碳化硅广泛用于金属加工、磨料和耐火材料等行业。随着机械、航空航天和能源等丰富多彩行业的不断发展,对用于切割、研磨、抛光和其他操作的 SiC 研磨设备的需求也将增加。《全球碳化硅市场》报告对市场进行了全面评估。该报告对关键细分市场、趋势、驱动因素、限制因素、竞争格局以及在市场中发挥重要作用的因素进行了全面的分析。
电力运营要求更低、更有效的结果。 SiC 非常适合替代独立元件和电源模块中的硅,因为它可以提高功率粘度并确保偏压能够容纳在较小的封装中。由于其卓越的性能,SiC MOSFET 广泛应用于承受高开关频率、电压、电流和效率的电源操作中。SiC 偏压的设计和制造与普通 Si 偏压几乎相似,除了一些差异,例如半导体器件。与使用硅的 Si 不同,SiC 具有冗余碳元素。
这些偏压在很大程度上是可靠的、节能的、坚固的,并且可以承受更高的开关频率和工作电压。高功率粘度偏压具有简单的设计,可以承受更小和更低的外部因素。SiC 偏压具有类似于提高能源效率和降低能量损失的好处,从而降低了运营成本和环境破坏。SiC 偏压的设计和制造与普通 Si 偏压几乎相似,除了一些差异,例如半导体器件。
与使用硅的 Si 不同,SiC 具有冗余碳元素。此外,由于其高功率粘度,这些偏压器结构紧凑,从而节省空间并减轻重量。高工作频率允许使用低电阻元件,例如电容器和电感器。SiC 偏压器,包括 MOSFET,适用于彩色电子电力系统开关操作。它们的半导体设备和制造工艺使它们能够承受高压和快速开关的组合,而这是传统功率晶体管无法实现的。
在 SiC 设备中,充电器周围设置了微型孔,称为微管。在制造较大的晶圆时,SiC 偏压器容易受到彩色缺陷的影响,例如中断、原型消除和堆积故障。这些缺陷是由于硅和碳前体的不平衡以及压力或温度的初始不稳定造成的。这些缺陷会影响设备的有效性并降低其电气特性。 SiC 偏置电路的设计具有很高的复杂性。
For a single, multi and corporate client license, the report will be available in PDF format.
Sample report would be given you in excel format. For more questions please contact: