Markt für High-K- und CVD-Ald-Metallvorläufer – Globale Branchengröße, Anteil, Trends, Chancen und Prognose, segmentiert nach Technologie (Verbindungstechnik, Kondensator/Speicher, Gates), nach Endverbrauch (Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, IT und Telekommunikation, Industrie, Automobil, Gesundheitswesen, Sonstige), nach Region und Wettbewerb, 2019–2029F

Marktübersicht

Der globale Markt für High-K- und CVD-ALD-Metallvorläufer wurde im Jahr 2023 auf 615 Millionen USD geschätzt und soll im Jahr 2029 920,8 Millionen USD erreichen, mit einer CAGR von 6,8 % bis 2029. Der globale Markt für High-K- und CVD-ALD-Metallvorläufer erfährt ein signifikantes Wachstum, das durch die steigende Nachfrage nach fortschrittlichen Halbleitertechnologien und Miniaturisierungstrends in der Elektronik angetrieben wird. High-K-Materialien, die für die Verbesserung der Transistorleistung und die Reduzierung des Stromverbrauchs in integrierten Schaltkreisen der nächsten Generation unerlässlich sind, werden verstärkt eingesetzt, da Halbleiterbauelemente immer komplexer werden. Gleichzeitig sind die Technologien der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der Atomlagenabscheidung (ALD) von entscheidender Bedeutung für die Abscheidung dünner, gleichmäßiger Metallschichten, die für Präzisionskomponenten in der Halbleiterfertigung entscheidend sind. Die Expansion von Branchen wie Unterhaltungselektronik, Automobil und Telekommunikation sowie Fortschritte bei Technologien wie 5G und künstlicher Intelligenz treiben dieses Wachstum voran. Zu den wichtigsten Markttreibern gehören der Bedarf an verbesserter Geräteleistung, erhöhter Zuverlässigkeit und der Fähigkeit, die strengen Anforderungen neuer Anwendungen zu erfüllen. Darüber hinaus treiben laufende Innovationen und die Entwicklung neuer Vorläufer die Marktexpansion weiter voran. Da Halbleiterhersteller und Materialwissenschaftler die Grenzen der Geräteskalierung und -leistung immer weiter verschieben, ist der Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer für ein weiterhin robustes Wachstum gerüstet, wobei erhebliche Investitionen in Forschung und Entwicklung zukünftige Fortschritte auf diesem Gebiet unterstützen.

Wichtige Markttreiber

Fortschritte in der Halbleitertechnologie

Das unermüdliche Streben nach höherer Leistung und größerer Effizienz bei Halbleitergeräten ist ein Haupttreiber des globalen Marktes für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Da sich die Halbleiterindustrie in Richtung kleinerer Knotentechnologien bewegt, sind herkömmliche Siliziumdioxid-Gate-Dielektrika zunehmend unzureichend, um die Anforderungen an Leistung und Energieeffizienz zu erfüllen. High-k-Materialien mit ihren überlegenen dielektrischen Eigenschaften sind für die Aufrechterhaltung einer effektiven Gate-Steuerung bei gleichzeitiger Reduzierung von Leckströmen in zunehmend miniaturisierten Transistoren unerlässlich. CVD- und ALD-Prozesse sind entscheidend für die präzise Abscheidung von Metallschichten in fortschrittlichen Halbleitergeräten, die erforderlich sind, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften und Leistungsmerkmale zu erreichen. Der Vorstoß in Richtung Technologien wie 5G, künstliche Intelligenz und Hochleistungsrechnen erfordert Materialien und Prozesse, die strenge Spezifikationen erfüllen können. Folglich investieren Halbleiterhersteller massiv in Forschung und Entwicklung, um diese Materialien zu erneuern und zu optimieren, was die Nachfrage nach High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufern ankurbelt.

