Markt für nichtflüchtige Speicher – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose, segmentiert nach Typ (herkömmlicher nichtflüchtiger Speicher (Flash-Speicher, EEPROM, SRAM und EPROM) und nichtflüchtiger Speicher der nächsten Generation (MRAM, FRAM, ReRAM, 3D-X Point und Nano RAM)), Endverbraucherbranche (Unterhaltungselektronik, Einzelhandel, IT und Telekommunikation sowie Gesundhe
Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format
View Details Buy Now 2890 Download Sample Ask for Discount Request CustomizationMarkt für nichtflüchtige Speicher – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose, segmentiert nach Typ (herkömmlicher nichtflüchtiger Speicher (Flash-Speicher, EEPROM, SRAM und EPROM) und nichtflüchtiger Speicher der nächsten Generation (MRAM, FRAM, ReRAM, 3D-X Point und Nano RAM)), Endverbraucherbranche (Unterhaltungselektronik, Einzelhandel, IT und Telekommunikation sowie Gesundhe
Prognosezeitraum | 2024–2028 |
Marktgröße (2022) | 82,93 Milliarden USD |
CAGR (2023–2028) | 12,03 % |
Am schnellsten wachsendes Segment | Flash-Speicher |
Größter Markt | Asien-Pazifik |
Marktübersicht
Der globale Markt für nichtflüchtige Speicher hat im Jahr 2022 einen Wert von 82,93 Milliarden USD und wird im Prognosezeitraum voraussichtlich ein robustes Wachstum mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 12,03 % bis 2028 verzeichnen. In der florierenden Unterhaltungselektronikbranche erwarten die Benutzer, dass ihre Geräte immer leistungsfähiger werden, neue Funktionen mit unglaublicher Geschwindigkeit bieten und mehr Filme, Bilder und Musik speichern. Während Flash in den letzten Jahrzehnten erhebliche Innovationen ermöglichte, ist eine neue Speichergeneration erforderlich, da Flash auf technologische Hindernisse stößt und eine deutliche weitere Skalierung verhindert. Die Einführung von Flash-Speichern in der Unterhaltungselektronik aufgrund ihres niedrigen Preises und Stromverbrauchs ist für das Wachstum des Marktes von entscheidender Bedeutung. NVM wird in Smartphones und tragbaren Geräten verwendet, um mehr Speicherplatz und schnelleren Speicherzugriff zu ermöglichen. Die zunehmenden Forschungsaktivitäten in diesem Bereich treiben das Wachstum des Marktes ebenfalls voran. So kündigte Infineon Technologies LLC im März 2021 die Einführung nichtflüchtiger statischer RAMs der zweiten Generation an, die für QML-Q und hochzuverlässige Industriespezifikationen qualifiziert sind und vor allem die nichtflüchtige Codespeicherung in rauen Umgebungen, darunter in der Luft- und Raumfahrt und in industriellen Anwendungen, unterstützen.
Wichtige Markttreiber
Mobilgeräte und SSDs
Mobilgeräte und Solid-State-Laufwerke (SSDs) sind zwei wichtige Treiber, die den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher in eine Phase erheblichen Wachstums und Innovation treiben. Diese Technologien sind miteinander verflochten, wobei nichtflüchtige Speicher eine zentrale Rolle bei der Verbesserung der Leistung und der Speicherkapazität beider Technologien spielen. Mobilgeräte, darunter Smartphones und Tablets, sind zu einem integralen Bestandteil des modernen Lebens geworden. Die Nachfrage nach diesen Geräten steigt weiterhin, da Verbraucher nach verbesserter Konnektivität, erweiterten Funktionen und mehr Rechenleistung suchen. Nichtflüchtige Speicher, insbesondere NAND-Flash-Speicher, sind die Grundlage der Speicherung in diesen Geräten. Die ständig steigenden Speicherkapazitäten und schnellen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten des NAND-Flash-Speichers ermöglichen es Benutzern, große Datenmengen, darunter Fotos, Videos, Apps und Dokumente, zu speichern und gleichzeitig reibungslose und reaktionsschnelle Benutzererlebnisse zu ermöglichen.
