistungsmerkmale.
Der exponentielle Anstieg der Datennutzung, der durch Trends wie Videostreaming, IoT (Internet of Things) und erweiterte/virtuelle Realität angetrieben wird, erhöht die Nachfrage nach HF-Leistungshalbleitern weiter. Diese Geräte sind wesentliche Komponenten in Basisstationen, kleinen Zellen und massiven MIMO-Systemen (Multiple-Input, Multiple-Output) und ermöglichen den nahtlosen Datenfluss in 5G-Netzwerken. Die Auswirkungen von 5G gehen über die mobile Kommunikation hinaus, da es als grundlegende Technologie für verschiedene Branchen dient, darunter autonome Fahrzeuge, Smart Cities, Gesundheitswesen und industrielle Automatisierung. HF-Leistungshalbleiter sind von entscheidender Bedeutung, um die Konnektivität zu erleichtern und kritische Anwendungen in diesen Sektoren zu ermöglichen. Beispielsweise unterstützen sie in autonomen Fahrzeugen die V2X-Kommunikation (Vehicle-to-Everything) und verbessern so die Sicherheit und das Verkehrsmanagement.
Darüber hinaus profitiert der globale Markt für HF-Leistungshalbleiter von der fortschreitenden Entwicklung der 5G-Technologie. Da 5G immer weiter voranschreitet und noch höhere Frequenzen und mehr Effizienz erfordert, müssen Halbleiterhersteller innovative und hochmoderne HF-Leistungslösungen entwickeln, um diese Anforderungen zu erfüllen. Diese kontinuierliche Innovation fördert ein dynamisches und wettbewerbsorientiertes Marktumfeld. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der Einsatz von 5G-Netzwerken eine treibende Kraft hinter dem Wachstum des globalen Marktes für HF-Leistungshalbleiter ist. Seine einzigartigen Anforderungen an höhere Frequenzen, erhöhten Datendurchsatz und geringe Latenz haben die Bedeutung von HF-Leistungshalbleitern in der Telekommunikationsbranche und verschiedenen anderen Sektoren erhöht. Da 5G-Netzwerke weltweit expandieren und immer weiter verbreitet sind, ist der Markt für HF-Leistungshalbleiter auf anhaltendes Wachstum und Innovation eingestellt.
Wichtige Marktherausforderungen
Energieeffizienz
Energieeffizienz ist ein dringendes Problem, das das Wachstum und die Wettbewerbsfähigkeit des globalen Marktes für HF-Leistungshalbleiter (Hochfrequenz) beeinträchtigen könnte. Da die Nachfrage nach drahtloser Kommunikation und Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung weiter steigt, wird der Bedarf an HF-Leistungsverstärkern und -sendern, die Signale effizient übertragen und dabei nur minimalen Strom verbrauchen können, immer wichtiger. Eine der größten Herausforderungen im Zusammenhang mit der Energieeffizienz ist die ständige Forderung nach längerer Batterielebensdauer bei tragbaren und batteriebetriebenen Geräten. Smartphones, IoT-Sensoren, Wearables und andere drahtlose Geräte sind für die Konnektivität auf HF-Leistungshalbleiter angewiesen, und ihr Stromhunger kann die Batterieleistung erheblich beeinträchtigen. Ineffiziente HF-Leistungsverstärker können Batterien schnell entladen, was zu Unzufriedenheit bei den Benutzern führt und die Praktikabilität dieser Geräte einschränkt.
Zudem wird im Zuge der weltweiten Umstellung auf umweltfreundlichere und nachhaltigere Technologien der Stromverbrauch elektronischer Geräte genau unter die Lupe genommen. Regierungen und Aufsichtsbehörden legen strengere Energieeffizienzstandards fest, die Hersteller von HF-Leistungshalbleitern vor Herausforderungen bei der Einhaltung der Standards stellen können. Die Entwicklung energieeffizienter Halbleiterdesigns, die diese Standards erfüllen und gleichzeitig eine hohe Leistung liefern, kann technisch anspruchsvoll sein. Im Telekommunikationssektor, insbesondere beim Einsatz von 5G-Netzwerken, ist die Energieeffizienz von entscheidender Bedeutung. Die 5G-Infrastruktur erfordert eine große Anzahl von HF-Leistungsverstärkern, um höhere Datengeschwindigkeiten und geringere Latenzzeiten zu unterstützen. Diese Verstärker müssen effizient arbeiten, um den Energieverbrauch zu minimieren und die Wärmeentwicklung zu reduzieren. Stromineffizienzen können zu höheren Betriebskosten und Umweltproblemen führen.
