全球硅通孔 (TSV) 技术市场规模，按产品（通孔第一 TSV、通孔中间 TSV）、按应用（图像传感器、3D 封装、3D 集成电路）、按地理范围和预测

硅通孔 (TSV) 技术市场规模及预测

2024 年硅通孔 (TSV) 技术市场规模价值 351.2 亿美元，预计到 2031 年将达到 1922.9 亿美元，2024 年至 2031 年的复合年增长率为 26.12%。

智能手机、笔记本电脑、平板电脑等智能电子产品的日益普及，正导致硅通孔 (TSV) 技术呈指数级增长。因为这些 TSV 主要用于构建 3D 集成电路 (IC) 和 IC 封装，而 IC 封装是智能电子制造中最重要的组件之一。除此之外，与传统的倒装芯片和引线键合相比，TSV 提供更高密度的键合、所需的空间最小，并提供最佳的连接性。TSV 和各种电子元件（如微处理单元 (MPU)、PLD、DRAM、用于图形和 的电子芯片等）的可用性。

全球硅通孔 (TSV) 技术市场定义

硅通孔 (TSV) 技术是实现三维 (3D) Si 和 3D 集成电路 (IC) 集成的核心和最关键技术。它能够实现最短的芯片间互连，以及最小焊盘尺寸和间距的互连。使用硅通孔 (TSV) 技术作为互连，以三维方式堆叠芯片是一种新兴的先进封装技术，适用于 CMOS 成像器、存储器和 MEMS。与传统互连技术相比，TSV 技术具有多项优势，包括功耗更低、电气性能更好、密度更高、数据宽度和带宽更宽以及重量更轻。

硅通孔 (TSV) 是指完全穿过硅晶圆或芯片的垂直电连接。TSV 是一种更高性能的互连方法，用于创建 3D 集成电路和 3D 封装，作为引线键合和倒装芯片的替代方案。在这种技术中，设备和互连密度显著提高，连接长度变得更短。市场驱动的硅通孔 (TSV) 封装存储器应用包括逻辑功能与存储器的集成，以提高手持设备的视频质量、多芯片高性能 DRAM 和固态硬盘的堆叠 NAND 闪存。

全球硅通孔 (TSV) 技术市场概览

半导体芯片在电力、医疗、能源、汽车、、电机控制应用、航空航天和国防等各个行业中的应用日益广泛，这加速了全球硅通孔 (TSV) 技术市场的增长。发光二极管在产品中的使用日益增多，刺激了更高容量、更低成本和更高密度设备的生产。与 2D 封装不同，TSV 技术中使用三维 (3D) 封装可实现更高密度的垂直互连。

此外，由于芯片架构尺寸紧凑，对电子设备小型化的需求日益增加，这推动了硅通孔 (TSV) 技术的发展。汽车、电信、医疗保健和工业制造等各个领域都对小型化半导体 IC 提出了要求。此外，对用于 3D 芯片封装的 TSV 技术的需求不断增长，以减少互连长度、降低功耗、提高信号速度并降低功耗，为硅通孔 (TSV) 技术市场的增长提供了巨大的机会。

然而，市场供应商必须大量利用设计设备来制造紧凑型 IC。除此之外，生产过程很复杂，也耗费更多时间。此外，半导体集成电路制造工艺的设计变得越来越复杂，因此它将对半导体芯片制造商产生中等影响，因为他们需要在封装和组装设备上投入大量资金，以提高半导体集成电路的性能。

全球硅通孔 (TSV) 技术市场：细分分析

全球硅通孔 (TSV) 技术市场根据产品、应用和地域进行细分。

按产品划分的硅通孔 (TSV) 技术市场

• 通孔第一 TSV
• 通孔中间 TSV
• 通孔最后 TSV

基于产品，市场细分为通孔第一 TSV、通孔中间 TSV 和通孔最后 TSV。 2021 年，中通孔 TSV 部分占据了最大的市场份额。中通孔 TSV 方法通常在 FEOL 阶段完成后插入 TSV 模块，FEOL 阶段由各种高温工艺组成，但在 BEOL 处理之前，在此过程中进行多层金属布线。中通孔 TSV 目前是高级三维 (3D) IC 以及中介层堆栈的流行选择。