Wachstum in der Unterhaltungselektronik

Der aufstrebende Sektor der Unterhaltungselektronik ist ein bedeutender Treiber des Marktes für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Mit der zunehmenden Verbreitung intelligenter Geräte wie Smartphones, Tablets, tragbarer Technologie und Smart-Home-Geräten ist der Bedarf an fortschrittlicheren und effizienteren Halbleiterkomponenten gestiegen. Unterhaltungselektronik erfordert leistungsstarke integrierte Schaltkreise, die erweiterte Funktionen unterstützen und gleichzeitig Energieeffizienz und kompakte Formfaktoren beibehalten können. High-k-Materialien werden verwendet, um fortschrittliche Transistoren herzustellen, die diese Anforderungen erfüllen und sicherstellen, dass elektronische Geräte nicht nur schneller, sondern auch energieeffizienter sind. Darüber hinaus ermöglichen CVD-ALD-Techniken die präzise Abscheidung von Metallschichten, die für hochdichte Verbindungen und eine verbesserte Gerätezuverlässigkeit erforderlich sind. Während sich die Unterhaltungselektronik weiterentwickelt und diversifiziert, treibt der Drang nach Spitzentechnologie den Markt für diese spezialisierten Vorläufer an.

Steigende Nachfrage nach Automobilelektronik

Die schnelle Transformation der Automobilindustrie hin zur Elektrifizierung und Automatisierung ist ein entscheidender Treiber für den Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Moderne Fahrzeuge verlassen sich zunehmend auf fortschrittliche Halbleitertechnologien für verschiedene Funktionen, darunter fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Infotainment und elektrische Antriebe. Diese Anwendungen erfordern Komponenten, die überlegene Leistung, Zuverlässigkeit und thermische Stabilität bieten. High-k-Materialien sind für die Steuerung der Energieeffizienz und Leistung der Automobilelektronik von entscheidender Bedeutung, während CVD- und ALD-Prozesse die für die Herstellung komplexer Halbleiterkomponenten erforderliche Präzision gewährleisten. Da Autohersteller immer fortschrittlichere Technologien in ihre Fahrzeuge integrieren, um die Erwartungen der Verbraucher und die gesetzlichen Vorschriften zu erfüllen, wächst der Bedarf an hochwertigen Vorläufern in der Halbleiterherstellung, was die Marktexpansion vorantreibt.

Technologische Innovationen und Materialentwicklung

Laufende Innovationen in der Materialwissenschaft und in den Abscheidungstechnologien sind entscheidende Treiber des Marktes für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Forscher und Hersteller entwickeln kontinuierlich neue Vorläufer und verfeinern bestehende, um Leistung, Effizienz und Kompatibilität mit fortschrittlichen Halbleiterherstellungsprozessen zu verbessern. Innovationen wie neuartige High-k-Materialien mit verbesserten dielektrischen Eigenschaften und fortschrittliche CVD-ALD-Techniken, die eine bessere Kontrolle über Filmgleichmäßigkeit und -dicke bieten, sind entscheidend, um die sich entwickelnden Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen. Mit der Entstehung neuer Materialien und Prozesse eröffnen sie neue Anwendungen und Möglichkeiten und treiben den Markt voran. Der Fokus auf die Verbesserung der Qualität der Vorläufer und die Ausweitung ihres Anwendungsbereichs stimuliert Investitionen und Wachstum in diesem Sektor.

Wichtige Marktherausforderungen

Hohe Produktionskosten

Eine der größten Herausforderungen auf dem globalen Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer sind die hohen Produktionskosten, die mit diesen fortschrittlichen Materialien verbunden sind. Die Synthese von High-k-Materialien und die Entwicklung von CVD- und ALD-Vorläufern sind komplexe und kostspielige Prozesse. High-k-Materialien wie Hafniumoxid und Zirkoniumoxid erfordern anspruchsvolle Herstellungsverfahren und hochreine Rohstoffe, was zu ihren hohen Kosten beiträgt. Ebenso erfordern CVD- und ALD-Prozesse eine präzise Kontrolle der Abscheidungsbedingungen, was oft teure Geräte und eine strenge Prozesskontrolle erfordert. Die Kosten für Forschung und Entwicklung neuer Vorläufer verschärfen die finanzielle Belastung zusätzlich. Für Halbleiterhersteller und Materiallieferanten können diese hohen Produktionskosten die Gewinnmargen beeinträchtigen und die Marktzugänglichkeit einschränken, insbesondere für kleinere Unternehmen oder solche in Schwellenmärkten. Um diese Herausforderung zu meistern, müssen Unternehmen in fortschrittliche Technologien investieren, um die Prozesseffizienz zu verbessern und Kosten zu senken, und gleichzeitig nach Möglichkeiten suchen, den Materialverbrauch zu optimieren und die Leistung der Vorläufer zu verbessern.