Darüber hinaus ist die Energieeffizienz eng mit dem Wärmemanagement verbunden. Während des Betriebs erzeugen HF-Leistungsverstärker Wärme, und wirksame Kühllösungen sind unerlässlich, um eine Überhitzung zu verhindern und die Zuverlässigkeit aufrechtzuerhalten. Die Entwicklung effizienter Kühlmechanismen kann komplex und kostspielig sein und sich sowohl auf die Energieeffizienz als auch auf die Gesamtsystemleistung auswirken. Um diese Herausforderungen zu bewältigen, investieren Halbleiterhersteller massiv in Forschung und Entwicklung, um energieeffizientere HF-Leistungshalbleiterlösungen zu entwickeln. Dazu gehört die Verwendung fortschrittlicher Materialien wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC), die verbesserte Effizienz- und Leistungsmerkmale bieten. Darüber hinaus können die Optimierung von Halbleiterdesigns und die Nutzung innovativer Herstellungsverfahren dazu beitragen, Bedenken hinsichtlich der Energieeffizienz auszuräumen. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Energieeffizienz eine entscheidende Herausforderung ist, der sich der globale Markt für HF-Leistungshalbleiter stellen muss, um den Anforderungen einer energiebewussten Welt gerecht zu werden. Die Fähigkeit, energieeffiziente HF-Leistungsverstärker und -sender zu entwickeln, wird nicht nur die Wettbewerbsfähigkeit der Hersteller verbessern, sondern auch den globalen Nachhaltigkeitszielen und den Kundenerwartungen nach langlebigeren, umweltfreundlichen drahtlosen Geräten entsprechen.
Unterbrechungen in der Lieferkette
Unterbrechungen in der Lieferkette stellen eine erhebliche Bedrohung für den globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter (Hochfrequenz) dar, behindern möglicherweise dessen Wachstum und stellen Hersteller, Lieferanten und Endverbraucher gleichermaßen vor Herausforderungen. Diese Störungen, die verschiedene Ursachen haben können, können weitreichende Folgen für die Verfügbarkeit, Kosten und Zuverlässigkeit von HF-Leistungshalbleitern haben. Eines der Hauptanliegen ist die zunehmende Komplexität und Globalisierung der Halbleiterlieferketten. Viele Komponenten und Materialien, die in HF-Leistungshalbleitern verwendet werden, werden von einem Netzwerk globaler Lieferanten bezogen. Diese Vernetzung kann die Auswirkungen von Störungen, die ihren Ursprung in irgendeinem Teil der Welt haben, verstärken. Ereignisse wie Naturkatastrophen, politische Konflikte, Handelsstreitigkeiten und globale Pandemien wie die COVID-19-Krise haben allesamt die Anfälligkeit dieser Lieferketten gezeigt.
Während solcher Störungen stoßen Hersteller häufig auf Schwierigkeiten bei der Beschaffung kritischer Rohstoffe, Komponenten und Halbleiterfertigungsgeräte. Dies kann zu Produktionsverzögerungen, erhöhten Herstellungskosten und verringerter Produktverfügbarkeit führen. Verzögerungen in den Produktionsplänen können einen Dominoeffekt auf den Einsatz von HF-Leistungshalbleitern in verschiedenen Branchen haben, darunter Telekommunikation, Automobil und Unterhaltungselektronik. Darüber hinaus können Lieferkettenstörungen zu Unsicherheit bei der Preisgestaltung und zu Inflationsdruck führen. Hersteller können mit höheren Kosten aufgrund von beschleunigten Lieferungen, der Notwendigkeit, alternative Lieferanten zu finden, oder der Umsetzung von Risikominderungsstrategien konfrontiert sein, was sich alles auf die Preisgestaltung und Rentabilität des Endprodukts auswirken kann. Endbenutzer können auch mit höheren Preisen für Produkte auf Basis von HF-Leistungshalbleitern konfrontiert sein, was möglicherweise die Akzeptanzrate verlangsamt.
