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全球 GaN 和 SiC 功率半导体市场规模(按半导体材料类型、元件类型、应用、地理范围和预测)


Published on: 2024-09-08 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report

Publisher : MIR | Format : PDF&Excel

全球 GaN 和 SiC 功率半导体市场规模(按半导体材料类型、元件类型、应用、地理范围和预测)

GaN 和 SiC 功率半导体市场规模和预测

GaN 和 SiC 功率半导体市场规模在 2023 年价值 10 亿美元,预计到 2030 年将达到 90.3 亿美元,在 2024-2030 年预测期内以 29.4% 的复合年增长率增长。

全球 GaN 和 SiC功率半导体市场驱动因素

GaN 和 SiC 功率半导体市场的市场驱动因素可能受到各种因素的影响。这些可能包括:

  • 对电力电子的需求不断增长:推动 GaN 和 SiC 功率半导体市场发展的一个主要因素是,在包括消费电子产品、可再生能源系统和电动汽车 (EV) 在内的一系列应用中,对电力电子设备的需求不断增长。这些材料使得制造更小、更有效的电力电子元件成为可能。
  • 电动汽车 (EV) 的采用率不断提高:GaN 和 SiC 功率半导体的主要驱动因素是汽车行业向电动汽车的过渡。这些组件有助于提高电动传动系统的效率和功率密度,从而增加行驶里程并缩短充电时间。
  • 可再生能源的整合:随着对风能和太阳能等可再生能源的关注度不断提高,需要有效的电力电子设备进行能源转换和管理。 GaN 和 SiC 等功率半导体对于提高可再生能源系统中使用的逆变器和转换器的能源效率至关重要。
  • 电信和 5G 基础设施: 5G 技术的实施和电信基础设施的发展需要高频和高功率密度的器件。GaN 和 SiC 等功率半导体非常适合这些用途,因为它们提供更好的可靠性和性能。
  • 工业和电源应用: 在效率和可靠性至关重要的情况下,GaN 和 SiC 器件用于工业设备和电源。对电力系统和工业流程更节能的需求推动了这些半导体的兴起。
  • 功率密度和效率: GaN 和 SiC 功率半导体使电子设备具有更高的功率密度和效率。随着各行业寻求更节能、更节省空间的解决方案,这些材料的使用量预计会增加。
  • 政府举措和法律:支持能源效率和使用清洁能源技术的有利政府政策和法律可以加速 GaN 和 SiC 功率半导体的采用。例如,对可再生能源和电动汽车项目的激励措施可以支持市场扩张。
  • 制造工艺的改进:由于不断改进,GaN 和 SiC 器件的成本和性能越来越低。正因为如此,越来越多的应用发现这些半导体更具吸引力。

全球 GaN 和 SiC 功率半导体市场限制

有几个因素可能会成为 GaN 和 SiC 功率半导体市场的限制或挑战。这些因素可能包括:

  • 高初始成本:与传统的硅基半导体相比,GaN 和 SiC 功率半导体的前期价格通常更高。这种前期费用可能会阻碍其广泛采用,尤其是在预算受限的行业。
  • 原材料的可获得性受限:GaN 和 SiC 功率半导体的制造取决于特定的原材料,而这些原材料可能并非总是随时可用。供应链的任何中断都可能对产量产生影响并增加成本。
  • 复杂的制造程序:与传统的半导体制造相比,GaN 和 SiC 功率半导体的制造程序可能更加复杂。这种复杂性可能会妨碍生产的可扩展性和成本效益。
  • 过渡期:随着传统的硅基技术越来越多地被基于 GaN 和 SiC 的功率半导体所取代,该行业目前正在经历变革。在这一转变过程中,企业可能会遇到兼容性、集成和行业标准要求方面的困难。
  • 缺乏标准化:如果缺乏针对 GaN 和 SiC 器件的标准测试和封装程序,制造商可能会发现很难制造出可以轻松集成到当前系统中的产品。
  • 知识和教育有限:许多生产商和潜在的最终用户可能并不了解 GaN 和 SiC 功率半导体的所有特性和优势。在特定行业,由于缺乏知识和理解,采用率可能会减慢。
  • 散热挑战:GaN 和 SiC 器件具有更高的功率密度和效率,但它们也会产生更多热量。保持这些设备的性能和可靠性取决于高效的散热,而解决这个问题可能会受到限制。
  • 全球经济状况:先进功率半导体的采用以及技术升级的其他资本投资可能会受到经济衰退或不确定性的影响。在经济困难时期,企业可能会决定推迟或减少投资。

全球 GaN 和 SiC 功率半导体市场细分分析

全球 GaN 和 SiC 功率半导体市场根据半导体材料类型、组件类型、应用和地理位置进行细分。

按半导体材料类型划分的 GaN 和 SiC 功率半导体市场

  • 氮化镓 (GaN):GaN 是一种宽带隙半导体材料,因其高电子迁移率和效率而越来越多地用于电力电子,使其适用于功率器件、LED 和 RF 组件等应用。
  • 碳化硅 (SiC):SiC 是另一种具有出色热导率和耐高温性的宽带隙半导体。它通常用于电力电子,特别是高功率和高频率应用。

GaN 和 SiC 功率半导体市场,按组件类型

  • 电源 IC(集成电路):这些是将多种功能集成到单个芯片中的半导体器件,为电源管理应用提供紧凑的解决方案。
  • 功率分立器件:未集成到单个芯片中的单个功率组件,如二极管和晶体管。这些器件在设计上具有灵活性,通常用于高功率应用。
  • 电源模块:将多个功率元件(如功率晶体管和二极管)集成到单个封装中的模块,简化了集成过程。

GaN 和 SiC 功率半导体市场,按应用

  • 汽车:用于电动汽车、混合动力汽车、动力系统和各种汽车电子系统的功率半导体。
  • 工业:应用于工业自动化、电机驱动器、电源和其他制造工艺。
  • 消费电子:用于智能手机、笔记本电脑和家用电器等电子设备的功率半导体。
  • 电信:用于通信基础设施和网络设备的功率元件。
  • 军事、国防和航空航天:在国防系统、雷达、航空电子设备和太空中的关键应用探索。
  • 可再生能源:用于太阳能逆变器、风力涡轮机系统和其他可再生能源应用的电力电子。
  • 其他:可能包括医疗设备、配电系统等的其他应用。

按地区划分的 GaN 和 SiC 功率半导体市场

  • 北美:美国、加拿大和墨西哥的市场状况和需求。
  • 欧洲:对欧洲国家的 GAN 和 SIC 功率半导体市场的分析。
  • 亚太地区:重点关注中国、印度、日本、韩国等国家。
  • 中东和非洲:研究中东和非洲地区的市场动态。
  • 拉丁美洲:涵盖拉丁美洲各国的市场趋势和发展美国。

主要参与者

GaN 和 SiC 功率半导体市场的主要参与者有:

  • Wolfspeed
  • Navitas Semiconductor
  • EPC Corp
  • GaN Systems
  • onsemi
  • Cree
  • Rohm Semiconductor
  • Infineon Technologies
  • Mitsubishi Electric
  • STMicroelectronics

报告范围

报告属性详细信息
研究期

2020-2030

基础年份

2023

预测期

2024-2030

历史时期

2020-2022

单位

价值(十亿美元)

主要公司简介

Wolfspeed、Navitas Semiconductor、EPC Corp、GaN Systems、onsemi、Rohm Semiconductor、Infineon Technologies、Mitsubishi Electric、STMicroelectronics。

涵盖的细分市场

按半导体材料类型、按组件类型、按应用、按和地理。

定制范围

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热门趋势报告:

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