IT 和电信非易失性存储器市场 - 全球行业规模、份额、趋势、机遇和预测,按类型(传统非易失性存储器(闪存、EEPROM、SRAM 和 EPROM)、按地区、竞争情况划分,2018-2028 年

Published Date: January - 2025 | Publisher: MIR | No of Pages: 320 | Industry: ICT | Format: Report available in PDF / Excel Format

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IT 和电信非易失性存储器市场 - 全球行业规模、份额、趋势、机遇和预测,按类型(传统非易失性存储器(闪存、EEPROM、SRAM 和 EPROM)、按地区、竞争情况划分,2018-2028 年

预测期2024-2028
市场规模 (2022)559.8 亿美元
复合年增长率 (2023-2028)13.03%
增长最快的细分市场闪存
最大的市场亚太地区

MIR IT and Telecom

市场概览

全球 IT 和电信非易失性存储器市场在 2022 年的价值为 559.8 亿美元,预计在预测期内将实现强劲增长,到 2028 年的复合年增长率为 13.03%。在蓬勃发展的消费电子行业中,用户希望他们的设备不断变得更强大,以惊人的速度提供新功能,并存储更多的电影、图片和音乐。虽然闪存在过去几十年中实现了重大创新,但由于闪存遇到技术障碍,阻碍其进一步扩展,因此需要新一代内存。由于闪存价格低廉、功耗低,因此在消费电子产品中采用闪存对市场增长至关重要。NVM 用于智能手机和可穿戴设备,以实现更多存储和更快的内存访问。该领域日益增多的研究活动也推动了市场的增长。例如,2021 年 3 月,英飞凌科技有限责任公司宣布推出符合 QML-Q 和高可靠性工业规范的第二代非易失性静态 RAM,主要支持恶劣环境下的非易失性代码存储,包括航空航天和工业应用。

关键市场驱动因素

移动设备和 SSD

移动设备和固态硬盘 (SSD) 是推动全球 IT 和电信非易失性存储器市场进入显着增长和创新时期的两个关键驱动因素。这些技术相互交织,IT 和电信非易失性存储器在增强两者的性能和存储能力方面发挥着核心作用。包括智能手机和平板电脑在内的移动设备已成为现代生活不可或缺的一部分。随着消费者寻求增强的连接性、高级功能和更强的处理能力,对这些设备的需求持续激增。非易失性存储器,尤其是 NAND 闪存,是这些设备存储的基础。 NAND 闪存不断增加的存储容量和快速的读写速度使用户能够存储大量数据,包括照片、视频、应用程序和文档,同时还能提供流畅、响应迅速的用户体验。

此外,智能手机市场正在见证 5G 技术的发展,该技术有望彻底改变移动连接。5G 实现了更快的数据传输速率和更低的延迟,为更多数据密集型应用和服务创造了机会。IT 和电信非易失性存储器对于支持 5G 的设备至关重要,因为它能够快速访问高速数据处理所需的大型数据集,例如增强现实 (AR)、虚拟现实 (VR) 和实时 AI 应用。

固态硬盘 (SSD) 在消费者和企业环境中也越来越受欢迎。从传统硬盘 (HDD) 到 SSD 的转变主要由后者的卓越性能、可靠性和能源效率驱动。 SSD 依靠各种类型的非易失性存储器(例如 NAND 闪存)来存储数据。随着企业和消费者寻求更快的数据访问、更低的功耗和更高的耐用性,SSD 的采用率持续增长,进一步推动了 IT 和电信非易失性存储器市场的发展。此外,由于 SSD 能够缩短加载时间并提高游戏性能,游戏行业见证了 SSD 采用率的激增。随着游戏机、个人电脑和云游戏服务优先考虑速度和响应能力,这一趋势预计将持续下去。总之,全球 IT 和电信非易失性存储器市场受到移动设备和 SSD 广泛采用的极大影响。这些技术正在推动越来越先进和高效的 IT 和电信非易失性存储器解决方案的发展,以满足消费者和企业对更快的数据访问、更高的存储容量和更高的能源效率日益增长的需求。随着这些趋势的持续和技术的发展,IT 和电信非易失性存储器市场将继续扩张,为广泛的行业和应用带来好处。

