功率 MOSFET 市场 – 全球行业规模、份额、趋势、机遇和预测，按类型（耗尽模式和增强模式）、按功率率（高功率、中功率和低功率）、按通道类型（N 通道和 P 通道）、按应用（能源和电力、逆变器和 UPS、消费电子、汽车、工业和其他）、按地区和竞争进行细分，2018-2028 年

全球功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）市场

功率 MOSFET 用于处理显着的功率水平。绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或晶闸管是另外两种功率半导体器件，在低压下的开关速度和效率方面具有类似的优势。它与 IGBT 共享一个隔离栅极，使其易于驱动。它们的增益可能很低，有时甚至低到栅极电压必须高于控制电压的程度。

当今的电子产品具有许多功能，可以帮助客户感到更安心并销售更多产品。由于手机、计算机、无线通信和云系统等电子元件的技术进步，消费者安全标准已经提高，并且出现了改进电子产品和设备的新商机。由于创新的快速增强、生产力的提高以及电子零件的尺寸小，功率 MOSFET 具有关键的潜力。此外，纳米调节器对于以最小的力损失处理循环至关重要。预计协调各种电子设备将为市场参与者提供很多可能性。

更加重视节能

由于化石燃料正在迅速耗尽，预计未来将面临电力问题。节能越来越受到关注，这并不奇怪。MOSFET 是用于电动汽车管理、逆变器和电源的开关元件。MOSFET 经常用于开关频率较低的工业环境中。对能源效率和可再生能源的日益重视使这个行业成为自己的行业。预计安装数量最多的可再生能源将占电源模块的更大份额。因此，预计这些因素将推动

功率 MOSFET 在半导体中的广泛使用正在推动全球功率 MOSFET 市场

MOSFET 是先进和简单电路中最常使用的半导体设备，也是最常用的电源设备。它是第一个微型半导体，能够被切割并高效地制造用于许多应用。MOSFET 的缩小和缩小推动了电子半导体技术的快速发展，为存储芯片和微芯片等高密度集成电路 (IC) 提供支持。

功率 MOSFET 是世界上应用最广泛的电源设备。在电源设备中，MOSFET 比双极晶体管半导体更具优势，因为它们不需要恒定的驱动电流来保持导通状态，提供更高的交换速度、更低的交换功率损耗、更低的导通电阻，并且不易失控。功率 MOSFET 影响电源，具有更高的工作频率、更小的尺寸和重量以及更大的批量生产。因此，预计它将推动全球功率 MOSFET 市场的增长。

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如今的机器在执行其设计用途时非常灵活、精简且高效，以至于它们已经控制了大量体力劳动。预计未来几年机器和电子设备市场将继续增长或增长速度超过需求。大多数机器使用功率 MOSFET 管理电源。MOSFET 模块经常用于电压切换操作，全球风能和太阳能装置约有 78,124 千兆瓦 (GW)。对电动机械和设备的日益依赖直接使功率 MOSFET 受益，这是影响全球功率 MOSFET 市场的主要因素之一。

电动汽车零部件需求增长推动全球功率 MOSFET 市场增长

由于政府采取税收减免和补贴措施鼓励全球使用低续航里程、零排放汽车，预计全球功率 MOSFET 市场将在预测期内扩大。预计全球市场还将受到对氢燃料和电动汽车充电站建设投资增加的推动。此外，由于电动汽车电池的广泛生产和技术的持续进步，预计全球市场将受益于电动汽车电池价格的下降。推动全球市场发展的另一个重要因素是对电动汽车设备和组件（如便携式充电器、适配器、连接器和充电线）的高需求。

运营限制和高成本预计将阻碍全球功率 MOSFET 市场的增长

栅极氧化物、漏极到源极电压、最大漏极电流和温度等限制导致的击穿阻碍了该市场的扩张。由于栅极氧化物很薄，因此击穿极限较浅。较高的栅极到源极电压会进一步缩短 MOSFET 的寿命，这对减少击穿几乎没有影响。MOSFET 也需要特定测量通道到源极电压和电流；如果不满足这些要求，可能会很快发生击穿。

此外，功率 MOSFET 有漏电流的倾向，影响其市场增长。功率 MOSFET 的高安装成本可能会限制市场扩张，因为这种组件会提高汽车价格。由于车辆拥有众多技术部件，因此其可维护性具有挑战性，需要熟练的人员。具有复杂架构的系统的寿命较短。因此，人们猜测上述因素预计将阻碍全球功率 MOSFET 市场的增长。

最新发展

• 2022 年 3 月，Microchip Technology Inc. 发布了业界最低导通电阻 3.3 kV SiC MOSFET 和最高额定电流 SiC SBD，使设计人员能够充分利用其坚固性、可靠性和性能。得益于 Microchip SiC 产品组合的扩展，设计人员现在拥有了创建更轻、更小、更有效的解决方案所需的工具，可用于电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用。 Microchip 提供的 3.3 kV MOSFET 和 SBD 是该公司广泛的 SiC 解决方案系列的一部分，该系列还包括裸片、分立器件、模块和数字栅极驱动器，电压为 700V、1200V 和 1700V。25 mOhm 的 MOSFET 和业界最高额定电流 90 安培的 SBD 都属于 Microchip 生产的 3.3 kV SiC 功率器件。SBD 和 MOSFET 可以作为裸片或封装购买。凭借这些新的性能水平，设计人员可以简化设计，创建功率更大的系统，并使用更少的并联组件来创建更小、更轻、更高效的电源解决方案。

市场细分

市场参与者

全球功率 MOSFET 市场的主要市场参与者包括 Digi-Key Corporation、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、Toshiba Corporation、IXYS Corporation、STMicroelectronics NV、Microchip Technology Inc.、Power Integration Inc.、Sumitomo Electric Industries Ltd. 和 Hitachi Power Semiconductor Device Ltd.