Um die Auswirkungen von Lieferkettenunterbrechungen abzumildern, müssen Unternehmen auf dem Markt für HF-Leistungshalbleiter Strategien anwenden, die die Belastbarkeit der Lieferkette verbessern. Diese Strategien können die Diversifizierung der Lieferanten und die Beschaffung von Materialien vor Ort, wenn möglich, die Aufrechterhaltung größerer Sicherheitsbestände, die Investition in digitale Lieferkettentechnologien für bessere Transparenz und Agilität sowie die Entwicklung von Notfallplänen zur schnellen Reaktion auf Störungen umfassen. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass Lieferkettenunterbrechungen eine kritische Herausforderung darstellen, die den globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter behindern kann. Angesichts der wesentlichen Rolle von HF-Leistungshalbleitern in der modernen Kommunikation und Elektronik müssen Hersteller, Lieferanten und Endbenutzer diese Herausforderungen proaktiv angehen, um das anhaltende Wachstum und die Stabilität des Marktes sicherzustellen. Widerstandsfähigkeit und Anpassungsfähigkeit gegenüber Störungen werden Schlüsselfaktoren für die Fähigkeit der Branche sein, die steigende Nachfrage nach HF-Leistungshalbleiterlösungen zu erfüllen.
Wichtige Markttrends
Einführung von GaN und SiC
Die Einführung von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC)-Technologien ist eine transformative Kraft, die den globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter (Hochfrequenz) antreibt. Diese fortschrittlichen Halbleitermaterialien verändern die Landschaft der HF-Leistungsverstärker und -sender und bieten erhebliche Vorteile in Bezug auf Leistung, Effizienz und Miniaturisierung.
GaN und SiC sind bekannt für ihre überlegene Leistungshandhabung, höhere Elektronenmobilität und Fähigkeit, bei höheren Frequenzen im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis zu arbeiten. Diese Eigenschaften machen sie ideal für Hochfrequenz-HF-Leistungsanwendungen, die für die moderne drahtlose Kommunikation, einschließlich 5G-Netzwerke, unverzichtbar sind. Einer der Haupttreiber für die Einführung von GaN und SiC ist die weltweite Einführung der 5G-Technologie. 5G-Netzwerke erfordern HF-Leistungsverstärker, die bei höheren Frequenzen effizient arbeiten können und so eine schnellere Datenübertragung und Kommunikation mit geringer Latenz ermöglichen. GaN- und SiC-Leistungsgeräte zeichnen sich in diesem Bereich aus und bieten die erforderliche Leistungsdichte und Effizienz, um die strengen Anforderungen von 5G zu erfüllen. Da die Einführung von 5G weltweit beschleunigt wird, steigt die Nachfrage nach HF-Leistungshalbleitern auf Basis von GaN und SiC weiter an.
Darüber hinaus hat die Einführung von GaN und SiC im Design von HF-Leistungshalbleitern zu kleineren Formfaktoren und einer verbesserten Wärmeleistung geführt. Diese Materialien ermöglichen die Herstellung kompakter und leichter HF-Leistungsverstärker und eignen sich daher gut für Anwendungen, bei denen Platzbeschränkungen kritisch sind, wie z. B. in Radarsystemen für Kraftfahrzeuge und tragbaren Kommunikationsgeräten. Energieeffizienz ist ein weiterer treibender Faktor für die Einführung von GaN und SiC. Diese Materialien ermöglichen einen effizienteren Betrieb von HF-Leistungsverstärkern, wodurch Stromverbrauch und Wärmeentwicklung reduziert werden. Diese Effizienz verlängert nicht nur die Batterielebensdauer tragbarer Geräte, sondern entspricht auch globalen Nachhaltigkeitszielen, indem sie den Energieverbrauch der drahtlosen Infrastruktur reduziert.
Darüber hinaus gewinnen GaN und SiC in verschiedenen Branchen jenseits der Telekommunikation an Bedeutung, darunter in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und in industriellen Anwendungen. Diese Branchen schätzen die verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit, die GaN- und SiC-HF-Leistungshalbleiter bieten, was sie zu unverzichtbaren Komponenten in Anwendungen wie Satellitenkommunikation, Automobilradar und Hochleistungsindustriegeräten macht. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Einführung von GaN- und SiC-Technologien eine treibende Kraft hinter dem globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter ist. Diese Materialien bieten eine überzeugende Kombination aus hoher Leistung, Energieeffizienz und Miniaturisierung und sind daher gut geeignet, um die Anforderungen der modernen drahtlosen Kommunikation und einer breiten Palette neuer Anwendungen zu erfüllen. Da die Industrie diese fortschrittlichen Halbleitermaterialien weiterhin nutzt, ist der Markt für HF-Leistungshalbleiter auf anhaltendes Wachstum und Innovation eingestellt.