Darüber hinaus erlebt der Smartphone-Markt die Entwicklung der 5G-Technologie, die die mobile Konnektivität revolutionieren dürfte. 5G ermöglicht schnellere Datenübertragungsraten und reduzierte Latenzzeiten und schafft so Möglichkeiten für datenintensivere Anwendungen und Dienste. Nichtflüchtiger Speicher ist in 5G-fähigen Geräten unverzichtbar, da er schnellen Zugriff auf große Datensätze ermöglicht, die für die Hochgeschwindigkeitsdatenverarbeitung erforderlich sind, wie etwa Augmented Reality (AR), Virtual Reality (VR) und Echtzeit-KI-Anwendungen.
Solid-State-Laufwerke (SSDs) erfreuen sich sowohl im Verbraucher- als auch im Unternehmensumfeld zunehmender Beliebtheit. Der Übergang von herkömmlichen Festplattenlaufwerken (HDDs) zu SSDs wird in erster Linie durch die überlegene Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz der letzteren vorangetrieben. SSDs basieren auf verschiedenen Arten von nichtflüchtigem Speicher, wie etwa NAND-Flash, um Daten zu speichern. Da Unternehmen und Verbraucher schnelleren Datenzugriff, geringeren Stromverbrauch und längere Lebensdauer wünschen, nimmt die Nutzung von SSDs weiter zu, was dem Markt für nichtflüchtige Speicher weiter Auftrieb verleiht. Darüber hinaus hat die Gaming-Branche einen Anstieg der Nutzung von SSDs erlebt, da sie Ladezeiten verkürzen und die Leistung im Spiel verbessern können. Dieser Trend wird sich voraussichtlich fortsetzen, da bei Spielekonsolen, PCs und Cloud-Gaming-Diensten Geschwindigkeit und Reaktionsfähigkeit im Vordergrund stehen. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der globale Markt für nichtflüchtige Speicher stark von der weit verbreiteten Nutzung mobiler Geräte und SSDs beeinflusst wird. Diese Technologien treiben die Entwicklung immer fortschrittlicherer und effizienterer nichtflüchtiger Speicherlösungen voran, um den wachsenden Anforderungen von Verbrauchern und Unternehmen nach schnellerem Datenzugriff, höheren Speicherkapazitäten und verbesserter Energieeffizienz gerecht zu werden. Da diese Trends anhalten und sich die Technologie weiterentwickelt, wird der Markt für nichtflüchtige Speicher seine Expansion fortsetzen und einer breiten Palette von Branchen und Anwendungen Vorteile bieten.
Steigende Nachfrage nach Datenspeicher
Der globale Markt für nichtflüchtige Speicher erlebt ein robustes Wachstum, das in erster Linie durch die ständig steigende Nachfrage nach Datenspeichern in verschiedenen Sektoren angetrieben wird. Dieser unersättliche Datenhunger wird durch mehrere konvergierende Trends angetrieben, und nichtflüchtige Speichertechnologien stehen an vorderster Front, um diesen wachsenden Speicherbedarf zu decken. In erster Linie haben die digitale Transformation von Unternehmen und die Verbreitung von Unterhaltungselektronik zu einem exponentiellen Anstieg der Datengenerierung geführt. Von E-Commerce-Transaktionen und Social-Media-Interaktionen bis hin zu Sensordaten von IoT-Geräten ist das produzierte Datenvolumen beispiellos. Nichtflüchtige Speicherlösungen wie NAND-Flash-Speicher und 3D XPoint sind für die effiziente und zuverlässige Speicherung dieser Daten unerlässlich.
Cloud Computing ist ein weiterer wichtiger Treiber der Nachfrage nach Datenspeicherung. Cloud-Dienstanbieter benötigen riesige Rechenzentren mit Speicherlösungen mit hoher Kapazität, um die Daten von Einzelpersonen und Organisationen weltweit zu hosten und zu verwalten. Nichtflüchtige Speichertechnologien, einschließlich SSDs (Solid State Drives), sind aufgrund ihrer Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und ihres geringeren Stromverbrauchs im Vergleich zu herkömmlichen Festplattenlaufwerken (HDDs) zur ersten Wahl für diese Rechenzentren geworden. Darüber hinaus wird das Aufkommen der 5G-Technologie die Nachfrage nach Datenspeicherung beschleunigen. Die schnelleren Datenübertragungsgeschwindigkeiten und die reduzierte Latenzzeit, die 5G-Netzwerke bieten, werden die Entwicklung datenintensiver Anwendungen wie Augmented Reality (AR), Virtual Reality (VR) und autonome Fahrzeuge fördern. Diese Anwendungen sind auf nichtflüchtigen Speicher angewiesen, um die riesigen Datenmengen zu speichern und schnell darauf zuzugreifen, die für die Echtzeitverarbeitung erforderlich sind.