按应用划分的硅通孔 (TSV) 技术市场

• 图像传感器
• 3D 封装
• 3D 集成电路
• 其他

根据应用，市场细分为、3D 封装、3D 集成电路和其他。 3D 集成电路细分市场在 2021 年占据了最大的市场份额。使用硅通孔 (TSV) 的 3 维集成电路 (3DIC) 是最有前景但也最具挑战性的技术之一。此外，智能手机、功能手机和平板电脑的普及率不断提高，以及消费电子设备的技术进步是推动全球 3D 集成电路和硅通孔 (TSV) 技术市场增长的主要因素。

按地域划分的硅通孔 (TSV) 技术市场

• 北美
• 欧洲
• 亚太地区
• 中东和非洲
• 拉丁美洲

根据区域分析，全球硅通孔 (TSV) 技术市场分为北美、欧洲、亚太地区、中东和非洲以及拉丁美洲。 2019 年，亚太地区在全球硅通孔 (TSV) 技术市场中占据主导地位。中国、韩国和日本等国家大规模使用硅通孔 (TSV) 技术。这些地区被视为电子零件制造中心。大量智能手机公司的存在以及消费者采用 5G 技术等新技术的亲和力将推动电信行业市场的发展。

这些母区域进一步细分如下：亚太地区（中国、印度、日本、亚太地区其他地区）、欧洲（德国、英国、法国、西班牙、意大利、欧洲其他地区）、北美（美国、加拿大、墨西哥）、拉丁美洲（巴西、阿根廷、拉美其他地区）和中东及非洲（阿联酋、沙特阿拉伯、南非、中东和非洲其他地区）。

关键参与者

“全球硅通孔 (TSV) 技术市场”研究报告将提供有价值的见解，重点关注全球市场。市场的主要参与者有 AMS、华天科技、三星、Amkor Micralyne, Inc.、英特尔公司、TESCAN、陶氏公司、WLCSP、ALLVIA、应用材料、国际商业机器公司、Tezzaron Semiconductors、STATS ChipPAC Ltd、Xilinx、瑞萨电子公司、德州仪器。除此之外，许多来自各个经济体的新进入者和硅通孔制造商正在与智能电子制造公司达成供应协议，以在市场上取得竞争优势。

我们的市场分析还包括一个专门针对这些主要参与者的部分，其中我们的分析师将深入了解所有主要参与者的财务报表，以及其产品基准测试和 SWOT 分析。竞争格局部分还包括上述参与者在全球的关键发展战略、市场份额和市场排名分析。

关键发展：

• 三星电子有限公司宣布已开发出业界首个 12 层 3D-TSV（硅通孔）技术。这项新技术允许使用超过 60,000 个 TSV 孔堆叠 12 个 DRAM 芯片，同时保持与当前 8 层芯片相同的厚度。
• 2019 年 9 月，Teledyne Technologies Incorporated 今天宣布其子公司 Teledyne Digital Imaging, Inc. 收购了 Micralyne Inc.，后者是一家提供微机电系统或 MEMS 设备的私有代工厂。具体而言，Micralyne 拥有用于生物技术应用的独特微流体技术，以及通常需要用于人体兼容性的非硅基 MEMS（例如金、聚合物）方面的能力。

Ace 矩阵分析

报告中提供的 Ace 矩阵将有助于了解该行业主要关键参与者的表现，因为我们根据各种因素（例如服务功能和创新、可扩展性、服务创新、行业覆盖范围、行业范围和增长路线图）对这些公司进行了排名。基于这些因素，我们将公司分为四类：活跃、前沿、新兴和创新者

市场吸引力

所提供的市场吸引力形象将进一步有助于获取有关在全球硅通孔 (TSV) 技术市场中处于领先地位的地区的信息。我们涵盖了推动特定区域行业增长的主要影响因素。

波特五力模型

所提供的图像将进一步帮助获取有关波特五力框架的信息，为理解竞争对手的行为和参与者在各自行业中的战略定位提供蓝图。波特五力模型可用于评估全球硅通孔 (TSV) 技术市场的竞争格局、衡量某一行业的吸引力以及评估投资可能性。

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