Markt für Leistungs-MOSFETs – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognosen, segmentiert nach Typ (Verarmungsmodus und Anreicherungsmodus), nach Leistungsrate (hohe Leistung, mittlere Leistung und niedrige Leistung), nach Kanaltyp (N-Kanal und P-Kanal), nach Anwendung (Energie und Strom, Wechselrichter und USV, Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und andere), nach Region u
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarkt für Leistungs-MOSFETs – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognosen, segmentiert nach Typ (Verarmungsmodus und Anreicherungsmodus), nach Leistungsrate (hohe Leistung, mittlere Leistung und niedrige Leistung), nach Kanaltyp (N-Kanal und P-Kanal), nach Anwendung (Energie und Strom, Wechselrichter und USV, Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und andere), nach Region u
| Prognosezeitraum | 2024–2028 |
| Marktgröße (2022) | 25,34 Milliarden USD |
| CAGR (2023–2028) | 5,68 % |
| Am schnellsten wachsendes Segment | Industrie |
| Größter Markt | Nordamerika |
Der globale Markt für Leistungs-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) ist
Ein Leistungs-MOSFET ist für die Handhabung erheblicher Leistungspegel ausgelegt. Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) oder Thyristor, zwei weitere Leistungshalbleiterbauelemente, bieten ähnliche Vorteile in Bezug auf Schaltgeschwindigkeit und Effizienz bei niedrigen Spannungen. Er teilt sich ein isoliertes Gate mit dem IGBT, was seine Ansteuerung vereinfacht. Sie können eine geringe Verstärkung aufweisen, manchmal bis zu dem Punkt, an dem die Gate-Spannung höher sein muss als die Steuerspannung.
Heutige Elektronik verfügt über viele Funktionen, die den Kunden ein besseres Gefühl geben und mehr verkaufen. Die Sicherheitsstandards für Verbraucher wurden erhöht und neue Geschäftsmöglichkeiten für verbesserte Elektronik und Geräte sind als Ergebnis technologischer Fortschritte bei elektronischen Komponenten wie Mobiltelefonen, Computern, drahtloser Kommunikation und Cloud-Systemen entstanden. Leistungs-MOSFETs haben aufgrund der schnellen Innovationsverbesserungen, der gesteigerten Produktivität und der geringen Größe elektronischer Teile ein kritisches Potenzial. Darüber hinaus ist der Nanoregler für die Handhabung von Zyklen mit minimalem Energieverlust von grundlegender Bedeutung. Es wird erwartet, dass die Koordination verschiedener elektronischer Geräte den Marktteilnehmern viele Möglichkeiten bietet.
Verstärkter Schwerpunkt auf Energieeinsparung
Es wird erwartet, dass es in Zukunft zu Energieproblemen kommen wird, da fossile Brennstoffe schnell zur Neige gehen. Es sollte nicht überraschen, dass Energieeinsparung immer mehr Aufmerksamkeit erhält. Ein MOSFET ist eine Schaltkomponente, die in der Steuerung von Elektrofahrzeugen, einem Wechselrichter und einer Stromversorgung verwendet wird. MOSFETs werden häufig in industriellen Umgebungen mit niedrigen Schaltfrequenzen eingesetzt. Die zunehmende Betonung von Energieeffizienz und erneuerbaren Quellen hat diese Branche zu ihrer eigenen gemacht. Es wird erwartet, dass erneuerbare Energien mit der größten Anzahl von Installationen einen größeren Anteil des Leistungsmoduls ausmachen werden. Diese Faktoren werden voraussichtlich den Markt antreiben
Die breite Verwendung von Leistungs-MOSFETs in Halbleitern treibt den globalen Markt für Leistungs-MOSFETs an
MOSFETs sind das am häufigsten verwendete Halbleitergerät in komplexen und einfachen Schaltkreisen und auch das am häufigsten verwendete Leistungsgerät. Es ist der erste kleine Halbleiter, der für viele Anwendungen verkleinert und effizient hergestellt werden kann. Die Skalierung und Verkleinerung von MOSFETs hat das rasante Wachstum der elektronischen Halbleitertechnologie vorangetrieben und hochdichte integrierte Schaltkreise (ICs) wie Speicherchips und Mikrochips ermöglicht.