Datensicherheit und die Einhaltung gesetzlicher Vorschriften treiben auch die Anforderungen an die Datenspeicherung voran. Unternehmen speichern zunehmend vertrauliche Informationen und müssen strenge Datenschutzgesetze einhalten. Nichtflüchtiger Speicher spielt eine entscheidende Rolle bei der Datenverschlüsselung und sicheren Speicherung und ist daher unverzichtbar für den Schutz kritischer Datenbestände. Darüber hinaus entwickeln die Hersteller nichtflüchtiger Speicher weiterhin Innovationen, erhöhen die Speicherdichte und senken die Kosten pro Bit. Dies macht nichtflüchtige Speicherlösungen für eine breite Palette von Anwendungen zugänglicher und erschwinglicher, was weiter zum Wachstum des globalen Marktes für nichtflüchtigen Speicher beiträgt. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die steigende Nachfrage nach Datenspeichern eine unaufhaltsame Kraft ist, die den globalen Markt für nichtflüchtigen Speicher prägt. Da unsere Welt immer datenzentrierter wird, wird der Bedarf an skalierbaren, leistungsstarken und zuverlässigen nichtflüchtigen Speicherlösungen weiter steigen, was diesen Markt zu einem wichtigen Bestandteil des digitalen Zeitalters macht.
Künstliche Intelligenz und maschinelles Lernen
Künstliche Intelligenz (KI) und maschinelles Lernen (ML) werden eine entscheidende Rolle dabei spielen, den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher auf neue Höhen zu treiben. Diese transformativen Technologien revolutionieren Branchen auf ganzer Linie, und ihr unersättlicher Appetit auf Daten und ihr Bedarf an schnellem Datenzugriff machen nichtflüchtigen Speicher zu einem entscheidenden Bestandteil ihres Erfolgs. KI- und ML-Algorithmen benötigen riesige Datenmengen für Training und Inferenz. Nichtflüchtige Speicherlösungen wie NAND-Flash-Speicher, SSDs und neue Speichertechnologien wie 3D XPoint bieten die Geschwindigkeit und Kapazität, die zum effizienten Speichern und Abrufen dieser riesigen Datensätze erforderlich sind. Dies ist besonders wichtig für Deep Learning, wo neuronale Netzwerke mit mehreren Schichten umfangreiche Datensätze für eine genaue Modellierung erfordern.
Darüber hinaus sind die Eigenschaften der geringen Latenz des nichtflüchtigen Speichers für KI- und ML-Anwendungen, die eine Echtzeit- oder nahezu Echtzeitverarbeitung erfordern, von entscheidender Bedeutung. Von autonomen Fahrzeugen bis hin zu Spracherkennungssystemen ist die Fähigkeit, schnell auf Daten zuzugreifen, unerlässlich, um den reibungslosen Betrieb KI-gesteuerter Technologien zu gewährleisten. Die Skalierbarkeit des nichtflüchtigen Speichers ist ein weiterer entscheidender Faktor für seine Einführung in KI und ML. Da Unternehmen und Forschungseinrichtungen ihre KI- und ML-Infrastruktur erweitern, benötigen sie Speicherlösungen, die mit ihrem wachsenden Datenspeicherbedarf skalierbar sind. Nichtflüchtiger Speicher lässt sich problemlos in vorhandene Rechenzentrumsarchitekturen integrieren und kann dem steigenden Bedarf an Datenspeicherkapazität gerecht werden.
Darüber hinaus werden nichtflüchtige Speichertechnologien für KI- und ML-Workloads optimiert. Hersteller entwickeln Speicherlösungen, die eine bessere Ausdauer, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit bieten, um die spezifischen Anforderungen von KI-Beschleunigern und Edge-Computing-Geräten zu erfüllen. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass KI und ML an der Spitze der technologischen Innovation stehen und ihr Einfluss auf den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher unbestreitbar ist. Da KI- und ML-Anwendungen in Branchen von der Gesundheitsversorgung über die Finanzbranche bis hin zur Fertigung immer weiter zunehmen, wird die Nachfrage nach leistungsstarken, latenzarmen und skalierbaren nichtflüchtigen Speicherlösungen nur noch zunehmen. Diese symbiotische Beziehung zwischen KI/ML und nichtflüchtigem Speicher wird Innovationen in beiden Bereichen vorantreiben, wobei sich die Speicherindustrie anpasst, um den sich ständig weiterentwickelnden Anforderungen der künstlichen Intelligenz gerecht zu werden.