IoT und drahtlose Konnektivität
Das schnelle Wachstum des Internets der Dinge (IoT) und die steigende Nachfrage nach drahtloser Konnektivität sind zwei miteinander verbundene Trends, die den globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter (Radiofrequenz) maßgeblich vorantreiben. Diese Trends spiegeln die immer größer werdende Rolle von HF-Leistungshalbleitern bei der Ermöglichung drahtloser Kommunikation und Konnektivität zwischen einer Vielzahl von Geräten und Anwendungen wider. IoT, das durch die Verbindung von Alltagsgegenständen und -geräten mit dem Internet gekennzeichnet ist, ist stark auf drahtlose Kommunikation angewiesen. HF-Leistungshalbleiter spielen eine entscheidende Rolle bei der Ermöglichung zuverlässiger und weitreichender drahtloser Konnektivität für IoT-Geräte. Ob Smart-Home-Geräte, Industriesensoren, Gesundheitsmonitore oder landwirtschaftliche Sensoren – HF-Leistungsverstärker und -sender sorgen dafür, dass Daten effizient über große Entfernungen übertragen werden können, und verbinden diese Geräte mit zentralen Datensystemen.
Einer der treibenden Faktoren hinter diesem Trend ist die Notwendigkeit der Echtzeit-Datenerfassung und -analyse. IoT-Geräte generieren kontinuierlich Daten, die zur Verarbeitung und Entscheidungsfindung an Cloud-Server oder Edge-Computing-Systeme übertragen werden müssen. HF-Leistungshalbleiter ermöglichen diesen Datenfluss und stellen sicher, dass IoT-Geräte nahtlos und mit minimaler Latenz kommunizieren können. Darüber hinaus unterstreicht die steigende Nachfrage nach 5G-Netzwerken, die schnellere Datengeschwindigkeiten und geringere Latenz versprechen, die Rolle von HF-Leistungshalbleitern weiter. Die in 5G verwendeten höheren Frequenzbänder erfordern fortschrittliche HF-Leistungsverstärker und -sender, um Signale effizient zu übertragen. Da 5G-Netzwerke weltweit weiter ausgebaut werden, wird erwartet, dass die Nachfrage nach HF-Leistungshalbleitern stark ansteigen wird, insbesondere im Zusammenhang mit IoT-Anwendungen, die von den erweiterten Funktionen von 5G profitieren.
Über das IoT hinaus ist die drahtlose Konnektivität eine grundlegende Voraussetzung in verschiedenen Branchen, darunter Telekommunikation, Automobilindustrie, Gesundheitswesen und Unterhaltungselektronik. HF-Leistungshalbleiter sind wesentliche Komponenten in drahtloser Infrastruktur, mobilen Geräten, Automobilkommunikationssystemen, medizinischer Telemetrie und vielem mehr. Die Expansion dieser Branchen und das ständig wachsende Verlangen der Verbraucher nach schneller, zuverlässiger drahtloser Kommunikation tragen zur steigenden Nachfrage nach HF-Leistungslösungen bei. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass IoT und der allgemeine Trend zur drahtlosen Konnektivität starke Treiber des globalen Marktes für HF-Leistungshalbleiter sind. Da die Welt immer vernetzter wird und sich auf drahtlose Technologien verlässt, spielen HF-Leistungshalbleiter weiterhin eine entscheidende Rolle bei der Ermöglichung einer nahtlosen Kommunikation zwischen einer wachsenden Anzahl von Geräten und Anwendungen. Hersteller investieren in Forschung und Entwicklung, um den sich entwickelnden Anforderungen dieser Trends gerecht zu werden, und positionieren HF-Leistungshalbleiter als unverzichtbare Komponenten unserer vernetzten Zukunft.