Der Leistungs-MOSFET ist das weltweit am häufigsten verwendete Leistungsgerät. MOSFETs haben gegenüber bipolaren Verbindungshalbleitern in Leistungshardware die Nase vorn, da sie keinen konstanten Stromfluss benötigen, um im eingeschalteten Zustand zu bleiben, höhere Übertragungsgeschwindigkeiten, geringere Übertragungsstromverluste und niedrigere Einschaltschutzwerte bieten und weniger anfällig für Überhitzung sind. Leistungs-MOSFETs beeinflussen die Stromversorgung, da sie höhere Arbeitsfrequenzen, geringere Größe und Gewicht sowie eine Produktion in größeren Stückzahlen ermöglichen. Daher wird erwartet, dass sie das Wachstum des globalen Marktes für Leistungs-MOSFETs ankurbeln.
Heutige Maschinen sind extrem flexibel, minimal und produktiv bei der Ausführung ihrer Aufgaben, so dass sie eine Menge Aufgaben übernommen haben, die früher manuell ausgeführt wurden. Es wird erwartet, dass der Markt für Maschinen und elektronische Geräte in den kommenden Jahren weiter wächst oder schneller wächst als die Nachfrage. Die meisten Maschinen regeln die Stromversorgung mit Leistungs-MOSFETs. Das MOSFET-Modul wird häufig für Spannungsschaltvorgänge verwendet, und weltweit gibt es etwa 78.124 Gigawatt (GW) an Wind- und Solaranlagen. Die zunehmende Abhängigkeit von elektrischen Maschinen und Geräten, die dem Leistungs-MOSFET direkt zugute kommt, ist einer der Hauptfaktoren, die den globalen Markt für Leistungs-MOSFET beeinflussen.
Steigende Nachfrage nach Komponenten für Elektrofahrzeuge treibt das Wachstum des globalen Marktes für Leistungs-MOSFET voran
Der globale Markt für Leistungs-MOSFET wird im Prognosezeitraum voraussichtlich wachsen, da staatliche Initiativen Steuererleichterungen und Subventionen zur Förderung der weltweiten Nutzung emissionsfreier Fahrzeuge mit geringer Reichweite gewähren. Der globale Markt wird voraussichtlich auch durch steigende Investitionen in die Schaffung von Wasserstofftankstellen und Ladestationen für Elektrofahrzeuge angetrieben. Darüber hinaus wird erwartet, dass der globale Markt von einem Preisrückgang bei Batterien für Elektrofahrzeuge aufgrund ihrer weit verbreiteten Produktion und der laufenden technologischen Fortschritte profitieren wird. Ein weiterer wichtiger Faktor, der den globalen Markt ankurbeln würde, ist die hohe Nachfrage nach Elektrofahrzeugausrüstung und -komponenten wie tragbaren Ladegeräten, Adaptern, Anschlüssen und Ladekabeln.
Betriebseinschränkungen und hohe Kosten werden voraussichtlich das Wachstum des globalen Marktes für Leistungs-MOSFETs behindern
Einschränkungen wie Durchschlag durch Gateoxid, Drain-Source-Spannung, maximaler Drainstrom und Temperatur verhindern ein Wachstum dieses Marktes. Aufgrund seiner geringen Dicke hat Gateoxid eine geringe Durchschlagsgrenze. Die Lebensdauer des MOSFETs wird durch eine hohe Gate-Source-Spannung weiter verkürzt, was wenig bis gar keine Auswirkungen auf die Reduzierung hat. Der MOSFET benötigt ebenfalls ein bestimmtes Maß an Kanal-Source-Spannung und Strom; ein Durchschlag kann schnell auftreten, wenn diese Anforderungen nicht erfüllt werden.