Wichtige Marktherausforderungen
Kostenbeschränkungen
Kostenbeschränkungen sind eine erhebliche Herausforderung, die das Wachstum und die Entwicklung des globalen Marktes für nichtflüchtige Speicher möglicherweise behindern könnte. Diese Herausforderung ist vielschichtig und wirkt sich auf verschiedene Aspekte der Branche aus, von der Forschung und Entwicklung bis hin zur Produktion und Verbraucherakzeptanz. Forschungs- und EntwicklungskostenDie Entwicklung neuer nichtflüchtiger Speichertechnologien und die Verbesserung bestehender Technologien erfordert erhebliche Investitionen in Forschung und Entwicklung. Unternehmen in der Branche müssen ständig innovativ sein, um wettbewerbsfähig zu bleiben und den sich entwickelnden Marktanforderungen gerecht zu werden. Hohe F&E-Kosten können für kleinere Akteure und Start-ups ein Hindernis darstellen und die Vielfalt der Speicherlösungen auf dem Markt einschränken.
HerstellungskostenDie Herstellung nichtflüchtiger Speicherchips umfasst komplexe Prozesse und teure Geräte. Während die Technologie voranschreitet und Hersteller danach streben, Speicherchips mit höheren Kapazitäten und höheren Geschwindigkeiten herzustellen, steigen die Kosten für den Bau und die Wartung von Fertigungsanlagen, auch als Fabs bezeichnet, weiter an. Diese Kosten werden normalerweise an die Verbraucher weitergegeben, was die Erschwinglichkeit fortschrittlicher Speicherlösungen möglicherweise einschränkt. SkaleneffekteDas Erreichen von Skaleneffekten ist für eine kosteneffiziente Produktion von entscheidender Bedeutung. Kleinere Hersteller haben möglicherweise Schwierigkeiten, mit größeren, etablierten Unternehmen zu konkurrieren, die über die Ressourcen verfügen, um Speicherchips in großen Mengen herzustellen. Diese Konzentration der Fertigungsmacht kann zur Marktdominanz einiger weniger Akteure führen und so den Wettbewerb und die Innovation möglicherweise einschränken.
PreisdruckDer Markt für nichtflüchtige Speicher ist hart umkämpft, und Verbraucher und Unternehmen erwarten niedrigere Preise für Speicherlösungen mit höherer Kapazität. Hersteller stehen häufig unter Druck, ihre Preise zu senken, um wettbewerbsfähig zu bleiben, was sich auf ihre Gewinnmargen auswirken und ihre Fähigkeit, in Forschung und Entwicklung zu investieren, behindern kann. Akzeptanz bei VerbrauchernDie Kosten für nichtflüchtigen Speicher wirken sich direkt auf die Akzeptanz bei Verbrauchern aus. In Märkten wie Smartphones sind Verbraucher preisbewusst, und die Kosten für Speicherkomponenten wirken sich erheblich auf den Gesamtpreis von Geräten aus. Bleiben die Speicherpreise hoch, kann dies die Akzeptanz von Geräten mit größeren Speicherkapazitäten verlangsamen.
UnternehmenslösungenIn Unternehmens- und Rechenzentrumsumgebungen können Kostenbeschränkungen den Einsatz von nichtflüchtigen Speicherlösungen mit hoher Kapazität einschränken. Unternehmen müssen möglicherweise ihren Speicherbedarf mit Budgetbeschränkungen in Einklang bringen, was möglicherweise Upgrades oder Erweiterungen ihrer Speicherinfrastruktur verzögert. Um diese Kostenbeschränkungen zu bewältigen, muss sich die Branche für nichtflüchtigen Speicher auf die Verbesserung der Herstellungsprozesse konzentrieren, um die Produktionskosten zu senken und bessere Skaleneffekte zu erzielen. Darüber hinaus kann kontinuierliche Innovation bei Speichertechnologien langfristig zu kostengünstigeren Lösungen führen. Strategische Partnerschaften und Kooperationen zwischen Branchenakteuren können ebenfalls dazu beitragen, die Kosten zu verteilen und Forschungs- und Entwicklungsbemühungen zu fördern. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass Kostenbeschränkungen zwar eine Herausforderung für den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher darstellen, aber auch Innovation und Effizienz in der Branche vorantreiben. Um diese Herausforderungen zu bewältigen, ist eine Kombination aus technologischen Fortschritten, Skaleneffekten und Marktdynamik erforderlich, um sicherzustellen, dass nichtflüchtige Speicherlösungen für eine breite Palette von Anwendungen und Verbrauchern zugänglich und erschwinglich bleiben.
