全球栅极全环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场规模按类型（3nm、2nm）、按应用（消费电子、逆变器和 UPS）、按地理范围和预测

全栅场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场规模及预测

全栅场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场规模在 2023 年价值 25,732.33 千美元，预计到 2030 年将达到1,35,816.77 千美元，2024 年至 2030 年的复合年增长率为 31.95%。

提高全栅场效应晶体管 (GAAFET) 技术的击穿电压和最小化能量损失是推动市场增长的因素。全栅场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场报告对市场进行了全面评估。报告对关键细分市场、趋势、驱动因素、限制因素、竞争格局以及在市场中发挥重要作用的因素进行了全面的分析。

全球栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场定义

栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 是一种晶体管技术，代表了半导体制造中传统 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的重大进步。在 GAAFET 中，栅极材料完全包围通道，从而更好地控制电子流。这与 FinFET 技术不同，在 FinFET 技术中，栅极仅部分包围通道。这种独特的设计有几个优点：

• 改进的控制：GAAFET 对通道提供更好的静电控制，减少泄漏并提高能源效率。
• 降低可变性：全方位栅极结构最大限度地减少了晶体管性能的变化，从而提高了一致性和可靠性。
• 增强缩放：GAAFET 技术允许继续缩小晶体管尺寸，从而开发更小、更强大的半导体器件。
• 改进的性能：由于增强的控制和降低的可变性，GAAFET 可以提供比传统晶体管技术更高的性能。
• 降低功耗：改进的静电控制有助于降低功耗，使 GAAFET 适用于节能设备。
• 缩放可能性：GAAFET 可以进一步缩小半导体器件的规模，促进更小、更先进的电子产品的开发。

GAAFET 技术对于半导体行业的各种应用至关重要，包括：

• 移动设备：改进的能源效率和性能使GAAFET适用于移动处理器，有助于延长电池寿命并加快处理速度。
• 数据中心：在高性能计算应用中，GAAFET技术可以提高数据中心处理器的效率。
• 物联网（IoT）：基于GAAFET的设备体积小、功耗低，有利于物联网应用。

参与开发和实施先进晶体管技术的主要半导体公司包括：英特尔、三星、台积电（台湾半导体制造公司）、GlobalFoundries、IBM。这些公司通常会在研发上投入巨资，以保持在半导体技术的前沿。

GAAFET技术的市场渗透率受研发进展、制造能力和行业需求等因素的影响。区域采用可能会因半导体制造设施和技术创新中心的集中度而异。

GAAFET技术与先进材料的集成是研究人员和制造商关注的领域。这包括探索晶体管通道和栅极的新材料，以进一步提高性能并降低功耗。预计 GAAFET 技术将在与人工智能 (AI) 和边缘计算相关的应用中发挥关键作用。GAAFET 性能和能效的提高使其非常适合处理边缘设备中 AI 算法的计算需求。异构集成的趋势涉及在单个芯片上结合不同的材料和技术。GAAFET 可以成为这一趋势的一部分，有助于开发更多功能和更高效的半导体器件。台积电和 GlobalFoundries 等半导体代工厂可能会在 GAAFET 技术的广泛采用中发挥关键作用。他们参与为各种客户制造基于 GAAFET 的芯片，这可能会推动该技术在不同行业的接受度。

全球栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场概览

现代半导体技术被称为栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术，由于其增强的能源效率和性能而引起了业界的广泛关注。与传统晶体管架构相比，GAAFET 的设计中栅极环绕整个通道，从而改善了电流流动控制。由于其架构，GAAFET 技术可提供增强的晶体管性能、更低的漏电流和更好的可扩展性，使其成为半导体行业的一项有希望的发展。

随着半导体制造商将这项技术集成到其复杂的制造工艺中以满足各种应用不断变化的需求，GAAFET 技术的市场预计将大幅增长。对高性能和节能电子设备的需求预计将继续上升。技术发展、研发工作以及各行各业对下一代电子设备日益增长的需求都会对市场的发展轨迹产生影响。

全球栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场：细分分析

全球栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场根据类型、应用和地理位置进行细分。

栅极环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场，按类型

• 3nm
• 2nm

按类型获取汇总市场报告：-

根据类型，市场细分为 3nm 和 2nm。 3nm 将在 2024 年占据 74.51% 的最大市场份额，市场价值为 19,174.21 千美元，预计在预测期内最高复合年增长率为 33.13%。2nm 将成为 2024 年第二大市场，2024 年价值为 6,558.12 千美元；预计复合年增长率为 28.15%。

Gate-All-Around FET (GAAFET) 技术市场，按应用

• 消费电子产品
• 逆变器和 UPS
• 能源和电力
• 工业系统
• 其他

按应用获取摘要市场报告：-

根据应用，市场细分为消费电子、逆变器和 UPS、能源和电力、工业系统和其他。消费电子产品将在 2024 年占据 43.15% 的最大市场份额，市场价值为 11,103.16 千美元，预计在预测期内以 37.40% 的最高复合年增长率增长。逆变器和 UPS 将成为 2024 年第二大市场，2024 年的价值将达到 4,818.42 千美元；预计复合年增长率为 30.26%。

按地区划分的栅极全环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场

• 北美
• 欧洲
• 亚太地区
• 拉丁美洲
• 中东和非洲

根据地理位置，全球栅极全环绕场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场细分为不同的地区，包括北美、欧洲、亚太地区、拉丁美洲和中东和非洲。2024 年，亚太地区将占据最大的市场份额，为 34.83%，市场价值为 8,962.57 万美元，预计在预测期内将以 32.57% 的最高复合年增长率增长。快速的城市化和对消费电子产品的不断增长的需求导致了亚太地区市场的增长。北美将成为 2024 年第二大市场，价值将达到 8,321.84 千美元；预计复合年增长率为 32.08%。人工智能、5G 和物联网等新兴技术对半导体的需求不断增长，推动了北美地区市场的增长。

关键参与者

“全球全栅极场效应晶体管 (GAAFET) 技术市场”研究报告将提供有价值的见解，重点关注全球市场。市场的主要参与者是三星集团、台积电和英特尔。竞争格局部分还包括上述参与者的关键发展战略、市场份额和市场排名分析。

报告范围

获取定制报告范围：-

热门趋势报告：

市场研究的研究方法：

要了解有关研究方法和研究其他方面的更多信息，请与我们的联系。

购买此报告的原因

• 基于涉及经济和非经济因素的细分市场的定性和定量分析。
• 为每个细分市场和子细分市场提供市场价值（十亿美元）数据。表示预计将见证最快增长并主导的地区和细分市场市场。
• 按地理区域进行分析，重点介绍该地区产品/服务的消费情况，并指出影响每个地区市场的因素。
• 竞争格局，包括主要参与者的市场排名，以及过去五年内公司推出的新服务/产品、合作伙伴关系、业务扩张和收购。
• 详尽的公司简介，包括公司概况、公司见解、产品基准测试和主要市场参与者的 SWOT 分析。
• 当前以及未来市场前景，考虑到最近的发展（包括增长机会和驱动因素以及新兴地区和发达地区的挑战和限制）。
• 包括通过波特五力分析对各个角度的市场进行深入分析。
• 通过价值链提供对市场的洞察。
• 市场动态情景，以及未来几年市场的增长机会。6 个月售后分析师支持。

报告定制

• 如有任何问题，请联系我们的销售团队，他们将确保满足您的要求。