Technologische Komplexität

Die Komplexität bei der Entwicklung und Implementierung von High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufern stellt eine erhebliche Herausforderung dar. Sowohl High-k-Materialien als auch CVD/ALD-Prozesse erfordern eine präzise Steuerung und Optimierung, um die gewünschten Leistungsmerkmale zu erreichen. Die Abscheidung von High-k-Materialien und die Verwendung von CVD- und ALD-Techniken beinhalten komplizierte chemische und physikalische Prozesse, die sorgfältig gesteuert werden müssen, um Einheitlichkeit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Der Bedarf an anspruchsvoller Ausrüstung und hochqualifiziertem Personal zur Handhabung dieser Prozesse erhöht die Komplexität zusätzlich. Darüber hinaus erfordert die kontinuierliche Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie laufende Anpassungen und Innovationen bei Vorläufermaterialien und Abscheidungsmethoden. Diese technologische Komplexität kann zu längeren Entwicklungszeiten, höheren Kosten und potenziellen Integrationsproblemen bei der Halbleiterherstellung führen, was es für Hersteller schwierig macht, mit den schnellen technologischen Fortschritten und Marktanforderungen Schritt zu halten.

Einschränkungen in der Lieferkette

Einschränkungen in der Lieferkette sind eine erhebliche Herausforderung auf dem Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Die Produktion und der Vertrieb von High-k-Materialien und Metallvorläufern sind in hohem Maße von einer stabilen und zuverlässigen Versorgung mit Rohstoffen abhängig, die Schwankungen in Verfügbarkeit und Preis unterliegen können. Darüber hinaus erfordert die Spezialisierung dieser Materialien häufig die Beschaffung von begrenzten Lieferanten, was potenzielle Schwachstellen in der Lieferkette schafft. Störungen in der Rohstoffversorgung, Transportprobleme oder geopolitische Faktoren können zu Verzögerungen und erhöhten Kosten führen und die Gesamtproduktion und Verfügbarkeit von Vorläufern beeinträchtigen. Um diese Einschränkungen zu bewältigen, müssen Unternehmen robuste Lieferkettenstrategien entwickeln, darunter die Diversifizierung der Lieferanten, Investitionen in das Bestandsmanagement und die Erforschung alternativer Rohstoffe. Der Aufbau starker Beziehungen zu Lieferanten und die Verbesserung der Transparenz in der Lieferkette können ebenfalls dazu beitragen, Risiken zu minimieren und einen stetigen Fluss kritischer Materialien sicherzustellen.

Umwelt- und Sicherheitsbedenken

Umwelt- und Sicherheitsbedenken im Zusammenhang mit der Herstellung und Handhabung von High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufern stellen eine erhebliche Herausforderung dar. Die Synthese von High-k-Materialien und die Verwendung von CVD- und ALD-Prozessen beinhalten häufig gefährliche Chemikalien und erzeugen Abfallprodukte, die sorgfältig gehandhabt werden müssen. Die Entsorgung chemischer Nebenprodukte und die potenzielle Exposition gegenüber giftigen Substanzen während der Herstellung bergen Risiken sowohl für die Umwelt als auch für die Gesundheit der Arbeiter. Die Einhaltung strenger Umwelt- und Sicherheitsstandards erhöht die betriebliche Komplexität und die Kosten. Unternehmen müssen in fortschrittliche Sicherheitsprotokolle, Abfallmanagementsysteme und Strategien zur Minderung der Umweltauswirkungen investieren, um diese Bedenken auszuräumen. Darüber hinaus wird die Entwicklung umweltfreundlicherer, nachhaltigerer Vorläufermaterialien und -prozesse immer wichtiger, um den globalen Trends in Richtung Umweltverantwortung und regulatorischer Anforderungen gerecht zu werden. Die betriebliche Effizienz mit Umwelt- und Sicherheitsaspekten in Einklang zu bringen, bleibt eine zentrale Herausforderung für die Beteiligten der Branche.