Skalierungsgrenzen für NAND-Flash
Eine der größten Herausforderungen für den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher sind die Skalierungsgrenzen der NAND-Flash-Speichertechnologie. NAND-Flash ist seit vielen Jahren das Arbeitspferd des Marktes für nichtflüchtige Speicher und wird in zahlreichen Geräten verwendet, von Smartphones bis hin zu Rechenzentren. Da NAND-Flash jedoch seine physischen Skalierungsgrenzen erreicht, stellt es ein potenzielles Hindernis für weitere Fortschritte und Expansionen in der Branche dar. Das grundlegende Problem bei der Skalierung von NAND-Flash besteht darin, dass bei dem Versuch der Hersteller, Speicherzellen zu verkleinern, um die Speicherdichte zu erhöhen, mehrere kritische Probleme auftreten. Reduzierte LebensdauerWenn NAND-Zellen kleiner werden, können sie weniger Programmier-/Löschzyklen (P/E) überstehen, bevor sie verschleißen. Diese reduzierte Lebensdauer kann die Zuverlässigkeit und Lebensdauer von NAND-Flash-basierten Geräten beeinträchtigen, insbesondere bei schreibintensiven Anwendungen wie Unternehmensspeichersystemen.
Erhöhte FehlerratenKleinere NAND-Zellen sind anfälliger für Fehler, die durch Faktoren wie Elektronentunnelung und Interferenzen zwischen benachbarten Zellen verursacht werden. Dies führt zu höheren Fehlerraten und erfordert Fehlerkorrekturmechanismen, die zusätzliche Ressourcen und Strom verbrauchen können. DatenspeicherungKleinere NAND-Zellen haben tendenziell auch kürzere Datenspeicherzeiten. Dies bedeutet, dass die in diesen Zellen gespeicherten Daten schneller abgebaut werden können, was für Anwendungen, die eine langfristige Datenspeicherung erfordern, problematisch ist. Komplexe HerstellungsprozesseDas Verkleinern von NAND-Flash-Zellen erfordert zunehmend komplexe Herstellungsprozesse, was zu höheren Produktionskosten und potenziellen Herstellungsproblemen führt.
Um diese Probleme zu lösen, haben Hersteller verschiedene Techniken wie Multi-Level-Cell (MLC), Triple-Level-Cell (TLC) und Quad-Level-Cell (QLC) NAND-Flash untersucht, um die Speicherdichte zu erhöhen und gleichzeitig eine angemessene Leistung und Lebensdauer beizubehalten. Diese Lösungen sind jedoch mit Kompromissen in Bezug auf Leistung und Zuverlässigkeit verbunden. Um diese Skalierungsprobleme zu lösen, erforscht die Branche auch aktiv alternative nichtflüchtige Speichertechnologien wie 3D XPoint, resistiven RAM (ReRAM) und magnetoresistiven RAM (MRAM). Diese Technologien bieten Vorteile in Bezug auf Skalierbarkeit, Ausdauer und Leistung, stehen jedoch vor eigenen Herausforderungen bei Entwicklung und Einführung.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass NAND-Flash-Speicher zwar eine tragende Säule auf dem Markt für nichtflüchtigen Speicher ist, seine Skalierungsgrenzen jedoch erhebliche Hindernisse für die Erfüllung der wachsenden Nachfrage nach Speicherlösungen mit höherer Kapazität und schnelleren Speicherlösungen darstellen. Die Fähigkeit der Branche, diese Skalierungsbeschränkungen zu überwinden und auf alternative Speichertechnologien umzusteigen, wird entscheidend für die Gestaltung der Zukunft des nichtflüchtigen Speichers und die Sicherstellung seines anhaltenden Wachstums und seiner Relevanz in einer zunehmend datengesteuerten Welt sein.