数据存储需求不断增长

全球 IT 和电信非易失性存储器市场正在经历强劲增长,主要原因是各个行业对数据存储的需求不断增长。这种对数据的无限渴求是由几种趋同趋势推动的,而 IT 和电信非易失性存储器技术正处于满足这些蓬勃发展的存储需求的最前沿。首先,企业的数字化转型和消费电子产品的普及导致数据生成量呈指数级增长。从电子商务交易和社交媒体互动到来自物联网设备的传感器数据,产生的数据量是前所未有的。 IT 和电信非易失性存储器解决方案(例如 NAND 闪存和 3D XPoint)对于高效可靠地存储这些数据至关重要。

云计算是数据存储需求的另一个主要驱动因素。云服务提供商需要拥有大容量存储解决方案的大型数据中心来托管和管理全球个人和组织的数据。IT 和电信非易失性存储器技术(包括 SSD)已成为这些数据中心的首选,因为它们与传统硬盘驱动器 (HDD) 相比速度更快、更可靠、功耗更低。此外,5G 技术的出现有望加速对数据存储的需求。5G 网络提供的更快的数据传输速度和更低的延迟将促进数据密集型应用的发展,例如增强现实 (AR)、虚拟现实 (VR) 和自动驾驶汽车。这些应用程序依靠 IT 和电信非易失性存储器来存储和快速访问实时处理所需的大量数据。

数据安全性和法规遵从性也在推动数据存储需求。组织越来越多地存储敏感信息,并且必须遵守严格的数据保护法。IT 和电信非易失性存储器在数据加密和安全存储中起着至关重要的作用,对于保护关键数据资产来说,它是必不可少的。此外,IT 和电信非易失性存储器制造商不断创新,提高存储密度并降低每比特成本。这使得 IT 和电信非易失性存储器解决方案更易于广泛应用且价格合理,进一步促进了全球 IT 和电信非易失性存储器市场的增长。总之,对数据存储的不断增长的需求是塑造全球 IT 和电信非易失性存储器市场的一股不可阻挡的力量。随着我们的世界越来越以数据为中心,对可扩展、高性能和可靠的 IT 和电信非易失性存储器解决方案的需求将继续增长,从而使该市场成为数字时代的重要组成部分。


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人工智能和机器学习

人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 有望在推动全球 IT 和电信非易失性存储器市场迈向新高度方面发挥关键作用。这些变革性技术正在彻底改变整个行业,它们对数据的贪婪需求和对快速数据访问的需求使 IT 和电信非易失性存储器成为其成功的关键因素。AI 和 ML 算法需要大量数据进行训练和推理。 IT 和电信非易失性存储器解决方案(例如 NAND 闪存、SSD 和 3D XPoint 等新兴存储器技术)可提供高效存储和访问这些海量数据集所需的速度和容量。这对于深度学习尤其重要,因为具有众多层的神经网络需要大量数据集才能进行精确建模。

此外,IT 和电信非易失性存储器的低延迟特性对于需要实时或近实时处理的 AI 和 ML 应用至关重要。从自动驾驶汽车到语音识别系统,快速访问数据的能力对于确保 AI 驱动技术的无缝运行至关重要。IT 和电信非易失性存储器的可扩展性是推动其在 AI 和 ML 中采用的另一个关键因素。随着企业和研究机构扩展其 AI 和 ML 基础设施,他们需要能够随着不断增长的数据存储需求而扩展的存储器解决方案。 IT 和电信非易失性存储器可以轻松集成到现有的数据中心架构中,并可以满足对数据存储容量日益增长的需求。

此外,IT 和电信非易失性存储器技术正在针对 AI 和 ML 工作负载进行优化。制造商正在开发具有更好耐用性、能效和可靠性的内存解决方案,以满足 AI 加速器和边缘计算设备的特定要求。总之,AI 和 ML 处于技术创新的前沿,它们对全球 IT 和电信非易失性存储器市场的影响力是不可否认的。随着 AI 和 ML 应用在医疗保健、金融和制造业等各个行业中的不断普及,对高性能、低延迟和可扩展的 IT 和电信非易失性存储器解决方案的需求只会加剧。 AI/ML 与 IT 和电信非易失性存储器之间的这种共生关系有望推动这两个领域的创新,存储器行业也将适应不断变化的人工智能需求。