Wichtige Markttrends

Verlagerung hin zu fortschrittlichen Knotentechnologien

Ein herausragender Trend auf dem globalen Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer ist die Verlagerung hin zu fortschrittlichen Knotentechnologien. Da Halbleiterhersteller auf kleinere Technologieknoten wie 5 nm und darunter drängen, besteht eine steigende Nachfrage nach High-k-Materialien und fortschrittlichen Abscheidungstechniken. Die Verkleinerung von Transistoren erfordert Materialien, die eine hohe Leistung aufrechterhalten und gleichzeitig Leckströme und Stromverbrauch reduzieren können. High-k-Materialien, die im Vergleich zu herkömmlichem Siliziumdioxid bessere dielektrische Eigenschaften bieten, sind für diese fortschrittlichen Knoten unverzichtbar. Ebenso sind CVD- und ALD-Techniken entscheidend für die Abscheidung ultradünner und gleichmäßiger Metallschichten, die in diesen kleineren Knoten erforderlich sind. Dieser Trend wird durch den Bedarf an verbesserter Leistung und Effizienz in elektronischen Geräten der nächsten Generation, einschließlich Hochleistungscomputern und Mobiltechnologien, vorangetrieben. Folglich investieren Halbleiterunternehmen massiv in die Entwicklung und den Einsatz dieser fortschrittlichen Materialien und Prozesse, um den Anforderungen hochmoderner Anwendungen gerecht zu werden, was das Wachstum auf dem Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer weiter vorantreibt.

Entstehung neuer Anwendungen

Der globale Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer erlebt einen Wandel aufgrund der Entstehung neuer Anwendungen jenseits traditioneller Halbleitergeräte. Der Anstieg von Anwendungen in aufstrebenden Bereichen wie tragbarer Elektronik, Geräten des Internets der Dinge (IoT) und flexibler Elektronik treibt die Nachfrage nach fortschrittlichen Materialien an. Diese neuen Anwendungen erfordern Halbleiterkomponenten, die hohe Leistung, Flexibilität und Miniaturisierungsmöglichkeiten bieten, die High-k-Materialien und CVD-ALD-Prozesse bieten können. Tragbare Elektronik und IoT-Geräte profitieren beispielsweise von der Fähigkeit von High-k-Materialien, die Energieeffizienz und Gerätelebensdauer zu verbessern und gleichzeitig kompakte Formfaktoren beizubehalten. Mit der zunehmenden Verbreitung dieser neuen Anwendungen treiben sie Innovationen und die Einführung von High-k-Materialien und fortschrittlichen Abscheidungstechniken voran, erweitern den Markt und führen zur Entwicklung maßgeschneiderter Vorläufer für bestimmte Anwendungsfälle.

Zunehmender Fokus auf Nachhaltigkeit

Nachhaltigkeit ist zu einem wichtigen Trend geworden, der den Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer beeinflusst. Angesichts zunehmender Umweltbedenken und regulatorischer Anforderungen wird zunehmend Wert auf die Entwicklung und Verwendung umweltfreundlicher Materialien und Prozesse gelegt. Die Halbleiterindustrie konzentriert sich darauf, die Umweltauswirkungen der Produktion und Handhabung von Vorläufern zu reduzieren, indem sie nach umweltfreundlicheren Alternativen sucht und die Abfallbewirtschaftung verbessert. Innovationen wie wenig toxische Vorläufer, reduzierter Chemikalieneinsatz und Recycling von Nebenprodukten gewinnen an Bedeutung. Unternehmen investieren in die Forschung, um nachhaltige High-k-Materialien zu entwickeln und die Effizienz von CVD- und ALD-Prozessen zu verbessern, um ihren ökologischen Fußabdruck zu minimieren. Dieser Trend spiegelt eine breitere Branchenbewegung hin zu mehr Umweltverantwortung wider und steht im Einklang mit den weltweiten Bemühungen zur Förderung der Nachhaltigkeit. Dadurch wird die Marktdynamik beeinflusst und die Einführung umweltfreundlicherer Technologien gefördert.

Wachstum in regionalen Märkten

Ein weiterer bedeutender Trend ist das Wachstum regionaler Märkte für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Während der Markt historisch von Nordamerika und Europa dominiert wurde, wächst er in den Regionen Asien-Pazifik, darunter China, Südkorea und Taiwan, rasant. Diese Regionen entwickeln sich aufgrund erhöhter Investitionen in Technologie und Infrastruktur zu wichtigen Zentren für die Halbleiterherstellung. Die Expansion wird durch den Aufstieg führender Halbleitergießereien und Elektronikhersteller in diesen Bereichen vorangetrieben, die in fortschrittliche Materialien investieren, um ihre Produktionskapazitäten zu unterstützen. Die wachsende Nachfrage aus Endverbraucherbranchen wie Unterhaltungselektronik, Automobil und Telekommunikation in diesen Regionen treibt das Marktwachstum weiter voran. Mit ihrer Entwicklung tragen diese regionalen Märkte zur globalen Lieferkette bei und steigern den Wettbewerb, was zu Innovationen führt und den Zugang zu fortschrittlichen High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufern verbessert.