Wichtige Markttrends
Neue Speichertechnologien
Neue Speichertechnologien werden voraussichtlich eine treibende Kraft bei der Gestaltung der Zukunft des globalen Marktes für nichtflüchtigen Speicher sein. Diese innovativen Speicherlösungen, die über herkömmlichen NAND-Flash hinausgehen, bieten eine Reihe von Vorteilen, die kritische Einschränkungen beheben und den sich entwickelnden Anforderungen verschiedener Branchen und Anwendungen gerecht werden. Eine der bemerkenswertesten neuen Speichertechnologien ist 3D XPoint, das von Intel und Micron unter der Marke Optane entwickelt wurde. 3D XPoint wird aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften oft als Storage Class Memory (SCM) bezeichnet. Es kombiniert die Geschwindigkeit und Ausdauer von herkömmlichem DRAM mit der nichtflüchtigen Natur von NAND-Flash und schließt so die Lücke zwischen flüchtigem und nichtflüchtigem Speicher. Diese Technologie wird die Datenspeicherung und -verarbeitung in vielerlei Hinsicht revolutionieren. Hohe Leistung3D XPoint bietet deutlich schnellere Datenzugriffsgeschwindigkeiten als NAND-Flash und eignet sich daher gut für Hochleistungs-Computing-Anwendungen, Echtzeitanalysen und KI/ML-Workloads, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern.
Hohe AusdauerIm Gegensatz zu NAND-Flash verschlechtert sich 3D XPoint bei wiederholten Schreibzyklen nicht so schnell, was eine längere Lebensdauer und bessere Zuverlässigkeit gewährleistet. Diese Eigenschaft ist für Unternehmens- und Rechenzentrumsanwendungen von entscheidender Bedeutung. Geringe LatenzDatenzugriffe mit geringer Latenz sind für Anwendungen wie In-Memory-Datenbanken und Edge-Computing unerlässlich. 3D XPoint bietet Latenzzeiten nahe DRAM und verbessert so die Gesamtsystemleistung. Eine weitere aufkommende Speichertechnologie ist resistiver RAM (ReRAM), der resistive Schaltmaterialien zur Datenspeicherung nutzt. ReRAM verspricht Vorteile wie geringen Stromverbrauch, schnelle Schreibgeschwindigkeiten und Skalierbarkeit. Es hat potenzielle Anwendungen in IoT-Geräten, neuromorphem Computing und Speicherlösungen der Speicherklasse.
Phasenwechselspeicher (PCM) ist eine weitere bemerkenswerte Technologie, die den reversiblen Phasenübergang von Materialien zur Datenspeicherung nutzt. PCM bietet eine hohe Datenspeicherung, geringen Stromverbrauch und Beständigkeit gegen extreme Temperaturen, wodurch es sich für Automobilelektronik, Luft- und Raumfahrtanwendungen und IoT-Sensoren eignet. Im Kontext des globalen Marktes für nichtflüchtigen Speicher diversifizieren diese aufkommenden Speichertechnologien die Landschaft und treiben Innovationen voran. Sie decken die Nachfrage nach schnelleren, zuverlässigeren und energieeffizienteren Speicherlösungen in Branchen wie Rechenzentren, KI, IoT und Automobil ab. Wenn Hersteller diese Technologien verfeinern, Produktionsprozesse verbessern und die Produktion ausweiten, werden sie wahrscheinlich kostengünstiger, was ihre Einführung weiter beschleunigt. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass aufkommende Speichertechnologien wie 3D XPoint, ReRAM und PCM an der Spitze der nichtflüchtigen Speicherinnovation stehen. Sie gestalten den Markt neu, indem sie die Einschränkungen des herkömmlichen NAND-Flashs angehen und maßgeschneiderte Lösungen für eine breite Palette von Anwendungen bieten. Da die Branchen weiterhin Leistung, Ausdauer und Effizienz in den Vordergrund stellen, werden diese Technologien eine entscheidende Rolle beim Wachstum und der Entwicklung des globalen Marktes für nichtflüchtige Speicher spielen.
