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全球 GaN RF 设备市场规模按产品(RF 前端设备和 RF 终端设备)、应用(消费电子、工业用途、航空航天和国防)、地理范围和预测划分


Published on: 2024-08-03 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report

Publisher : MIR | Format : PDF&Excel

全球 GaN RF 设备市场规模按产品(RF 前端设备和 RF 终端设备)、应用(消费电子、工业用途、航空航天和国防)、地理范围和预测划分

GaN RF 设备市场规模及预测

2023 年 GaN RF 设备市场规模为 26 亿美元,预计到 2031 年将达到81.5 亿美元2024 年至 2031 年的复合年增长率为 23.32%。

  • 氮化镓 (GaN) 是一种很有前途的新型半导体材料,正在彻底改变 RF 设备领域。与硅 (Si) 和砷化镓 (GaAs) 等传统材料相比,GaN 具有多种优势,使其成为高功率、高频应用的理想选择。
  • GaN 设备可以处理比 Si 或 GaA 设备高得多的电压和电流。这使得它们能够产生更多的电力而不会发生故障。
  • GaN 器件以热量形式浪费的能量更少,因此比 Si 或 GaAs 器件更高效。这对于电池供电的应用尤其重要。
  • 由于功率密度更高,GaN 器件可以比具有相同功率输出的 Si 或 GaAs 器件更小。对于空间有限的应用来说,这可能是一个显着的优势。

全球 GaN RF 设备市场动态

塑造 GaN RF 设备市场的关键市场动态包括:

关键市场驱动因素:

  • 对高速连接的需求不断增长:对更快数据传输速率的不断增长的需求是 GaN RF 设备市场的主要驱动力。5G 蜂窝网络的推出需要能够处理更高频率和更宽带宽的 RF 设备。 GaN 因其在高频下的卓越性能而非常适合此应用。此外,随着我们展望速度更快、要求更严格的未来蜂窝网络 (6G),GaN 技术有望在实现这些进步方面发挥关键作用。
  • 电信和消费电子产品的增长:电信基础设施的扩展正在推动多个领域对 GaN RF 设备的需求。基站是发送和接收移动设备信号的塔,需要高功率和高效的 RF 放大器来处理不断增加的数据流量。GaN 放大器在此应用中比传统的硅基放大器具有显着优势,因为它们以更高的效率提供更高的输出功率。此外,用于空中交通管制、天气监测和军事防御等各种应用的雷达系统的增长是 GaN RF 设备市场的另一个关键驱动力。 GaN 晶体管能够以高频工作并产生高功率脉冲,是雷达系统的理想选择。
  • 注重能源效率:与硅等传统材料相比,GaN 具有出色的能源效率,这使其在对电池寿命至关重要的应用(例如移动设备和偏远地区的基站)中具有吸引力。

主要挑战:

  • 制造成本高:与硅器件相比,GaN RF 器件的制造成本更高。这可能是广泛采用的重大障碍,特别是在消费电子产品等对成本敏感的应用中。有几个因素导致 GaN RF 器件成本较高。首先,GaN 外延晶片生长工艺比硅晶片工艺更复杂、更昂贵。其次,GaN 器件需要专门的基板,例如碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN-on-GaN),它们的制造成本也高于硅基板。最后,由于需要有效地管理散热,GaN 器件的封装可能更加复杂。然而,随着 GaN 技术的成熟和产量的增加,我们可以预期制造成本会下降。此外,正在研究开发更具成本效益的 GaN 外延晶片生长技术和替代衬底。这些进步将有助于使 GaN RF 器件在更广泛的应用中与硅器件更具竞争力。
  • 衬底挑战:开发高质量且具有成本效益的衬底是 GaN RF 器件面临的主要挑战。碳化硅 (SiC) 是一种常见的衬底材料,但由于需要复杂的生长过程,制造成本高昂。此外,SiC 衬底可能与 GaN 存在晶格失配,这可能导致 GaN 层出现缺陷,并最终降低器件性能。碳化硅上氮化镓 (GaN-on-SiC) 因其良好的导热性和成熟的 SiC 技术而成为一种流行的选择。然而,SiC 衬底仍然相对昂贵。

主要趋势:

  • 与其他技术的集成:它是 GaN 与其他半导体材料(如硅 (Si) 和碳化硅 (SiC))的集成。这种混合方法允许设计人员充分利用每种材料的优势。例如,GaN 可以与 Si 结合,以创建提供 GaN 高功率和高频性能以及硅的成本效益和成熟制造工艺的 RF 设备。同样,GaN 可以与 SiC 集成,以创建结合了 GaN 卓越性能和 SiC 出色导热性的设备。这种集成为开发更高效、更强大、更具成本效益的 RF 设备以用于更广泛的应用打开了大门。
  • 小型化:GaN 技术的进步使 RF 设备的小型化成为可能,这是由对更小更轻的电子产品不断增长的需求推动的关键趋势。这种小型化趋势在众多应用中都很明显。例如,在消费电子领域,小型化 GaN RF 组件的开发为更时尚、更紧凑的智能手机和笔记本电脑铺平了道路。此外,在电信领域,GaN 功率放大器的小型化使设计更小的基站成为可能,这有助于降低部署成本并改善网络覆盖范围,尤其是在人口密集的城市环境中。GaN RF 设备的小型化也为汽车行业带来了巨大的希望。基于 GaN 的雷达系统可以小型化以增强高级驾驶辅助系统 (ADAS),并可能为全自动驾驶汽车的发展铺平道路。微型 GaN RF 元件还可在开发更小、更轻且续航里程更长的电动汽车方面发挥重要作用。