Technologische Konvergenz und Integration

Technologische Konvergenz und Integration prägen Trends auf dem Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer. Die Integration verschiedener Technologien und Prozesse in der Halbleiterherstellung treibt die Entwicklung neuartiger Vorläufermaterialien und Abscheidungstechniken voran. Beispielsweise führt die Konvergenz von fortschrittlicher Lithografie, Materialwissenschaft und Prozesstechnik zur Entwicklung hochspezialisierter High-k-Materialien und fortschrittlicher CVD/ALD-Vorläufer. Dieser Trend ist durch fachübergreifende Zusammenarbeit und Innovation gekennzeichnet, da die Hersteller versuchen, die Leistung und Effizienz von Halbleiterbauelementen zu optimieren. Die technologische Integration zeigt sich auch in der Einführung multifunktionaler Vorläufer, die verschiedene Abscheidungsanforderungen in einem einzigen Prozess erfüllen können. Diese Konvergenz verbessert die Fertigungskapazitäten und ermöglicht die Herstellung anspruchsvollerer Halbleiterbauelemente, was die Nachfrage nach hochmodernen Materialien und Prozessen ankurbelt. Infolgedessen entwickelt sich der Markt weiter, um zunehmend komplexere und integriertere Technologien aufzunehmen und zukünftige Trends und Chancen zu gestalten.

Segmenteinblicke

Technologieeinblicke

Das Segment Interconnect hat sich als dominierender Sektor auf dem globalen Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer herauskristallisiert und wird seine führende Position voraussichtlich während des gesamten Prognosezeitraums beibehalten. Diese Dominanz ist größtenteils auf die entscheidende Rolle zurückzuführen, die Interconnects in Halbleitergeräten spielen, insbesondere da die Geräteskalierung voranschreitet und der Bedarf an Hochleistungsinterconnects steigt. Interconnects, die die elektrische Verbindung zwischen verschiedenen Komponenten innerhalb eines Halbleiterchips ermöglichen, erfordern hochwertige Materialien, um minimalen Signalverlust, reduzierten Stromverbrauch und verbesserte Gesamtleistung zu gewährleisten. Die Verwendung von High-k-Materialien und fortschrittlichen CVD-ALD-Prozessen ist entscheidend für die Herstellung dünner, gleichmäßiger und zuverlässiger Metallschichten, die für hochdichte Interconnects unerlässlich sind. Da die Halbleitertechnologie in Richtung kleinerer Knoten wie 3 nm und darunter fortschreitet, steigen die Komplexität und die Leistungsanforderungen für Interconnects, was den Bedarf an überlegenen Vorläufern erhöht, die diese Fortschritte unterstützen können. High-k-Materialien und präzise Abscheidungstechniken helfen dabei, die erforderlichen Leistungsmerkmale zu erreichen und gleichzeitig Herausforderungen im Zusammenhang mit Widerstand und Kapazität in Verbindungen zu bewältigen. Darüber hinaus unterstreicht der kontinuierliche Vorstoß nach schnelleren und effizienteren elektronischen Geräten, einschließlich solcher, die in Hochleistungscomputern, Mobilgeräten und Automobilanwendungen verwendet werden, die Bedeutung robuster Verbindungslösungen. Folglich sorgen die laufenden Fortschritte in der Halbleitertechnologie in Verbindung mit der steigenden Nachfrage nach Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzverbindungen dafür, dass das Verbindungssegment nicht nur seine dominante Marktposition behält, sondern während des gesamten Prognosezeitraums auch anhaltendes Wachstum und Innovation verzeichnet. Dieser Trend spiegelt den breiteren Branchenfokus auf die Verbesserung der Verbindungsleistung wider, um die strengen Anforderungen von Halbleitergeräten der nächsten Generation zu erfüllen.