Integration von KI und maschinellem Lernen
Die Integration von Technologien für künstliche Intelligenz (KI) und maschinelles Lernen (ML) ist eine überzeugende Kraft, die den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher in eine neue Ära des Wachstums und der Innovation treibt. Diese transformativen Technologien sind zutiefst datengesteuert und verlassen sich auf schnellen Datenzugriff und -speicherung, wodurch nichtflüchtiger Speicher eine entscheidende Komponente ihrer Weiterentwicklung ist. KI- und ML-Algorithmen sind unersättliche Datenkonsumenten. Sie benötigen riesige Datensätze für das Training und Echtzeit-Datenzugriff für Inferenzen, was leistungsstarke Speicherlösungen mit geringer Latenz zu einer entscheidenden Notwendigkeit macht. Nichtflüchtiger Speicher wie NAND-Flash-Speicher und neue Technologien wie 3D XPoint erfüllen diese Anforderungen hervorragend, indem sie schnelle und zuverlässige Datenspeicher- und -abruffunktionen bieten.
Zu den wichtigsten Faktoren, die die Synergie zwischen KI/ML und nichtflüchtigem Speicher vorantreiben, gehören datenintensive WorkloadsKI- und ML-Anwendungen, von der Verarbeitung natürlicher Sprache bis hin zur Computervision, generieren und verarbeiten riesige Datenmengen. Nichtflüchtige Speichertechnologien eignen sich hervorragend zum Speichern und Verwalten dieser riesigen Datensätze und stellen sicher, dass KI-Modelle Zugriff auf die Informationen haben, die sie für genaue Vorhersagen und Entscheidungen benötigen.
EchtzeitverarbeitungKI und ML erfordern häufig Echtzeit- oder nahezu Echtzeitverarbeitung, wie z. B. autonome Fahrzeuge, die sekundenschnelle Entscheidungen treffen, oder Spracherkennungssysteme, die auf Benutzerbefehle reagieren. Die geringen Latenzeigenschaften des nichtflüchtigen Speichers ermöglichen einen schnellen Datenzugriff und erleichtern die für diese Anwendungen erforderlichen schnellen Reaktionszeiten. Edge ComputingDa sich KI immer mehr an den Rand des Netzwerks und näher an IoT-Geräte und -Sensoren bewegt, wird nichtflüchtiger Speicher für die lokale Datenspeicherung und -verarbeitung unverzichtbar. Dieses Edge-Computing-Paradigma erfordert Speicherlösungen, die in ressourcenbeschränkten Umgebungen effizient arbeiten können.
EnergieeffizienzKI- und ML-Anwendungen in Mobilgeräten und IoT-Gadgets erfordern energieeffiziente Speicherlösungen. Nichtflüchtige Speichertechnologien sind für ihren geringeren Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen Festplatten bekannt, was zu einer längeren Akkulaufzeit in Mobilgeräten beiträgt und die Betriebsdauer von IoT-Geräten verlängert. SkalierungsmöglichkeitenDie Skalierbarkeit von nichtflüchtigem Speicher entspricht dem Wachstum von KI-/ML-Workloads. Unternehmen können ihre Speicherinfrastruktur problemlos erweitern, um das zunehmende Datenvolumen zu bewältigen, das von KI-Systemen generiert und analysiert wird. Erweiterte SpeicherarchitekturenSpeicherhersteller entwickeln für KI und ML optimierte Speicherlösungen mit Funktionen wie verbesserter Ausdauer, Zuverlässigkeit und Leistung. Diese Technologien sind auf die spezifischen Anforderungen von KI-Workloads zugeschnitten.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass KI und maschinelles Lernen an der Spitze der technologischen Innovation stehen und ihre tiefe Integration mit nichtflüchtigen Speichertechnologien den globalen Markt für nichtflüchtige Speicher in neue Höhen treibt. Da sich KI-/ML-Anwendungen branchenübergreifend weiter verbreiten, wird die Nachfrage nach schnellen, latenzarmen und skalierbaren nichtflüchtigen Speicherlösungen stark bleiben, was die fortlaufende Zusammenarbeit und Innovation zwischen diesen beiden transformativen Bereichen fördert. Die daraus resultierenden Fortschritte werden KI-/ML-gesteuerte Anwendungen weiter stärken und die Zukunft des Computing prägen.
Segmenteinblicke
Typeinblicke
Das Flash-Speichersegment wird voraussichtlich im Prognosezeitraum den Markt dominieren. Die wachsende Nachfrage und Durchdringung der Unterhaltungselektronik führte zu Flash-Speicheranwendungen für Geräte. Dieser Speichertyp findet Anwendung in Laptops, GPS, elektronischen Musikinstrumenten, Digitalkameras, Mobiltelefonen und vielen anderen. Darüber hinaus wird er von Anbietern von Rechenzentrumslösungen in großem Umfang eingesetzt. Mit dem exponentiellen Wachstum bei der Einführung von Cloud-Lösungen steigt auch die Nachfrage nach Rechenzentren.
