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半导体光刻市场规模按技术(光学、EUV、电子束、X 射线)、应用内存、代工厂和逻辑、MEMS 和传感器)、波长(深紫外、极紫外)、地理范围和预测划分


Published on: 2024-08-11 | No of Pages : 240 | Industry : latest trending Report

Publisher : MIR | Format : PDF&Excel

半导体光刻市场规模按技术(光学、EUV、电子束、X 射线)、应用内存、代工厂和逻辑、MEMS 和传感器)、波长(深紫外、极紫外)、地理范围和预测划分

半导体光刻市场估值 – 2024-2031

半导体光刻市场正在经历显着增长,这得益于对先进芯片技术不断增长的需求。 2024 年,市场价值约为 141.2 亿美元。 预计到 2031 年,这一数字将激增至惊人的 252.3 亿美元,复合年增长率 (CAGR) 为 8.30%。

这种增长受到晶体管小型化、物联网 (IoT) 设备日益普及以及政府对国内芯片生产的支持等因素的推动。人工智能 (AI) 和物联网 (IoT) 等技术的兴起也推动了对精确光刻技术的需求。这些进步需要复杂的半导体,而光刻技术在其生产中至关重要。

半导体光刻市场:定义/概述

半导体光刻,也称为光学光刻,是制造现代计算机芯片的基本工艺。这一系列复杂的步骤的功能类似于专为硅晶片设计的高科技打印机。这个复杂的过程依赖于一种称为光刻胶的感光材料,它首先被涂在硅晶片上。然后将包含所需电路设计的专用掩模精确地放置在光刻胶的顶部。

行业报告包含什么?

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未来十年,预计哪些光刻设备和工艺的关键技术进步将颠覆市场?

极紫外 (EUV) 光刻技术目前因其 13.5 nm 的短波长而成为实现先进芯片高分辨率图案化的领先技术,但未来十年可能会面临颠覆。EUV 系统的复杂性和高成本是新兴的下一代竞争者可以解决的挑战。人们正在研究几种技术作为 EUV 光刻技术的潜在继任者。高数值孔径 (NA) EUV 是一项有前途的进步,它利用改进的光学器件有可能实现 5 nm 左右的更精细的分辨率。这种方法与现有的 EUV 基础设施具有一定的兼容性,有可能简化向新技术的过渡。

X 射线光刻是另一个竞争者,由于它使用比 EUV 更短的波长,因此有可能实现更高的分辨率。然而,开发强大的 X 射线源和合适的掩模材料仍然是这项技术的一大障碍。电子束光刻 (EBL) 也是一种潜在的未来技术。它通过用聚焦电子束直接写入电路图案,拥有无与伦比的分辨率和灵活性。虽然 EBL 提供了极高的精度,但其极慢的速度和高成本使其不适合大规模芯片生产。未来可能会探索将 EBL 与其他技术相结合的混合方法。

某种技术的主导地位将由几个关键因素决定。分辨率仍然是主要关注点,因为小型化对于越来越强大的芯片至关重要。然而,成本和吞吐量同样重要。新技术需要以既经济高效又能够处理大量晶圆的方式开发,才能实现商业可行性。最后,与现有制造工艺的集成难易程度是一个关键考虑因素。总之,EUV 光刻技术的主导地位在短期内似乎是稳固的。然而,下一代竞争者如高 NA EUV 和 X 射线光刻技术可能会通过提供显著的分辨率改进来扰乱市场。开发竞赛已经开始,以创造一种技术,为下一代芯片提供必要的小型化和成本效益。

采用先进的光刻技术将如何影响半导体制造的成本和生产效率?

采用先进的光刻技术为半导体制造的成本和生产效率带来了复杂的局面。虽然这些进步有望带来显著的好处,但也带来了潜在的挑战。

在成本方面,有几个因素可能导致最初的增长。像 X 射线光刻这样的全新技术的研究和开发需要大量的前期投资。这些成本可能会通过更高的设备价格转嫁给芯片制造商。此外,将这些复杂的技术集成到现有的制造工艺中可能具有挑战性。可能需要新设备、新材料和新专业知识,从而可能增加生产成本。此外,在过渡到新技术时,初始产量或可用芯片的百分比可能会较低。这可能会导致成本增加,直到工艺得到优化。

但是,长期降低成本的前景似乎充满希望。高 NA EUV 等先进技术可以制造更小的晶体管,从而允许在单个芯片上放置更多晶体管。这意味着每单位面积的硅成本可以大大节省。此外,更小的晶体管可以更快地运行,功耗更低,从而产生性能更高的芯片,在某些应用中更具成本效益。某些技术的进步,例如高 NA EUV 的潜在吞吐量改进,可能会缩短晶圆处理时间,最终提高生产效率并降低总体成本。

类别敏锐度

光学光刻技术如何为市场增长提供支持?