Segmenteinblicke
Anwendungseinblicke
Das Segment Luft- und Raumfahrt und Verteidigung dominiert den Markt. Die Modernisierung der Verteidigungsausrüstung hat zu einem Bedarf an Hochleistungshalbleiterbauelementen wie GaN-HF- und LDMOS-Bauelementen geführt. ICs, die in Radarplatinen verwendet werden, enthalten GaN, das eine effiziente Navigation ermöglicht, die Kollisionsvermeidung erleichtert und eine Flugverkehrskontrolle in Echtzeit ermöglicht.
HF-Leistungsverstärker, die in den Radarsystemen verwendet werden, haben einen geringen Stromverbrauch und eine geringe Leistung. Die Bandbreitenleistung und Effizienz von HF-Leistungsgeräten sind wesentlich höher und werden daher in Radaren verwendet, die eine höhere Leistung in Bezug auf Leistung und Radarreichweite liefern. Dies reduziert die Anzahl der Radarsysteme, die zur Überwachung desselben Umkreises erforderlich sind, was wiederum die Kosten senkt. Daher wird die Nachfrage nach HF-Leistungsgeräten im Verteidigungssektor im Prognosezeitraum steigen.
Darüber hinaus wird der zunehmende Fokus der Europäischen Weltraumorganisation (ESA) auf die verstärkte Nutzung von GaN in Weltraumprojekten und die Verwendung von GaN-basierten Transistoren im Militär- und Verteidigungssektor dazu beitragen, dass der HF-Leistungsmarkt im Prognosezeitraum an Fahrt gewinnt.
Regionale Einblicke
Die Region Asien-Pazifik hat sich mit einem erheblichen Umsatzanteil im Jahr 2022 als Marktführer auf dem globalen Markt für HF-Leistungshalbleiter etabliert.
Die zunehmende Produktion von Elektrofahrzeugen im asiatisch-pazifischen Raum wird voraussichtlich die Nachfrage nach HF-GaN ankurbeln, was wiederum den Markt für HF-Leistung in der Region ankurbeln könnte. China ist der größte Hersteller von Elektrofahrzeugen. Im Jahr 2018 verkaufte das Unternehmen laut dem chinesischen Verband der Automobilhersteller 28.081.000 Fahrzeuge, darunter auch Busse und Nutzfahrzeuge.
Neueste Entwicklungen
- Juni 2019 – NXPSemiconductors NV stellte eines der branchenweit am besten integrierten Portfolios an HF-Lösungen für die 5G-Mobilfunkinfrastruktur sowie industrielle und kommerzielle Märkte vor. Aufbauend auf seiner starken Tradition, seiner bahnbrechenden Forschung und Entwicklung, seiner erstklassigen Fertigung und globalen Präsenz übertrifft das umfassende Lösungspaket von NXP die heutigen Anforderungen an die 5G-HF-Leistungsverstärkung für Basisstationen - von MIMO bis hin zu massiven MIMO-basierten aktiven Antennensystemen für Mobilfunk- und Millimeterwellen-(mmWellen)-Spektrumbänder.
- Mai 2019 – Als Teil seiner langfristigen Wachstumsstrategie kündigte Cree, Inc. an, bis zu 1 Milliarde USD in die Erweiterung seiner Siliziumkarbid-Kapazitäten zu investieren. Dazu wird eine hochmoderne, automatisierte 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage und eine riesige Materialfabrik an seinem US-Hauptsitz in Durham, North Carolina, gebaut. Dies war die bislang größte Investition des Unternehmens zur Förderung seines Geschäfts mit Wolfspeed-Siliziumkarbid und GaN auf Siliziumkarbid. Nach der Fertigstellung im Jahr 2024 werden die Anlagen die Kapazität des Unternehmens im Bereich Siliziumkarbid-Materialien und Waferherstellung erheblich steigern und Halbleiterlösungen mit großem Bandabstand ermöglichen, die die dramatischen Technologieverschiebungen in den Bereichen Automobil, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie ermöglichen.
Wichtige Marktteilnehmer
- Aethercomm Inc.
- Analog Devices Inc.
- Cree Inc.
- M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc.
- Mitsubishi Electric Corporation
- NXP Semiconductors NV
- Qorvo Inc.
- Qualcomm Inc.
- Murata Manufacturing Co.Ltd
- STMicroelectronics NV
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