Regionale Einblicke

Die Region Asien-Pazifik dominierte den globalen Markt für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer und wird voraussichtlich während des gesamten Prognosezeitraums ihre führende Position beibehalten. Diese Dominanz ist in erster Linie auf die beträchtliche Halbleiterfertigungsbasis der Region zurückzuführen, zu der wichtige Akteure und Gießereien in Ländern wie Taiwan, Südkorea und China gehören. In der Region Asien-Pazifik sind einige der weltweit größten Halbleiterunternehmen ansässig, darunter TSMC, Samsung und SMIC, die maßgeblich zur Nachfrage nach fortschrittlichen Materialien wie High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufern beitragen. Die schnelle Industrialisierung der Region, der robuste technologische Fortschritt und erhebliche Investitionen in Forschung und Entwicklung haben sie zu einem globalen Zentrum für Halbleiterinnovation und -produktion gemacht. Darüber hinaus treibt der aufstrebende Markt für Unterhaltungselektronik in der Region Asien-Pazifik den Bedarf an Hochleistungshalbleiterkomponenten an und erhöht damit die Nachfrage nach diesen spezialisierten Vorläufern. Der strategische Fokus der Region auf die Entwicklung von Technologien der nächsten Generation wie 5G, künstliche Intelligenz und Hochleistungsrechnen verstärkt den Bedarf an fortschrittlichen Materialien zur Unterstützung dieser Innovationen noch weiter. Darüber hinaus stärken günstige Regierungsrichtlinien und erhebliche finanzielle Anreize für die Technologie- und Fertigungssektoren in der Region Asien-Pazifik die führende Position der Region. Da die Halbleiterhersteller in der Region Asien-Pazifik weiterhin Technologieknoten vorantreiben und auf stärkere Miniaturisierung und Leistung drängen, wird erwartet, dass die Nachfrage nach High-k-Materialien und CVD-ALD-Prozessen entsprechend steigen wird. Dieser Trend stellt sicher, dass die Region APAC an der Spitze des globalen Marktes für High-k- und CVD-ALD-Metallvorläufer bleibt und während des gesamten Prognosezeitraums sowohl das Marktwachstum als auch den technologischen Fortschritt vorantreibt.

Jüngste Entwicklungen

• Im Juni 2024 wird Metso die Metso pCAM-Anlage vorstellen, eine hochmoderne, Planet Positive-zertifizierte Lösung für die Herstellung von Vorläufer-Kathodenaktivmaterial, das für Lithium-Ionen-Batterien unverzichtbar ist. Diese innovative Anlage verfügt über einen hoch energieeffizienten pCAM-Reaktor, einen PSI 1000-Partikelgrößenanalysator und eine fortschrittliche pCAM-Prozesssteuerung. Die pCAM-Anlage nutzt Metsos umfassendes Fachwissen und modernste Technologie und verspricht einen nachhaltigen und energieeffizienten Herstellungsprozess.
• Elemental Strategic Metals, eine Tochtergesellschaft der luxemburgischen Elemental Holding SA, hat eine neue Anlage im polnischen Zawiercie eingeweiht. Diese Anlage ist auf die Rückgewinnung strategischer Industrie- und Edelmetalle aus Lithium-Ionen-Batterien für Elektrofahrzeuge und die Verarbeitung von Automobil- und Industriekatalysatoren spezialisiert. Die Investition in diese hochmoderne Anlage beträgt insgesamt 148,9 Millionen US-Dollar, wobei der weitere Ausbau zusätzlicher Anlagen in Polen und Europa geplant ist.
• Forge Nano, Inc., ein führender Anbieter von Geräten und Materialwissenschaftslösungen für die Atomlagenabscheidung (ALD), hat mit der Einführung von TEPHRA™ seine jüngste Expansion in den Halbleitermarkt angekündigt. Diese neue Single-Wafer-ALD-Cluster-Plattform kombiniert die Präzision der Single-Wafer-Beschichtung mit Durchsatzgeschwindigkeiten, die mit Batch-Systemen vergleichbar sind. TEPHRA™ ermöglicht es den Kunden, erstklassige Beschichtungsqualität im kommerziellen Maßstab zu erreichen und liefert außergewöhnliche Effizienz und Geschwindigkeit der Vorläufer.

Wichtige Marktteilnehmer

• Applied Materials, Inc.
• Lam Research Corporation
• Tokyo Electron Limited
• KLA Corporation
• Nippon Chemical Industrial Co., Ltd.
• Saudi Basic Industries Corporation
• Air Products and Chemicals, Inc.
• Entegris, Inc.
• Heraeus Holding GmbH
• BASF SE
• SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.
• Linde PLC