预计光学光刻领域将在预测期内占据市场主导地位。光学光刻是一种成熟的技术。该设备和方法是众所周知的,使其成为许多芯片制造商的可靠且经济高效的选择,特别是对于成熟的生产节点(更高的特征尺寸)。对于不需要尖端缩小尺寸的现有芯片设计,光学光刻是一种久经考验且经济高效的方法。

光学光刻适用于从基本集成电路到更复杂的集成电路的广泛应用。这种多功能性使其能够满足不同芯片制造商和产品类别的需求。从消费电子产品到汽车应用,光学光刻技术可以满足各种芯片设计的图案化需求。

此外,光学光刻设备提供高吞吐量,这意味着它们可以快速高效地处理晶圆。该技术还得到了大量材料、工艺和专业知识基础设施的支持。这个成熟的生态系统通过现成的资源和熟练的员工实现了高效的芯片制造。

市场中内存应用的驱动因素是什么?

预计在预测期内,内存部分将占据市场主导地位。云计算、人工智能和高性能计算等各种应用对数据存储的需求不断增长,推动了对更密集的内存设备的需求。DRAM(动态随机存取存储器)和 NAND 闪存等内存设备需要改进光刻工艺,以实现更小的特征尺寸和单个芯片上更多的晶体管。这对应于内存容量和处理速度的增加。

摩尔定律预测每两年芯片上的晶体管数量将翻一番,它仍然是半导体行业的驱动力。内存设备处于这一缩小趋势的前沿,不断突破可能的特征尺寸的极限。先进的光刻技术,包括极紫外 (EUV) 光刻,对于在这些不断缩小的内存设备中提供所需的分辨率和精度至关重要。

此外,内存芯片是大批量生产的,以满足对数据存储的巨大需求。为了实现这些目标,光刻设备必须非常可靠,并且能够大批量生产。此外,光刻设备的拥有成本也是内存生产商的一个重要考虑因素。存储器制造技术应在高分辨率、快速处理速度和成本效益之间取得平衡。

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国家/地区敏锐度

为什么亚太地区在半导体光刻市场的市场份额方面处于领先地位?

全球半导体光刻市场无可否认的领导者是亚太地区。这种主导地位源于多种因素的强大组合,这些因素为芯片制造创造了蓬勃发展的环境,从而导致对光刻设备的需求很高。

这种主导地位的核心在于亚太地区的制造业实力。亚太地区是台积电和三星等行业巨头的所在地,它们不断突破芯片设计和生产的界限。这些公司需要最先进的光刻设备来制造晶体管越来越小的尖端芯片。此外,与其他地区不同,亚太地区拥有完善的合约芯片制造商网络。这些公司制造由全球公司设计的芯片,对各种技术水平的光刻设备的需求强劲。

政府支持进一步增强了亚太地区的领导地位。该地区的许多政府通过财政激励和研发投资积极推动国内芯片制造。这营造了一个有利于光刻设备市场的支持性环境。各国政府还投资基础设施建设,建设专用的半导体园区,并吸引设备供应商。这种集中的生态系统简化了芯片生产,并为光刻设备创造了一个现成的市场。虽然北美仍然是一个强大的参与者,但亚太地区的制造实力、政府支持和战略基础设施发展的结合巩固了其在全球半导体光刻市场的领先地位。

北美国内光刻设备制造商面临的主要挑战和机遇是什么?