关键市场挑战

成本限制

成本限制是一项重大挑战,可能会阻碍全球 IT 和电信非易失性存储器市场的增长和发展。这一挑战是多方面的,影响着行业的各个方面,从研发到生产和消费者采用。研发成本:开发新的 IT 和电信非易失性存储器技术并改进现有技术需要在研发方面进行大量投资。行业内的公司需要不断创新,以保持竞争力并满足不断变化的市场需求。高昂的研发成本可能会成为小型企业和初创企业的障碍,限制市场上存储器解决方案的多样性。

制造成本:IT 和电信非易失性存储器芯片的制造涉及复杂的工艺和昂贵的设备。随着技术进步,制造商努力生产容量更大、速度更快的内存芯片,建造和维护制造设施(也称为晶圆厂)的成本不断上升。这种成本通常会转嫁给消费者,从而可能限制先进内存解决方案的可负担性。规模经济:实现规模经济对于具有成本效益的生产至关重要。规模较小的制造商可能难以与拥有大量生产内存芯片资源的大型成熟公司竞争。这种制造能力的集中可能会导致少数参与者占据市场主导地位,从而可能限制竞争和创新。

价格压力:IT 和电信非易失性存储器市场竞争激烈,消费者和企业期望更高容量的内存解决方案价格更低。制造商经常面临降价以保持竞争力的压力,这可能会影响利润率并阻碍他们投资研发的能力。消费者采用:IT 和电信非易失性存储器的成本直接影响消费者采用。在智能手机等市场中,消费者对价格敏感,内存组件的成本显著影响设备的整体价格。如果内存价格居高不下,可能会减缓具有更大存储容量的设备的采用。

企业解决方案:在企业和数据中心环境中,成本限制可能会限制高容量 IT 和电信非易失性内存解决方案的部署。组织可能需要平衡其存储需求和预算限制,这可能会推迟其内存基础设施的升级或扩展。为了解决这些成本限制,IT 和电信非易失性内存行业必须专注于改进制造流程,以降低生产成本并实现更好的规模经济。此外,内存技术的持续创新可能会在长期内带来更具成本效益的解决方案。行业参与者之间的战略伙伴关系和协作也有助于分摊成本并促进研发工作。总之,虽然成本限制对全球 IT 和电信非易失性内存市场构成了挑战,但它们也推动了行业的创新和效率。克服这些挑战需要结合技术进步、规模经济和市场动态,以确保 IT 和电信非易失性存储器解决方案仍然可供各种应用和消费者使用且价格合理。

NAND 闪存扩展限制

全球 IT 和电信非易失性存储器市场面临的重大挑战之一是 NAND 闪存技术的扩展限制。多年来,NAND 闪存一直是 IT 和电信非易失性存储器市场的主力,广泛应用于从智能手机到数据中心的各种设备。然而,随着 NAND 闪存接近其物理扩展极限,它对行业的进一步发展和扩张构成了潜在的障碍。NAND 闪存扩展的基本问题是,当制造商试图缩小存储单元以增加存储密度时,出现了几个关键问题:耐用性降低:随着 NAND 单元变小,它们在磨损前可以承受更少的编程/擦除 (P/E) 循环。这种耐久性降低会影响基于 NAND 闪存的设备的可靠性和使用寿命,尤其是在企业存储系统等高写入密集型应用中。

错误率增加:较小的 NAND 单元更容易受到电子隧穿和相邻单元之间干扰等因素引起的错误的影响。这会导致更高的错误率,需要可能消耗额外资源和电力的纠错机制。数据保留:较小的 NAND 单元也往往具有较短的数据保留时间。这意味着存储在这些单元中的数据可能会更快地降级,这对于需要长期数据存储的应用程序来说是个问题。复杂的制造工艺:缩小 NAND 闪存单元需要越来越复杂的制造工艺,从而导致更高的生产成本和潜在的制造挑战。

为了解决这些问题,制造商已经探索了各种技术,例如多层单元 (MLC)、三层单元 (TLC) 和四层单元 (QLC) NAND 闪存,以提高存储密度,同时保持合理的性能和耐用性。然而,这些解决方案在性能和可靠性方面有所取舍。为了缓解这些扩展挑战,业界还积极探索替代 IT 和电信非易失性存储器技术,如 3D XPoint、电阻式 RAM (ReRAM) 和磁阻 RAM (MRAM)。这些技术在可扩展性、耐用性和性能方面具有优势,但也面临着自身的一系列开发和采用挑战。