Darüber hinaus werden Flash-Speicher und Unternehmensrechenzentren mit zunehmender Tendenz zu KI-/ML-Anwendungen und IoT-Geräten, die Cloud-Speicher mit hoher Latenz und hohem Durchsatz erfordern, optimiert, um tiefe neuronale Netzwerke zu trainieren. Die wachsende Zahl und Größe von Rechenzentren dürfte die Nachfrage weiter steigern.
Um der wachsenden Nachfrage gerecht zu werden, konzentrieren sich die auf dem Markt tätigen Anbieter auf die Entwicklung neuer Lösungen mit besseren Funktionen. So kündigten Kioxia Corporation und Western Digital Corp. im Februar 2021 die Entwicklung einer 162-schichtigen 3D-Flash-Speichertechnologie der sechsten Generation an. Dies war die dichteste und fortschrittlichste 3D-Flash-Speichertechnologie des Unternehmens, die viele Technologie- und Fertigungsinnovationen nutzt.
Regionale Einblicke
Der asiatisch-pazifische Raum wird den Markt im Prognosezeitraum voraussichtlich dominieren. Der Bau neuer Infrastruktur, einschließlich Rechenzentren, hat in verschiedenen Ländern der Region Asien-Pazifik aufgrund der stark gestiegenen Nachfrage nach Online-Unterhaltung, Telearbeit sowie Video- und Sprachanrufdiensten zugenommen. Mit der rasanten Entwicklung der digitalen Wirtschaft wird der Bau großer, großer Rechenzentren in Ländern wie China und Indien notwendig.
China hat sich aufgrund seines aggressiven Ansatzes im NAND-Speichergeschäft zum führenden Land entwickelt. So hat beispielsweise Yangtze Memory Technologies Co. Ltd (YMTC), eines der größten Speicherunternehmen Chinas, 64-Schichten NAND in kleinen Mengen im Inland ausgeliefert, darunter SSDs, wobei die Produktion von 128 Schichten in Entwicklung und Auslieferung im Jahr 2021 ist.
Jüngste Entwicklungen
- Januar 2022 – SK Hynix Inc. gab den Abschluss der ersten Phase der Transaktion zur Übernahme des NAND- und Solid-State-Drive-Geschäfts (SSD) von Intel bekannt. Nach eigenen Angaben hat das Unternehmen die erste Phase der Transaktion mit der Übernahme des SSD-Geschäfts von Intel und der NAND-Flash-Produktionsanlage Dalian in China abgeschlossen.
- Oktober 2021 – NSCore Inc. stellte OTP+, One-Time-Programmable Plus, vor, eine nichtflüchtige Speicherlösung für IoT-Technologieanwendungen. Nach Angaben des Unternehmens kann die 40-nm-Ultra-Low-Power-OTP-NVM-IPSolution die Notwendigkeit einer Neuherstellung eines IoT-Chips minimieren, was auf dem Schwellenmarkt von entscheidender Bedeutung ist. Darüber hinaus kann die NSCore OTP+-Lösung im Gegensatz zu Standard-OTP-IP-Lösungen neu programmiert und modifiziert werden.
- Juli 2021 – Micron Technology gab bekannt, dass es mit der Massenauslieferung der weltweit ersten mobilen 176-Schicht-NAND-Universal-Flash-Storage-Lösung (UFS) 3.1 begonnen hat. Der diskrete mobile NAND-Speicher UFS 3.1 von Micron wurde für High-End- und Flaggschiff-Telefone entwickelt und erschließt das Potenzial von 5G mit sequentiellen Schreib- und zufälligen Lesegeschwindigkeiten von bis zu 75 % im Vergleich zu früheren Generationen.
Wichtige Marktteilnehmer
- ROHM Co. Ltd
- STMicroelectronics NV
- Maxim Integrated Products Inc.
- Fujitsu Ltd
- Intel Corporation
- Honeywell International Inc.
- Micron technologies Inc.
- Samsung Electronics Co.Ltd
- Crossbar Inc.
- Infineon Technologies AG
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