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全球 GaN RF 设备市场区域分析

以下是 GaN RF 设备市场更详细的区域分析:

亚太地区:

  • 根据 Market Research 的数据,预计亚太地区将在整个预测期内主导 GaN RF 设备市场。亚太地区对电信和消费电子产品的需求激增,这是 GaN RF 设备的主要驱动力。智能手机、平板电脑和其他移动设备的日益普及,再加上 5G 网络的不断推出,推动了对高性能和高效 RF 组件的需求,为 GaN 技术创造了肥沃的土壤。
  • 许多亚太地区政府正在通过补贴和研究计划积极推动 GaN 技术的开发和采用。政府的大力支持为该地区 GaN RF 设备市场的增长营造了有利的环境。
  • 亚太地区对电信和消费电子产品的需求激增,这是 GaN RF 设备的主要驱动力。智能手机、平板电脑和其他移动设备的日益普及,再加上 5G 网络的不断推出,推动了对高性能和高效 RF 组件的需求,为 GaN 技术创造了肥沃的土壤。
  • 几家领先的 GaN RF 设备制造商的总部都设在亚太地区,其中包括来自中国、日本和韩国的公司。这种制造专业知识的集中加强了该地区在 GaN RF 设备市场中的地位。

欧洲:

  • 欧洲公司在 GaN 研发方面处于领先地位。这意味着先进的 GaN RF 设备具有卓越的性能和功能。这种对创新的关注使欧洲为 GaN 技术的未来做好了准备。
  • 欧洲正在积极推出 5G 网络,这需要基站和用户设备使用高性能射频元件,例如 GaN 晶体管。
  • 由于 GaN 射频器件具有出色的功率处理能力和效率,欧洲国防和航空航天工业将其用于雷达系统、电子战应用和卫星通信。
  • 欧洲工业自动化趋势日益增长,对工业控制系统和无线传感器网络的可靠、高效的射频元件的需求也随之增加。GaN 技术在这些应用中也具有优势。

北美:

  • 北美在采用 GaN 技术方面有着悠久的历史,尤其是在国防和航空航天应用领域。这种早期采用为该地区的 GaN RF 设备市场奠定了坚实的基础。
  • 北美 GaN RF 设备市场已经比较成熟,与快速扩张的亚太地区市场相比,其增长速度可能较慢。
  • 北美公司在开发和利用 GaN RF 设备进行尖端应用方面处于领先地位。这包括军事用途的雷达系统、卫星和飞机的高性能通信系统以及先进蜂窝网络的下一代基站。
  • 一些北美公司可能会将制造业务外包给亚太地区,以利用较低的生产成本。这一趋势可能会减缓北美国内 GaN RF 设备的生产。

全球 GaN RF 设备市场细分分析

GaN RF 设备市场根据产品、应用和地域进行细分。

GaN RF 设备市场,按产品

  • RF 前端设备
  • RF 终端设备

基于产品,市场细分为 RF 前端设备和 RF 终端设备。GaN RF 设备日益广泛的应用预计将在未来几年提振这两种产品的需求。

GaN RF 设备市场,按应用

  • 消费电子
  • 工业用途
  • 航空航天和国防
  • 其他

基于应用,市场细分为消费电子、工业用途、航空航天和国防以及其他。预计消费电子领域在预测期内的复合年增长率最高。这些因素可以归因于 GaN RF 设备在消费电子产品中的使用日益增多。

GaN RF 设备市场,按地区划分

  • 北美
  • 欧洲
  • 亚太地区
  • 世界其他地区

根据地域划分,全球 GaN RF 设备市场分为北美、欧洲、亚太地区和世界其他地区。由于该地区采用节能设备,国防和航空航天部门在研发方面的投资不断增加,北美将占据最大的市场份额。由于技术的快速进步和对高效高性能射频组件的需求增加,预计亚太地区将以最高的复合年增长率增长。

主要参与者

“全球 GaN RF 设备市场”研究报告将提供有价值的见解,重点关注全球市场,包括一些主要参与者:GAN Systems、英飞凌科技、恩智浦半导体、德州仪器、东芝、Qorvo、Cree、Avago Technologies、富士通半导体、MACOM、Microsemi、住友电工设备、ST-Ericsson、United Monolithic Semiconductors (UMS)、WIN Semiconductors。

我们的市场分析还包括一个专门针对这些主要参与者的部分,其中我们的分析师提供了对所有主要参与者财务报表的洞察,以及其产品基准和 SWOT 分析。

GaN RF 设备市场最新发展

  • 2024 年,Qorvo (前身为 TriQuint)和 Nexperia 通过收购 NXP 扩大了其 GaN RF 设备产品组合。Qorvo 拥有一系列用于基站和雷达应用的 GaN 晶体管,而 Nexperia 则为各种 RF 放大器应用提供 GaN FET。
  • 2024 年,中国电子科技集团公司 (CETC) 在 GaN 技术开发方面取得了长足进步,专注于用于国防和通信应用的高功率 GaN 设备。
  • 2024 年,美国半导体公司 (AMS) 收购 Oclaro,使其能够获得用于基站应用的 GaN 技术。他们有望利用此次收购来巩固其在 GaN RF 设备市场的地位

报告范围

报告属性详细信息
研究期

2020-2031

基准年

2023

预测期

2024-2031

历史时期

2020-2022

单位

价值(美元十亿)

重点公司简介

GAN Systems、英飞凌科技、恩智浦半导体、德州仪器、东芝、Qorvo、Cree、Avago Technologies、富士通半导体、MACOM、Microsemi。

涵盖的细分市场
  • 按产品
  • 按应用
  • 按地域
定制范围

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