总之,虽然 NAND 闪存一直是 IT 和电信非易失性存储器市场的中坚力量,但其扩展限制对满足对更高容量和更快存储解决方案的日益增长的需求构成了重大障碍。行业解决这些扩展限制和过渡到替代内存技术的能力对于塑造 IT 和电信非易失性内存的未来以及确保其在日益数据驱动的世界中持续增长和相关性至关重要。


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主要市场趋势

新兴内存技术

新兴内存技术有望成为塑造全球 IT 和电信非易失性内存市场未来的驱动力。这些创新的内存解决方案超越了传统的 NAND 闪存,提供了一系列优势,可解决关键限制并满足各个行业和应用不断变化的需求。最值得注意的新兴内存技术之一是英特尔和美光以 Optane 品牌开发的 3D XPoint。3D XPoint 因其独特的特性通常被称为存储级内存 (SCM)。它将传统 DRAM 的速度和耐用性与 NAND 闪存的非易失性相结合,填补了易失性和非易失性存储器之间的空白。这项技术有望以多种方式彻底改变数据存储和处理,高性能:3D XPoint 提供比 NAND 闪存快得多的数据访问速度,使其非常适合高性能计算应用程序、实时分析和需要快速数据处理的 AI/ML 工作负载。

高耐用性:与 NAND 闪存不同,3D XPoint 不会因重复写入周期而迅速退化,从而确保更长的使用寿命和更好的可靠性。这一特性对于企业和数据中心应用程序至关重要。低延迟:低延迟数据访问对于内存数据库和边缘计算等应用程序至关重要。3D XPoint 提供接近 DRAM 级别的延迟,从而提高了整体系统性能。另一种新兴的内存技术是电阻式 RAM (ReRAM),它利用电阻开关材料来存储数据。ReRAM 具有低功耗、快速写入速度和可扩展性等优势。它在物联网设备、神经形态计算和存储级内存解决方案中具有潜在的应用。相变存储器 (PCM) 是另一项值得注意的技术,它利用材料的可逆相变来存储数据。PCM 具有高数据保留率、低功耗和耐极端温度的特性,使其适用于汽车电子、航空航天应用和物联网传感器。在全球 IT 和电信非易失性存储器市场的背景下,这些新兴的内存技术正在使格局多样化并推动创新。它们满足了数据中心、人工智能、物联网和汽车等行业对更快、更可靠、更节能的内存解决方案的需求。随着制造商改进这些技术、改进生产流程和扩大制造规模,它们可能会变得更具成本竞争力,从而进一步加速其采用。总之,3D XPoint、ReRAM 和 PCM 等新兴内存技术处于 IT 和电信非易失性存储器创新的前沿。他们正在通过解决传统 NAND 闪存的局限性并为广泛的应用提供定制的解决方案来重塑市场。随着行业继续优先考虑性能、耐用性和效率,这些技术将在全球 IT 和电信非易失性存储器市场的增长和发展中发挥关键作用。

人工智能和机器学习集成

人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 技术的集成是推动全球 IT 和电信非易失性存储器市场进入增长和创新新时代的强大力量。这些变革性技术深深地由数据驱动,依赖于快速的数据访问和存储,使得 IT 和电信非易失性存储器成为其进步的关键组成部分。人工智能和机器学习算法是数据的贪婪消费者。它们需要大量数据集进行训练,并需要实时数据访问进行推理,因此高性能、低延迟的存储解决方案成为关键必需品。非易失性存储器(例如 NAND 闪存和 3D XPoint 等新兴技术)通过提供快速可靠的数据存储和检索功能,在满足这些需求方面表现出色。

推动 AI/ML 与 IT 和电信非易失性存储器之间协同作用的关键因素包括数据密集型工作负载:从自然语言处理到计算机视觉等 AI 和 ML 应用程序会生成和处理大量数据。IT 和电信非易失性存储器技术擅长存储和管理这些海量数据集,确保 AI 模型能够访问所需的信息,从而做出准确的预测和决策。

实时处理:AI 和 ML 通常需要实时或近实时处理,例如自动驾驶汽车做出瞬间决策或语音识别系统响应用户命令。非易失性存储器的低延迟特性可实现快速数据访问,从而为这些应用程序提供所需的快速响应时间。边缘计算:随着人工智能向网络边缘移动,更接近物联网设备和传感器,IT 和电信非易失性存储器对于本地数据存储和处理至关重要。这种边缘计算模式需要能够在资源受限的环境中高效运行的内存解决方案。