Darüber hinaus neigen Leistungs-MOSFETs dazu, Strom zu verlieren, was sich auf ihr Marktwachstum auswirkt. Die hohen Installationskosten für Leistungs-MOSFETs können das Marktwachstum begrenzen, da diese Komponente die Fahrzeugpreise erhöht. Aufgrund der zahlreichen technologischen Komponenten des Fahrzeugs ist seine Wartung eine Herausforderung und erfordert qualifiziertes Personal. Die Lebensdauer von Systemen mit komplexen Architekturen ist kürzer. Daher wird vermutet, dass die oben genannten Faktoren das Wachstum des globalen Marktes für Leistungs-MOSFETs behindern werden.
Neueste Entwicklung
- Im März 2022 wurden von Microchip Technology Inc. die 3,3-kV-SiC-MOSFETs mit dem niedrigsten Durchlasswiderstand und die SiC-SBDs mit der höchsten Stromstärke der Branche auf den Markt gebracht, sodass Designer von Robustheit, Zuverlässigkeit und Leistung profitieren können. Dank der Erweiterung des SiC-Portfolios von Microchip verfügen Designer nun über die erforderlichen Tools, um leichtere, kleinere und effektivere Lösungen für elektrifizierte Transportmittel, erneuerbare Energien, die Luft- und Raumfahrt sowie industrielle Anwendungen zu entwickeln. Die von Microchip angebotenen 3,3-kV-MOSFETs und SBDs sind Teil der umfangreichen SiC-Lösungskollektion des Unternehmens, die auch Chips, diskrete Bauelemente, Module und digitale Gate-Treiber für Spannungen von 700 V, 1200 V und 1700 V umfasst. Zu den von Microchip hergestellten 3,3-kV-SiC-Leistungsbauelementen gehören MOSFETs mit 25 mOhm und SBDs mit der branchenweit höchsten Strombelastbarkeit von 90 Ampere. SBDs und MOSFETs können als Chips oder Gehäuse erworben werden. Mit diesen neuen Leistungsstufen können Designer ihre Designs vereinfachen, Systeme mit mehr Leistung erstellen und weniger parallele Komponenten verwenden, um kleinere, leichtere und effektivere Leistungslösungen zu schaffen.
Marktsegmentierung
Die
Marktakteure
Die wichtigsten Marktakteure auf dem globalen Markt für Leistungs-MOSFETs sind Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd. und Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.
| Attribut | Details |
| Basisjahr | 2022 |
| Historische Daten | 2018–2022 |
| Geschätztes Jahr | 2023 |
| Prognosezeitraum | 2024 – 2028 |
| Quantitative Einheiten | Umsatz in Millionen USD und CAGR für 2018-2022 und 2023-2028 |
| Bericht Abdeckung | Umsatzprognose, Unternehmensanteil, Wachstumsfaktoren und Trends |
| Abgedeckte Segmente | Typ Leistungsrate Kanaltyp Anwendung Region |
| Regionaler Umfang | Nordamerika, Asien-Pazifik, Europa, Südamerika, Naher Osten und Afrika |
| Länderumfang | USA, Kanada, Mexiko, China, Indien, Japan, Südkorea, Australien, Deutschland, Vereinigtes Königreich, Frankreich, Italien, Spanien, Brasilien, Argentinien, Kolumbien, Saudi-Arabien, Südafrika, Vereinigte Arabische Emirate |
| Digi-Key Corporation, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, IXYS Corporation, STMicroelectronics NV, Microchip Technology Inc., Power Integration Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. | |
| Anpassungsumfang | 10 % kostenlose Berichtsanpassung beim Kauf. Ergänzung oder Änderung von Land, Region und Segmentumfang. |
| Preis- und Kaufoptionen | Nutzen Sie individuelle Kaufoptionen, um genau Ihren Forschungsanforderungen gerecht zu werden. Kaufoptionen erkunden |
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