北美国内光刻设备制造商面临着多项挑战。他们面临着来自亚洲老牌企业的激烈竞争,这些企业受益于政府的强大支持和规模经济。先进光刻设备(尤其是下一代技术)的研发需要大量的前期投资,这对北美小公司来说可能是一个障碍。与亚太地区庞大的芯片制造生态系统相比,北美的客户群有限,限制了市场潜力。吸引和留住熟练的劳动力是另一项挑战,因为与一些亚洲国家相比,北美的专业工程师和技术人员的人才库可能较小。此外,地缘政治格局和全球供应链潜在中断也给北美制造商带来了不确定性,使其难以获得关键部件或原材料。

竞争格局

半导体光刻市场在成熟的行业领导者、敏捷的初创公司和材料科学创新者之间的动态相互作用下蓬勃发展。这种协作生态系统满足了芯片制造商不断变化的需求,这些制造商寻求突破小型化和性能的界限。

半导体光刻市场的一些知名参与者包括:

  • ASML Holding NV
  • 台湾半导体制造公司 (TSMC)
  • 尼康公司
  • 日本电子有限公司
  • 默克公司
  • JSR 公司
  • 富士胶片控股公司
  • 信越化学有限公司
  • 佳能公司
  • SUSS Microtec SE
  • Holmarc Opto-Mechatronics (P) Ltd
  • KLA 公司
  • Veeco Instruments Inc.,
  • Conax Technologies

最新发展

  • 2023 年 12 月,荷兰半导体设备制造商 ASML开始向英特尔公司交付其首批新型“高 NA”极紫外光刻系统。
  • 2023 年 10 月,总部位于东京的佳能公司开始销售其纳米压印半导体制造系统,试图通过将该技术定位为当今尖端工具的更简单、更可实现的替代品来夺回市场份额。
  • 2023 年 3 月,NVIDIA 推出了一款软件套件,可能会大幅提高现有光刻系统的分辨率。新库名为 cuLitho,是 NVIDIA CUDA 库的扩展,针对与计算光刻相关的工作负载进行了优化。 cuLitho 由用于 GPU 加速的工具和算法组成,声称可以将半导体制造过程的速度比基于 CPU 的方法提高几个数量级。
  • 2022 年 12 月,佳能公司发布了 FPA-5520iV LF2,这是一款 i 线光刻步进机,专为 3D 先进封装而设计,例如用于安装在中介层上的芯片的封装。该设备针对后端处理进行了优化,使用 365nm 波长的光,可在 52 mm x 68 mm 的单次曝光场中提供 0.8 微米的分辨率。

报告范围

报告属性详细信息
研究时间

2021-2031

增长率

复合年增长率2024 年至 2031 年期间增长约 8.30%

估值基准年

2024

历史时期

2021-2023

预测期

2024-2031

定量单位

价值(十亿美元)

报告范围

历史和预测收入预测、历史和预测量、增长因素、趋势、竞争格局、关键参与者、细分分析

涵盖的细分市场
  • 技术
  • 应用
  • 波长
涵盖的地区
  • 北美
  • 欧洲
  • 亚太地区
  • 拉丁美洲
  • 中东和非洲
主要参与者

ASML Holding NV、台湾半导体制造公司 (TSMC)、尼康株式会社、日本电子株式会社、默克集团、JSR 株式会社、富士胶片控股株式会社、信越化学株式会社、佳能公司、SUSS Microtec SE、Holmarc Opto-Mechatronics (P) Ltd、KLA Corporation、Veeco Instruments Inc.、Conax Technologies

定制

可根据要求提供报告定制和购买

半导体光刻市场,按类别

技术:

  • 光学光刻
  • EUV 光刻
  • 电子束光刻
  • X 射线光刻

波长:

  • 深紫外 (DUV) 光刻
  • 极紫外 (EUV) 光刻
  • 其他

应用:

  • 内存
  • 代工厂和逻辑
  • MEMS 和传感器
  • 其他

地理区域:

  • 北美
  • 欧洲
  • 亚太地区
  • 中东和非洲
  • 拉丁美洲

市场研究方法:

如需了解有关研究方法和研究其他方面的更多信息,请与我们的联系。

购买此报告的原因:

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研究中回答的关键问题

一些引领市场的关键参与者包括 ASML Holding NV、台湾半导体制造公司 (TSMC)、尼康株式会社、日本电子株式会社、默克集团、JSR 株式会社、富士胶片控股株式会社、信越化学株式会社、佳能公司、SUSS Microtec SE、Holmarc Opto-Mechatronics Ltd、 KLA Corporation、Veeco Instruments Inc. 和 Conax Technologies。
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