能源效率:移动设备和物联网设备中的人工智能和机器学习应用需要节能的存储解决方案。IT 和电信非易失性存储器技术以与传统硬盘相比更低的功耗而闻名,有助于延长移动设备的电池寿命并延长物联网设备的使用寿命。扩展机会:IT 和电信非易失性存储器的可扩展性与人工智能/机器学习工作负载的增长相一致。组织可以轻松扩展其内存基础设施,以适应人工智能系统生成和分析的越来越多的数据。先进的内存架构:内存制造商正在开发针对人工智能和机器学习优化的内存解决方案,具有改进的耐用性、可靠性和性能等特点。这些技术是为满足 AI 工作负载的特定需求而量身定制的。

总之,AI 和机器学习处于技术创新的前沿,它们与 IT 和电信非易失性存储器技术的深度融合正在推动全球 IT 和电信非易失性存储器市场迈向新的高度。随着 AI/ML 应用在各个行业中的不断普及,对高速、低延迟和可扩展的 IT 和电信非易失性存储器解决方案的需求将保持强劲,从而促进这两个变革领域之间的持续合作和创新。由此产生的进步将进一步增强 AI/ML 驱动的应用程序并塑造计算的未来。

细分洞察

类型洞察

预计闪存细分市场将在预测期内占据市场主导地位。消费电子产品的需求和渗透率不断增长导致了设备闪存应用。这种内存类型可用于笔记本电脑、GPS、电子乐器、数码相机、手机等。此外,它还被数据中心解决方案供应商广泛采用。随着云解决方案的采用呈指数级增长,对数据中心的需求也在激增。

此外,随着对需要高低延迟和高吞吐量云存储的 AI/ML 应用程序和 IoT 设备的日益增长的倾向,闪存和企业数据中心经过了优化以训练深度神经网络。数据中心数量和规模的不断增长预计将进一步增加需求。

为了满足不断增长的需求,在市场上运营的供应商专注于开发具有更好功能的新解决方案。例如,2021 年 2 月,Kioxia Corporation 和 Western Digital Corp. 宣布开发第六代 162 层 3D 闪存技术。这是该公司利用许多技术和制造创新的最高密度和最先进的 3D 闪存技术。

区域见解

预计亚太地区将在预测期内占据市场主导地位。由于对在线娱乐、远程办公以及视频和语音通话服务的需求激增,亚太地区各国都在建设包括数据中心在内的新基础设施。随着数字经济的快速发展,在中国和印度等国家建设大型数据中心正变得十分必要。

由于中国积极进军 NAND 内存业务,中国已成为领先国家。例如,中国主要内存公司之一长江存储科技有限公司 (YMTC) 已在国内小批量出货 64 层 NAND,包括 SSD,128 层产品正在开发中,并于 2021 年出货。

最新动态

  • 2022 年 1 月 - SK 海力士公司宣布完成收购英特尔 NAND 和固态硬盘 (SSD) 业务的交易第一阶段。据该公司称,它已通过收购英特尔的 SSD 业务和中国大连 NAND 闪存制造工厂完成了交易的第一阶段。
  • 2021 年 10 月 - NSCore Inc. 推出了 OTP+(一次性可编程),这是一款用于物联网技术应用的 IT 和电信非易失性存储器解决方案。据该公司称,40 nm 超低功耗 OTP NVM IP 解决方案可以最大限度地减少重新制造物联网芯片的需要,这在新兴市场中至关重要。此外,与标准 OTP IP 解决方案不同,NSCore OTP+ 解决方案可以重新编程和修改。
  • 2021 年 7 月 - 美光科技宣布开始批量出货全球首款 176 层 NAND 通用闪存存储 (UFS) 3.1 移动解决方案。美光的 UFS 3.1 独立移动 NAND 存储器专为高端和旗舰手机而设计,与前几代产品相比,其顺序写入和随机读取速度提高了 75%,释放了 5G 的潜力。

主要市场参与者

  • 罗姆株式会社
  • 意法半导体公司
  • 美信集成产品公司
  • 富士通有限公司
  • 英特尔公司
  • 霍尼韦尔国际公司
  • 美光科技Inc.
  • 三星电子有限公司
  • Crossbar Inc.
  • 英飞凌科技股份公司

按类型

按地区

  • 传统非挥发性内存
  • 下一代非易失性内存
  • 北美
  • 欧洲
  • 拉丁美洲
  • 中东和非洲
  • 亚太地区



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